TWI475930B - 離子供應裝置及設有該離子供應裝置之工件處理系統 - Google Patents

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Description

離子供應裝置及設有該離子供應裝置之工件處理系統
本申請案以提出申請日為2010年7月21日之日本專利申請案第2010-164107號為基準並主張其優先權，其全部內容併入本文供作參考。
本發明係關於一種離子供應裝置和設有該離子供應裝置之一工件處理系統。
在一半導體裝置之製程中，有各種形式之處理被執行，例如於工件如半導體晶圓等之上形成薄膜。此半導體晶圓在此一處理過程中被運送。因為在運送過程中個別構件之間的輕微接觸和滑動接觸，靜電易在一半導體晶圓或一載置半導體晶圓的晶圓舟中產生。若靜電在半導體晶圓中產生並因而對此半導體晶圓充電，則如灰塵等粒子很可能附著於此半導體晶圓上，並導致良率降低的問題。
考慮到此問題，一個安裝於一處理裝置中用以去除產生於半導體晶圓之靜電的除電裝置正在被研究中。例如，日本公開專利公報第2005-72559A號揭露一個包含用以固持基板之一基板固持單元和一除電單元的基板處理裝置，其中該除電單元係用以從一容納基板固持單元的環境去除靜電。
然而，在一處理裝置如批量縱式處理裝置中存在有待去除電流之複數的半導體晶圓，而需要在寬廣區域去除靜電的情況下，要均勻地去除靜電可能會出現困難。因此，乃存在一能在寬廣區域均勻地去除靜電的裝置之需求。
為了因應前述之情況，本發明之目的為提供一個能在寬廣區域均勻地去除靜電的裝置。本發明之另一目的為提供一具有能在寬廣區域均勻地去除靜電之離子供應裝置的工件處理系統。
根據本發明之第一觀點提供一離子供應裝置，其包含：一離子產生器，用以產生去除靜電用的離子；一載體氣體供應單元，用以供應一載體氣體至該離子產生器，該載體氣體用以載送從該離子產生器產生之該等離子；及一離子供應噴嘴，用以將來自該離子產生器的該離子和該載體氣體經由一吹出口吹向欲去除靜電之一除電標的物，其中，於該吹出口設有一狹縫，該狹縫的寬度隨著與該除電標的物的距離增大而遞增；其中，該離子供應噴嘴包含一內流道和設於該內流道內接近該吹出口之部分的複數之內翼片，而使得從該狹縫吹出的該等離子和該載體氣體均勻地沿著該狹縫的縱向散布。
狹縫可為朝該離子供應噴嘴末端遞增之寛度的倒錐形。
離子供應噴嘴係以選自於由聚碳酸酯(PC,Polycarbonate)、石英或聚醚醚酮(PEEK,polyether ether ketone)所構成之群組中的至少一種材料製成。
離子產生器可為一離子發生裝置。
根據本發明之第二觀點提供一用以處理工件之工件處理系統，其包含一個設置於處理該工件的處理區域中之離子供應裝置，其中此離子供應裝置包含：一離子產生器，以產生去除靜電的離子；一載體氣體供應單元，用以供應一載體氣體至離子產生器，此載體氣體用以載送從離子產生器產生之離子；和一離子供應噴嘴，用以將來自離子產生器的離子和載體氣體經由一吹出口吹向欲去除靜電之一除電標的物。
本發明的一離子供應裝置和設有離子供應裝置之工件處理系統，現在將以運用離子供應裝置和工件處理系統於圖所示之處理裝置的情形為例加以說明。
參考圖1，依本發明之一實施例的處理裝置包含一個被一分隔壁11隔成工作區S1和裝載區S2之處理腔室10。工作區S1為一執行載具C之運送與貯存的區域，換言之，為一封閉輸送容器，用以載置收納複數片(如二十五片)之半導體晶圓W於其中。工作區S1保持在與正常大氣壓相同的環境下。另一方面，裝載區S2為半導體晶圓W接受熱處理例如成膜處理或氧化處理之區域。裝載區S2處於充滿惰性氣體例如氮氣的環境之下。
於工作區S1中設置一裝載埠21、一載具輸送機22、一或多個傳送台23和一儲存單位24。
裝載埠21支撐一個載具C，此載具C從一形成於處理腔室10之側壁的閘口20，被一外部運送機構(未圖示)運送入處理裝置1。例如，閘門D係裝置在處理腔室10外側與閘口20相應的位置。閘口20係建構成被閘門D所關閉與開啟。
載具輸送機22係位於裝載埠21與傳送台23間，用以運送工作區S1內部的載具C。載具輸送機22包含一支柱25和一安裝於支柱25側表面之水平臂26。此支柱25係設成在處理腔室10內以鉛直方向延伸。水平臂26以一設置於支柱25下方之馬達M使其上下移動。由例如關節臂形成的運送臂27安裝於水平臂26。此運送臂27可藉由鉛直移動水平臂26而上下移動。且此運送臂27可藉由一馬達(未圖示)而水平移動。以此方式，水平臂26和馬達建構成可鉛直或水平移動運送臂27而執行載具C的輸送。
傳送台23係裝置於分隔壁11之面向工作區S1側以支撐由載具輸送機22運送之載具C。半導體晶圓W藉著傳送台23從載具C取出，並以後面將說明之一傳送機構41轉移至裝載區S2。傳送台23包含例如上傳送台與下傳送台等。分隔壁11具有與傳送台23相對齊之開口。檔門30個別裝置在分隔壁11之面向裝載區S2之側，其功能為關閉前述開口。
儲存單位24安裝於工作區S1上部以貯藏載具C。此儲存單位24可包含一組例如四列兩行排列之貯藏架。此組儲存單位24之貯藏架係裝置成將支柱25夾設於其間。
圖2為一處理裝置之裝載區S2的內部結構俯視圖。圖3為一處理裝置之裝載區S2的內部結構側視圖。如圖1至圖3所示，載區S2內部配置有一傳送機構41、晶圓舟載置台45(即45a和45b)、一晶圓舟運送機構51、濾器52、一氣體排出口53和一離子供應裝置54裝，另配置有要與裝載區S2連接的一熱處理爐46。
傳送機構41係安裝在檔門30與晶圓舟載置台45之間。此傳送機構41在置於傳送台23上之載具C與置於晶圓舟載置台45上之晶圓舟42(即42a和42b)之間執行半導體晶圓W之運送。此傳送機構41包含一伸縮臂43，此伸縮臂43可一次運送例如複數之半導體晶圓W。傳送機構41可藉一馬達(未圖示)而環繞一鉛直軸心旋轉，並可沿一升降軸44上下移動。
晶圓舟載置台45為用來支撐晶圓舟42的載置台。於此實施例中，晶圓舟載置台45可包含兩個晶圓舟載置台，即：一運送晶圓舟載置台45a，用以支撐其中一個使用傳送機構41執行半導體晶圓W之運送的晶圓舟42；及一待命晶圓舟載置台45b，用以支撐另一個待命中的晶圓舟42。同樣地，此晶圓舟42包含可輪流使用的複數之例如兩個的晶圓舟42a和42b。晶圓舟42的數量可為一或兩個以上。例如當晶圓舟的數目為一個時，可能無需包含晶圓舟載置台45。在此情況下，半導體晶圓W被運送於載具C和從熱處理爐46裝載及卸載的晶圓舟42之間。
熱處理爐46包含一個具有一底部開口與一頂部的石英製圓柱狀處理容器47。一個用以加熱存在於處理容器47內之半導體晶圓W的圓柱加熱器48圍繞處理容器47裝置。一個可藉由一升降機構49上下移動之罩蓋50安裝於處理容器47下方。若罩蓋50與置於其上之收納有半導體晶圓W的晶圓舟42(如圖1之42b)被向上移動，則該半導體晶圓W(與收納其之晶圓舟42)被載入處理容器47。在載入半導體晶圓W後，處理容器47之底部開口被罩蓋50氣密式地密封住。
晶圓舟運送機構51係安裝於晶圓舟載置台45之鄰近處。此晶圓舟運送機構51包含一伸縮臂51a，並於罩蓋50與晶圓舟載置台45之間運送晶圓舟42。
濾器52係安裝在裝載區S2之一側表面上。此等濾器52與一氣體供應源(未圖示)連接，俾一氣體例如空氣或氮氣等惰性氣體，可自氣體供應源經由濾器52供應給裝載區S2。因此，潔淨空氣或潔淨惰性氣體以水平方向自濾器52吹入，從而經常形成一潔淨氣體側向流。
氣體排出口53係設在對向於安裝濾器52之側表面的另一側表面上。經由此氣體排出口53而排出存在於裝載區S2內部之氣體。自濾器52供給之潔淨空氣或潔淨惰性氣體，與存在於裝載區S2內的粒子如灰塵等，一齊由氣體排出口53排出。如此一來裝載區S2可維持潔淨。再者，於若干實施例中，自氣體排出口53排出之潔淨空氣或潔淨惰性氣體可藉由一導管導回至濾器52而重複利用。
如圖2所示，離子供應裝置54係配置於裝載區S2之一側表面上設置的濾器52之間。離子供應裝置54之結構顯示於圖4。
參照圖4所示，離子供應裝置54包含：一離子產生器55，其作為離子供應裝置54之主體；一載體氣體供應流道56，經由此流道56將一載體氣體供應至離子產生器55；一離子流道57，其係自離子產生器55延伸；及一離子供應噴嘴58，其與離子流道57之末端部分相連接。
離子產生器55係由一如產生正負離子之離子發生裝置所構成。此離子發生裝置之例子包含：一雙直流棒狀離子發生器，用以同時產生正負離子；一脈衝式直流離子發生器，用以依一特定時間間隔交替產生正負離子；一交流棒狀離子發生器，用來以高速交替產生正負離子；及一軟性X射線離子發生器，藉由X射線幅射以產生正負離子。
載體氣體供應流道56將離子產生器55與一載體氣體供應源(未圖示)連接。此載體氣體供應流道56係建構成經由此通道56從一載體氣體供應源供應一載體氣體至離子產生器55。該載體氣體用於載送離子。惰性氣體例如氮體可作為載體氣體使用。
離子流道57與離子產生器55以及離子供應噴嘴58連接。此離子流道57係建構成用以將由離子產生器55所產生並被載體氣體所載送之正負離子，經由此通道57供應至離子供應噴嘴58。
離子供應噴嘴58用於將連同載體氣體一齊供應的離子(正負離子)吹向除電標的物(晶圓舟42、半導體晶圓W…等)。離子供應噴嘴58的結構顯示於圖5A和圖5B。圖5A為離子供應噴嘴58的前視圖，而圖5B為離子供應噴嘴58的側視圖。
參照圖5A和圖5B，一噴嘴開口部(或一吹出口)可於離子供應噴嘴58之末端形成，且離子供應噴嘴58於此噴嘴開口部包含一狹縫59。此狹縫59的寬度隨著與除電標的物的距離增大而遞增。於此實施例中，狹縫59係為一倒錐形，使得其寬度朝向離子供應噴嘴58之末端(圖5A所示之末端)遞增。因此最大量(流量)的離子自離子供應噴嘴58之上部部分吹出，而最小量(流量)的離子自離子供應噴嘴58之下部部分吹出。自離子供應噴嘴58之上部部分吹出的最大量離子被供應至位於離子供應噴嘴58之最遠處的除電標的物之區域(例如晶圓舟42的上部)，而自離子供應噴嘴58之下部部分吹出的最少量離子被供應至位於離子供應噴嘴58之最近處的除電標的物之區域(例如晶圓舟42的下部)。若從離子供應噴嘴58至除電標的物(如晶圓舟42等)的距離較遠，供應的離子容易再結合。使用本發明之離子供應噴嘴58，較大量的離子係供應至除電標的物之離子較可能在抵達表面前再結合的區域，而較少量的離子供應至除電標的物之離子較不可能在抵達另一表面前再結合的區域。此舉提供一從除電標的物如晶圓舟42等之全部區域均勻地去除靜電的效果。
離子供應噴嘴58包含一與離子流道57連接的內流道60，和設於內流道60內接近該噴嘴開口之部分的複數之內翼片61(引導板)。此內翼片61係設成用以均勻散佈從狹縫59的完整縱向區域所吹出之離子和載體氣體。因為內翼片61係以此方式安裝於內流道60內，壓力可沿離子供應噴嘴58之縱向方向(即鉛直方向)被平均分散。此提供一從除電標的物例如晶圓舟42等之全部區域均勻地去除靜電的效果。
於本實施例中，離子供應噴嘴58之內流道60具有一直線型形狀。若在內流道60中需要形成一彎曲部分，理想的情況下內流道60被和緩地和平滑地彎曲，以預防離子在內流道60內再結合。
離子供應噴嘴58較宜使用較不易消耗離子且抗熱性較佳的材料所製成，例如聚碳酸酯(PC,Polycarbonate)、石英或聚醚醚酮(PEEK,polyether ether ketone)等。
於處理裝置1之處理腔室10內可設置各種類型的感測器。於裝載區S2內部可設置例如用以偵測除電標的物之電荷量的感測器。另外，用以偵測各種馬達和汽壓缸之位置的位置感測器如極限感測器或底部位置感測器等，可設置於相應的馬達和汽壓缸。再者，於熱處理爐46可設置複數之用以測量熱處理爐46之內部溫度的溫度感測器，和複數之用以測量熱處理爐46之內部壓力的壓力感測器。
處理裝置1被連接於一控制系統100以控制處理裝置1之個別裝置或單元。此控制系統100的結構如圖6所示。參照圖6，操作面板121和各式感測器如電荷量感測器等係與控制系統100連接。根據自感測器122如電荷量感測器等取得之數據資料，控制系統100輸出控制訊號至如離子供應裝置54等裝置。
操作面板121包含一顯示器部份(或一顯示螢幕)與複數之操作按鈕。此操作面板121傳送一操作者之操作指令至控制系統100，並將種種由控制系統100提供的資訊顯示於其顯示器部份。感測器122如電荷量感測器等將其偵測到之資訊通知給控制系統100。
如圖6所示，控制系統100包含一配方儲存單元101、一唯讀記憶體(ROM)102、一隨機存取記憶體(RAM)103、一輸入輸出埠104、一中央處理器(CPU)105和一用以使配方儲存單元101、ROM 102、RAM 103、I/O port 104和CPU 105互相連接的匯流排106。
配方儲存單元101儲存用以依據處理裝置1執行的處理類型而決定控制順序的複數之處理配方。此等處理配方分別為了各種實際上由操作者執行的處理而準備。於處理配方中包含針對處理裝置1中個別的裝置或單元之操作程式。
ROM 102包含例如一電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)、一快閃記憶體和一硬碟等。此ROM 102為用以儲存CPU 105之操作程式的一儲存媒介。RAM 103被作為例如CPU 105之工作區。I/O port 104將例如來自感測器122的資訊輸入至CPU 105，且將來自CPU 105的控制訊號輸出至處理裝置1的個別裝置或單元。
CPU 105構成控制系統100的核心，並執行儲存於ROM 102之操作程式。回應於操作面板121提供的指示，CPU 105遵照儲存於配方儲存單元101的處理配方來控制處理裝置1的操作。根據來自感測器122如電荷量感測器等的數據資料，CPU 105輸出指示個別裝置或單元如離子供應裝置54停止和起動的控制訊號。例如，若電荷量感測器之感測值小於預定值，則CPU 105對輸出指示離子供應裝置54停止的控制訊號。匯流排106在個別裝置和單元間傳送資訊。
接下來，將描述依前述方式架構的處理裝置1之操作程序(即工件處理方法)。於本實施例中，處理裝置1之操作程序將以一例描述，其中，將從工作區S1外運送至裝載埠21的載具C內部之未處理半導體晶圓，容納於熱處理爐46內並施以熱處理，其後將已熱處理之半導體晶圓W運送至裝載埠21(以及最後被運送至工作區S1外部)。
一開始，控制系統100(尤指CPU 105)驅動載具輸送機22將置於裝載埠21上之載具C運送至傳送台23上。接著，CPU 105將檔門30開啟。CPU 105驅動傳送機構41將被置於傳送台23上之載具C內部收納的半導體晶圓W，轉移至置於運送晶圓舟載置台45a上的晶圓舟42內。若所有在載具C內之半導體晶圓W都被轉移至晶圓舟42內，CPU 105即驅動載具輸送機22將傳送台23上之載具C運送回裝載埠21上。接下來，CPU 105將載具C運送出工作區S1。例如，若晶圓舟42能可容納於其中的半導體晶圓W之數量為一百五十片，且若載具C載置的半導體晶圓W之數量為二十五片，則CPU 105重覆進行六次前述工作。CPU 105可將無收納半導體晶圓W之載具C存放於儲存單位24內。
若晶圓舟42載置的半導體晶圓W之數量達到預定數量，CPU 105將檔門30關閉。接著，CPU 105驅動晶圓舟運送機構51將置於晶圓舟載置台45a上的晶圓舟42轉移至罩蓋50上。在半導體晶圓W上的熱處理完成以及與上方置有載置半導體晶圓W之晶圓舟42的罩蓋50被卸下後，CPU 105以升降機構49和晶圓舟運送機構51將晶圓舟42轉移至待命晶圓舟載置台45b上。晶圓舟42被轉移至待命晶圓舟載置台45b之後的操作將詳述於後。之後，在CPU 105完成將另一載置未處理半導體晶圓W的晶圓舟42轉移至罩蓋50後，CPU 105驅動升降機構49將罩蓋50向上移動，並因此將晶圓舟42載入熱處理爐46之石英製圓柱狀處理容器47中。
一旦未處理半導體晶圓W被載入之石英製圓柱狀處理容器47後，CPU 105控制熱處理爐46以執行一特定熱處理例如成膜處理或氧化和擴散處理等。若熱處理完成，CPU 105驅動升降機構49將罩蓋50下移。因此，容納已處理的半導體晶圓W之晶圓舟42被下移且從石英製圓柱狀處理容器47卸下。
在晶圓舟42(即已處理的半導體晶圓W)被卸下後，CPU 105驅動晶圓舟運送機構51將置於罩蓋50上之晶圓舟42轉移至待命晶圓舟載置台45b上。CPU 105驅動載具輸送機22將置於裝載埠21上的空載具C運送至傳送台23。此空載具C至裝載埠21上的運送以一運送機構(未圖示)執行。然後，CPU 105將檔門30開啟並驅動傳送機構41將已處理的半導體晶圓W從置於待命晶圓舟載置台45b上之晶圓舟42傳送至置於傳送台23上之載具C。
當傳送機構41和晶圓舟載置台45等在裝載區S2內被驅動時，半導體晶圓W、載置半導體晶圓W之載具C和晶圓舟42被靜電負載。同樣地，在裝載區S2中存在的微粒子(例如灰塵)亦易被靜電負載。不過於本實施例中，離子供應裝置54係安裝於裝載區S2內以散發正離子和負離子。因此，裝置與單元之帶電區域以及帶電懸浮粒子的靜電被去除，此舉可防止粒子附著於半導體晶圓W。
在此方面，具有一朝向離子供應噴嘴58末端遞增之寛度的倒錐形之狹縫59，係在離子供應裝置54之離子供應噴嘴58的噴嘴開口部分形成。此裝置提供一從除電標的物如晶圓舟42的全部區域均勻地去除靜電的效果。
因為離子供應噴嘴58包含設於內流道60中接近噴嘴開口之部分的內翼片61，因而有可能提供具有定向於除電標的物的離子和載體氣體。此裝置提供一從除電標的物如晶圓舟42的全部區域均勻地去除靜電的效果。
於裝載區S2內之帶電情況全程以電荷量感測器(未圖示)感測。若電荷量感測器的感測值小於預定值，CPU 105可將晶圓舟載置台45的操作停止。此舉可預防載體氣體等的不必要消耗。
若一特定數量的半導體晶圓W載置於載具C內，CPU 105驅動載具輸送機22將置於傳送台23上之載具C運送至裝載埠21。CPU 105將載具C運送至工作區S1外。若所有載置於晶圓舟42內的半導體晶圓W被轉移至工作區S1外，CPU 105將檔門30關閉並結束此運送程序。
如前述，依照本實施例，具有一朝離子供應噴嘴58末端遞增之寛度的倒錐形之狹縫59，係形成於離子供應裝置54之離子供應噴嘴58的噴嘴開口部分。此裝置提供一從除電標的物如晶圓舟42的全部區域均勻地去除靜電的效果。
依照本實施例，離子供應噴嘴58包含設於內流道60內接近該噴嘴出口之部分的複數之內翼片61。此裝置提供一從除電標的物如晶圓舟42的全部區域均勻地去除靜電的效果。
本發明不局限於前述實施例但可對本發明以許多不同形式來作修改或變化。其他應用本發明的實施例描述如下。
雖然本實施例中描述為例之狹縫59為一朝離子供應噴嘴58末端遞增之寛度的倒錐形，但僅需要該狹縫59的寬度隨著與該除電標的物的距離增大而遞增。狹縫59之形狀可依除電標的物的位置和大小而任意改變。
雖然本實施例中描述為例中，一離子發生裝置作為離子產生器55，離子產生器55僅需要能產生離子以去除靜電。其他離子產生器亦可取代此離子發生裝置。
雖然本實施例中描述為例之工件為半導體晶圓W，本發明亦可運用於例如平板顯示器(FPD,Flat Panel Display)基板、玻璃基板或電漿顯示器(PDP,Plasma Display Panel)基板的處理。
本發明之實施例中使用的控制系統100可以運用一典型的電腦系統代替專用控制系統來實施。例如，用以執行前述處理之控制系統100可建構成藉由一儲存應用程式的記錄裝置(如軟碟或光碟等)將程式安裝至一般電腦以執行處理。
上述應用程式可以任意方式提供。此應用程式不但能以上述記錄裝置提供，而且也能經由一通訊線路、一通訊網路或一通訊系統提供。後者的情況中，前述應用程式可告示於電子公布欄系統(BBS,Bulletin Board System)並經由一載波訊號載送之網路提供。如此提供之程式以相同於其他在操作系統之控制下的應用程式的方式啟動並執行，從而實行前述處理。
本發明可找到其用以處理工件之裝置的應用。
依照本發明，可達到從一寬闊區域均勻地去除靜電的效果。
雖然本文已描述了若干實施例，但這些實施例僅作為例子呈現，而不應被識別作為限制保護範圍的例子。確切地說，本文描述之新式方法和裝置可被視為包含於種種其他形態中；再加上，可在不離開本明之精神下作出各種於本文描述之實施例中的省略、代用和變化。隨之專利申請範圍和其等同描述，擬在涵蓋本發明之範圍和精神內包含如此形態或修改。
C．．．載具
D．．．閘門
M．．．馬達
W．．．半導體晶圓
S1．．．工作區
S2．．．裝載區
1．．．處理裝置
10．．．處理腔室
11．．．分隔壁
20．．．閘口
21．．．裝載埠
22．．．載具輸送機
23．．．傳送台
24．．．儲存單位
25．．．支柱
26．．．水平臂
27．．．運送臂
30．．．檔門
41．．．傳送機構
42．．．晶圓舟
43．．．伸縮臂
44．．．升降軸
45．．．晶圓舟載置台
45a．．．運送晶圓舟載置台
45b．．．待命晶圓舟載置台
46．．．熱處理爐
47．．．石英製圓柱狀處理容器
48．．．圓柱加熱器
49．．．升降機構
50．．．罩蓋
51．．．晶圓舟運送機構
51a．．．伸縮臂
52．．．濾器
53．．．氣體排出口
54．．．離子供應裝置
55．．．離子產生器
56．．．載體氣體供應流道
57．．．離子流道
58．．．離子供應噴嘴
59．．．狹縫
60．．．內流道
61．．．內翼片
100．．．控制系統
101．．．配方儲存單元
102．．．ROM，唯讀記憶體
103．．．RAM，隨機存取記憶體
104．．．I/O port，輸入輸出埠
105．．．CPU，中央處理器
106．．．匯流排
121．．．操作面板
122．．．感測器
圖1　為顯示依照一實施例之一處理裝置的前視圖。
圖2　為顯示圖1之處理裝置的裝載區之內部結構的俯視圖。
圖3　為顯示圖1之處理裝置的裝載區之內部結構的側視圖。
圖4　為顯示一離子供應裝置之示意結構圖。
圖5A和5B為顯示圖4之離子供應裝置的離子供應噴嘴之形狀圖。
圖6　為顯示圖1之處理裝置的控制系統之示範結構圖。
C．．．載具
D．．．閘門
M．．．馬達
W．．．半導體晶圓
S1．．．工作區
S2．．．裝載區
1．．．處理裝置
10．．．處理腔室
11．．．分隔壁
20．．．閘口
21．．．裝載埠
22．．．載具輸送機
23．．．傳送台
24．．．儲存單位
25．．．支柱
26．．．水平臂
27．．．運送臂
30．．．檔門
41．．．傳送機構
42．．．晶圓舟
43．．．伸縮臂
44．．．升降軸
45．．．晶圓舟載置台
45a．．．運送晶圓舟載置台
45b．．．待命晶圓舟載置台
46．．．熱處理爐
47．．．石英製圓柱狀處理容器
48．．．圓柱加熱器
49．．．升降機構
50．．．罩蓋
51．．．晶圓舟運送機構
51a．．．伸縮臂

Claims (5)

  1. 一種離子供應裝置，包含：一離子產生器，用以產生去除靜電用的離子；一載體氣體供應單元，用以供應一載體氣體至該離子產生器，該載體氣體用以載送從該離子產生器產生之該等離子；及一離子供應噴嘴，用以將來自該離子產生器的該離子和該載體氣體經由一吹出口吹向欲去除靜電之一除電標的物，其中，於該吹出口設有一狹縫，該狹縫的寬度隨著與該除電標的物的距離增大而遞增，其中，該離子供應噴嘴包含一內流道和設於該內流道內接近該吹出口之部分的複數之內翼片，而使得從該狹縫吹出的該等離子和該載體氣體均勻地沿著該狹縫的縱向散布。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之離子供應裝置，其中，該狹縫係為具有朝該離子供應噴嘴末端遞增之寬度的倒錐形。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之離子供應裝置，其中，該離子供應噴嘴以選自於由聚碳酸酯、石英或聚醚醚酮所構成之群組的至少一種材料製成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之離子供應裝置，其中，該離子產生器為一離子發生裝置。
  5. 一種工件處理裝置，用以處理一工件，包含：一離子供應裝置，設置於一處理該工件的處理區域，其中，該離子供應裝置包含：一離子產生器，用來產生去除靜電用的離子；一載體氣體供應單元，用以供應一載體氣體至該離子產生器，該載體氣體用以載送從該離子產生器產生之該等離子；及一離子供應噴嘴，用以將來自該離子產生器的該離子和該載 體氣體經由一吹出口吹向欲去除靜電之一除電標的物；其中，於該吹出口設有一狹縫，該狹縫的寬度隨著與該除電標的物的距離增大而遞增。
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