JP2000327359A - 光ファイバの製造方法および光ファイバ用母材の保管装置 - Google Patents
光ファイバの製造方法および光ファイバ用母材の保管装置Info
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- JP2000327359A JP2000327359A JP11143125A JP14312599A JP2000327359A JP 2000327359 A JP2000327359 A JP 2000327359A JP 11143125 A JP11143125 A JP 11143125A JP 14312599 A JP14312599 A JP 14312599A JP 2000327359 A JP2000327359 A JP 2000327359A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01202—Means for storing or carrying optical fibre preforms, e.g. containers
Abstract
(57)【要約】
【課題】光ファイバ母材の表面に付着する異物に起因す
る線引き後のスクリーニング試験の際の光ファイバの破
断の発生を抑制し、光ファイバの生存長を伸ばすことが
可能な光ファイバの製造方法および光ファイバ用母材の
保管装置を提供する。 【解決手段】光ファイバ用母材５１を線引用加熱炉に導
入して加熱溶融し、線引きして光ファイバを作製する直
前まで光ファイバ用母材５１をイオン化されたガス体Ｇ
中に保持する。
る線引き後のスクリーニング試験の際の光ファイバの破
断の発生を抑制し、光ファイバの生存長を伸ばすことが
可能な光ファイバの製造方法および光ファイバ用母材の
保管装置を提供する。 【解決手段】光ファイバ用母材５１を線引用加熱炉に導
入して加熱溶融し、線引きして光ファイバを作製する直
前まで光ファイバ用母材５１をイオン化されたガス体Ｇ
中に保持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの製造
方法、および、線引き工程前の光ファイバ用母材を保管
するのに好適な光ファイバ用母材の保管装置に関する。
方法、および、線引き工程前の光ファイバ用母材を保管
するのに好適な光ファイバ用母材の保管装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは、たとえば、ＶＡＤ(vapou
r-phase axial deposition) 法などによって光ファイバ
用多孔質ガラス母材を合成した後、脱水焼結し、これを
必要に応じて線引きに適した外径に延伸して光ファイバ
母材（プリフォーム）とし、線引き用加熱炉で加熱溶融
してプリフォームの先端から線引きする線引き工程によ
って作製される。このようにして作製される光ファイバ
の引っ張り強度としては、たとえば、５ｋｇｆ以上が要
求されている。このため、たとえば、１ｋｇｆ以下の低
い引っ張り強度の光ファイバは、光ファイバの線引き後
に行うスクリーニング試験工程で破断されている。
r-phase axial deposition) 法などによって光ファイバ
用多孔質ガラス母材を合成した後、脱水焼結し、これを
必要に応じて線引きに適した外径に延伸して光ファイバ
母材（プリフォーム）とし、線引き用加熱炉で加熱溶融
してプリフォームの先端から線引きする線引き工程によ
って作製される。このようにして作製される光ファイバ
の引っ張り強度としては、たとえば、５ｋｇｆ以上が要
求されている。このため、たとえば、１ｋｇｆ以下の低
い引っ張り強度の光ファイバは、光ファイバの線引き後
に行うスクリーニング試験工程で破断されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、スクリー
ニング試験工程での光ファイバの破断の頻度が高いと、
ファイバ長（生存長）が短くなる。このようなファイバ
の生存長が短くなる原因としては、たとえば、ファイバ
内部に存在する異物や、ファイバ表面に付着した異物
や、樹脂の被覆不良等が考えられるが、特に、ファイバ
表面に付着した異物が主原因となる場合が多い。線引き
される前のプリフォームは、高純度ガラスであり、電気
絶縁性が非常に高い。プリフォームは、通常、クリーン
ルーム内に保管されるが、クリーンルームといえども塵
埃が存在し、この塵埃がプリフォームと接触することに
よりプリフォーム表面に静電気が発生し、接触した塵埃
がそのままプリフォームに付着し、クリーンルーム内で
の保管時間が長いほど、塵埃の付着量が増加してしま
う。塵埃が付着したプリフォームは、塵埃が付着した状
態で線引き用加熱炉に運ばれ、高温に加熱され、溶融線
引きされる。このため、線引きされた光ファイバの表面
には、異物が付着し、あるいは、この異物を核とした結
晶が形成されやすく、この異物や結晶がスクリーニング
試験の際の光ファイバの破断の原因となる。
ニング試験工程での光ファイバの破断の頻度が高いと、
ファイバ長（生存長）が短くなる。このようなファイバ
の生存長が短くなる原因としては、たとえば、ファイバ
内部に存在する異物や、ファイバ表面に付着した異物
や、樹脂の被覆不良等が考えられるが、特に、ファイバ
表面に付着した異物が主原因となる場合が多い。線引き
される前のプリフォームは、高純度ガラスであり、電気
絶縁性が非常に高い。プリフォームは、通常、クリーン
ルーム内に保管されるが、クリーンルームといえども塵
埃が存在し、この塵埃がプリフォームと接触することに
よりプリフォーム表面に静電気が発生し、接触した塵埃
がそのままプリフォームに付着し、クリーンルーム内で
の保管時間が長いほど、塵埃の付着量が増加してしま
う。塵埃が付着したプリフォームは、塵埃が付着した状
態で線引き用加熱炉に運ばれ、高温に加熱され、溶融線
引きされる。このため、線引きされた光ファイバの表面
には、異物が付着し、あるいは、この異物を核とした結
晶が形成されやすく、この異物や結晶がスクリーニング
試験の際の光ファイバの破断の原因となる。
【０００４】この問題を解決するための技術としてプリ
フォームの線引き工程において、線引きの直前にプリフ
ォームにイオン風を吹き付けることが特開昭６０−２１
５５４３号に示されているが、プリフォームが製造後に
長期間保管されていた場合には、期待されるような効果
を得ることができない。
フォームの線引き工程において、線引きの直前にプリフ
ォームにイオン風を吹き付けることが特開昭６０−２１
５５４３号に示されているが、プリフォームが製造後に
長期間保管されていた場合には、期待されるような効果
を得ることができない。
【０００５】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであって、光ファイバ母材の表面に付着する異物に起
因する線引き後のスクリーニング試験の際の光ファイバ
の破断の発生を抑制し、光ファイバの生存長を伸ばすこ
とが可能な光ファイバの製造方法および光ファイバ用母
材の保管装置を提供することを目的とする。
のであって、光ファイバ母材の表面に付着する異物に起
因する線引き後のスクリーニング試験の際の光ファイバ
の破断の発生を抑制し、光ファイバの生存長を伸ばすこ
とが可能な光ファイバの製造方法および光ファイバ用母
材の保管装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、光ファイバ用
多孔質母材を脱水・焼結して光ファイバ用母材とした直
後から、光ファイバ用母材を線引用加熱炉に導入して加
熱溶融し、線引きして光ファイバを作製する工程の直前
まで前記光ファイバ用母材をイオン化されたガス体中に
保持する保持工程を有する。
多孔質母材を脱水・焼結して光ファイバ用母材とした直
後から、光ファイバ用母材を線引用加熱炉に導入して加
熱溶融し、線引きして光ファイバを作製する工程の直前
まで前記光ファイバ用母材をイオン化されたガス体中に
保持する保持工程を有する。
【０００７】前記保持工程は、前記光ファイバ用母材を
所定の保管場所に保管する保管工程と、前記光ファイバ
用母材を前記保管場所から前記加熱炉まで搬送する搬送
工程とにおいて行われる。
所定の保管場所に保管する保管工程と、前記光ファイバ
用母材を前記保管場所から前記加熱炉まで搬送する搬送
工程とにおいて行われる。
【０００８】前記保持工程は、清浄空気をイオン化して
前記光ファイバ用母材に吹きつける。
前記光ファイバ用母材に吹きつける。
【０００９】前記保持工程は、２枚の面状の放電電極を
有するイオン発生装置の２枚の面状の放電電極間に前記
光ファイバ用母材を保持する。
有するイオン発生装置の２枚の面状の放電電極間に前記
光ファイバ用母材を保持する。
【００１０】なお、前記光ファイバ用母材の保持につい
ては、静止状態での保持だけではなく、移動状態での保
持も含む。たとえば、前記搬送工程では、前記光ファイ
バ用母材の前記加熱炉への搬送経路に２枚の面状の放電
電極を有するイオン発生装置を配置し、前記光ファイバ
用母材を前記２枚の放電電極間に通過させてもよい。
ては、静止状態での保持だけではなく、移動状態での保
持も含む。たとえば、前記搬送工程では、前記光ファイ
バ用母材の前記加熱炉への搬送経路に２枚の面状の放電
電極を有するイオン発生装置を配置し、前記光ファイバ
用母材を前記２枚の放電電極間に通過させてもよい。
【００１１】本発明は、線引用加熱炉に導入される前の
光ファイバ用母材を保管する光ファイバ用母材の保管装
置であって、内部に前記光ファイバ用母材を収容する収
容室と、前記収容室内に設けられ、前記光ファイバ用母
材の周囲にイオン化されたガス体を供給するイオン化ガ
ス供給手段とを有する。
光ファイバ用母材を保管する光ファイバ用母材の保管装
置であって、内部に前記光ファイバ用母材を収容する収
容室と、前記収容室内に設けられ、前記光ファイバ用母
材の周囲にイオン化されたガス体を供給するイオン化ガ
ス供給手段とを有する。
【００１２】本発明では、光ファイバ用母材をイオン化
されたガス体中に保持することで、光ファイバ用母材の
表面が電気的に中和される。絶縁物である光ファイバ用
母材の表面に物体が接触すると、絶縁物表面で電荷交換
が行われるため正、負のいずれかに帯電する。絶縁物で
は電荷が電気抵抗のため動きにくいので、帯電状態が続
き、塵埃を静電気によって吸引しやすく、光ファイバ用
母材の表面には塵埃等の異物が付着しやすくなる。光フ
ァイバ用母材の表面が電気的に中和された状態である
と、塵埃等の異物が付着するのを抑制でき、線引き後の
スクリーニングにおいて異物に起因した光ファイバの破
断の頻度を抑制することができる。
されたガス体中に保持することで、光ファイバ用母材の
表面が電気的に中和される。絶縁物である光ファイバ用
母材の表面に物体が接触すると、絶縁物表面で電荷交換
が行われるため正、負のいずれかに帯電する。絶縁物で
は電荷が電気抵抗のため動きにくいので、帯電状態が続
き、塵埃を静電気によって吸引しやすく、光ファイバ用
母材の表面には塵埃等の異物が付着しやすくなる。光フ
ァイバ用母材の表面が電気的に中和された状態である
と、塵埃等の異物が付着するのを抑制でき、線引き後の
スクリーニングにおいて異物に起因した光ファイバの破
断の頻度を抑制することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。第１の実施形態 図１は、本発明の一実施形態に係る光ファイバ用母材の
保管装置の構成図である。図１において、本実施形態に
係る保管装置は、図示しないクリーンルーム内に設けら
れたイオン化ガス供給装置１を有しており、クリーンル
ーム内にはプリフォーム５１が保管されている。プリフ
ォーム５１は、たとえば、ＶＡＤ(vapour-phase axial
deposition) 法によって光ファイバ用多孔質ガラス母材
を合成した後、脱水焼結して光ファイバ用の透明ガラス
母材としたものである。これは、必要に応じて線引きに
適した外径に延伸されることもある。
て図面を参照して説明する。第１の実施形態 図１は、本発明の一実施形態に係る光ファイバ用母材の
保管装置の構成図である。図１において、本実施形態に
係る保管装置は、図示しないクリーンルーム内に設けら
れたイオン化ガス供給装置１を有しており、クリーンル
ーム内にはプリフォーム５１が保管されている。プリフ
ォーム５１は、たとえば、ＶＡＤ(vapour-phase axial
deposition) 法によって光ファイバ用多孔質ガラス母材
を合成した後、脱水焼結して光ファイバ用の透明ガラス
母材としたものである。これは、必要に応じて線引きに
適した外径に延伸されることもある。
【００１４】イオン化ガス供給装置１は、清浄化された
空気を供給するクリーンエア送風機２と、クリーンエア
送風機２から供給された空気を、正負に交互に荷電する
ことによりイオン化するイオン発生装置３とを有してい
る。
空気を供給するクリーンエア送風機２と、クリーンエア
送風機２から供給された空気を、正負に交互に荷電する
ことによりイオン化するイオン発生装置３とを有してい
る。
【００１５】クリーンエア送風機２は、清浄化された空
気を、所定の空気量および風速でイオン発生装置３に供
給する。空気量は、たとえば、約１ｍ3 程度とすること
ができ、風速は、たとえば、０．５〜５ｍ／分程度とす
ることができる。
気を、所定の空気量および風速でイオン発生装置３に供
給する。空気量は、たとえば、約１ｍ3 程度とすること
ができ、風速は、たとえば、０．５〜５ｍ／分程度とす
ることができる。
【００１６】イオン発生装置３は、たとえば、内部にプ
ラスおよびマイナスに空気をイオン化する放電電極を有
しており、これらの放電電極に高電圧を印加することに
より、略同量の空気をプラスおよびマイナスにイオン化
する。イオン発生装置３においてイオン化された空気Ｇ
は、プリフォーム５１に向かって形成されたイオン発生
装置３の吹出口３ａから吹き出される。
ラスおよびマイナスに空気をイオン化する放電電極を有
しており、これらの放電電極に高電圧を印加することに
より、略同量の空気をプラスおよびマイナスにイオン化
する。イオン発生装置３においてイオン化された空気Ｇ
は、プリフォーム５１に向かって形成されたイオン発生
装置３の吹出口３ａから吹き出される。
【００１７】一般に、絶縁物であるプリフォーム５１の
表面に物体が接触すると、プリフォーム５１の表面で電
荷交換が行われるためプリフォーム５１は正、負のいず
れかに帯電する。このため、塵埃を静電気によって吸引
しやすく、プリフォーム５１の表面には塵埃等の異物が
付着しやすくなる。また、保管装置内に長時間保管する
ほど、異物の付着量は増加しやすい。本実施形態に係る
保管装置では、クリーンルーム内に保管されたプリフォ
ーム５１には、常に、略同量でプラスおよびマイナスに
イオン化された空気Ｇが吹きつけられる。したがって、
プリフォーム５１の表面は、イオン化された空気Ｇによ
って電気的に中和され、プリフォーム５１の表面の電位
はほとんど零となる。さらに、略同量でプラスおよびマ
イナスにイオン化された空気Ｇが吹きつけられることか
ら、プリフォーム５１が正または負のいずれに帯電した
場合でも、電気的に中和することができる。
表面に物体が接触すると、プリフォーム５１の表面で電
荷交換が行われるためプリフォーム５１は正、負のいず
れかに帯電する。このため、塵埃を静電気によって吸引
しやすく、プリフォーム５１の表面には塵埃等の異物が
付着しやすくなる。また、保管装置内に長時間保管する
ほど、異物の付着量は増加しやすい。本実施形態に係る
保管装置では、クリーンルーム内に保管されたプリフォ
ーム５１には、常に、略同量でプラスおよびマイナスに
イオン化された空気Ｇが吹きつけられる。したがって、
プリフォーム５１の表面は、イオン化された空気Ｇによ
って電気的に中和され、プリフォーム５１の表面の電位
はほとんど零となる。さらに、略同量でプラスおよびマ
イナスにイオン化された空気Ｇが吹きつけられることか
ら、プリフォーム５１が正または負のいずれに帯電した
場合でも、電気的に中和することができる。
【００１８】このようにして保管装置（クリーンルー
ム）内に保管されたプリフォーム５１の表面には、異物
の付着がほとんどなくなる。この状態のプリフォーム５
１を線引き用加熱炉に導入して加熱溶融し、プリフォー
ム５１の先端から線引きして光ファイバを作製すること
により、プリフォーム５１の表面に付着した異物に起因
した光ファイバの欠陥の発生を極力抑制することが可能
になる。この結果、作製された光ファイバに荷重をかけ
るスクリーニング試験において、比較的低荷重で光ファ
イバが破断しにくくすることができ、光ファイバの生存
長を大幅に伸ばすことが可能となる。
ム）内に保管されたプリフォーム５１の表面には、異物
の付着がほとんどなくなる。この状態のプリフォーム５
１を線引き用加熱炉に導入して加熱溶融し、プリフォー
ム５１の先端から線引きして光ファイバを作製すること
により、プリフォーム５１の表面に付着した異物に起因
した光ファイバの欠陥の発生を極力抑制することが可能
になる。この結果、作製された光ファイバに荷重をかけ
るスクリーニング試験において、比較的低荷重で光ファ
イバが破断しにくくすることができ、光ファイバの生存
長を大幅に伸ばすことが可能となる。
【００１９】たとえば、上記構成の保管装置において、
たとえば、外径φ８０ｍｍ、長さ１ｍのプリフォーム５
１を保管した後、線引きされた光ファイバは、生存長が
８００ｋｍ以上となった。従来においては、光ファイバ
の生存長は最大でも１００ｋｍ程度であり、大幅に生存
長を伸ばすことができた。また、上記構成の保管装置に
おいて、たとえば、外径φ１３０ｍｍ、長さ２ｍのプリ
フォーム５１を保管した後、線引きされた光ファイバの
生存長は約１０００ｋｍとなった。
たとえば、外径φ８０ｍｍ、長さ１ｍのプリフォーム５
１を保管した後、線引きされた光ファイバは、生存長が
８００ｋｍ以上となった。従来においては、光ファイバ
の生存長は最大でも１００ｋｍ程度であり、大幅に生存
長を伸ばすことができた。また、上記構成の保管装置に
おいて、たとえば、外径φ１３０ｍｍ、長さ２ｍのプリ
フォーム５１を保管した後、線引きされた光ファイバの
生存長は約１０００ｋｍとなった。
【００２０】なお、上記した実施形態では、イオン化ガ
ス供給装置１は、清浄化された空気をイオン化する構成
としたが、本発明はこれに限定されない。たとえば、清
浄化された空気に窒素やアルゴン等の放電し易い気体を
混合することにより、イオン化が一層容易となる。な
お、たとえば、図２に示すように、イオン化ガス供給装
置１を、プリフォーム５１の上方に設けて、プリフォー
ム５１に対して下向きに気体を吹き出す構成としてもよ
い。また、プリフォーム５１はその長手方向を軸として
回転させてもよい。
ス供給装置１は、清浄化された空気をイオン化する構成
としたが、本発明はこれに限定されない。たとえば、清
浄化された空気に窒素やアルゴン等の放電し易い気体を
混合することにより、イオン化が一層容易となる。な
お、たとえば、図２に示すように、イオン化ガス供給装
置１を、プリフォーム５１の上方に設けて、プリフォー
ム５１に対して下向きに気体を吹き出す構成としてもよ
い。また、プリフォーム５１はその長手方向を軸として
回転させてもよい。
【００２１】第２の実施形態 図３は、光ファイバ用母材の保管装置の他の実施形態を
示す構成図である。図３に示す保管装置は、図示しない
クリーンルーム内に離間して並行に設けられた２枚の放
電板１１ａおよび１１ｂを備えたイオン発生装置１１を
有する。
示す構成図である。図３に示す保管装置は、図示しない
クリーンルーム内に離間して並行に設けられた２枚の放
電板１１ａおよび１１ｂを備えたイオン発生装置１１を
有する。
【００２２】２枚の放電板１１ａおよび１１ｂの間に、
プリフォーム５１が挿入された状態で保管される。放電
板１１ａおよび１１ｂは、高電圧を印加されることによ
り放電板１１ａおよび１１ｂの周囲の空気をそれぞれプ
ラスおよびマイナスにイオン化する。
プリフォーム５１が挿入された状態で保管される。放電
板１１ａおよび１１ｂは、高電圧を印加されることによ
り放電板１１ａおよび１１ｂの周囲の空気をそれぞれプ
ラスおよびマイナスにイオン化する。
【００２３】放電板１１ａおよび１１ｂとの間には、プ
ラスおよびマイナスにイオン化された空気が略同量存在
する。このため、放電板１１ａおよび１１ｂの間に挿入
されたプリフォーム５１は、常にイオン化された空気に
晒されるため、プリフォーム５１の表面は常に電気的に
中和され、プリフォーム５１の表面は零電位となり、プ
リフォーム５１の表面への異物の付着を抑制することが
できる。
ラスおよびマイナスにイオン化された空気が略同量存在
する。このため、放電板１１ａおよび１１ｂの間に挿入
されたプリフォーム５１は、常にイオン化された空気に
晒されるため、プリフォーム５１の表面は常に電気的に
中和され、プリフォーム５１の表面は零電位となり、プ
リフォーム５１の表面への異物の付着を抑制することが
できる。
【００２４】以上のように、本実施形態によれば、２枚
の放電板１１ａおよび１１ｂを備えたイオン発生装置１
１をクリーンルーム内に設けることから、比較的簡素化
された装置によってプリフォーム５１の表面への異物の
付着を抑制することができる。
の放電板１１ａおよび１１ｂを備えたイオン発生装置１
１をクリーンルーム内に設けることから、比較的簡素化
された装置によってプリフォーム５１の表面への異物の
付着を抑制することができる。
【００２５】第３の実施形態 図４は、本発明に係る光ファイバの製造方法の一実施形
態を説明するための図である。上記した第１および第２
の実施形態では、保管装置を用いてプリフォーム５１を
線引きする前に保管する方法について説明したが、本実
施形態では、プリフォーム５１を保管装置から線引き工
程を行う加熱炉まで搬送する際のプリフォーム５１への
異物の付着の防止方法について説明する。上記した保管
装置と線引き工程を行う加熱炉との間の搬送経路の一部
または全部に、図４に示すように、２枚の放電板２１ａ
および２１ｂを備えたイオン発生装置２１を設ける。
態を説明するための図である。上記した第１および第２
の実施形態では、保管装置を用いてプリフォーム５１を
線引きする前に保管する方法について説明したが、本実
施形態では、プリフォーム５１を保管装置から線引き工
程を行う加熱炉まで搬送する際のプリフォーム５１への
異物の付着の防止方法について説明する。上記した保管
装置と線引き工程を行う加熱炉との間の搬送経路の一部
または全部に、図４に示すように、２枚の放電板２１ａ
および２１ｂを備えたイオン発生装置２１を設ける。
【００２６】放電板２１ａおよび２１ｂは、高電圧を印
加されることにより放電板２１ａおよび２１ｂの周囲の
空気をそれぞれプラスおよびマイナスにイオン化し、放
電板２１ａおよび２１ｂとの間には、プラスおよびマイ
ナスにイオン化された空気が略同量存在することにな
る。このように、放電板２１ａおよび２１ｂの間にイオ
ン化された空気を存在させた状態で、矢印に示す搬送方
向にプリフォーム５１を搬送する際に、プリフォーム５
１を２枚の放電板２１ａおよび２１ｂの間を通過させ
る。
加されることにより放電板２１ａおよび２１ｂの周囲の
空気をそれぞれプラスおよびマイナスにイオン化し、放
電板２１ａおよび２１ｂとの間には、プラスおよびマイ
ナスにイオン化された空気が略同量存在することにな
る。このように、放電板２１ａおよび２１ｂの間にイオ
ン化された空気を存在させた状態で、矢印に示す搬送方
向にプリフォーム５１を搬送する際に、プリフォーム５
１を２枚の放電板２１ａおよび２１ｂの間を通過させ
る。
【００２７】プリフォーム５１は、イオン化された空気
に晒され、プリフォーム５１の表面は搬送中も電気的に
中和された状態となり、異物の付着が防止できる。した
がって、本実施形態によれば、搬送中にプリフォーム５
１の表面へ異物が付着するのを抑制することができる。
に晒され、プリフォーム５１の表面は搬送中も電気的に
中和された状態となり、異物の付着が防止できる。した
がって、本実施形態によれば、搬送中にプリフォーム５
１の表面へ異物が付着するのを抑制することができる。
【００２８】第４の実施形態 図５は、本発明に係る光ファイバの製造方法の他の実施
形態を説明するための図である。上述した第３の実施形
態では、搬送されるプリフォーム５１を放電板２１ａお
よび２１ｂの間に通過させる構成としたが、本実施形態
では、搬送中にプリフォーム５１に付着した異物を除去
するために、イオン化ガス吹付装置３１によってプリフ
ォーム５１の表面にイオン化された空気Ｇを直接吹きつ
ける構成としている。
形態を説明するための図である。上述した第３の実施形
態では、搬送されるプリフォーム５１を放電板２１ａお
よび２１ｂの間に通過させる構成としたが、本実施形態
では、搬送中にプリフォーム５１に付着した異物を除去
するために、イオン化ガス吹付装置３１によってプリフ
ォーム５１の表面にイオン化された空気Ｇを直接吹きつ
ける構成としている。
【００２９】イオン化ガス吹付装置３１は、清浄化され
た空気を供給するためのクリーンエア供給ダクト３４
と、クリーンエア供給ダクト３４の出口部に接続され放
電電極を有する放電部３３と、放電部３３に接続され放
電部３３を通じてクリーンエア供給ダクト３４に連通し
ているノズル部３２とを有している。
た空気を供給するためのクリーンエア供給ダクト３４
と、クリーンエア供給ダクト３４の出口部に接続され放
電電極を有する放電部３３と、放電部３３に接続され放
電部３３を通じてクリーンエア供給ダクト３４に連通し
ているノズル部３２とを有している。
【００３０】クリーンエア供給ダクト３４からは、たと
えば、空気量０．０３〜０．１ｍ3、圧力０．０５〜
０．７ＭＰａの清浄化された空気が供給される。放電部
３３の有する放電電極には、たとえば、３００ｍＡ程度
の電流が流され、供給された空気がイオン化される。イ
オン化された空気Ｇは、ノズル部３２からプリフォーム
５１に向けて吹きつけられる。なお、ノズル部３２のノ
ズル径は、たとえば、２〜３ｍｍ程度とする。また、イ
オン化ガス吹付装置３１をプリフォーム５１に対して移
動させることにより、プリフォーム５１の全体にイオン
化された空気Ｇを吹きつけることができる。
えば、空気量０．０３〜０．１ｍ3、圧力０．０５〜
０．７ＭＰａの清浄化された空気が供給される。放電部
３３の有する放電電極には、たとえば、３００ｍＡ程度
の電流が流され、供給された空気がイオン化される。イ
オン化された空気Ｇは、ノズル部３２からプリフォーム
５１に向けて吹きつけられる。なお、ノズル部３２のノ
ズル径は、たとえば、２〜３ｍｍ程度とする。また、イ
オン化ガス吹付装置３１をプリフォーム５１に対して移
動させることにより、プリフォーム５１の全体にイオン
化された空気Ｇを吹きつけることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、線引き工程前にプリフ
ォームに異物が付着するのを抑制でき、線引き後の光フ
ァイバの生存長を飛躍的に伸ばすことが可能になる。こ
の結果、短尺の光ファイバが少なくなり、製造コストを
低減することが可能となるとともに、製造設備の稼働率
を向上させることが可能となる。
ォームに異物が付着するのを抑制でき、線引き後の光フ
ァイバの生存長を飛躍的に伸ばすことが可能になる。こ
の結果、短尺の光ファイバが少なくなり、製造コストを
低減することが可能となるとともに、製造設備の稼働率
を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係る光ファイバ用母材の
保管装置の構成図である。
保管装置の構成図である。
【図２】光ファイバ用母材の保管装置の実施形態を示す
構成図である。
構成図である。
【図３】光ファイバ用母材の保管装置のさらに他の実施
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図４】本発明に係る光ファイバの製造方法の一実施形
態を説明するための図である。
態を説明するための図である。
【図５】本発明に係る光ファイバの製造方法の他の実施
形態を説明するための図である。
形態を説明するための図である。
１…イオン化ガス供給装置 ２…クリーンエア送風機２ ３…イオン発生装置３ １１…イオン発生装置 １１ａ，１１ｂ…放電板 ３１…イオン化ガス吹付装置 ３２…ノズル部 ３３…放電部 ３４…クリーンエア供給ダクト ５１…プリフォーム
Claims (5)
- 【請求項１】光ファイバ用母材を線引用加熱炉に導入し
て加熱溶融し、線引きして光ファイバを作製する工程の
直前まで前記光ファイバ用母材をイオン化されたガス体
中に保持する保持工程を有する光ファイバの製造方法。 - 【請求項２】前記保持工程は、前記光ファイバ用母材を
所定の保管場所に保管する保管工程と、前記光ファイバ
用母材を前記保管場所から前記加熱炉まで搬送する搬送
工程とにおいて行われる請求項１に記載の光ファイバの
製造方法。 - 【請求項３】前記保持工程は、清浄空気をイオン化して
前記光ファイバ用母材に吹きつける請求項１または２に
記載の光ファイバの製造方法。 - 【請求項４】前記保持工程は、２枚の面状の放電電極を
有するイオン発生装置の２枚の面状の放電電極間に前記
光ファイバ用母材を保持する請求項１または２に記載の
光ファイバの製造方法。 - 【請求項５】線引用加熱炉に導入される前の光ファイバ
用母材を保管する光ファイバ用母材の保管装置であっ
て、 内部に前記光ファイバ用母材を収容する収容室と、 前記収容室内に設けられ、前記光ファイバ用母材の周囲
にイオン化されたガス体を供給するイオン化ガス供給手
段とを有する光ファイバ用母材の保管装置。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11143125A JP2000327359A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 光ファイバの製造方法および光ファイバ用母材の保管装置 |
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|---|---|
| JP2000327359A true JP2000327359A (ja) | 2000-11-28 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP2000327359A (ja) |
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-
2001
- 2001-01-24 US US09/768,055 patent/US20010037662A1/en not_active Abandoned
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050412 |