JP2001291693A - 半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造 - Google Patents
半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】洗浄液の噴出方向のばらつきや揺れを小さくす
るとともに、洗浄液の散らばり始めまでの距離を大きく
してウエハを均一に洗浄する。 【解決手段】洗浄槽に配設された石英ガラス管からなる
洗浄管１の噴出孔２を、外面側穴径が内面側穴径よりも
小さな円錐面に形成する。
るとともに、洗浄液の散らばり始めまでの距離を大きく
してウエハを均一に洗浄する。 【解決手段】洗浄槽に配設された石英ガラス管からなる
洗浄管１の噴出孔２を、外面側穴径が内面側穴径よりも
小さな円錐面に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おける洗浄装置の洗浄管構造に関するものである。
おける洗浄装置の洗浄管構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造装置においては、製造
されたウエハの表面に残る粒子、有機物、金属表面不純
物などの汚れを、液体などの洗浄剤の化学作用に各種物
理エネルギーを合わせ用いて除去する洗浄装置が設けら
れている。
されたウエハの表面に残る粒子、有機物、金属表面不純
物などの汚れを、液体などの洗浄剤の化学作用に各種物
理エネルギーを合わせ用いて除去する洗浄装置が設けら
れている。
【０００３】この洗浄装置１０は、例えば、図３に示す
ように、洗浄槽１１と、洗浄槽１１の隅角部に配設され
た２本の洗浄管１２と、から構成されており、洗浄管１
２には、適宜間隔で噴出孔１２ａが形成されている。そ
して、設定間隔で配置された複数枚のウエハＷが洗浄槽
１１に搬送されると、洗浄管１２に洗浄液を供給し、噴
出孔１２ａから噴出された洗浄液を介してウエハＷを洗
浄するようにしている。
ように、洗浄槽１１と、洗浄槽１１の隅角部に配設され
た２本の洗浄管１２と、から構成されており、洗浄管１
２には、適宜間隔で噴出孔１２ａが形成されている。そ
して、設定間隔で配置された複数枚のウエハＷが洗浄槽
１１に搬送されると、洗浄管１２に洗浄液を供給し、噴
出孔１２ａから噴出された洗浄液を介してウエハＷを洗
浄するようにしている。
【０００４】この場合、ウエハＷは、洗浄槽１１におい
て、洗浄液に一定時間浸漬されて洗浄されており、洗浄
槽１１からオーバーフローする洗浄液は、洗浄槽１１に
付設された樋１３を介して回収されている。
て、洗浄液に一定時間浸漬されて洗浄されており、洗浄
槽１１からオーバーフローする洗浄液は、洗浄槽１１に
付設された樋１３を介して回収されている。
【０００５】また、洗浄管１２には、不純物がないこ
と、耐薬品性や耐高温性に優れていることなどから、石
英ガラス管が採用されており、噴出孔１２ａは、洗浄管
１２の外面側穴径と内面側穴径とが同一の円筒面形状に
形成されている（図４参照）。
と、耐薬品性や耐高温性に優れていることなどから、石
英ガラス管が採用されており、噴出孔１２ａは、洗浄管
１２の外面側穴径と内面側穴径とが同一の円筒面形状に
形成されている（図４参照）。
【０００６】ここで、石英ガラス管からなる洗浄管１２
の噴出孔１２ａは、通常、加工が容易で、コストも低い
レーザー加工機によって形成されている。
の噴出孔１２ａは、通常、加工が容易で、コストも低い
レーザー加工機によって形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハＷに
形成される回路の集積度が大幅に増大する傾向にあり、
それに伴って洗浄能力の向上が要求されている。また、
ウエハＷの間隔を狭めてより多数のウエハＷを一度に洗
浄することにより、洗浄コストを削減することが試みら
れている。
形成される回路の集積度が大幅に増大する傾向にあり、
それに伴って洗浄能力の向上が要求されている。また、
ウエハＷの間隔を狭めてより多数のウエハＷを一度に洗
浄することにより、洗浄コストを削減することが試みら
れている。
【０００８】このような状況において、従来の洗浄管１
２を用いてウエハＷを洗浄した場合、噴出孔１２ａから
噴出される洗浄液の吹き出し精度が低いことにより、ウ
エハＷの表面を均一に洗浄することができず、歩留りが
低下するという問題があった。
２を用いてウエハＷを洗浄した場合、噴出孔１２ａから
噴出される洗浄液の吹き出し精度が低いことにより、ウ
エハＷの表面を均一に洗浄することができず、歩留りが
低下するという問題があった。
【０００９】すなわち、洗浄管１２は、一端部が閉塞さ
れており、洗浄液が供給された場合、閉塞された端部か
ら逆流する洗浄液によって噴出孔１２ａの内面側周縁近
傍に多数の渦（乱流）を発生させ、このため、噴出孔１
２ａから噴出される洗浄液の水流に方向のばらつきを生
じるとともに、揺れを生じるものである。この結果、ウ
エハＷの表面を洗浄する水流にムラを発生させ、ウエハ
Ｗの汚れを均一に洗浄できないものである。
れており、洗浄液が供給された場合、閉塞された端部か
ら逆流する洗浄液によって噴出孔１２ａの内面側周縁近
傍に多数の渦（乱流）を発生させ、このため、噴出孔１
２ａから噴出される洗浄液の水流に方向のばらつきを生
じるとともに、揺れを生じるものである。この結果、ウ
エハＷの表面を洗浄する水流にムラを発生させ、ウエハ
Ｗの汚れを均一に洗浄できないものである。
【００１０】また、噴出孔１２ａから噴出された洗浄液
は、噴出当初は１本にまとまっているが、噴出孔１２ａ
から離れるにしたがって散らばり始め、最後に水滴の集
合となる。水流が散らばり始めると、もはやウエハＷの
表面を有効に洗浄する水流を発生させることはできな
い。このような噴出された洗浄液の散らばり始めまでの
距離は、噴出孔１２ａの穴径と洗浄液の流量との関係に
も影響されるが、流量を大きくした場合は、洗浄槽１１
からのオーバーフローも大きくなることから、流量を変
更せずに、散らばり始めまでの距離を長くすることが要
求されている。
は、噴出当初は１本にまとまっているが、噴出孔１２ａ
から離れるにしたがって散らばり始め、最後に水滴の集
合となる。水流が散らばり始めると、もはやウエハＷの
表面を有効に洗浄する水流を発生させることはできな
い。このような噴出された洗浄液の散らばり始めまでの
距離は、噴出孔１２ａの穴径と洗浄液の流量との関係に
も影響されるが、流量を大きくした場合は、洗浄槽１１
からのオーバーフローも大きくなることから、流量を変
更せずに、散らばり始めまでの距離を長くすることが要
求されている。
【００１１】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、洗浄液の流量を変更することなく洗浄液の
噴出方向のばらつきや揺れを小さくするとともに、噴出
する洗浄液の散らばり始めまでの距離を大きくしてウエ
ハを均一に洗浄することのできる半導体製造装置におけ
る洗浄装置の洗浄管構造を提供するものである。
れたもので、洗浄液の流量を変更することなく洗浄液の
噴出方向のばらつきや揺れを小さくするとともに、噴出
する洗浄液の散らばり始めまでの距離を大きくしてウエ
ハを均一に洗浄することのできる半導体製造装置におけ
る洗浄装置の洗浄管構造を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、洗浄槽と、該
洗浄槽の底部に配設され、適宜間隔で多数の噴出孔が形
成された１本もしくは複数本の洗浄管と、からなり、洗
浄槽にウエハが搬送された際、洗浄管に供給された洗浄
液が噴出孔から噴出され、ウエハを洗浄する半導体製造
装置における洗浄装置において、前記洗浄管は、石英ガ
ラス管で形成され、その噴出孔は、外面側穴径が内面側
穴径よりも小さな円錐面に形成されていることを特徴と
するものである。
洗浄槽の底部に配設され、適宜間隔で多数の噴出孔が形
成された１本もしくは複数本の洗浄管と、からなり、洗
浄槽にウエハが搬送された際、洗浄管に供給された洗浄
液が噴出孔から噴出され、ウエハを洗浄する半導体製造
装置における洗浄装置において、前記洗浄管は、石英ガ
ラス管で形成され、その噴出孔は、外面側穴径が内面側
穴径よりも小さな円錐面に形成されていることを特徴と
するものである。
【００１３】本発明によれば、石英ガラス管からなる洗
浄管に形成された噴出孔は、外面側内径が内面側内径よ
りも小さな円錐面に形成されていることにより、同一の
流量であっても噴出孔から噴出される洗浄液の乱流成分
が減少し、噴出方向のばらつきや揺れが小さくなるとと
もに、散らばり始めまでの距離が大きくなる。
浄管に形成された噴出孔は、外面側内径が内面側内径よ
りも小さな円錐面に形成されていることにより、同一の
流量であっても噴出孔から噴出される洗浄液の乱流成分
が減少し、噴出方向のばらつきや揺れが小さくなるとと
もに、散らばり始めまでの距離が大きくなる。
【００１４】この結果、高集積度の回路が形成されたウ
エハを間隔を密に配置した状態で洗浄したとしても、ウ
エハの表面を均一に洗浄することが可能となり、汚れを
確実に洗浄することができる。
エハを間隔を密に配置した状態で洗浄したとしても、ウ
エハの表面を均一に洗浄することが可能となり、汚れを
確実に洗浄することができる。
【００１５】この場合、噴出孔は、ウエハ間に位置する
ように形成される。このように噴出孔を形成することに
より、ウエハとウエハとの間に一定の洗浄液の水流を発
生させてウエハの表面を均一に洗浄する。
ように形成される。このように噴出孔を形成することに
より、ウエハとウエハとの間に一定の洗浄液の水流を発
生させてウエハの表面を均一に洗浄する。
【００１６】本発明において、噴出孔の内面側周縁が面
取りされていることが好ましい。面取りされていると、
閉塞端部から逆流する洗浄液によって噴出孔の内面側周
縁近傍に発生する乱流を抑制することができ、噴出方向
のばらつきや揺れがより小さくなるとともに、散らばり
始めまでの距離がさらに大きくなる。
取りされていることが好ましい。面取りされていると、
閉塞端部から逆流する洗浄液によって噴出孔の内面側周
縁近傍に発生する乱流を抑制することができ、噴出方向
のばらつきや揺れがより小さくなるとともに、散らばり
始めまでの距離がさらに大きくなる。
【００１７】本発明において、噴出孔の円錐面のテーパ
角度が５度以上であることが好ましい。テーパ角度が５
度未満であると、噴出方向のばらつきや揺れはあまり小
さくならないばかりか、散らばり始めまでの距離も大き
くならない。
角度が５度以上であることが好ましい。テーパ角度が５
度未満であると、噴出方向のばらつきや揺れはあまり小
さくならないばかりか、散らばり始めまでの距離も大き
くならない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１９】図１には、本発明の洗浄管１が示されてい
る。
る。
【００２０】この洗浄管１は、一端部が閉塞されるとと
もに、他端部近傍には、洗浄液を供給する配管との管継
手を取り付けるための溝（図示せず）が形成されてい
る。そして、洗浄管１には、設定間隔で多数の噴出孔２
が形成されている。この噴出孔２は図２に示すように、
外面側穴径が内面側穴径よりも小さな円錐面に形成され
ている。
もに、他端部近傍には、洗浄液を供給する配管との管継
手を取り付けるための溝（図示せず）が形成されてい
る。そして、洗浄管１には、設定間隔で多数の噴出孔２
が形成されている。この噴出孔２は図２に示すように、
外面側穴径が内面側穴径よりも小さな円錐面に形成され
ている。
【００２１】具体的には、洗浄管１には、外径が２０〜
４０ｍｍ、管壁の厚みが２〜５ｍｍの石英ガラス管が使
用され、噴出孔２は、外面側穴径が０．８〜１．５ｍｍ
であって、テーパ角度は１０度である。
４０ｍｍ、管壁の厚みが２〜５ｍｍの石英ガラス管が使
用され、噴出孔２は、外面側穴径が０．８〜１．５ｍｍ
であって、テーパ角度は１０度である。
【００２２】このような噴出孔２は、レーザ加工機によ
って形成される。すなわち、詳細には図示しないが、レ
ーザ加工機のレーザビームの移動に同期して揺動運動を
行うテーブルに石英ガラス管を固定して行われる。また
は、レーザビームの傾きを制御できるレーザ加工機によ
って行ってもよい。
って形成される。すなわち、詳細には図示しないが、レ
ーザ加工機のレーザビームの移動に同期して揺動運動を
行うテーブルに石英ガラス管を固定して行われる。また
は、レーザビームの傾きを制御できるレーザ加工機によ
って行ってもよい。
【００２３】なお、レーザ加工によって噴出孔２を形成
した場合、噴出孔２の内面側周縁に溶融した石英ガラス
のかえりが発生することもあるので、穴あけ加工後、内
面側より酸水素バーナの炎で焼いて除去することが好ま
しい。このかえりを除去することによって、噴出孔２の
内面側周縁が丸みを帯びることになり、吹き出し精度が
向上する。
した場合、噴出孔２の内面側周縁に溶融した石英ガラス
のかえりが発生することもあるので、穴あけ加工後、内
面側より酸水素バーナの炎で焼いて除去することが好ま
しい。このかえりを除去することによって、噴出孔２の
内面側周縁が丸みを帯びることになり、吹き出し精度が
向上する。
【００２４】また、噴出孔２の穴あけ加工後、噴出孔２
の内面側周縁をＲ加工などの面取り加工を行うことがさ
らに好ましい。このような面取り加工を行うことによ
り、噴出孔２に洗浄液が円滑に導かれ、さらに吹き出し
精度が向上する。
の内面側周縁をＲ加工などの面取り加工を行うことがさ
らに好ましい。このような面取り加工を行うことによ
り、噴出孔２に洗浄液が円滑に導かれ、さらに吹き出し
精度が向上する。
【００２５】このような洗浄管１を用いて洗浄水を噴出
させる実験を行った結果、従来品に比較して水流の傾き
が１／３以下に減少するとともに、水流の揺れが２／３
以下に減少し、また、散らばり始めまでの距離が２倍以
上となった。
させる実験を行った結果、従来品に比較して水流の傾き
が１／３以下に減少するとともに、水流の揺れが２／３
以下に減少し、また、散らばり始めまでの距離が２倍以
上となった。
【００２６】すなわち、外径２０ｍｍ、内径１６ｍｍの
洗浄管１に穴径１．１ｍｍ、ピッチ６．３５ｍｍ、穴数
６０の噴出孔２を形成した。
洗浄管１に穴径１．１ｍｍ、ピッチ６．３５ｍｍ、穴数
６０の噴出孔２を形成した。
【００２７】ただし、従来品には、円筒形状の穴を形成
し、本発明品には、１０度のテーパ角度を有する円錐面
に形成した。
し、本発明品には、１０度のテーパ角度を有する円錐面
に形成した。
【００２８】この結果、水流の傾きは、従来品が８〜１
０度であったのに対し、本発明品は２．５度以下であっ
た。また、水流の揺れは、従来品が３〜４度であったの
に対し、本発明品は２度であった。さらに、散らばり始
めまでの距離は、従来品が７０ｍｍであるのに対し、本
発明品は１５０ｍｍであった。ここで、散らばり始めと
は、水流が透明から不透明に変わり始める点をいう。
０度であったのに対し、本発明品は２．５度以下であっ
た。また、水流の揺れは、従来品が３〜４度であったの
に対し、本発明品は２度であった。さらに、散らばり始
めまでの距離は、従来品が７０ｍｍであるのに対し、本
発明品は１５０ｍｍであった。ここで、散らばり始めと
は、水流が透明から不透明に変わり始める点をいう。
【００２９】このような実験を穴径を０．８〜１．５ｍ
ｍの範囲で適宜変えて、また、洗浄管１の管壁の厚みを
２〜５ｍｍの範囲で適宜変えて行ったが、上記実験結果
と同等の結果を得た。
ｍの範囲で適宜変えて、また、洗浄管１の管壁の厚みを
２〜５ｍｍの範囲で適宜変えて行ったが、上記実験結果
と同等の結果を得た。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、石英ガラ
ス管からなる洗浄管に形成された噴出孔を、外面側内径
が内面側内径よりも小さな円錐面に形成したことによ
り、同一の流量であっても噴出孔から噴出される洗浄液
の乱流成分が減少し、噴出方向のばらつきや揺れが小さ
くなるとともに、散らばり始めまでの距離が大きくな
る。
ス管からなる洗浄管に形成された噴出孔を、外面側内径
が内面側内径よりも小さな円錐面に形成したことによ
り、同一の流量であっても噴出孔から噴出される洗浄液
の乱流成分が減少し、噴出方向のばらつきや揺れが小さ
くなるとともに、散らばり始めまでの距離が大きくな
る。
【００３１】この結果、高集積度の回路が形成されたウ
エハを間隔を密に配置した状態で洗浄したとしても、ウ
エハの表面を均一に洗浄することが可能となり、汚れを
確実に洗浄することができる。
エハを間隔を密に配置した状態で洗浄したとしても、ウ
エハの表面を均一に洗浄することが可能となり、汚れを
確実に洗浄することができる。
【図１】本発明の半導体製造装置における洗浄装置の洗
浄管構造を示す平面図である。
浄管構造を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】半導体製造装置の洗浄装置を説明する正面図お
よび側面図である。
よび側面図である。
【図４】図３の洗浄装置に用いられた従来の洗浄管の噴
出孔を示す断面図である。
出孔を示す断面図である。
１ 洗浄管 ２ 噴出孔
Claims (3)
- 【請求項１】 洗浄槽と、該洗浄槽の底部に配設され、
適宜間隔で多数の噴出孔が形成された１本もしくは複数
本の洗浄管と、からなり、洗浄槽にウエハが搬送された
際、洗浄管に供給された洗浄液が噴出孔から噴出され、
ウエハを洗浄する半導体製造装置における洗浄装置にお
いて、前記洗浄管は、石英ガラス管で形成され、その噴
出孔は、外面側穴径が内面側穴径よりも小さな円錐面に
形成されていることを特徴とする半導体製造装置におけ
る洗浄装置の洗浄管構造。 - 【請求項２】 前記噴出孔の内面側周縁が面取りされて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置に
おける洗浄装置の洗浄管構造。 - 【請求項３】 前記噴出孔の円錐面のテーパ角度が５度
以上であることを特徴とする請求項１または２記載の半
導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108898A JP2001291693A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000108898A JP2001291693A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291693A true JP2001291693A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18621669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000108898A Pending JP2001291693A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | 半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001291693A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008296186A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Taiheiyo Tokushu Chuzo Kk | 洗浄ノズルおよび洗浄装置 |
| US7651952B2 (en) | 2007-12-19 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Aerodynamic shapes for wafer structures to reduce damage caused by cleaning processes |
| CN102347257A (zh) * | 2010-07-21 | 2012-02-08 | 东京毅力科创株式会社 | 离子供给装置和具有离子供给装置的被处理体的处理系统 |
| CN117038514A (zh) * | 2023-08-11 | 2023-11-10 | 无锡亚电智能装备有限公司 | 一种具有整流板的刻蚀清洗槽 |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000108898A patent/JP2001291693A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012028087A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Ltd | イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム |
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| TWI475930B (zh) * | 2010-07-21 | 2015-03-01 | Tokyo Electron Ltd | 離子供應裝置及設有該離子供應裝置之工件處理系統 |
| CN117038514A (zh) * | 2023-08-11 | 2023-11-10 | 无锡亚电智能装备有限公司 | 一种具有整流板的刻蚀清洗槽 |
| CN117038514B (zh) * | 2023-08-11 | 2024-04-30 | 无锡亚电智能装备有限公司 | 一种具有整流板的刻蚀清洗槽 |
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