JP6497709B2 - プラズマcvd装置及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、正面に電極面を有するアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの前記電極面及び前記カソードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノードの前記電極面及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたプラズマウォールと、
前記アノードと前記プラズマウォールとの間の第1隙間と前記チャンバーの第1内面との間に配置され、前記チャンバーの前記第1内面に接する防着部材と、
前記防着部材と前記アノードの背面との間で且つ前記アノードの背面と前記チャンバーの第2内面との間に配置され、前記アノードに電気的に接続された台座と、
前記アノードの前記背面と前記チャンバーの第3内面との間に配置され、前記第3内面に接するスペーサと、
前記台座に電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記第1隙間の最大径、前記アノードと前記防着部材との間の第2隙間の最大径、前記アノードの前記背面と前記スペーサとの間の第3隙間の最大径、前記プラズマウォールと前記防着部材との間の第4隙間の最大径、前記防着部材と前記台座との間の第5隙間の最大径、及び前記台座と前記スペーサとの間の第6隙間の最大径それぞれが4mm以下(好ましくは3mm以下)であることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記アノードの前記第1隙間及び前記第2隙間それぞれと対向する表面、前記スペーサの前記第3隙間及び前記第6隙間それぞれと対向する表面、前記防着部材の前記第2隙間、前記第4隙間及び前記第5隙間それぞれと対向する表面、前記台座の前記第5隙間、前記第6隙間及び前記第2内面それぞれと対向する表面、及び前記プラズマウォールの前記第1隙間及び前記第4隙間それぞれと対向する表面それぞれには絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
なお、上記の最大径が4mm以下(好ましくは3mm以下)であることは、前記アノードの前記第1隙間及び前記第2隙間それぞれと対向する表面等に絶縁物が形成されている場合、その絶縁物の表面からの最大径を4mm以下(好ましくは3mm以下)とする。
前記防着部材の前記第1内面と対向する表面、及び前記スペーサの前記第3内面と対向する表面それぞれには絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記スペーサ、前記防着部材及び前記プラズマウォールそれぞれは絶縁物からなり、
前記アノードの前記第1隙間及び前記第2隙間それぞれと対向する表面、及び前記台座の前記第5隙間、前記第6隙間及び前記第2内面それぞれと対向する表面それぞれには絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記アノードの前記背面の前記第3隙間と対向する表面には絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記アノードの前記電極面以外の表面には絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記絶縁物は、20℃における体積抵抗率が1×1010Ωcm以上(好ましくは1×1012Ωcm以上)で且つ100℃に対する耐熱性を有する物質であることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記絶縁物それぞれは、ガラス、石英、樹脂、セラミックス、溶射された絶縁物、アルマイト処理された絶縁物及びセラミックめっきのいずれかであることを特徴とするプラズマCVD装置。
なお、前記絶縁物は全て同一の材質であってもよいし、異なる材質であってもよい。
前記アノードの表面には溶射された導電膜が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記アノードの前記絶縁物が形成されていない表面または前記アノードの前記電極面には溶射された導電膜が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードの前記電極面との間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された前記被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
上記[1]乃至[10]のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いて前記保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
<プラズマCVD装置>
図1は、本発明の一態様に係るプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。図2は、図1に示すプラズマCVD装置の一部を拡大した断面図である。このプラズマCVD装置は被成膜基板(例えばディスク基板)1に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板1の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図1では左側のみを示している。
図1及び図2に示すプラズマCVD装置を用いて被成膜基板101にDLC(Diamond Like Carbon)を成膜する方法について説明する。
図1及び図2に示すプラズマCVD装置を用いた磁気記録媒体の製造方法について説明する。
図3は、本発明の一態様に係るプラズマCVD装置を模式的に示す断面図であり、図4は、図3に示すプラズマCVD装置の一部を拡大した断面図である。図3及び図4では、図1及び図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
また、本実施の形態では、上述したように絶縁物94をアノード104の第1隙間81及び第2隙間82それぞれと対向する表面等に形成するため、4mm以下の隙間にカーボンパーティクルが溜まっても短絡することを防止できる。
図5は、本発明の一態様に係るプラズマCVD装置を模式的に示す断面図であり、図6は、図5に示すプラズマCVD装置の一部を拡大した断面図である。図5及び図6では、図3及び図4と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図7及び図9は、図5に示すプラズマCVD装置の変形例を模式的に示す断面図であり、図8は、図7に示すプラズマCVD装置の一部を拡大した断面図であり、図10は、図9に示すプラズマCVD装置の一部を拡大した断面図である。図7〜図10では、図5及び図6と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
原料ガス流量 : 3.25sccm
Ar流量 : 2.00sccm
カソード電源(交流電源105)の出力Pf : 230W
アノード電源(DC電源107)の電圧Vp : 100V
アノード電源(DC電源107)の電流Ip : 1650mA
Ip制御幅 : 10mA
変化電力 : 0.5W
圧力 : 0.2Pa
カソード電極103 : タンタルフィラメント
被成膜基板101 : NiPメッキ/Alディスク(Al製ディスク表面にNiPメッキされた基板)
被成膜基板101の大きさ : φ2.5インチ
バイアス電源(DC電源112)の電圧 : 250V
図11は、DLC膜の成膜レートと電圧Vpとの関係を示すグラフである。
81 第1隙間
82 第2隙間
83 第3隙間
84 第4隙間
85 第5隙間
86 第6隙間
87 空間
88 プラズマウォール
91 防着部材
92 台座
93 スペーサ
94 絶縁物
101 被成膜基板
102 チャンバー
102a 第1内面
102b 第2内面
102c 第3内面
103 カソード電極
104 アノード
104a 電極面
104b アノードの背面
105 カソード電源(交流電源)
106 アース電源
107 アノード電源(DC(直流)電源)
108 プラズマウォール
112 バイアス電源(DC電源,直流電源)
118 膜厚補正板
Claims (12)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、正面に電極面を有するアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの前記電極面及び前記カソードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノードの前記電極面及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたプラズマウォールと、
前記プラズマウォールと対向する前記チャンバーの内面に位置する第1内面と、
前記アノードの背面と対向する前記チャンバーの内面に位置する第2内面と、
前記カソードと対向する前記チャンバーの内面に位置する第3内面と、
前記アノードと前記プラズマウォールとの間の第1隙間と前記チャンバーの前記第1内面との間に配置され、前記チャンバーの前記第1内面に接する防着部材と、
前記防着部材と前記アノードの背面との間で且つ前記アノードの背面と前記チャンバーの前記第2内面との間に配置され、前記アノードに電気的に接続された台座と、
前記アノードの前記背面と前記チャンバーの前記第3内面との間に配置され、前記第3内面に接するスペーサと、
前記台座に電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記第1隙間の最大径、前記アノードと前記防着部材との間の第2隙間の最大径、前記アノードの前記背面と前記スペーサとの間の第3隙間の最大径、前記プラズマウォールと前記防着部材との間の第4隙間の最大径、前記防着部材と前記台座との間の第5隙間の最大径、及び前記台座と前記スペーサとの間の第6隙間の最大径それぞれが4mm以下であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記アノードの前記第1隙間及び前記第2隙間それぞれと対向する表面、前記スペーサの前記第3隙間及び前記第6隙間それぞれと対向する表面、前記防着部材の前記第2隙間、前記第4隙間及び前記第5隙間それぞれと対向する表面、前記台座の前記第5隙間、前記第6隙間及び前記第2内面それぞれと対向する表面、及び前記プラズマウォールの前記第1隙間及び前記第4隙間それぞれと対向する表面それぞれには絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2において、
前記防着部材の前記第1内面と対向する表面、及び前記スペーサの前記第3内面と対向する表面それぞれには絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記スペーサ、前記防着部材及び前記プラズマウォールそれぞれは絶縁物からなり、
前記アノードの前記第1隙間及び前記第2隙間それぞれと対向する表面、及び前記台座の前記第5隙間、前記第6隙間及び前記第2内面それぞれと対向する表面それぞれには絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2乃至4のいずれか一項において、
前記アノードの前記背面の前記第3隙間と対向する表面には絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2乃至5のいずれか一項において、
前記アノードの前記電極面以外の表面には絶縁物が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2乃至6のいずれか一項において、
前記絶縁物は、20℃における体積抵抗率が1×1010Ωcm以上で且つ100℃に対する耐熱性を有する物質であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2乃至7のいずれか一項において、
前記絶縁物それぞれは、ガラス、石英、樹脂、セラミックス、溶射された絶縁物、アルマイト処理された絶縁物及びセラミックめっきのいずれかであることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記アノードの表面には溶射された導電膜が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項2乃至8のいずれか一項において、
前記アノードの前記絶縁物が形成されていない表面または前記アノードの前記電極面には溶射された導電膜が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1乃至10のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いた磁気記録媒体の製造方法において、
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードの前記電極面との間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された前記被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭素が主成分である保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
請求項1乃至10のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いて前記保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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