JP2007180074A - 静電気検出装置および基板検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の剥離時の静電気の発生状況を正確に把握することができる静電気検出装置および基板検査装置を提供する。
【解決手段】リフトピン3は、ステージ2上で基板1を支持して上昇および下降させることが可能である。静電気量を測定する複数のセンサ4が基板1の表面よりもステージ2側に配置されている。イオナイザ本体6によってイオン化された気体はイオン放出バー8から基板1の上面に吹き付けられる。また、イオナイザ本体7によってイオン化された気体は、基板1と接触する面に開口したイオン吹き出し口10から基板1の下面に吹き付けられる。基板剥離時に、静電気が発生しそうな値まで測定値が上昇した場合、制御装置11は、イオナイザ本体6および7のイオン供給量を調節する、リフトピン3の上昇速度を調節する等の制御を行う。
【選択図】図1
【解決手段】リフトピン3は、ステージ2上で基板1を支持して上昇および下降させることが可能である。静電気量を測定する複数のセンサ4が基板1の表面よりもステージ2側に配置されている。イオナイザ本体6によってイオン化された気体はイオン放出バー8から基板1の上面に吹き付けられる。また、イオナイザ本体7によってイオン化された気体は、基板1と接触する面に開口したイオン吹き出し口10から基板1の下面に吹き付けられる。基板剥離時に、静電気が発生しそうな値まで測定値が上昇した場合、制御装置11は、イオナイザ本体6および7のイオン供給量を調節する、リフトピン3の上昇速度を調節する等の制御を行う。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板の静電気を検出して除去する静電気検出装置に関すると共に、この静電気検出装置を備え、基板の外観を検査する基板検査装置に関する。
従来、液晶表示装置用のガラス基板や半導体装置全般用の半導体ウェハ等の基板をステージ上に載置して検査等を行う場合に、基板をステージから引き離す際に、剥離帯電による静電気が発生することがあった。この静電気が放電することによって、基板にひび割れや欠け等が生じたり、基板上に形成されたパターンがダメージを受けたりするため、基板の静電気を除去する必要があった。
従来においては、基板の上方に1個の静電気測定センサを設置し、静電気の測定が行われていた(例えば特許文献1参照)。また、静電気除去方法としては、イオナイザの電極に印加するDCパルスのデューティー比をPID制御により増減させる手法等が採られていた。
特開平8−97121号公報
しかし、静電気が発生するのは、基板がステージから剥離される瞬間と考えられるため、基板の上方に静電気測定センサが設けられていると、剥離瞬間の静電気の発生状況を正確に把握することができないという問題があった。また、1個の静電気測定センサのみでは、特に大型の基板で局所的に発生する静電気を検出することが困難であるため、剥離瞬間の静電気の発生状況を正確に把握することができないという問題があった。
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、基板の剥離時の静電気の発生状況を正確に把握することができる静電気検出装置および基板検査装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、基板が載置されるステージと、前記ステージに配設され、前記ステージ上で前記基板を上昇および下降させる昇降手段と、前記基板の静電気を除去する静電気除去手段と、前記基板の表面よりも前記ステージ側に配設され、静電気量を測定するセンサとを備えたことを特徴とする静電気検出装置である。
また、本発明の静電気検出装置は、前記センサが複数個配設されていることを特徴とする。
また、本発明の静電気検出装置は、前記センサが、前記基板と接触する前記ステージの表面に配設されていることを特徴とする。
また、本発明の静電気検出装置は、前記センサが前記昇降手段に配設されていることを特徴とする。
また、本発明の静電気検出装置は、前記センサによって測定された静電気量に応じて前記静電気除去手段の動作を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。
また、本発明の静電気検出装置は、前記センサによって測定された静電気量に応じて前記昇降手段の動作を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。
また、本発明は、上記の静電気検出装置を備え、前記基板の外観を検査することを特徴とする基板検査装置である。
本発明によれば、基板の表面よりもステージ側にセンサが配設されているため、基板の剥離時の静電気の発生状況を正確に把握することができるという効果が得られる。また、センサを複数配設することによって、基板の剥離時の静電気の発生状況をより正確に把握することができるという効果が得られる。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態による静電気検出装置の構成を示している。本静電気検出装置は、例えば液晶表示装置用のガラス基板の外観検査を行う液晶検査装置内に設けられる。以下では、本静電気検出装置を液晶検査装置に適用した場合について説明を行うが、本静電気検出装置の適用範囲はこれに限定されない。
図1において、基板1は検査時にステージ2上に載置される。ステージ2は、基板1の検査が行われる位置と、図示せぬローダ(ロボット)との基板受け渡し位置との間を移動可能である。ローダとステージ2との基板1の受け渡しは、ステージ2に配設されたリフトピン3(昇降手段)を介して行われる。リフトピン3は、ステージ2上で基板1を支持して上昇および下降させることが可能である。図1(a)は、リフトピン3が上昇し、基板1を押し上げてステージ2から剥離させた場合の様子を示している。また、図1(b)は、リフトピン3が下降し、基板1がステージ2上に載置された場合の様子を示している。この場合、リフトピン3は、基板1と接触しないようにステージ2内に退避している。
基板1と接触するステージ2の面上には、静電気量を測定する複数のセンサ4(静電気測定センサ)が配設されている。静電気の測定結果は、センサ4からセンサ制御装置5を介して制御装置11へ出力される。制御装置11にはイオナイザ本体6および7(静電気除去手段)も接続されている。イオナイザ本体6および7は、図示せぬ気体供給源から供給される窒素ガスや空気等の気体を正または負にイオン化する。
イオナイザ本体6によってイオン化された気体(以下、イオン化気体と称する)は、基板1の上方に配置されたイオン放出バー8(除電バー)へ供給され、イオン放出バー8から基板1の上面に吹き付けられる。また、イオナイザ本体7によってイオン化されたイオン化気体は、ステージ2内を通るイオン流通路9へ供給され、基板1と接触する面に開口したイオン吹き出し口10から基板1の下面に吹き付けられる。このイオン吹き出し口10は、リフトピン3を収納するスペースにもなっている。
イオン化気体を基板1に吹き付けることによって、静電気が除去され、基板1の帯電が中和される。イオン吹き出し口10は、リフトピン3の数に合わせて複数設けられており、イオナイザ本体7とイオン吹き出し口10を繋ぐイオン流通路9は個々のイオン吹き出し口10毎に独立に設けられている。制御装置11は、イオナイザ本体7を制御することによって、各イオン吹き出し口10から吐出されるイオン化気体の吐出量を個別に制御することができる。
なお、本実施形態では除電機構として、基板1上方のイオン放出バー8からイオン化気体を基板1に吹き付けるものと、ステージ2表面のイオン吹き出し口10からイオン化気体を基板1に吹き付けるものとの2種類が設けられているが、いずれか1種類のみが設けられているとしてもよい。また、除電機構は以下のようにしてもよい。例えば、リフトピン3の内部にイオン流通路を設け、リフトピン3の先端あるいは側面等からイオン化気体を吐出させてもよい。また、イオン放出バー8と同様の気体吐出口が設けられた棒状の部材をステージ2の内部または下に設け、イオン吹き出し口10と同様の開口部からイオン化気体を吐出させてもよい。さらに、除電量の制御は、気体をイオン化させるため気体に印加する電圧を制御してイオン化気体の帯電量を制御することによって行ってもよい。
制御装置11は静電気検出装置の全体を制御する。制御装置11は、例えば汎用のPC(Personal Computer)によって構成され、加減乗除や比較等の演算機能を有するCPU(Central Processing Unit)等からなる制御部、情報記憶機能を有するHDD(Hard Disk Drive)等の外部記憶装置やSDRAM(Synchronous Random Access Memory)およびROM(Read Only Memory)等の記憶装置、センサ制御装置5およびイオナイザコントローラ7等と通信を行うための通信部、ユーザが操作するためのマウスやキーボード等の操作部、情報を表示する表示部等を有している。
以下、制御装置11が有する機能をいくつか例示する。制御装置11は、センサ制御装置5へ制御信号を出力することによって、センサ制御装置5を介してセンサ4を制御し、センサ4から静電気の測定値を取得する。また、制御装置11は、イオナイザ本体6および7へ制御信号を出力することによって、除電(イオン化気体の吹き付け)の開始・停止を行ったり、除電量の調節を行ったり等のイオナイザ本体6および7の動作制御を行う。特に、ステージ2から基板1が剥離する前後において制御装置11は、静電気の測定値に基づいて基板1の帯電状態(静電気が放電する可能性があるのか、ないのか等)を判断し、イオナイザ本体6および7の動作を決定する。制御装置11は、決定結果に基づいた制御信号をイオナイザ本体6および7へ出力し、イオン化気体の吐出量や帯電量の調節等を行う。
なお、図面の見易さを考慮して図示していないが、リフトピン3もリフトピン制御装置を介して制御装置11に電気的に接続されており、制御装置11は、リフトピン制御装置へ制御信号を出力することによって、リフトピン制御装置を介してリフトピン3の動作を制御する。これによって、リフトピン3が上昇または下降し、基板1の搬入または搬出が行われる。特に、ステージ2から基板1が剥離する前後において制御装置11は、静電気の測定値に基づいて基板1の帯電状態(静電気が放電する可能性があるのか、ないのか等)を判断し、リフトピン3の動作を決定する。制御装置11は、決定結果に基づいた制御信号をリフトピン制御装置へ出力し、リフトピン3の上昇速度の調節等を行う。
リフトピン3およびセンサ4はそれぞれ複数配設されている。センサ4は基板1の表面よりも下側(基板1を基準としてステージ2側)に配置されており、本実施形態ではステージ2の外面のうち、基板1が載置される面上または面内で外部に露出するように配設されている。ステージ2表面に形成した窪みの中にセンサ4を設け、センサ4と基板1が直接接触しないようにしてもよい。センサ4は、リフトピン3に近接した位置に配設されている。基板1とステージ2との剥離はリフトピン3の上昇によって引き起こされるため、このようにリフトピン3の近傍にセンサ4を配置することがより望ましい。制御装置11の記憶部には、センサ4の位置とリフトピン3の位置とが対応付けられた位置情報が格納されており、制御装置11の制御部は位置情報を適宜読み出して利用する。
本実施形態のように、複数のセンサ4を用いることにより、基板1をステージ2から剥離させるときに発生する静電気の量を様々な箇所で把握することができる。制御装置11は、センサ制御装置5を介して静電気の測定値を読み取ることが可能であり、基板剥離時に静電気が発生しそうな箇所を事前に確認することができる。基板剥離時に、静電気が発生しそうな値まで測定値が上昇した場合、制御装置11は、イオナイザ本体6および7のイオン供給量を調節する、リフトピン3の上昇速度を調節する等の制御を行う。これによって、静電気の発生を抑制することができる。
図2は、基板剥離時のステージ2の状態を示している。ステージ2の上部にセンサ4が配置されており、リフトピン3が基板1を上昇させる様子が示されている。前述したように、センサ4を基板1と接触するように設けてもよいし、基板1と接触しないように窪みの中等に設けてもよい。図2(a)の符号(A)は、リフトピン3が基板1に接触するときのリフトピン3の先端位置を示しており、符号(B)は、基板1がステージ2から剥離し始めるときのリフトピン3の先端位置を示している。リフトピン3が上昇する間、制御装置11は、センサ4によって測定される静電気の測定値を監視する。
図2(b)は、静電気の測定値の変化の一例を示している。図の縦軸は静電気の測定値であり、横軸はリフトピン3の先端位置を示している。図示されるように、リフトピン3が基板1を押し上げ、ステージ2から剥離させ始めた直後に静電気の放電が発生しそうになっている。制御装置11は各センサ4の測定値を常に監視し、図2(b)のように測定値が規定値を超えた場合に、リフトピン3の上昇動作およびイオン化気体の供給動作のいずれか、もしくは両方の動作を制御し、静電気が放電しないように処理を行う。この規定値は予め設定されたしきい値であり、本実施形態では、静電気が放電する可能性がある値と定義する。
次に、図3を参照し、本実施形態による静電気検出装置の動作をさらに詳細に説明する。図3は、基板1の検査後の処理(検査が終了した時点から、ローダが基板1を受け取る位置に基板1を上昇移動させるまでの処理)の手順を示している。検査終了後の処理が開始されると、基板1の載置されたステージ2は、リフトピン3を上昇させる位置まで移動する(ステップS300)。ステージ2の移動が完了した後、制御装置11はイオナイザ本体6および7へ制御信号を出力し、静電気除去機能をONにする(ステップS301)。
続いて、制御装置11はリフトピン制御装置へ制御信号を出力し、リフトピン3の上昇を開始させる(ステップS302)。リフトピン3が上昇を開始(ステップS302)してから、基板1の剥離が終了する(ステップS307)まで、制御装置11はセンサ4から測定値を取得し、以下のステップS303〜S306の処理(主に制御装置11の制御部を中心とした処理)を行う。
制御装置11は、センサ制御装置5を介してセンサ4から測定値を取得する(ステップS303)。続いて、制御装置11は、予め設定された規定値と測定値を比較し、測定値が規定値を超えているか否かを判定する(ステップS304)。測定値が規定値を超えていなかった場合には、処理がステップS303に戻り、制御装置11は測定値の監視を継続する。また、測定値が規定値を超えた場合には、制御装置11はリフトピン制御装置へ制御信号を出力し、リフトピン3の上昇を一旦停止させる(ステップS305)。続いて、制御装置11はイオナイザ本体7へ制御信号を出力し、イオン化気体の放出量を増加させると共に、リフトピン制御装置へ制御信号を出力し、ステップS305で停止する前の速度よりも低い上昇速度でリフトピン3の上昇を再開させる(ステップS306)。
このステップS306では特に、制御部11の制御によって、複数のセンサ4のうち、測定値が規定値を超えたと判定されたセンサ4に最も近いイオン吹き出し口10から吐出されるイオン化気体の吐出量が増加する。このように、本実施形態では局所的に静電気量が増加した場合でも、放電をより確実に防止することができる。
基板1がステージ2から完全に離れて基板1の剥離が完了した(ステップS307)後もリフトピン3は、ローダに基板1を受け渡す位置まで上昇する。リフトピン3の上昇が終了して、制御装置11がイオナイザ本体6および7へ制御信号を出力し、静電気除去機能をOFFにする(ステップS308)と処理が終了する。基板1の剥離が完了するまで、制御装置11は常にセンサ4の測定値を確認し、放電の可能性のある測定値が得られた場合には、リフトピン3を一旦停止させてから、静電気の除去機能を強化すると共に、上昇速度を前よりも落としてリフトピン3を上昇させる処理を行う。
上記のようにイオン化気体の放出量(特にイオン吹き出し口10からの放出量)を増加させることによって、静電気による放電を防止することができる。また、リフトピン3を一旦停止させることによって、その時点よりも静電気量が増加することを防ぐことができる。本実施形態のように、リフトピン3を一旦停止させてからイオン化気体の放出量を増加させるのが特に効果的である。また、上昇速度を落としてリフトピン3を上昇させることによって、静電気量の増加速度を抑えることができ、その分、相対的にイオン化気体による除電機能を強化して放電を防止することができる。
なお、放電の可能性のある測定値が得られた場合に、上記に代えて以下の第1または第2の変形例のようにしてもよい。第1の変形例では、センサ4の測定値が規定値を超えた場合に、制御装置11はリフトピン制御装置へ制御信号を出力し、リフトピン3の上昇速度を低下させる。これによって、静電気量の増加速度を抑えることができ、その分、相対的にイオン化気体による除電機能を強化して放電を防止することができる。これは特に、基板1の上方から基板1の上面にイオン化気体を吹き付ける機構は存在するが、ステージ2側から基板1の下面にイオン化気体を吹き付ける機構は存在しないという場合に効果的である。
第2の変形例では、センサ4の測定値が規定値を超えた場合に、制御装置11はイオナイザ本体7へ制御信号を出力し、イオン化気体の放出量(特にイオン吹き出し口10からの放出量)を増加させる。この場合、リフトピン3の上昇速度は変わらないが、イオン化気体の放出量を増加させることによって、静電気による放電を防止することができる。
次に、センサ4の他の配置例を説明する。図4は、ステージ2に対するリフトピン3およびセンサ4の配置位置を示すステージ2の平面図である。センサ4はステージ2の全体に均等に配置されており、図4では、隣接するリフトピン3同士のほぼ中央の位置に各センサ4が配置されている。
図5は、ステージ2の平面内におけるセンサ4の他の配置例を示している。1枚の基板1から複数の液晶パネルを面取りする場合(図5は4面取りの例)の各液晶パネル(セル)の位置とセンサ4の位置が予め対応付けられており、その情報が制御装置11の記憶部に格納されている。制御装置11は、静電気の測定を行った場合に、上記の対応付けされた情報に対して静電気の測定結果を付加して記憶する。この結果、各セルの静電気の測定結果が制御装置11に蓄積されることになる。基板1の検査の結果、例えばいずれかのセルにひび割れや欠け等の欠陥が発見された場合には、そのセルに関連付けられた静電気の測定結果を参照することによって、欠陥が静電気の放電によって発生したのかどうかを確認することができる。
図6は、リフトピン3にセンサ4を配設した場合の例を示している。図6ではセンサ4がリフトピン3の先端近傍の側面に配設されているが、リフトピン3の上端にセンサ4を配設してもよい。センサ4は全てのリフトピン3に配設することがより望ましい。
ステージ2の表面にセンサ4を設けた場合には、基板1がステージ2上に載置されている状態での静電気の発生状況を正確に把握することができる。基板1がステージ2上に載置されると、先端が基板1に接触しないようにリフトピン3がステージ2の表面位置よりも下方へ退避してしまうため、リフトピン3にセンサ4を設けた場合には、基板1がステージ2上に載置されている状態での静電気の発生状況を必ずしも正確に把握することができない。その一方で、リフトピン3にセンサ4を設けた場合には、基板1がステージ2から完全に剥離した後でも、基板1の近傍で静電気を測定することができるため、基板1がローダに受け渡されるまでの静電気の発生状況を正確に把握することができる。
上述したように本実施形態によれば、基板1の表面よりもステージ2側にセンサ4が配設され、特に基板1の近傍で静電気の測定が可能なステージ2の表面またはリフトピン3にセンサ4が配設されているため、基板の剥離時の静電気の発生状況を正確に把握することができる。また、センサ4が複数配設されており、局所的な静電気の発生状況を把握することができるため、特に基板1が液晶表示装置用のガラス基板のような大型の基板であっても、基板の剥離時の静電気の発生状況を正確に把握することができる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
1 基板、2 ステージ、3 リフトピン、4 センサ、5 センサ制御コントローラ、7 イオナイザ制御コントローラ、8 イオン放出バー、9 イオン流通路、10 イオン吹き出し口、11 制御装置
Claims (7)
- 基板が載置されるステージと、
前記ステージに配設され、前記ステージ上で前記基板を上昇および下降させる昇降手段と、
前記基板の静電気を除去する静電気除去手段と、
前記基板の表面よりも前記ステージ側に配設され、静電気量を測定するセンサと、
を備えたことを特徴とする静電気検出装置。 - 前記センサが複数個配設されていることを特徴とする請求項1に記載の静電気検出装置。
- 前記センサが、前記基板と接触する前記ステージの表面に配設されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電気検出装置。
- 前記センサが前記昇降手段に配設されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電気検出装置。
- 前記センサによって測定された静電気量に応じて前記静電気除去手段の動作を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかの項に記載の静電気検出装置。
- 前記センサによって測定された静電気量に応じて前記昇降手段の動作を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかの項に記載の静電気検出装置。
- 請求項1〜請求項6のいずれかの項に記載の静電気検出装置を備え、前記基板の外観を検査することを特徴とする基板検査装置。
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- 2005-12-27 JP JP2005373650A patent/JP2007180074A/ja active Pending
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