JPH05226292A - プラズマ処理開始方法 - Google Patents
プラズマ処理開始方法Info
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- JPH05226292A JPH05226292A JP5936792A JP5936792A JPH05226292A JP H05226292 A JPH05226292 A JP H05226292A JP 5936792 A JP5936792 A JP 5936792A JP 5936792 A JP5936792 A JP 5936792A JP H05226292 A JPH05226292 A JP H05226292A
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- wafer
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ生成前に冷却ガスの供給を可能とす
ることで、被処理体の温度上昇による損傷防止と、立ち
上がり時間の短縮を図る。 【構成】 接地状態にある載置案内手段４０上に被処理
体１を置くことで該被処理体１を除電し、載置台１０の
下部にある導電層１６との間にクーロン力を作用させ
る。このクーロン力により被処理体１を載置台１０上に
吸着保持した後、冷却ガスを供給し、その後にプラズマ
の生成を開始する。
ることで、被処理体の温度上昇による損傷防止と、立ち
上がり時間の短縮を図る。 【構成】 接地状態にある載置案内手段４０上に被処理
体１を置くことで該被処理体１を除電し、載置台１０の
下部にある導電層１６との間にクーロン力を作用させ
る。このクーロン力により被処理体１を載置台１０上に
吸着保持した後、冷却ガスを供給し、その後にプラズマ
の生成を開始する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理開始方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスでは、真空雰
囲気にてプラズマエッチング等の各種処理を行ってい
る。この真空雰囲気での被処理体ウエハの固定は、静電
チャックを用いて行っている。いわゆるモノポール型の
静電チャックによる被処理体の吸着原理は次の通りであ
る。載置台表面には、２枚の絶縁層の間に一方の電極を
形成した静電チャックシートが設けられ、この一方の電
極と離れた位置に他方の電極が設けられる。例えばプラ
ズマエッチング装置では、他方の電極を接地して載置台
に高周波電力を供給すると、被処理体に臨んでプラズマ
が生成され、このプラズマを通して被処理体が接地され
ることになる。また、静電チャックシートの一方の電極
に高電圧を印加し、被処理体と一方の電極に正，負の電
荷を生じさせ、この間に働くクーロン力によって被処理
体を載置台側に吸着保持するものである。
囲気にてプラズマエッチング等の各種処理を行ってい
る。この真空雰囲気での被処理体ウエハの固定は、静電
チャックを用いて行っている。いわゆるモノポール型の
静電チャックによる被処理体の吸着原理は次の通りであ
る。載置台表面には、２枚の絶縁層の間に一方の電極を
形成した静電チャックシートが設けられ、この一方の電
極と離れた位置に他方の電極が設けられる。例えばプラ
ズマエッチング装置では、他方の電極を接地して載置台
に高周波電力を供給すると、被処理体に臨んでプラズマ
が生成され、このプラズマを通して被処理体が接地され
ることになる。また、静電チャックシートの一方の電極
に高電圧を印加し、被処理体と一方の電極に正，負の電
荷を生じさせ、この間に働くクーロン力によって被処理
体を載置台側に吸着保持するものである。
【０００３】また、この種の装置ではエッチング特性を
向上させるために、前記載置台に冷却部等の温調部を内
蔵し、載置台，静電チャックシートを介して被処理体の
温調を行うようにしている。この際、前記静電チャック
シートの吸着力では、この静電チャックシートと被処理
体との十分な接触圧力を確保することができず、静電チ
ャックシート，被処理体間での熱伝達特性が悪化してい
た。そこで、被処理体裏面と静電チャックシートとの間
に気体たとえばＨｅを充填し、この間での所定の圧力を
確保することにより熱伝達特性を改善している。
向上させるために、前記載置台に冷却部等の温調部を内
蔵し、載置台，静電チャックシートを介して被処理体の
温調を行うようにしている。この際、前記静電チャック
シートの吸着力では、この静電チャックシートと被処理
体との十分な接触圧力を確保することができず、静電チ
ャックシート，被処理体間での熱伝達特性が悪化してい
た。そこで、被処理体裏面と静電チャックシートとの間
に気体たとえばＨｅを充填し、この間での所定の圧力を
確保することにより熱伝達特性を改善している。
【０００４】従来、この被処理体裏面と静電チャックシ
ートとの間への気体の充填は、プラズマ生成により被処
理体が載置台上に吸着保持された後に行なっていた。す
なわち、被処理体が吸着保存されないうちに気体を充填
した場合、被処理体が浮き上って位置ずれを生じるおそ
れがあったからである。
ートとの間への気体の充填は、プラズマ生成により被処
理体が載置台上に吸着保持された後に行なっていた。す
なわち、被処理体が吸着保存されないうちに気体を充填
した場合、被処理体が浮き上って位置ずれを生じるおそ
れがあったからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のごとく、プラズ
マの生成開始後に被処理体裏面と静電チャックシートと
の間へ気体を充填した場合、プラズマエッチング開始に
ともなう被処理体の温度上昇を、気体が充填されるまで
の間調整することができず、被処理体に悪影響を及ぼす
おそれがあった。
マの生成開始後に被処理体裏面と静電チャックシートと
の間へ気体を充填した場合、プラズマエッチング開始に
ともなう被処理体の温度上昇を、気体が充填されるまで
の間調整することができず、被処理体に悪影響を及ぼす
おそれがあった。
【０００６】また、プラズマ生成後、さらに被処理体裏
面と静電チャックシートとの間への気体充填工程を踏ま
なければならないため、プラズマ処理開始に至る立ち上
がりまでに時間がかかるという課題があった。
面と静電チャックシートとの間への気体充填工程を踏ま
なければならないため、プラズマ処理開始に至る立ち上
がりまでに時間がかかるという課題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的とするところは、プ
ラズマ処理開始の動作手順を改善することで、被処理体
の温度上昇による損傷を防止するとともに、立ち上がり
までの時間短縮を図ることのできるプラズマ処理開始方
法を提供することにある。
ラズマ処理開始の動作手順を改善することで、被処理体
の温度上昇による損傷を防止するとともに、立ち上がり
までの時間短縮を図ることのできるプラズマ処理開始方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、載置台上に配
置された静電チャックシートに静電吸着用電圧を印加
し、続いて、接地状態にある載置案内手段を用いて除電
された被処理体を静電チャックシート上に載置し、次い
で、前記被処理体と静電チャックシート上面との間に冷
却ガスを供給し、その後、前記被処理体の周囲にプラズ
マを生成する、ことを特徴とするものである。
置された静電チャックシートに静電吸着用電圧を印加
し、続いて、接地状態にある載置案内手段を用いて除電
された被処理体を静電チャックシート上に載置し、次い
で、前記被処理体と静電チャックシート上面との間に冷
却ガスを供給し、その後、前記被処理体の周囲にプラズ
マを生成する、ことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】被処理体は、接地状態にある載置案内手段を用
いて除電され、かつこの載置案内手段によって載置台上
の静電チャックシート上に載置さる。この工程の前に
て、静電チャックシートの導電層に静電吸着用電圧を印
加すると、被処理体は、導電層との間に働くクーロン力
によって、静電チャックシート上面に吸着される。した
がって、この後、プラズマ生成前に被処理体と静電チャ
ックシート上面との間に冷却ガスを供給しても、被処理
体が浮き上って位置ずれを生ずることがない。
いて除電され、かつこの載置案内手段によって載置台上
の静電チャックシート上に載置さる。この工程の前に
て、静電チャックシートの導電層に静電吸着用電圧を印
加すると、被処理体は、導電層との間に働くクーロン力
によって、静電チャックシート上面に吸着される。した
がって、この後、プラズマ生成前に被処理体と静電チャ
ックシート上面との間に冷却ガスを供給しても、被処理
体が浮き上って位置ずれを生ずることがない。
【００１０】かくして、プラズマ生成前に冷却ガスを供
給することにより、被処理体を冷却することができ、し
かもプラズマ生成と同時に正規の立ち上げが可能となる
ので、立ち上げ時間の短縮が図られる。
給することにより、被処理体を冷却することができ、し
かもプラズマ生成と同時に正規の立ち上げが可能となる
ので、立ち上げ時間の短縮が図られる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明方法をマグネトロンプラズマエ
ッチング装置に適用した一実施例について、図面を参照
して具体的に説明する。
ッチング装置に適用した一実施例について、図面を参照
して具体的に説明する。
【００１２】図２において被処理体であるウエハ１を吸
着保持する静電チャック１０は、上下２枚の絶縁層とし
てのポリイミドシート１２，１４の間に、導電層として
の導電性シート１６を介在配置することで構成してい
る。この静電チャック１０には、上面より下面に貫通す
る３つの穴１８（同図では２つのみ図示）が設けられ、
後述する載置案内手段としてのプッシャーピン４０を挿
通可能としている。また、前記静電チャック１０におけ
る導電性シート１６には、給電経路１００及びスイッチ
１０２を介してＤＣ電源１０４が接続され、この導電性
シート１６に高電圧を印加することで、後述する動作に
従い前記ウエハ１と導電性シート１６との間にクーロン
力を作用させ、ウエハ１を静電チャック１０に吸着保持
するように構成している。
着保持する静電チャック１０は、上下２枚の絶縁層とし
てのポリイミドシート１２，１４の間に、導電層として
の導電性シート１６を介在配置することで構成してい
る。この静電チャック１０には、上面より下面に貫通す
る３つの穴１８（同図では２つのみ図示）が設けられ、
後述する載置案内手段としてのプッシャーピン４０を挿
通可能としている。また、前記静電チャック１０におけ
る導電性シート１６には、給電経路１００及びスイッチ
１０２を介してＤＣ電源１０４が接続され、この導電性
シート１６に高電圧を印加することで、後述する動作に
従い前記ウエハ１と導電性シート１６との間にクーロン
力を作用させ、ウエハ１を静電チャック１０に吸着保持
するように構成している。
【００１３】前記静電チャック１０は、第１のサセプタ
ー２０の表面に載置固定される。この第１のサセプター
２０は例えばアルミ製であり、その表面の静電チャック
１０の周囲には、フォーカスリング２２を配設してい
る。この第１のサセプター２０は、その下面側にて第２
のサセプター２４に着脱自在に固定されている。この第
２のサセプター２４は、同様にアルミ製であり、冷却ジ
ャケット２６を内蔵することで、第１のサセプター２０
および静電チャック１０を介してウエハ１を例えば−５
０℃〜−１００℃程度に冷却している。尚、ウエハ１へ
の熱伝導性を高めるために、第１のサセプター２０，第
２のサセプター２４の間にガス例えばＨｅを導入するこ
とも可能である。さらに、ウエハ１と静電チャック１０
との間に冷却ガス、例えばＨｅを導入する手段（図示せ
ず）を備えており、ウエハ１への熱伝導性を一層高めて
いる。また、前記第１，第２のサセプター２０，２４の
側面±よび底面を覆うように絶縁セラミック２８が設け
られている。
ー２０の表面に載置固定される。この第１のサセプター
２０は例えばアルミ製であり、その表面の静電チャック
１０の周囲には、フォーカスリング２２を配設してい
る。この第１のサセプター２０は、その下面側にて第２
のサセプター２４に着脱自在に固定されている。この第
２のサセプター２４は、同様にアルミ製であり、冷却ジ
ャケット２６を内蔵することで、第１のサセプター２０
および静電チャック１０を介してウエハ１を例えば−５
０℃〜−１００℃程度に冷却している。尚、ウエハ１へ
の熱伝導性を高めるために、第１のサセプター２０，第
２のサセプター２４の間にガス例えばＨｅを導入するこ
とも可能である。さらに、ウエハ１と静電チャック１０
との間に冷却ガス、例えばＨｅを導入する手段（図示せ
ず）を備えており、ウエハ１への熱伝導性を一層高めて
いる。また、前記第１，第２のサセプター２０，２４の
側面±よび底面を覆うように絶縁セラミック２８が設け
られている。
【００１４】処理室を形成するためのチャンバーは、上
部チャンバー３０と下部チャンバー３２とから構成され
る。前記下部チャンバー３２は、静電チャック１０およ
びフォーカスリング２２の表面のみをチャンバー室内に
露出するように、前記絶縁セラミック２８の側面および
底面を覆う有底筒状に形成されている。一方、前記上部
チャンバー３０は、第１のサセプター２０の上面側を覆
い、かつ、下部チャンバー３２の側壁周囲を覆うように
筒状に形成され、その下端側が前記下部チャンバー３２
と連結固定されている。
部チャンバー３０と下部チャンバー３２とから構成され
る。前記下部チャンバー３２は、静電チャック１０およ
びフォーカスリング２２の表面のみをチャンバー室内に
露出するように、前記絶縁セラミック２８の側面および
底面を覆う有底筒状に形成されている。一方、前記上部
チャンバー３０は、第１のサセプター２０の上面側を覆
い、かつ、下部チャンバー３２の側壁周囲を覆うように
筒状に形成され、その下端側が前記下部チャンバー３２
と連結固定されている。
【００１５】なお、前記第１のサセプター２０，第２の
サセプター２４，絶縁セラミック２８および下部チャン
バー３２には、前記静電チャック１０の穴１８と対向す
る位置に、前記プッシャーピン４０を挿通するための穴
２０ａ，２４ａ，２８ａ，３２ａがそれぞれ形成されて
いる。
サセプター２４，絶縁セラミック２８および下部チャン
バー３２には、前記静電チャック１０の穴１８と対向す
る位置に、前記プッシャーピン４０を挿通するための穴
２０ａ，２４ａ，２８ａ，３２ａがそれぞれ形成されて
いる。
【００１６】この上部チャンバー３０および下部チャン
バー３２で構成されるチャンバー室内は真空引きが可能
であり、かつ、エッチングガスが導入可能である。尚、
本実施例では、上部チャンバー３０を接地し、第１，第
２のサセプター２０，２４に、ＲＦ電源１０６からスイ
ッチ１０８を介してＲＦ電力を供給することによって対
向電極を構成し、ＲＩＥ方式のプラズマエッチング装置
を構成している。また、上部チャンバー３０を接地する
ことで、これを静電チャック用の他方の電極として兼用
し、プラズマ生成時にはこのプラズマを通してウエハを
接地することができ、前記静電チャック１２に高電圧を
印加することでいわゆるモノポール型の静電チャックを
構成し、ウエハ１０を静電チャツク１２上に吸着でき
る。さらに、前記ウエハ１と対向する位置であって、前
記上部チャンバー３０の外側上方にて永久磁石を回転
し、ウエハ１の近傍にその面と平行な磁場を形成するこ
とで、マグネトロンエッチング装置を構成している。そ
して、チャンバー室内を真空引きした状態にて、エッチ
ングガスを導入し、上記対向電極間にエッチングガスに
よるプラズマを生成している。さらに、ウエハ１の近傍
に水平磁場を形成することで、イオンの飛翔方向がウエ
ハ１表面に垂直となり、異方性の高いエッチングが実現
できる。
バー３２で構成されるチャンバー室内は真空引きが可能
であり、かつ、エッチングガスが導入可能である。尚、
本実施例では、上部チャンバー３０を接地し、第１，第
２のサセプター２０，２４に、ＲＦ電源１０６からスイ
ッチ１０８を介してＲＦ電力を供給することによって対
向電極を構成し、ＲＩＥ方式のプラズマエッチング装置
を構成している。また、上部チャンバー３０を接地する
ことで、これを静電チャック用の他方の電極として兼用
し、プラズマ生成時にはこのプラズマを通してウエハを
接地することができ、前記静電チャック１２に高電圧を
印加することでいわゆるモノポール型の静電チャックを
構成し、ウエハ１０を静電チャツク１２上に吸着でき
る。さらに、前記ウエハ１と対向する位置であって、前
記上部チャンバー３０の外側上方にて永久磁石を回転
し、ウエハ１の近傍にその面と平行な磁場を形成するこ
とで、マグネトロンエッチング装置を構成している。そ
して、チャンバー室内を真空引きした状態にて、エッチ
ングガスを導入し、上記対向電極間にエッチングガスに
よるプラズマを生成している。さらに、ウエハ１の近傍
に水平磁場を形成することで、イオンの飛翔方向がウエ
ハ１表面に垂直となり、異方性の高いエッチングが実現
できる。
【００１７】次に、載置案内手段としてのプッシャーピ
ン４０の構成について説明する。
ン４０の構成について説明する。
【００１８】プッシャーピン４０は、その先端４２が前
記静電チャック１０の表面より上方に突出するように上
下動可能である。このプッシャーピン４０の下側の固定
端４４と、前記下部チャンバー３２との間には、ベロー
ズ４６が設けられ、プッシャーピン４０の上下動経路を
大気に対して気密構造としている。このプッシャーピン
４０の固定端４４は、上下動プレート４８に連結され、
この上下動プレート４８の駆動に伴って上下動可能であ
る。前記上下動プレート４８は、駆動源例えばパルスモ
ータ５０と結合され、このパルスモータ５０の回転力を
例えばボールねじ構造等により直線駆動力に変換し、前
記上下動プレート４８の上下動を可能としている。この
パルスモータ５０に対しては、モータ駆動部５２からの
パルスが入力され、このパルスにしたがってモータ５０
が回転駆動される。
記静電チャック１０の表面より上方に突出するように上
下動可能である。このプッシャーピン４０の下側の固定
端４４と、前記下部チャンバー３２との間には、ベロー
ズ４６が設けられ、プッシャーピン４０の上下動経路を
大気に対して気密構造としている。このプッシャーピン
４０の固定端４４は、上下動プレート４８に連結され、
この上下動プレート４８の駆動に伴って上下動可能であ
る。前記上下動プレート４８は、駆動源例えばパルスモ
ータ５０と結合され、このパルスモータ５０の回転力を
例えばボールねじ構造等により直線駆動力に変換し、前
記上下動プレート４８の上下動を可能としている。この
パルスモータ５０に対しては、モータ駆動部５２からの
パルスが入力され、このパルスにしたがってモータ５０
が回転駆動される。
【００１９】本実施例装置の特徴的構成としては、前記
プッシャーピン４０によりウエハ１の除電を行うように
構成したことである。すなわち、前記プッシャーピン４
０，固定端４４および上下動プレート４８はそれぞれ導
電性の金属にて形成され、上下動プレート４８は開閉ス
イッチ４９を介して接地されている。この開閉スイッチ
４９はウエハの搬送時はクローズとされ、処理時にはオ
ープンとされる。
プッシャーピン４０によりウエハ１の除電を行うように
構成したことである。すなわち、前記プッシャーピン４
０，固定端４４および上下動プレート４８はそれぞれ導
電性の金属にて形成され、上下動プレート４８は開閉ス
イッチ４９を介して接地されている。この開閉スイッチ
４９はウエハの搬送時はクローズとされ、処理時にはオ
ープンとされる。
【００２０】つぎに、上述のプラズマエッチング装置を
用いたプラズマ処理開始方法の実施例を説明する。
用いたプラズマ処理開始方法の実施例を説明する。
【００２１】プッシャ−ピン４０の上端には、あらかじ
め被処理体であるウエハ１が載置してある。プッシャー
ピン４０は導電性の上下動プレート４０を介して接地さ
れているため、プレッシャーピン４０及びウエハ１は除
電された状態となっている。
め被処理体であるウエハ１が載置してある。プッシャー
ピン４０は導電性の上下動プレート４０を介して接地さ
れているため、プレッシャーピン４０及びウエハ１は除
電された状態となっている。
【００２２】この状態で、図１のタイミングチャートに
示すごとく、スイッチ１０２を接続し、静電チャック１
０の導電性シート１６にＤＣ電源１０４からの静電吸着
用電圧を印加する。これにより導電性シート１６は正に
帯電する。続いて、モータ駆動部５２からパルスモータ
５０に対してパルスが入力され、このパルスにしたがい
パルスモータ５０が駆動してプッシャーピン４０を下降
させる。プッシャーピン４０の下降にともない、プッシ
ャーピン４０上のウエハ１は上述したとおり除電された
状態となっているため、このウエハ１と正に帯電した導
電性シート１６との間にはクーロン力が作用している。
そのため、ウエハ１は静電チャック１０に載置されると
同時に吸着保持された状態となる。
示すごとく、スイッチ１０２を接続し、静電チャック１
０の導電性シート１６にＤＣ電源１０４からの静電吸着
用電圧を印加する。これにより導電性シート１６は正に
帯電する。続いて、モータ駆動部５２からパルスモータ
５０に対してパルスが入力され、このパルスにしたがい
パルスモータ５０が駆動してプッシャーピン４０を下降
させる。プッシャーピン４０の下降にともない、プッシ
ャーピン４０上のウエハ１は上述したとおり除電された
状態となっているため、このウエハ１と正に帯電した導
電性シート１６との間にはクーロン力が作用している。
そのため、ウエハ１は静電チャック１０に載置されると
同時に吸着保持された状態となる。
【００２３】次いで、ウエハ１の裏面と静電チャック１
０の上面との間に冷却ガスを供給する。ウエハ１に対し
て冷却ガスの供給圧が作用しても、ウエハ１は静電チャ
ック１０上で吸着保持状態にあるため、位置ずれを生じ
ることがない。
０の上面との間に冷却ガスを供給する。ウエハ１に対し
て冷却ガスの供給圧が作用しても、ウエハ１は静電チャ
ック１０上で吸着保持状態にあるため、位置ずれを生じ
ることがない。
【００２４】その後、あらかじめ真空引きしてあるチャ
ンバー室内にエッチングガスを導入し、スイッチ１０８
を接続してＲＦ電源１０６をＯＮすることによって、プ
ラズマを生成し、エッチング処理を開始する。上述した
ように、この処理開始時点では冷却ガスによるウエハ１
の温調状態が実現しているため、プラズマによるウエハ
１の温度上昇は制御される。また、エッチングガス導入
とともにプラズマエッチング処理の立上げが正規に行わ
れるので、シーケンス的にみて時間短縮が図られてい
る。
ンバー室内にエッチングガスを導入し、スイッチ１０８
を接続してＲＦ電源１０６をＯＮすることによって、プ
ラズマを生成し、エッチング処理を開始する。上述した
ように、この処理開始時点では冷却ガスによるウエハ１
の温調状態が実現しているため、プラズマによるウエハ
１の温度上昇は制御される。また、エッチングガス導入
とともにプラズマエッチング処理の立上げが正規に行わ
れるので、シーケンス的にみて時間短縮が図られてい
る。
【００２５】なお、プラズマエッチングが終了すると、
各種の稼動が停止され、すなわちプラズマの生成が解除
され、さらに冷却ガスの供給停止とともに導電性シート
１６に対する電圧の印加が解除される。そして、その後
にプッシャーピン４０の押上げ駆動が開始され、ウエハ
１を静電チャック１０から引き離す。このとき、ウエハ
１に蓄積されていた電荷は、接地状態にあるプッシャー
ピン４０を経由して除去されるため、ウエハ１と静電チ
ャック１０との間には何らの吸着力も作用していない。
各種の稼動が停止され、すなわちプラズマの生成が解除
され、さらに冷却ガスの供給停止とともに導電性シート
１６に対する電圧の印加が解除される。そして、その後
にプッシャーピン４０の押上げ駆動が開始され、ウエハ
１を静電チャック１０から引き離す。このとき、ウエハ
１に蓄積されていた電荷は、接地状態にあるプッシャー
ピン４０を経由して除去されるため、ウエハ１と静電チ
ャック１０との間には何らの吸着力も作用していない。
【００２６】この発明方法は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形実施が可能である。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形実施が可能である。
【００２７】例えば、本発明方法は、モノポール型の静
電チャックを用い、被処理体と静電チャックシートとの
間に冷却ガスを供給して熱伝達を行なう他の装置、例え
ばプラズマＣＶＤ装置やスパッタ堆積装置等、種々のプ
ラズマ処理装置に適用可能である。
電チャックを用い、被処理体と静電チャックシートとの
間に冷却ガスを供給して熱伝達を行なう他の装置、例え
ばプラズマＣＶＤ装置やスパッタ堆積装置等、種々のプ
ラズマ処理装置に適用可能である。
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば載
置案内手段を用いて被処理体をあらかじめ除電し、静電
吸着用の電圧が印加された導電層との間にクーロン力を
作用させることによって被処理体を載置台上に吸着保持
するので、プラズマ生成前に冷却ガスを供給することが
でき、その結果、被処理体の温度上昇による損傷を防止
するとともに立上りまでの時間短縮を図ることができ
る。
置案内手段を用いて被処理体をあらかじめ除電し、静電
吸着用の電圧が印加された導電層との間にクーロン力を
作用させることによって被処理体を載置台上に吸着保持
するので、プラズマ生成前に冷却ガスを供給することが
でき、その結果、被処理体の温度上昇による損傷を防止
するとともに立上りまでの時間短縮を図ることができ
る。
【図１】実施例かかるプラズマ処理開始方法の実施例を
示すタイミングチャートである。
示すタイミングチャートである。
【図２】本発明方法を実施するための装置例を示す概略
断面図である。
断面図である。
１ 被処理体（ウエハ） １０ 載置台（静電チャック） １６ 導電層（導電性シート） ４０ 載置案内手段（プッシャーピン）
Claims (1)
- 【請求項１】 載置台上に配置された静電チャックシー
トに静電吸着用電圧を印加し、 続いて、接地状態にある載置案内手段を用いて除電され
た被処理体を静電チャックシート上に載置し、 次いで、前記被処理体と静電チャックシート上面との間
に冷却ガスを供給し、 その後、前記被処理体の周囲にプラズマを生成する、 ことを特徴としたプラズマ処理開始方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5936792A JPH05226292A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | プラズマ処理開始方法 |
| KR1019930001965A KR0164618B1 (ko) | 1992-02-13 | 1993-02-12 | 플라즈마 처리방법 |
| US08/017,379 US5310453A (en) | 1992-02-13 | 1993-02-12 | Plasma process method using an electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5936792A JPH05226292A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | プラズマ処理開始方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226292A true JPH05226292A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13111231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5936792A Pending JPH05226292A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | プラズマ処理開始方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
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- 1992-02-13 JP JP5936792A patent/JPH05226292A/ja active Pending
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