JP7366861B2 - 基板昇降異常検出装置、基板処理システム、基板昇降異常検出方法、プログラム、学習モデル及び学習モデルの生成方法 - Google Patents
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Description
プラズマ処理装置は、一般的に、内部にプラズマが生成されるチャンバと、チャンバ内に配置され基板が載置される載置台と、基板を昇降させるリフトピン等の昇降機構と、を備えている。一般的に、載置台には静電チャックが設けられる。
プラズマ処理が終了すれば、基板は静電チャックから脱離される。具体的には、静電チャックの電極への直流電圧の印加を停止することで、静電チャックによる基板の静電吸着を停止する。そして、昇降機構によって基板を上昇させた後、搬送機構によって基板をチャンバの外部に搬送する。
しかしながら、特許文献1に記載の装置は、リフトピンの破損等の過度の異常を検出する装置であり、静電チャックからの基板の脱離不良等に起因した基板の昇降異常を迅速に且つ精度良く検出できない。
しかしながら、特許文献2に記載の装置は、基板に処理を施す際に静電チャックが適切な静電力で基板を吸着しているか否かを評価する装置であり、静電チャックからの基板の脱離不良等に起因した基板の昇降異常を迅速に且つ精度良く検出できない。
しかしながら、基板の昇降が正常であるか否かに応じた測定値の時間的変化の差異が僅かであることも考えられる。このため、測定値を単純にしきい値と比較し、その大小で昇降異常を検出するのでは、しきい値の決定が困難であり、昇降異常の検出精度も悪いと考えられる。基板の昇降が正常である場合の測定値と異常である場合の測定値の差異が大きくなるタイミングでしきい値と比較することも考えられるが、このタイミングで昇降異常を検出したのでは、昇降機構の動作停止のタイミングが遅れて、基板の搬送不良や破損の回避が間に合わないおそれもある。このため、本発明者は、昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータの時系列の測定値に機械学習を適用することを検討した結果、基板の昇降異常を迅速に且つ精度良く検出できることを見出した。
本発明は、上記の本発明者の知見に基づき完成したものである。
また、前記課題を解決するため、本発明は、昇降機構による基板の昇降異常を検出する装置であって、前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定部と、前記基板の昇降異常を検出する検出部と、を備え、前記検出部は、前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定部によって時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値が測定された時点での前記基板の昇降異常の程度を出力する、機械学習を用いて生成された学習モデルを具備する、ことを特徴とする基板昇降異常検出装置を提供する。
本発明に係る基板昇降異常検出装置によれば、機械学習を用いて生成された学習モデルに、測定部によって時系列に測定された昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータの複数の測定値を入力するだけでよいため、パラメータの測定値としきい値とを直接比較する場合のように、しきい値の決定に困難が生じない。そして、本発明者が知見したように、基板の昇降異常を迅速に且つ精度良く検出可能である。
上記のような教師データを用いた機械学習を行って学習モデルを生成することで、しきい値等の煩雑な調整や、複雑な検出ロジックの検討が不要であり、機械学習後の学習モデルにパラメータの複数の測定値を入力するだけで、基板の昇降異常を容易に検出可能である。
すなわち、好ましくは、前記昇降機構を具備する基板処理装置は、前記基板を処理する際に前記基板を静電吸着する静電チャックを具備し、前記検出部は、前記静電チャックによる前記基板の静電吸着を停止した後の前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定部によって時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値に基づき、前記基板の脱離不良に起因した前記基板の昇降異常を検出する。
ただし、本発明はこれに限るものではなく、例えば、シリンダ装置がモータによって駆動する電動シリンダ装置である場合、このモータのトルクを公知のトルク測定装置で測定し、このトルク測定値を検出部が具備する学習モデルにパラメータ(昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータ)として入力する態様を採用することも可能である。
ただし、本発明はこれに限るものではなく、サポートベクターマシンやニューラルネットワーク(CNN(Convolutional Neural Network)や、RNN(Recurrent neural network)を含む)など、機械学習を用いて生成できる学習モデルである限りにおいて種々の構成を採用可能である。
上記の好ましい構成によれば、入力部から入力された基板の昇降異常の有無と、測定部によって時系列に測定されたパラメータの複数の測定値及び検出部による基板の昇降異常の検出結果とが、検出部に紐付けて記憶される。
したがい、入力部から入力された基板の昇降異常の有無を真として、測定部によって時系列に測定されたパラメータの複数の測定値を用いて検出部が検出した昇降異常の検出結果の適否を判断可能である。入力部から入力された基板の昇降異常の有無と、検出部が検出した昇降異常の検出結果が合致しない場合には、検出部が具備する学習モデルの再学習を行うことで、検出部の検出精度をより一層高めることが可能である。
また、前記課題を解決するため、本発明は、昇降機構による基板の昇降異常を検出する方法であって、前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定工程と、前記基板の昇降異常を検出する検出工程と、を含み、前記検出工程では、機械学習を用いて生成された学習モデルを用いて、前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定工程において時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値が測定された時点での前記基板の昇降異常の程度を前記学習モデルから出力する、ことを特徴とする基板昇降異常検出方法としても提供される。
このプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されていてもよい。
また、前記課題を解決するため、本発明は、昇降機構による基板の上昇過程において時系列に測定された、前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータの複数の測定値が測定された時点での前記基板の昇降異常の程度を出力する、機械学習を用いて作成された学習モデルとしても提供される。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理システムの概略構成を模式的に示す図である。図1(a)は基板処理システムの全体構成を示す図であり、図1(b)は基板処理システムの基板昇降異常検出装置が備える検出部の概略構成を示すブロック図である。図2は、図1に示す検出部の機能ブロック図である。図1(a)において、基板処理システムの基板処理装置は断面で図示している。
図1(a)に示すように、第1実施形態に係る基板処理システムは、基板処理装置10と、基板昇降異常検出装置100と、を備える。
基板処理装置10は、チャンバ11内に配置され基板Sを載置する載置台13と、載置台13の上部に設けられ、基板Sを処理する際に基板Sを静電吸着する静電チャック14と、基板Sを昇降させる昇降機構4と、を具備する。第1実施形態の昇降機構4は、基板Sの裏面に接触して基板Sを昇降させる複数のリフトピン15と、複数のリフトピン15の下端に接続され複数のリフトピン15を同時に昇降させる昇降体(図1においてT字状で図示された部材)16と、昇降体16の下端に接続され昇降体16を昇降させるシリンダ装置(第1実施形態ではエアシリンダ装置)17と、を具備する。
なお、載置台13は、内壁によって区画された空隙を有し、この空隙内に昇降体16の上部(T字の横方向に延びる部位)が収容されている。また、昇降体16は、シリンダ装置17のピストンロッド18に取り付けられている。さらに、昇降体16の下部(載置台13の下方に突出している部位)はベローズ19によって覆われている。
基板処理装置10が誘導結合プラズマ(ICP)方式のプラズマ処理装置である場合には、チャンバ11を囲うようにコイル(図示せず)が配置され、このコイルに高周波電力を印加することで、チャンバ11内に供給された処理ガスがプラズマ化される。
基板処理装置10が容量結合プラズマ(CCP)方式のプラズマ処理装置である場合には、チャンバ11内に載置台13と平行に電極(図示せず)が配置され、この電極に高周波電力を印加することで、チャンバ11内に供給された処理ガスがプラズマ化される。
プラズマ処理が終了した後、静電チャック14の電極への直流電圧の印加を停止することで、静電チャック14による基板の静電吸着を停止する。そして、基板Sを昇降機構4によって上昇させた後、搬送機構(図示せず)によって基板Sをチャンバ11の外部に搬送する。
基板昇降異常検出装置100は、昇降機構4に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定部2と、基板Sの昇降異常を検出する検出部3と、を備える。
図1(b)に示すように、第1実施形態の検出部3は、一般的なコンピュータが備える構成と同様に、CPU又はGPU3a、ROM3b及びRAM3cを有するコンピュータ本体と、該コンピュータ本体に接続されたハードディスク(H/D)3dと、モニタ3eと、キーボード3fと、マウス3gと、を具備する。図2に示すように、第1実施形態の検出部3は、機能的な観点からは、機械学習を用いて生成された学習モデル(分類器ともいう)31と、判定部32と、を具備する。学習モデル31及び判定部32は、例えば、コンピュータが具備するROM3b、RAM3c等のメモリや、該メモリに記憶され、学習モデル31及び判定部32としての動作をCPU又はGPU3aに実行させるプログラムによって構成される。
なお、検出部3としては、基板処理装置10に近接したコンピュータに限らず、基板処理装置10から遠隔に配置されたクラウドサーバやエッジサーバを用いることも可能である。
具体的には、図2に示すように、測定部2によって所定のサンプリング周期(例えば、100msec)毎に測定された複数(n個。例えば、n=5)の荷重測定値P1~Pnが学習モデル31に入力される。学習モデル31は、入力された複数の荷重測定値P1~Pnに基づき、基板Sの昇降異常の程度(以下、これを適宜「異常度」という)を出力する。換言すれば、荷重測定値Pnを測定した時点での異常度を出力する。次に、図示を省略するが、1サンプリング周期分だけずれて測定された複数の荷重測定値P2~Pn+1が学習モデル31に入力される。学習モデル31は、入力された複数の荷重測定値P2~Pn+1に基づき、荷重測定値Pn+1を測定した時点での異常度を出力する。次に、更に1サンプリング周期分だけずれて測定された複数の荷重測定値P3~Pn+2が学習モデル31に入力される。学習モデル31は、入力された複数の荷重測定値P3~Pn+2に基づき、荷重測定値Pn+2を測定した時点での異常度を出力する。以下、上記の動作を繰り返すことで、学習モデル31からサンプリング周期毎に異常度が出力されることになる。第1実施形態の学習モデル31から出力される異常度は、0~1の値に設定されており、昇降異常の程度が高くなるほど大きな値になる。
具体的には、学習モデル31の学習時には、教師データの入力として、基板Sの昇降が正常である場合の複数(n個。例えば、n=5)の荷重測定値を与え、前記入力と組み合わされる教師データの出力として、基板Sの昇降が正常であること(第1実施形態では、異常度=0)を与えて、前記入力を学習モデル31に入力した場合に、学習モデル31から異常度=0が出力されるように、k近傍法を用いた機械学習を行う。上記の教師データの入力としては、前述の荷重測定値P1~Pn、荷重測定値P2~Pn+1、荷重測定値P3~Pn+2等と同様に、1サンプリング周期分だけずれて測定された複数の荷重測定値が用いられ、何れの入力に対しても出力として異常度=0が与えられる。
なお、学習モデル31の機械学習は一度に限られない。必要に応じて、新たな教師データを用いて学習モデル31の再学習を行ったり、従来の教師データに新たな教師データを追加して学習モデル31の再学習を行うことも可能である。
図3は、第1実施形態に係る基板昇降異常検出装置100が備える測定部2によって測定される荷重測定値を説明する説明図である。図3(a)はリフトピン15が下限位置にある状態(基板Sの処理が終了した直後の状態)を、図3(b)はリフトピン15が上昇中の状態を、図3(c)はリフトピン15が上限位置にある状態を示す。なお、図3において、白で塗りつぶした矢符は測定部2に加わる圧縮荷重を、斜線のハッチングを施した矢符は測定部2に加わる引張荷重を意味する。また、何れの矢符もその長さが荷重の大きさ(絶対値)を意味する。
すなわち、図3(a)に示す状態において、測定部2で測定される荷重測定値をFとし、変動荷重F4の大きさ(絶対値)をF4とすると、荷重測定値Fは、以下の式で表わされる。
F=F4
すなわち、図3(b)に示す状態において、測定部2で測定される荷重測定値をFとし、各荷重F1~F4の大きさ(絶対値)をF1~F4とすると、荷重測定値Fは、以下の式で表わされる。
F=-F1+F2-F3-F4
すなわち、図3(c)に示す状態において、測定部2で測定される荷重測定値をFとし、変動荷重F4の大きさ(絶対値)をF4とすると、荷重測定値Fは、以下の式で表わされる。
F=-F4
したがい、図3(a)~(c)に示すような基板Sの上昇過程において、測定部2で測定される荷重測定値は、引張荷重から圧縮荷重に遷移することになる。
図4には、基板Sの昇降が正常である場合の荷重測定値の時間的変化と、基板Sの脱離不良に起因して基板Sの昇降が異常である場合の荷重測定値の時間的変化とを示している。
しかしながら、実際には、基板Sの昇降が正常であるか否かに応じた荷重測定値の時間的変化の差異が僅かであることも考えられる。また、基板Sの昇降が正常であっても荷重測定値の時間的変化にある程度のばらつきが生じる。このため、荷重測定値を単純にしきい値と比較し、その大小で昇降異常を自動検出しようとすると、しきい値の決定が困難であり、昇降異常の検出精度も悪くなると考えられる。また、昇降異常の検出タイミングが遅れると、昇降機構4の動作停止のタイミングも遅れて、基板Sの搬送不良や破損の回避が間に合わないおそれもある。
また、基板Sの昇降異常に伴う基板Sの搬送不良や破損を確実に回避するには、昇降機構4による基板Sの上昇を間欠的に行ってもよい。すなわち、基板Sを一定の短い距離だけ上昇させた後に、いったん基板Sの上昇を停止し、それまでに測定した荷重測定値を用いて基板Sの昇降が正常であるか異常であるかを判定することが考えられる。そして、正常と判定した場合には、再び基板Sを一定の短い距離だけ上昇させて、同様の動作を繰り返す態様を採用することも可能である。
第2実施形態に係る基板処理システムは、基板昇降異常検出装置の検出部が具備する学習モデルがサポートベクタマシンである点だけが第1実施形態と異なる。
したがい、以下の説明では、第1実施形態に係る基板処理システムの説明で用いた図面や各構成要素の符号をそのまま援用する。また、第2実施形態で用いたサポートベクタマシンは公知の内容と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
具体的には、測定部2によって所定のサンプリング周期(例えば、100msec)毎に測定された複数の荷重測定値が学習モデル31に入力される。ただし、第2実施形態では、第1実施形態のように、1サンプリング周期分だけずれて測定された複数の荷重測定値を順次入力するのではなく、所定期間(例えば、基板Sの上昇開始から1~2.5sec)に測定した複数の荷重測定値を一度に学習モデル31に入力することになる。
上記の機械学習により、概念的には、例えば、横軸を基板Sの上昇を開始した時点を基準とする経過時間とし、縦軸を荷重測定値とする座標空間が生成され、正常であると考えられる領域(正常領域)がこの座標空間に描かれることになる。
また、シリンダ装置17として電動シリンダ装置を用いる場合には、電動シリンダ装置を駆動するモータのトルクを測定し、このトルク測定値を学習モデル31にパラメータ(昇降機構4に加わる荷重と相関を有するパラメータ)として入力する態様を採用することも可能である。
例えば、測定部2が、昇降機構4に加わる荷重と相関を有するパラメータに加え、静電チャック14と基板Sとの間の吸着力と相関を有するパラメータ及びチャンバ11内の圧力と相関を有するパラメータのうち、少なくとも1つのパラメータを測定し、学習モデル31が、昇降機構4による基板Sの上昇過程において、測定部2によって連続的に測定された前記パラメータの複数の測定値が入力され、基板Sの昇降異常の程度を出力する態様を採用することも可能である。これにより、昇降機構4に加わる荷重と相関を有するパラメータのみを用いる場合に比べて、基板Sの昇降異常をより一層精度良く検出可能であることが期待できる。
なお、静電チャック14と基板Sとの間の吸着力と相関を有するパラメータを測定する測定部2としては、例えば、特開2006-100630号に記載のように、静電チャック14のリーク電流を測定する電流計や、特開2008-177464号に記載のように、基板Sの変位量を測定する変位計や、シリンダ装置(エアシリンダ装置)17への圧縮空気の圧力を測定する圧力計を挙げることができる。また、チャンバ11内の圧力と相関を有するパラメータを測定する測定部2としては、例えば、チャンバ11に取り付けられた真空計を挙げることができる。
11・・・チャンバ
13・・・載置台
14・・・静電チャック
15・・・リフトピン
16・・・昇降体
17・・・シリンダ装置
18・・・ピストンロッド
2・・・測定部
3・・・検出部
4・・・昇降機構
31・・・学習モデル
32・・・判定部
100・・・基板昇降異常検出装置
S・・・基板
Claims (12)
- 昇降機構による基板の昇降異常を検出する装置であって、
前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定部と、
前記基板の昇降異常を検出する検出部と、を備え、
前記検出部は、前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定部によって時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値が入力される、機械学習を用いて生成された学習モデルを具備する、
ことを特徴とする基板昇降異常検出装置。 - 昇降機構による基板の昇降異常を検出する装置であって、
前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定部と、
前記基板の昇降異常を検出する検出部と、を備え、
前記検出部は、前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定部によって時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値が測定された時点での前記基板の昇降異常の程度を出力する、機械学習を用いて生成された学習モデルを具備する、
ことを特徴とする基板昇降異常検出装置。 - 前記学習モデルは、教師データの入力として、前記基板の昇降が正常である場合の前記パラメータの複数の測定値が入力された場合に、前記基板の昇降が正常であることを出力するように、機械学習を用いて生成されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板昇降異常検出装置。 - 前記学習モデルは、k近傍法を用いた機械学習により生成されている、
ことを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の基板昇降異常検出装置。 - 前記検出部は、前記基板の昇降異常の有無を入力する入力部を備え、前記入力部から入力された前記基板の昇降異常の有無を、前記測定部によって時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値及び前記検出部による前記基板の昇降異常の検出結果と紐付けて記憶する、
ことを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の基板昇降異常検出装置。 - 基板を昇降させる昇降機構を具備する基板処理装置と、
請求項1から5の何れかに記載の基板昇降異常検出装置と、を備える
ことを特徴とする基板処理システム。 - 昇降機構による基板の昇降異常を検出する方法であって、
前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定工程と、
前記基板の昇降異常を検出する検出工程と、を含み、
前記検出工程では、機械学習を用いて生成された学習モデルを用いて、前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定工程において時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値を前記学習モデルに入力する、
ことを特徴とする基板昇降異常検出方法。 - 昇降機構による基板の昇降異常を検出する方法であって、
前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータを測定する測定工程と、
前記基板の昇降異常を検出する検出工程と、を含み、
前記検出工程では、機械学習を用いて生成された学習モデルを用いて、前記昇降機構による前記基板の上昇過程において、前記測定工程において時系列に測定された前記パラメータの複数の測定値が測定された時点での前記基板の昇降異常の程度を前記学習モデルから出力する、
ことを特徴とする基板昇降異常検出方法。 - 請求項7又は8に記載の基板昇降異常検出方法が含む前記検出工程を前記学習モデルを具備する検出部に実行させるためのプログラム。
- 昇降機構による基板の上昇過程において時系列に測定された、前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータの複数の測定値が入力され、前記基板の昇降異常の程度を出力する、機械学習を用いて作成された学習モデル。
- 昇降機構による基板の上昇過程において時系列に測定された、前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータの複数の測定値が測定された時点での前記基板の昇降異常の程度を出力する、機械学習を用いて作成された学習モデル。
- 昇降機構による基板の上昇過程において時系列に測定された、前記昇降機構に加わる荷重と相関を有するパラメータの複数の測定値が入力され、前記基板の昇降異常の程度を出力する学習モデルを、教師データの入力として、前記基板の昇降が正常である場合の前記パラメータの複数の測定値が入力された場合に、前記基板の昇降が正常であることを出力するように、機械学習を用いて生成する、
ことを特徴とする学習モデルの生成方法。
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---|---|---|---|---|
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US20230011361A1 (en) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | Changxin Memory Technologies, Inc. | System and method for wafer breakage prevention |
CN113903688A (zh) * | 2021-09-29 | 2022-01-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及晶圆状态监测方法 |
CN116230586B (zh) * | 2022-12-12 | 2024-01-02 | 全芯智造技术有限公司 | 晶圆制造机台单元的共性分析方法及终端 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004531883A (ja) | 2001-03-30 | 2004-10-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェハ持ち上げ装置およびその実装方法 |
US20060238953A1 (en) | 2005-04-26 | 2006-10-26 | Hiroji Hanawa | Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor |
JP2007165917A (ja) | 1997-05-23 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 被吸着物の処理方法 |
JP2008205313A (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびデチャック異常検出方法 |
JP2008277706A (ja) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Nikon Corp | 半導体処理装置、静電チャックの基板吸着状態検出方法 |
JP2010278271A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Panasonic Corp | 半導体基板処理装置 |
JP2012151216A (ja) | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置の異常判定システム及びその異常判定方法 |
JP2016033778A (ja) | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 異常予兆診断装置及び異常予兆診断方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11260897A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置 |
JP2006100630A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US20070249071A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Lei Lian | Neural Network Methods and Apparatuses for Monitoring Substrate Processing |
US20080108154A1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-08 | Hyoung Kyu Son | Apparatus and method for measuring chuck attachment force |
JP2008177464A (ja) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Ulvac Japan Ltd | デチャックモニター方法及び装置 |
JP4301299B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2009-07-22 | 日新イオン機器株式会社 | 基板保持装置および基板押し上げ状態判定方法 |
JP6113429B2 (ja) * | 2012-07-24 | 2017-04-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ステージ装置及び試料搬送装置並びに位置決め制御方法 |
JP6390465B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2018-09-19 | 株式会社東京精密 | プローバ及びウェーハ剥離方法 |
CN104794327B (zh) * | 2015-05-06 | 2016-06-01 | 西安科技大学 | 基于决策融合的多系统矿井顶板安全预警系统及其实现方法 |
JP6542713B2 (ja) * | 2016-06-09 | 2019-07-10 | ファナック株式会社 | 異常負荷検出の閾値を学習する機械学習器,数値制御装置および機械学習方法 |
US9972478B2 (en) * | 2016-09-16 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Method and process of implementing machine learning in complex multivariate wafer processing equipment |
US10410836B2 (en) * | 2017-02-22 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Systems and methods for tuning to reduce reflected power in multiple states |
CN109063269B (zh) * | 2018-07-07 | 2021-09-07 | 河南理工大学 | 基于图模型的液压支架群顶板支撑控制方法、存储介质 |
JP7211751B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2023-01-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20200194296A1 (en) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Tokyo Electron Limited | System of processing substrate, transfer method, transfer program, and holder |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165917A (ja) | 1997-05-23 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 被吸着物の処理方法 |
JP2004531883A (ja) | 2001-03-30 | 2004-10-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウェハ持ち上げ装置およびその実装方法 |
US20060238953A1 (en) | 2005-04-26 | 2006-10-26 | Hiroji Hanawa | Electrostatic chuck with smart lift-pin mechanism for a plasma reactor |
JP2008539598A (ja) | 2005-04-26 | 2008-11-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマリアクタのためのスマートリフトピンメカニズムによる静電チャック |
JP2008205313A (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびデチャック異常検出方法 |
JP2008277706A (ja) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Nikon Corp | 半導体処理装置、静電チャックの基板吸着状態検出方法 |
JP2010278271A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Panasonic Corp | 半導体基板処理装置 |
JP2012151216A (ja) | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置の異常判定システム及びその異常判定方法 |
JP2016033778A (ja) | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 異常予兆診断装置及び異常予兆診断方法 |
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