JP2004531883A - 半導体ウェハ持ち上げ装置およびその実装方法 - Google Patents

半導体ウェハ持ち上げ装置およびその実装方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】ウェハ処理工程の完了後、ウェハを静電チャックから持ち上げる装置および方法が開示されている。一例において、処理完了時に静電チャックからの基板持ち上げを制御する基板持ち上げ機構が定義されている。ウェハ持ち上げ機構は、静電チャックの下方に配置されているピンリフトヨークを含む。ピンリフトヨークには、静電チャックを通って横断するとともにウェハの底面に接触するよう構成されている一組のピンが結合されて備えられている。さらにリンクも提供され、ピンリフトヨークに結合されている。リンクは、ピンリフトヨークと前記一組のピンとを静電チャック内部で移動させてウェハの底面に接触させるよう移動可能であり、一旦、ウェハの底面に接触すると、一組のピンはウェハを静電チャックから持ち上げることができる。さらに、リンクを動かすモータ、および、持ち上げ動作の間、一組のピンがウェハの底面に適用する力を制限するための力フィードバックシステムが含まれる。一例において、ウェハがなお強力に静電力でチャックに付着している場合のように、歪みの程度がウェハを損傷する可能性のある程度にまで増大した場合には、力の適用は停止される。
【選択図】図2A

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造装置に関し、さらに具体的にはチャックを解放し、半導体処理チャンバ内に備えられているチャックから半導体ウェハを持ち上げる改良された機構に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造において、集積回路は数々の処理工程を経た半導体ウェハより作られる。それら様々な処理工程の多くは通常処理チャンバ内において実施され、そこでは誘電体および金属物質等の層が連続して積層されてパターニングされ、多層構造が形成されている。例えば、これらのうちいくつかの層は一般に、化学蒸着(CVD)チャンバ内において蒸着され、次にフォトリソグラフィパターニングを介してフォトレジスト材が回転塗布され、付着される。フォトレジストマスクが特定の表面上に定義されると、フォトレジストマスクに覆われていない物質の下にある部分を除去(すなわちエッチング)するために、半導体ウェハはプラズマエッチングチャンバ内に置かれる。
【0003】
図1Aは、エッチング工程中に半導体ウェハを処理するために用いられるチャンバ102を含む半導体処理システム100を示す図である。この例において、チャンバ102は半導体ウェハ106を保持するよう構成されているチャック104を備える。チャンバ102は、上部電極114も備えるよう構成されている。上部電極114は、処理中にプラズマ領域112に分配される処理ガスを受けるよう構成されている。プラズマ領域112は、上部電極114の上面とウェハ106の表面との間に定義されている。
【0004】
上部電極114はさらに、整合ボックス116aとRF電力源118aとを接続するように示されている。チャック104はまた、整合ボックス116bおよびRF電力源118bにも接続されている。チャンバ102には、処理中にチャンバ102の内部からの余分なガスを排気するよう構成されている排気口120が備えられている。工程中、RF電力供給118aは、上部電極114にバイアスをかけ、およそ27MHzの周波数で動作するよう構成されている。RF電力源118aは主に、プラズマ領域112内のプラズマ密度の大半を生成する機能を有し、一方RF電力源118bは主に、プラズマ領域112内のバイアス電圧を生成する機能を有す。RF電力源118bは通常、およそ2MHz範囲の低周波数で動作する。
【0005】
図1Bおよび1Cは、半導体処理システム100のチャック104をさらに詳細に示す図である。図1Bに示すチャック104は、誘電体124に単一の陽極のみが形成されている単極型のチャックで、プラズマ112電位は陰性を有す。図1Cに示すチャック104は、2つの電極、すなわち陽極130および陰極132が誘電体124に形成されている二極型のチャックである。
【0006】
図1Bおよび1Cに示すように、チャック104は、処理工程の完了を受けて、リフトピン128が空気圧で駆動されてチャック104から半導体ウェハ106を持ち上げるために、空気圧によって駆動されるリフトピン128が貫通する数々の貫通孔126を有する。処理完了時にチャック104からウェハ106を取り外す処理は、一般に、「チャック解放」処理と呼ばれる。最適なチャック解放処理のもとでは、ウェハは空気制御を用いてチャック104から簡単に持ち上げられ、続いて処理チャンバ100から解除され得る。
【0007】
図1Dは、従来のチャック解放工程を説明するフローチャートである。図1Dは、半導体ウェハ処理140の完了時に開始する。続いて、チャック104からウェハ106を持ち上げる段階に入る前に、ウェハ106は完全に放電され得る必要がある(142)。図1Bに示す単極型チャックの場合、ウェハの放電はプラズマ領域を介して生じ、ほとんどのシステムでは、ウェハ106上の残存電荷が微量となるまでにおよそ120秒を要する。図1Cに示す二極型チャック104の場合、プラズマ112を介した通常のウェハ放電は、二極電極を用いて促進されるチャック104を介した放電により補完される。二極型チャックを介するウェハ106の放電は、一般的に、およそ10秒から180秒を要する。二極型チャック構成は、ウェハの放電に必要とされる時間を最小限に抑え、処理周期およびスループットを直接向上させるため有益である。しかしながら、放電処理は、通常、ウェハ全域に不均一に分布する残存電荷をもたらす。以下に説明するように、残存電荷の存在は、均一か不均一かにかかわらず、ウェハに不利な結果を招き得る原因となる。
【0008】
ウェハの放電が完了すると、図1Dは続いて、チャック104からウェハ106を取り除き、ウェハ106をシステムから除去可能とするためにリフトピン128の駆動へと進む(144)。リフトピン(一般的に3、あるいは4個)の駆動は、通常、空気圧の力を用いて実現される。リフトピン128は、ウェハの底面に接触するよう上方向へと移動し、ウェハ106を所定の移動高さに持ち上げる。移動高さになると、ウェハ106はシステム外へと除去される(146)。別のウェハ106を処理する場合には、次のウェハ106はリフトピン128上に設置され(148)、チャック104の位置まで降ろされ(150)、図1Dにおける処理が繰り返される。
【0009】
チャック104からのウェハ106持ち上げ動作は、ウェハ106に回復不可能な損傷を引き起こす場合がある。この損傷は、通常、リフトピン128とウェハ106との接触によって引き起こされる。通常は不均一に分布する残存電荷がウェハ106に多く含まれている場合には、リフトピン128が駆動されると、ウェハ106はそのまま静電気的にチャック104にくっついたままとなる。空気圧駆動されるリフトピン128の場合、リフトピン128は、一定の調整不可能な力および速度で移動される。したがって、移動不能なウェハ(例えば、付着状態)に衝撃を与えると、リフトピンはウェハ106を損傷させることになる。ウェハ106が片側のみ持ち上げられる場合には(何が起こるかわかることだが)、ウェハ106はチャック104から滑り落ちて損傷してしまう。いくつかの場合において、ウェハは製造回路を実質的に損壊、あるいは復元不可能な損傷を与えてしまう。また、チャック104に残存する静電気引力を介してウェハ106が初期段階でピン持ち上げ力に抵抗する場合には、ピン持ち上げ力の適用中にもウェハ放電処理は継続するため、ウェハ106が突然チャック104から解放される可能性がある。このチャック104からの突然の解放は、ウェハ106が飛び出し、それに付随して損傷する可能性がある。他の事例では、ウェハ106が残留電荷を多く含む状態でリフトピン128に大きな力が加えられる場合には、リフトピンが実際にウェハを貫通してしまうことがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
以上の点より、ピン持ち上げ装置、および、ウェハ裏面への監視および制御された力の適用を介してチャックから半導体ウェハを効率的に持ち上げる動作を補助し、ウェハおよびチャック間の抵抗残存電荷を迅速に除去する技術を提供するピン持ち上げ装置、およびかかる装置を製造および実装するための方法が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明は、概して、処理工程後に静電チャックからウェハを制御しながら持ち上げる装置および方法を提供することによりこれらの要求を満たす。ここで、本発明は、プロセス、装置、システム、デバイス、または方法を含む種々の手段で実現できることを理解しておく必要がある。以下では、本発明の実施形態をいくつか説明する。
【0012】
一実施形態では、ウェハ処理チャンバ内において、処理完了時にウェハを静電チャックから持ち上げることを制御するウェハ持ち上げ機構が開示されている。ウェハ持ち上げ機構は、静電チャックの下方に配置されているピンリフトヨークを含む。ピンリフトヨークは、結合された一組のピンを備え、その一組のピンは、静電チャック内を横断するとともにウェハの底面に接触するよう構成されている。さらにリンクも提供され、ピンリフトヨークに結合されている。リンクは、ピンリフトヨークと前記一組のピンとを静電チャック内部で動作させ、ウェハの底面に接触させるよう動作可能であり、ウェハの底面に接触すると、一組のピンは静電チャックからウェハを持ち上げることができる。さらに、リンクを動かすモータ、および、持ち上げ動作の間、一組のピンがウェハの底面に適用する力を制限するための力フィードバックシステムが含まれる。
【0013】
別の実施形態において、処理完了時における静電チャックからの基板の持ち上げを制御する基板持ち上げ機構が開示されている。基板持ち上げ機構は、一組のピンを結合されて備えているピンリフトヨークを含み、一組のピンは、基板の底面に接触するよう構成されている。親ねじ(リードスクリュー)はピンリフトヨークに結合され、親ねじを動かすためのモータが提供されている。さらに、力フィードバックシステムも備えられている。力フィードバックシステムは、一組のピンに抵抗する力を特定する歪みゲージと、抵抗する力に関するデータを受信するデジタル信号処理装置と、モータを制御するモータ制御装置と、エンコーダとを含む。エンコーダは、親ねじの位置データをモータ制御装置およびデジタル信号処理装置に伝えるよう構成されている。
【0014】
さらに別の実施態様において、処理工程完了後、ウェハを静電チャックから持ち上げる方法が開示されている。その方法は、静電チャックを通り前記ウェハの裏面の法へと一組のピンを上昇させることを含む。次に、一組のピンとウェハの裏側との間で接触が起こる。その方法には次に、ウェハの裏側に持ち上げ力を加え、持ち上げ力を監視することが含まれる。その後、監視により閾値レベルに達したことが示されると持ち上げ力は停止される。
【0015】
本発明には、多くの重要な利点がある。特に、ウェハの持ち上げ動作中にウェハに接触しているリフトピンの変形を監視して、ウェハへの損傷を防止するためにリフトピンが上昇をやめるべき時点を特定することが可能である。ウェハが十分に放電されて静電チャックから容易に解除され得ると、ウェハが適正な上方位置に置かれてロボットのエンドエフェクターにより操作可能になるまで、再び持ち上げは再開され得る。本発明の原理を例示した添付図面との関連で行う以下の詳細な説明から、本発明のその他の態様および利点が明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
本発明は、チャックの解放、および、半導体処理チャンバ内に備えられているチャックからの半導体ウェハ持ち上げを補助する半導体ウェハ持ち上げ装置として説明される。本発明の完全な理解を促すために、以下の記述では数多くの具体的な詳細事項について説明する。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てを備えることなく実施できる。そのほか、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の工程動作の説明は省略した。
【0017】
本発明の実施例は、チャンバ処理工程に続いて、ウェハの効率的な放電と静電チャックからの安全な持ち上げを可能にする半導体ウェハ持ち上げ装置を開示している。本発明の半導体ウェハ持ち上げ装置は数々の異なる型の処理チャンバにおいて使用され得るが、開示されているウェハ持ち上げ装置の発明設計機能より恩恵を受けるチャンバの模範例として、カルフォルニア州フリモント市所在のラム・リサーチ社が販売するレインボー4520XL処理チャンバがあげられる。いくつかのチャンバの型式として、チャックは単極型、あるいは二極型であり得る。いずれの場合にも、本発明の半導体ウェハ持ち上げ装置は、従来技術の課題を解決しながらウェハの放電およびチャック解放工程を補助する。
【0018】
図2Aは、本発明の一実施例において、リフトピン228がウェハ206の下面に接触する際の半導体ウェハ持ち上げ装置の断面図を示す。本実施例において、半導体ウェハ持ち上げ装置は、複数の貫通孔226を通って静電チャック204を横断する複数の導電リフトピン228を備えている。一般的に、リフトピン228の数は3個、あるいは4個である。しかし、本発明の実施例では、リフトピン228の数は特定の数に限定されない。リフトピン228は、電気伝導が可能となるようにリフトヨーク230に結合されている。リフトピン228と静電チャック204との間の空間は、ベローズ232およびシーリングリングによりチャック下方の空間から絶縁されている。ベローズ232の使用により、ヨーク230は、処理チャンバ内部の大気絶縁に影響されることなくチャック204に関連して動作可能になる。リフトヨーク230は、スイッチ素子236および可変抵抗器238を介して接地極に電気的に接続されている。リフトピン228、ヨーク230、スイッチ素子236および可変抵抗器238の電気伝導は、ヨーク230付近にその中心を配置されている絶縁体240により持ち上げ装置の他の部分から絶縁されている。歪みゲージ242は、絶縁体240と、ヨーク230を動かすためにモータ242により駆動される親ねじ244との間に配置されている。親ねじ244は、ピンリフトヨーク230の位置を上下し得るような任意の型のリンクで代替可能なことは当然である。
【0019】
一実施例において、歪みゲージ242は、情報信号をデジタル信号処理装置(DSP)250に送信し、そこから信号は順々にモータ制御装置246へと送信され、次に親ねじ244の位置を制御するためにモータ246へと順々に送信される。エンコーダ248は、モータ246に接合され、モータ制御装置246に信号を送信するよう構成されている。エンコーダ248により提供される情報には親ねじ244の現在位置データが含まれる。
【0020】
本発明の好適な実施例において、リフトピン228はウェハ206の下面に接触し、ウェハおよびリフトピンに導電を確立する小さな力を加えるよう構成されている。小さな力としたのは、ウェハが静電気的にチャック204に付着しているときに、ウェハを損傷する可能性のある大きな応力の適用を防ぐためである。工程において、リフトピン228およびウェハ206間の接触を制御可能にするため、スイッチ236を開く。この手法では、適切な処理時間に達するまで、制御されていない静電放電は発生しない。例えば、残留電荷を含むウェハ206およびリフトピン228に電気的な伝導性が確率されると、可変抵抗器238を介した接地極へのウェハの放電を制御するためにスイッチ236は閉じられる。好ましくは、可変抵抗器238は、ウェハの完全性を守りながら必要なウェハ206の放電時間を最小源に抑えるよう設定される。
【0021】
好適な実施例において、リフトヨーク230は、ウェハ206をチャック204から持ち上げるため、徐々に上向きに動かされる。リフトピン228がウェハ206の持ち上げに抵抗する力を受けると、これらの力はリフトヨーク230を通り歪みゲージ242に伝達される。歪みゲージ242による歪み測定は、順々にDSP250により監視される。監視された歪み力(Fs=質量*重力加速度)が許容範囲外の場合には、DSP250(および必要であれば関連ソフトウェア)は、ウェハ206とチャック204との間の静電気引力がさらに減少されるように、モータのインクリメント(回転数増大)の停止とウェハ206の放電許容制限時間の停止をモータ制御装置252に指示する。一実施例において、インクリメントの停止は閾値に達したときに起こる。閾値は、リフトピンにより適用される力がウェハに損傷を生じさせ得る基準に達する時点を特定する設定値であるのが好ましい。したがって閾値は、ウェハを損傷し得る基準よりわずかに低く、この手法によれば、ウェハは十分に放電されなかったとき、過剰な力から保護される。
【0022】
一実施例において、許容歪み力Fs限界値は、ウェハの大きさに応じておよそ1オンスから5ポンド(28.35g〜2.27kg)の範囲となり得る。監視されている歪み力が許容範囲内の場合には、DSP250および関連ソフトウェアは、モータのインクリメントを継続するようモータ制御装置252に指示する。インクリメント中、モータ246に装着されたエンコーダ248は、親ねじ244の位置を監視し、親ネジの位置をモータ制御装置252に伝える。次にモータ制御装置252は、所望の持ち上げ高さに達すると、ヨーク230の持ち上げを停止するようモータ246に指示する。
【0023】
図2Bは、本発明の別の実施例において、リフトピン228がウェハ206を持ち上げるときの半導体ウェハ持ち上げ装置の断面図を示す。図2Bに示される構成要素は、図2Aに図示および説明されるものと同じである。図2Bは、ウェハ206がチャック204から持ち上げられる際のリフトヨーク230の動作を示す。この時点において、ウェハ206は、エンドエフェクターロボットの刃によりリフトピン228から取り外されるよう準備される。その際、別のウェハ206は、処理を受けるためにチャック204上に下ろされ得るよう、リフトピン228上に設置されてよい。
【0024】
図3は、本発明の一実施例において、半導体ウェハ持ち上げ装置を用いて実施されるチャック解放処理を示すフローチャートである。図3は、半導体ウェハ処理300の完了時にチャック解放工程に入る。次に、ウェハに損傷を与えることなくリフトピン接触位置、あるいはその周りに導電を確立するよう、リフトピンはウェハに接触するための小さな力で移動させられる(302)。一実施例において、次に、リフトヨークおよび接地極間の導電性を制御するスイッチが閉じられ、接地極へのウェハの放電が制御可能になる(304)。図2Aおよび2Bに示す可変抵抗器238は任意的であるため、直接、放電が接地極に発生する可能性がある。可変抵抗器が用いられる場合には、可変抵抗器を介して電流の流れを制御するよう動的に調整され得る。ウェハが十分に放電されると、モータはリフトヨークを動かし、ウェハを持ち上げるためにインクリメントされる(306)。持ち上げ動作の間、歪みゲージにより歪みが測定され、DSPにより監視される。
【0025】
測定された歪みが許容限度外の場合には(310)、監視は停止され、ウェハ312の放電を継続するために時間が許容される(312)。この時点において、本発明の一実施例は、リフトピンおよびヨークを介してウェハから残存電荷を速やかに除去するために可変抵抗器の抵抗値を低減し得る(312)。歪み測定および監視は、歪みが許容限度内になるまで継続する(308)。
【0026】
測定された歪みが許容限度内の場合には(310)、次に、ウェハが所望の回収高さに到達したか否かを判断するためにウェハ持ち上げ高さが検査される(314)。ウェハが所望の回収高さに到達していない場合には、モータはウェハをさらに持ち上げるため、再びインクリメントされる(314)。あるいは、ウェハが所望の回収高さに到達していた場合には、モータはそれ以上インクリメントされず、ウェハは処理チャンバから除去される(316)。別のウェハを処理する場合には、次のウェハはリフトピン上に設置され(320)、チャックの位置まで下げられ(322)、図3における処理が繰り返される。それ以外の場合には、図3の処理は終了される。
【0027】
したがって、ウェハをチャックから持ち上げる間、ウェハは後に処理する残存電荷のために今度はインテリジェント監視され得る。既に述べたとおり、残存電荷量が多すぎると、リフトピンによって作用された際にウェハの動きに抵抗する静電気引力がウェハとチャックとの間に発生してしまう。一実施例において、ウェハに残存する電荷はリフトピンを介して急速に放電され得るため、迅速かつ効果的にウェハの動きへの抵抗を克服することができる。
【0028】
本発明の持ち上げ機構には、継続的なフィードバックループが備えられているという利点がある。力評価ループは、ウェハを持ち上げるために必要とされる力を低減するために静電気引力が最小化された場合にだけ、リフトピンを制御するよう構成されている。ウェハの大きさに応じて、力評価ループはいつ、十分な引力が排除されたかを認識し、持ち上げ機構の親ねじを安全にインクリメントする。従来技術のシステムは、この評価ループを備えることなく、見えないタイミングアルゴリズムに準して単にピンを持ち上げていた。残念ながら、静電放電は均一でなく、あるいは予測がつかないことが多いため、従来技術の空気圧制御型リフトピンはウェハを突き破ることがあった。
【0029】
さらに、上述のパラメータはラム・リサーチ社のレインボー4520XL処理チャンバと互換性のある半導体ウェハ持ち上げ装置に関連づけられているが、パラメータは別のチャンバやチャックに適用するために変更可能であり、また、半導体装置およびフラットパネルディスプレイの製造に用いられるような大きさや形状が様々なウェハにも使用され得る。
【0030】
以上では、本発明をいくつかの好ましい実施形態の形で説明したが、本発明の範囲内で、種々の代替、置換、および等価物が可能である。また、本発明による方法および装置を実現する代替の方法が数多く存在することにも注意が必要である。したがって、以下に示す特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1A】エッチング工程中に半導体ウェハを処理するために用いられるチャンバ102を含む半導体処理システムを示す図である。
【図1B】半導体処理システムの単極型静電チャックをさらに詳細に示す図である。
【図1C】半導体処理システムの二極型静電チャックをさらに詳細に示す図である。
【図1D】半導体処理システムにおいて行われるチャック解放工程を示すフローチャートである。
【図2A】本発明の一実施例において、リフトピンがウェハ面と接触する際の半導体ウェハ持ち上げ装置の断面図を示す。
【図2B】本発明の一実施例において、リフトピンがウェハを持ち上げる際の半導体ウェハ持ち上げ装置の断面図を示す。
【図3】本発明の一実施例において、半導体ウェハ持ち上げ装置を用いて実施されるチャック解放処理を示すフローチャートである。

Claims (20)

  1. ウェハ処理チャンバにおいて処理完了時に静電チャックからのウェハ持ち上げを制御するウェハ持ち上げ機構であって、
    前記静電チャックの下方に配置されているとともに、結合されている一組のピンを有するピンリフトヨークと、前記一組のピンは前記静電チャックを横断するとともに前記ウェハの底面に接触するよう構成されていることと、
    前記ピンリフトヨークと前記一組のピンとを前記静電チャック内で動作させて前記ウェハの前記底面に接触させるよう動作可能であるとともに前記ピンリフトヨークに結合されているリンクと、一旦、前記ウェハの底面と接触すると、前記一組のピンは前記静電チャックから前記ウェハを持ち上げることが可能であることと、
    前記リンクを動かすモータと、
    前記持ち上げの間、前記ウェハの前記底面に対する前記一組のピンによる力の適用を制限する力フィードバックシステムと
    を備えるウェハ持ち上げ機構。
  2. 請求項1記載のウェハ持ち上げ機構において、前記力フィードバックシステムはさらに、
    前記ウェハの前記底に対する前記一組のピンによる前記力の適用を判断するための歪みゲージと、
    前記力の適用に関するデータを受信するデジタル信号処理装置と、
    前記モータを制御するモータ制御装置と、
    エンコーダと
    を備えるウェハ持ち上げ機構。
  3. 請求項2に記載のウェハ持ち上げ機構において、前記力の適用が閾値レベルよりも下がるまで前記リンクの動作を遅らせるよう前記デジタル信号処理装置が前記モータに指示可能であるように、前記エンコーダはリンクの位置データを前記モータ制御装置およびデジタル信号処理装置に伝えるウェハ持ち上げ機構。
  4. 請求項1に記載のウェハ持ち上げ機構はさらに、
    ピンリフトヨークおよび接地極の間に接続されている放電スイッチ
    を備えるウェハ持ち上げ機構。
  5. 請求項4に記載のウェハ持ち上げ機構において、前記スイッチは、静電チャックの放電を促進するために、閉じるとともに前記ピンリフトヨークから接地極への直流経路を提供するウェハ持ち上げ機構。
  6. 請求項4に記載のウェハ持ち上げ機構はさらに、
    前記スイッチおよび接地極の間に接続されている抵抗器
    を備えるウェハ持ち上げ機構。
  7. 請求項1に記載のウェハ持ち上げ機構において、前記抵抗器は可変抵抗器であるウェハ持ち上げ機構。
  8. 請求項1に記載のウェハ持ち上げ機構において、前記リンクは前記モータにより制御される親ねじであるウェハ持ち上げ機構。
  9. 処理完了時に静電チャックからのウェハ持ち上げを制御する基板持ち上げ機構であって、
    結合されている一組のピンを有するピンリフトヨークと、前記一組のピンは前記基板の底面に接触するよう構成されていることと、
    前記ピンリフトヨークに結合されている親ねじと、
    前記親ねじを動かすモータと、
    力フィードバックシステムと
    を備え、前記力フィードバックシステムは、
    前記一組のピンに対する抗力を決定するための歪みゲージと、
    前記抗力に関するデータを受信するデジタル信号処理装置と、
    前記モータを制御するモータ制御装置と、
    親ねじの位置データを前記モータ制御装置および前記デジタル信号処理装置に伝えるよう構成されているエンコーダと
    を含むウェハ持ち上げ機構。
  10. 請求項9に記載の基板持ち上げ機構において、前記デジタル信号処理装置は、前記抗力が前記基板の閾値基準より下がるまで前記モータによる前記親ねじの駆動を遅らせる基板持ち上げ機構。
  11. 請求項9に記載の基板持ち上げ機構はさらに、
    前記ピンリフトヨークおよび接地極の間に接続されている放電スイッチ
    を備える基板持ち上げ機構。
  12. 請求項11に記載のウェハ持ち上げ機構において、前記放電スイッチは、静電チャックの放電を促進するために閉じるとともに前記ピンリフトヨークから接地極への直流経路を提供するよう構成されている基板持ち上げ機構。
  13. 請求項12に記載の基板持ち上げ機構はさらに、
    前記スイッチおよび接地極の間に接続されている抵抗器
    を備える基板持ち上げ機構。
  14. 請求項1記載の基板持ち上げ機構であって、前記抵抗器は可変抵抗器である基板持ち上げ機構。
  15. 処理工程の完了後に静電チャックからウェハを持ち上げる方法であって、
    前記静電チャックを通り前記ウェハの裏面に向けて一組のピンを上昇させ、
    前記一組のピンと前記ウェハの前記裏面とを接触させ、
    前記ウェハの前記裏面に持ち上げ力を適用し、
    前記持ち上げ力を監視し、
    前記監視により閾値レベルへの到達が示されると前記持ち上げ力を停止すること
    を備える方法。
  16. 請求項15に記載のウェハ持ち上げ方法はさらに、
    前記ウェハの裏面に対する持ち上げ力の適用を再開し、
    前記ウェハが持ち上げ高さまで上昇されると前記持ち上げ力を解除する方法。
  17. 請求項15に記載のウェハ持ち上げ方法において、前記監視は歪み値の処理を含む方法。
  18. 請求項17に記載のウェハ持ち上げ方法であって、前記歪み値は前記閾値に達したか否かを判断するために用いられる方法。
  19. 請求項18に記載のウェハ持ち上げ方法であって、前記閾値は前記ウェハの前記裏面に適用される持ち上げ力が最大であることを示す方法。
  20. 請求項15に記載のウェハ持ち上げ方法であって、さらに、
    接地極へのウェハの放電を促進する方法。
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