JP2012028087A - イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム - Google Patents
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 131
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 6
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 45
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 102000004310 Ion Channels Human genes 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
【解決手段】イオン供給装置54は、イオン及びキャリアガスを、静電気を除去する除電対象に吹き出すイオン供給ノズル58を備えている。イオン供給ノズル58は、その吹き出し口にスリット59が設けられている。スリット59は除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成されている。イオン供給ノズル58の吹き出し口近傍の内部流路60には複数の内部フィン61が設けられている。内部フィン61は、スリット59から吹き出されるイオン及びキャリアガスがスリット59の長手方向全域にわたって均一に分散するように配置されている。
【選択図】図5
Description
静電気を除去可能なイオンを発生させるイオン発生器と、
前記イオン発生器で発生させたイオンを搬送するキャリアガスを前記イオン発生器に供給するキャリアガス供給部と、
前記イオン発生器からのイオン及びキャリアガスを、静電気を除去する除電対象に吹き出すイオン供給ノズルと、を備え、
前記吹き出し口にはスリットが設けられ、当該スリットは前記除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成され、
前記イオン供給ノズルは、その吹き出し口近傍の内部流路に複数の内部フィンが設けられ、当該内部フィンは、前記スリットから吹き出されるイオン及びキャリアガスが前記スリットの長手方向全域にわたって均一に分散するように配置されている、ことを特徴とする。
前記イオン供給ノズルは、例えば、ポリカーボネート、石英、または、ポリエーテル・エーテル・ケトン(PEEK)により形成されている。
被処理体を処理する被処理体の処理システムであって、
前記被処理体を処理する処理領域内に、本発明の第1の観点にかかるイオン供給装置が配置されている、ことを特徴とする。
帯電量検出センサ等の各種のセンサ122は、検知した情報を制御部100に通知する。
RAM103は、CPU105のワークエリアなどとして機能する。
I/Oポート104は、例えば、センサからの情報をCPU105に供給するとともに、CPU105が出力する制御信号を装置の各部へ出力する。
バス106は、各部の間で情報を伝達する。
21 ロードポート
22 キャリア搬送機
23 トランスファーステージ
24 保管部
30 シャッター
41 移載機構
42a、42b ウエハボート
45a、45b ボート載置台
46 熱処理炉
51 ボート移載機構
52 フィルタ
53 気体吸入口
54 イオン供給装置
55 イオン発生器
56 キャリアガス供給流路
57 イオン流路
58 イオン供給ノズル
59 スリット
60 内部流路
61 内部フィン
100 制御部
101 レシピ記憶部
102 ROM
103 RAM
104 I/Oポート
105 CPU
106 バス
121 操作パネル
122 センサ
C キャリア
S1 作業エリア
S2 ローディングエリア
W 半導体ウエハ
Claims (5)
- 静電気を除去可能なイオンを発生させるイオン発生器と、
前記イオン発生器で発生させたイオンを搬送するキャリアガスを前記イオン発生器に供給するキャリアガス供給部と、
前記イオン発生器からのイオン及びキャリアガスを、静電気を除去する除電対象に吹き出すイオン供給ノズルと、を備え、
前記吹き出し口にはスリットが設けられ、当該スリットは前記除電対象との距離が遠くなると、その幅が広くなるように形成され、
前記イオン供給ノズルは、その吹き出し口近傍の内部流路に複数の内部フィンが設けられ、当該内部フィンは、前記スリットから吹き出されるイオン及びキャリアガスが前記スリットの長手方向全域にわたって均一に分散するように配置されている、ことを特徴とするイオン供給装置。 - 前記スリットは、前記イオン供給ノズルの先端側に向かってその幅が広くなる逆テーパ状に形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のイオン供給装置。
- 前記イオン供給ノズルは、ポリカーボネート、石英、または、ポリエーテル・エーテル・ケトン(PEEK)により形成されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載のイオン供給装置。
- 前記イオン発生器はイオナイザである、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のイオン供給装置。
- 被処理体を処理する被処理体の処理システムであって、
前記被処理体を処理する処理領域内に、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のイオン供給装置が配置されている、ことを特徴とする被処理体の処理システム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010164107A JP5485056B2 (ja) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム |
TW100124622A TWI475930B (zh) | 2010-07-21 | 2011-07-12 | 離子供應裝置及設有該離子供應裝置之工件處理系統 |
US13/183,933 US8450700B2 (en) | 2010-07-21 | 2011-07-15 | Ion supply device |
KR1020110071880A KR101391064B1 (ko) | 2010-07-21 | 2011-07-20 | 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템 |
CN201110204486.7A CN102347257B (zh) | 2010-07-21 | 2011-07-20 | 离子供给装置和具有离子供给装置的被处理体的处理系统 |
US13/871,661 US8692208B2 (en) | 2010-07-21 | 2013-04-26 | Ion supply device and workpiece processing system provided with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010164107A JP5485056B2 (ja) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012028087A true JP2012028087A (ja) | 2012-02-09 |
JP5485056B2 JP5485056B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=45492821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010164107A Active JP5485056B2 (ja) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8450700B2 (ja) |
JP (1) | JP5485056B2 (ja) |
KR (1) | KR101391064B1 (ja) |
CN (1) | CN102347257B (ja) |
TW (1) | TWI475930B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5485056B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム |
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US8681470B2 (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-25 | Illinois Tool Works Inc. | Active ionization control with interleaved sampling and neutralization |
CN105851099A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-08-17 | 昆山瑞鸿诚自动化设备科技有限公司 | 一种lcd高温烤箱 |
TWI813718B (zh) * | 2018-07-18 | 2023-09-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 顯像處理裝置及顯像處理方法 |
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Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3442253B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2003-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US6456480B1 (en) * | 1997-03-25 | 2002-09-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and a processing method |
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DE10308299A1 (de) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Düsenanordnung |
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JP2010225640A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び排気方法 |
JP5485056B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム |
-
2010
- 2010-07-21 JP JP2010164107A patent/JP5485056B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-12 TW TW100124622A patent/TWI475930B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-15 US US13/183,933 patent/US8450700B2/en active Active
- 2011-07-20 CN CN201110204486.7A patent/CN102347257B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-20 KR KR1020110071880A patent/KR101391064B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-04-26 US US13/871,661 patent/US8692208B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120011798A (ko) | 2012-02-08 |
CN102347257B (zh) | 2015-05-13 |
TWI475930B (zh) | 2015-03-01 |
JP5485056B2 (ja) | 2014-05-07 |
US20130234035A1 (en) | 2013-09-12 |
US8692208B2 (en) | 2014-04-08 |
TW201215244A (en) | 2012-04-01 |
KR101391064B1 (ko) | 2014-04-30 |
CN102347257A (zh) | 2012-02-08 |
US8450700B2 (en) | 2013-05-28 |
US20120018649A1 (en) | 2012-01-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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