JP5982678B2 - プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、プラズマＣＶＤ装置及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
図５は、プラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。このプラズマＣＶＤ装置は、被成膜基板１０１の両面に薄膜を成膜する装置であり、被成膜基板１０１に対して左右対称に構成されているが、図５では左側のみを示している。
プラズマＣＶＤ装置はチャンバーを有しており、このチャンバー１０２内には、例えばタンタルからなるフィラメント状のカソード電極１０３が形成されている。カソード電極１０３の両端はカソード電源１０５に電気的に接続されており、カソード電源１０５はアース１０６に電気的に接続されている。カソード電極１０３の周囲を囲むようにロート状の形状を有するアノード電極１０４が配置されている。アノード１０４電極はＤＣ（直流）電源１０７のプラス電位側に電気的に接続されており、ＤＣ電源１０７のマイナス電位側がアースに電気的に接続されている。
チャンバー１０２内には被成膜基板１０１が配置されており、この被成膜基板１０１はカソード電極１０３及びアノード電極１０４に対向するように配置されている。被成膜基板１０１はイオン加速用電源としてのバイアス電源（ＤＣ電源）１１２のマイナス電位側に電気的に接続されており、ＤＣ電源１１２のプラス電位側がアース１０６に電気的に接続されている。
チャンバー１０２内には、カソード電極１０３及びアノード電極１０４それぞれと被成膜基板１０１との間の空間を覆うようにインナーシールド１０８が配置されている。
また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２内を真空排気する真空排気機構（図示せず）を有している。また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構（図示せず）を有している（例えば特許文献１参照）。
上記のプラズマ処理装置によって被成膜基板１０１に成膜される膜の厚さを均一性よく制御するという要望がある。
特許３９３０１８１（図１）
本発明の一態様は、被成膜基板に成膜される膜の厚さを均一性よく制御できるプラズマＣＶＤ装置または磁気記録媒体の製造方法を提供することを課題とする。
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
（１）チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記チャンバー内に配置され、前記インナーシールドの外側に配置され、前記インナーシールドを囲むように配置されたマグネットと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記被成膜基板の表面と平行で且つ前記マグネットの前記被成膜基板側の端部を含む平面と、前記被成膜基板の表面との距離が１５〜１００ｍｍ（好ましくは２０〜５０ｍｍ）であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
（２）上記（１）において、
前記インナーシールドは２ｎ個のマグネットによって囲まれており、
前記２ｎ個のマグネットそれぞれは、前記インナーシールドの内側にＮ極またはＳ極の一方が向いており、且つ隣り合う前記マグネットは前記インナーシールドの内側に向く磁極が逆であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
ただし、ｎは２〜１２の整数である。
（３）上記（２）において、
前記被成膜基板の外周の磁場が±０．１Ｇ〜±５０Ｇ（好ましくは±１Ｇ〜±４０Ｇ）であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
（４）上記（１）において、
前記インナーシールドは１個のマグネットによって囲まれており、
前記１個のマグネットは、前記カソード側にＮ極またはＳ極の一方が向き、前記被成膜基板側にＮ極またはＳ極の他方が向いていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
（５）上記（１）乃至（４）のいずれか一項において、
前記チャンバー内に配置され、前記インナーシールドの外側に配置されたアウターシールドを有し、
前記マグネットは、前記アウターシールドの外側に位置していることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
（６）上記（１）乃至（５）のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法において、
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（７） 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭素が主成分である保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
上記（１）乃至（５）のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて前記保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
本発明の一態様によれば、被成膜基板に成膜される膜の厚さを均一性よく制御できるプラズマＣＶＤ装置または磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
実施の形態１に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。 実施の形態２に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。 （Ａ）は図２に示すプラズマ処理装置を用いて被成膜基板１にＤＬＣ膜１０を成膜した写真、（Ｂ）は（Ａ）に示す被成膜基板１上に成膜されたＤＬＣ膜１０の膜厚を模式的に示す断面図である。 （Ａ）は図２に示すプラズマＣＶＤ装置からマグネット１１９を除いた装置を用いて被成膜基板１にＤＬＣ膜１１を成膜した写真、（Ｂ）は（Ａ）に示す被成膜基板１上に成膜されたＤＬＣ膜１１の膜厚を模式的に示す断面図である。 プラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
［実施の形態１］
＜プラズマＣＶＤ装置＞
図１は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。このプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）１に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板１の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図１では左側のみを示している。
プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２を有しており、このチャンバー１０２内には、例えばタンタルからなるフィラメント状のカソード電極（カソードフィラメント）１０３が形成されている。カソードフィラメント１０３の両端はチャンバー１０２の外部に位置するカソード電源（交流電源）１０５に電気的に接続されており、カソード電源１０５はチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。
カソード電源１０５は、図示せぬ制御部によって制御される。これにより、カソードフィラメント１０３に印加される電圧が制御される。なお、カソード電源１０５としては例えば０〜５０Ｖ、１０〜５０Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。カソード電源１０５の一端はアース１０６に電気的に接続されている。
チャンバー１０２内には、カソードフィラメント１０３それぞれの周囲を囲むようにロート状の形状を有するアノード電極（アノードコーン）１０４が配置されており、アノードコーン１０４はスピーカーのような形状とされている。
アノードコーン１０４はアノード電源（ＤＣ（直流）電源）１０７に電気的に接続されており、ＤＣ電源１０７はチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。ＤＣ電源１０７のプラス電位側がアノードコーン１０４に電気的に接続されており、ＤＣ電源１０７のマイナス電位側がアース１０６に電気的に接続されている。
ＤＣ電源１０７は、前記制御部によって制御される。これにより、アノードコーン１０４に印加される電圧が制御される。なお、ＤＣ電源１０７としては例えば０〜５００Ｖ、０〜７．５Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。
チャンバー１０２内には被成膜基板１が配置されており、この被成膜基板１はカソードフィラメント１０３及びアノードコーン１０４に対向するように配置されている。詳細には、カソードフィラメント１０３はアノードコーン１０４の内周面の中央部付近で包囲されており、アノードコーン１０４は、その最大内径側を被成膜基板１に向けて配置されている。
被成膜基板１は、図示しないホルダー（保持部）および図示しないトランスファー装置（ハンドリングロボットあるいはロータリインデックスデーブル）により、図示の位置に、順次供給されるようになっている。
被成膜基板１はイオン加速用電源としてのバイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）１１２に電気的に接続されており、このＤＣ電源１１２はチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源１１２のマイナス電位側が被成膜基板１に電気的に接続されており、ＤＣ電源１１２のプラス電位側がアース１０６に電気的に接続されている。
ＤＣ電源１１２は、前記制御部によって制御される。これにより、被成膜基板１に印加される電圧が制御される。なお、ＤＣ電源１１２としては例えば０〜１５００Ｖ、０〜１００ｍＡ（ミリアンペア）の電源を用いることができる。
アノードコーン１０４の被成膜基板１側には導電体からなるインナーシールド１０８が設けられており、インナーシールド１０８は、カソードフィラメント１０３及びアノードコーン１０４それぞれと被成膜基板１との間の空間を覆うように形成されている。インナーシールド１０８は、フロート電位とされており、チャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。また、インナーシールド１０８は円筒形状又は多角形状を有している。
インナーシールド１０８の被成膜基板１側の端部には膜厚補正板１１８が設けられている。膜厚補正板１１８は、インナーシールド１０８に電気的に接続されており、フロート電位とされている。膜厚補正板１１８は、被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さを制御するものである。
インナーシールド１０８の外側には、インナーシールド１０８を覆うように導電体または絶縁体からなるアウターシールド９０が配置されており、このアウターシールド９０は円筒形状又は多角形状を有している。また、アウターシールド９０は、フロート電位またはアース電位に電気的に接続されている。アウターシールド９０は、チャンバー１０２とインナーシールド１０８の間の放電を防止する役割を有する。
チャンバー１０２の内側で且つアウターシールド９０の外側には１個のマグネット（例えばネオジウム磁石）１０９が配置されており、このマグネット１０９はインナーシールド１０８を囲むように配置されている。マグネット１０９はカソードフィラメント１０３より被成膜基板１に近い側に配置されている。詳細には、被成膜基板１の表面（マグネット１０９側の表面）と平行で且つマグネット１０９の被成膜基板１側の端部１０９ｂを含む平面１０９ｃと、被成膜基板１の表面との距離が１５〜１００ｍｍ（好ましくは２０〜５０ｍｍ）であるとよい。
マグネット１０９は例えば円筒形状又は多角形状を有しており、円筒形又は多角形の内径の中心は磁石中心となり、この磁石中心はカソードフィラメント１０３の略中心及び被成膜基板１の略中心それぞれと対向するように位置している。磁石中心はカソードフィラメント１０３の略中心より被成膜基板１の略中心に近い方に位置している。
マグネット１０９は、カソードフィラメント１０３側にＮ極が向き、被成膜基板１側にＳ極が向いている。
また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２内を真空排気する真空排気機構（図示せず）を有している。また、プラズマＣＶＤ装置はガス導入部１０２ａからチャンバー１０２内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構（図示せず）を有している。
＜成膜方法＞
図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて被成膜基板１にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜を成膜する方法について説明する。
まず、前記真空排気機構を起動させ、チャンバー１０２の内部を所定の真空状態とし、ガス導入部１０２ａからチャンバー１０２の内部に前記ガス導入機構によって成膜原料ガスとして例えばトルエン（Ｃ７Ｈ８）ガスを導入する。チャンバー１０２内が所定の圧力になった後、カソードフィラメント１０３にカソード電源１０５によって交流電流を供給することによりカソードフィラメント１０３が加熱される。
また、被成膜基板１にＤＣ電源１１２によって直流電流を供給する。また、ＤＣ電源１０７からアノードコーン１０４に直流電流を供給する。また、マグネット１０９によって被成膜基板１の表面の近傍で且つ対向する位置に磁界を形成する。
カソードフィラメント１０３の加熱によって、カソードフィラメント１０３からアノードコーン１０４に向けて多量の電子が放出され、カソードフィラメント１０３とアノードコーン１０４との間でグロー放電が開始される。多量の電子によってチャンバー１０２の内部の成膜原料ガスとしてのトルエンガスがイオン化され、プラズマ状態１０９ａとされる。そして、プラズマ状態の成膜原料分子は、被成膜基板１のマイナス電位によって直接に加速されて、被成膜基板１の方向に向かって飛走して、被成膜基板１の表面に付着される。この際、被成膜基板１の表面へ向かう成膜原料分子をマグネット１０９による磁界によってより均一性良く飛走させることができる。その結果、被成膜基板１に膜厚均一性の良いＤＬＣ膜を形成することができる。特に、被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さの制御性を向上させることができる。なお、被成膜基板１の表面では下記式（１）の反応が起きている。
Ｃ７Ｈ８＋ｅ− → ＣａＨｂ ＋ｘＨ２↑ ・・・（１）
次に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法について説明する。
まず、非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を用意し、この被成膜基板を保持部に保持させる。次いで、チャンバー１０２内で所定の真空条件下に加熱されたカソードフィラメント１０３とアノードコーン１０４との間の放電により原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させる。これにより、この被成膜基板の表面には炭素が主成分である保護層が形成される。
上記の磁気記録媒体の製造方法によれば、マグネット１０９によって形成される磁界により、被成膜基板１に膜厚均一性の良いＤＬＣ膜を形成することができる。特に、被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さの制御性を向上させることができる。
［実施の形態２］
＜プラズマＣＶＤ装置＞
図２は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明を省略する。このプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）１に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板１の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図２では左側のみを示している。
チャンバー１０２の内側で且つアウターシールド９０の外側には２ｎ個のマグネット（例えばネオジウム磁石）１１９が配置されており、２ｎ個のマグネット１１９はインナーシールド１０８を囲むように配置されている。ただし、ｎは２〜１２の整数であるとよいが、ｎは４〜１０の整数であってもよい。
２ｎ個のマグネット１１９それぞれは、インナーシールド１０８の内側にＮ極またはＳ極の一方が向いており、インナーシールド１０８の外側にＮ極またはＳ極の他方が向いており、且つ隣り合うマグネット１１９はインナーシールド１０８の内側に向く磁極が逆である。例えば、４個のマグネット１１９を配置した場合は、それらのマグネット１１９によって被成膜基板１の表面に対向するように磁界１１９ａが形成される。また、８個のマグネット１２９を配置した場合は、それらのマグネット１２９によって被成膜基板１の表面に対向するように磁界１２９ａが形成される。
被成膜基板１の表面（マグネット１１９側の表面）と平行で且つマグネット１１９の被成膜基板１側の端部１１９ｂを含む平面１１９ｃと、被成膜基板１の表面との距離が１５〜１００ｍｍ（好ましくは２０〜５０ｍｍ）であるとよい。
２ｎ個のマグネット１１９は例えば円筒形状又は多角形状となるように配置されており、円筒形又は多角形の内径の中心は磁石中心１１９ｄとなり、この磁石中心１１９ｄはカソードフィラメント１０３の略中心及び被成膜基板１の略中心それぞれと対向するように位置している。磁石中心１１９ｄはカソードフィラメント１０３の略中心より被成膜基板１の略中心に近い方に位置している。
マグネット１１９，１２９によって被成膜基板１の外周に形成される磁場は±０．１Ｇ（ガウス）〜±５０Ｇ（好ましくは±１Ｇ〜±４０Ｇ）であるとよい。これは、４個のマグネット１１９、８個のマグネット１１９、１６個のマグネット１１９、２４個のマグネット１１９それぞれをプラズマＣＶＤ装置に設置し、磁場を測定した結果から求めた範囲である。このような範囲とすることで、被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さの制御性を向上させることができる。
なお、被成膜基板１の外周は、例えば被成膜基板が２．５インチ基板の場合は磁石中心１１９ｄから半径３２．５ｍｍの円周に相当し、被成膜基板が３．５インチ基板の場合は磁石中心１１９ｄから半径４７．５ｍｍの円周に相当する。
＜成膜方法＞
図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて被成膜基板１にＤＬＣ膜を成膜する方法について説明する。
まず、前記真空排気機構を起動させ、チャンバー１０２の内部を所定の真空状態とし、ガス導入部１０２ａからチャンバー１０２の内部に前記ガス導入機構によって成膜原料ガスとして例えばトルエン（Ｃ７Ｈ８）ガスを導入する。チャンバー１０２内が所定の圧力になった後、カソードフィラメント１０３にカソード電源１０５によって交流電流を供給することによりカソードフィラメント１０３が加熱される。
また、被成膜基板１にＤＣ電源１１２によって直流電流を供給する。また、ＤＣ電源１０７からアノードコーン１０４に直流電流を供給する。また、マグネット１１９によって被成膜基板１の表面の近傍で且つ対向する位置に磁界を形成する。
カソードフィラメント１０３の加熱によって、カソードフィラメント１０３からアノードコーン１０４に向けて多量の電子が放出され、カソードフィラメント１０３とアノードコーン１０４との間でグロー放電が開始される。多量の電子によってチャンバー１０２の内部の成膜原料ガスとしてのトルエンガスがイオン化され、プラズマ状態とされる。そして、プラズマ状態の成膜原料分子は、被成膜基板１のマイナス電位によって直接に加速されて、被成膜基板１の方向に向かって飛走して、被成膜基板１の表面に付着される。この際、被成膜基板１の表面へ向かう成膜原料分子をマグネット１１９による磁界によってより均一性良く飛走させることができる。その結果、被成膜基板１に膜厚均一性の良いＤＬＣ膜を形成することができる。特に、被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さの制御性を向上させることができる。
次に、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法について説明する。
まず、非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を用意し、この被成膜基板を保持部に保持させる。次いで、チャンバー１０２内で所定の真空条件下に加熱されたカソードフィラメント１０３とアノードコーン１０４との間の放電により原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させる。これにより、この被成膜基板の表面には炭素が主成分である保護層が形成される。
上記の磁気記録媒体の製造方法によれば、マグネット１１９によって形成される磁界により、被成膜基板１に膜厚均一性の良いＤＬＣ膜を形成することができる。特に、被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さの制御性を向上させることができる。
（実施例１）
図３（Ａ）は、図２に示すプラズマ処理装置を用いて被成膜基板１にＤＬＣ膜１０を成膜した写真であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す被成膜基板１上に成膜されたＤＬＣ膜１０の膜厚を模式的に示す断面図である。
図３（Ａ），（Ｂ）に示すＤＬＣ膜１０を成膜した際の条件は以下のとおりである。
成膜装置：図２に示すプラズマＣＶＤ装置にマグネットを１６個配置したもの
被成膜基板１：メタル層付きガラスディスク
出発原料：高純度トルエン
ガス流量：３．０ｓｃｃｍ
圧力 ：０．３Ｐａ
成膜時間：２ｓｅｃ×５回
カソードフィラメント１０３：タンタルフィラメント
交流電源１０５の出力：２３０Ｗ
ＤＣ電源１０７の電流：１６５０ｍＡ
ＤＣ電源１１２の電圧：２５０Ｖ
（比較例１）
図４（Ａ）は、図２に示すプラズマＣＶＤ装置からマグネット１１９を除いた装置を用いて被成膜基板１にＤＬＣ膜１１を成膜した写真であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す被成膜基板１上に成膜されたＤＬＣ膜１１の膜厚を模式的に示す断面図である。
図４（Ａ），（Ｂ）に示すＤＬＣ膜１１を成膜した際の条件は以下のとおりである。
成膜装置：図２に示すプラズマＣＶＤ装置からマグネット１１９を除いた装置
被成膜基板１：メタル層付きガラスディスク
出発原料：高純度トルエン
ガス流量：３．０ｓｃｃｍ
圧力 ：０．３Ｐａ
成膜時間：２ｓｅｃ×５回
カソードフィラメント１０３：タンタルフィラメント
交流電源１０５の出力：２３０Ｗ
ＤＣ電源１０７の電流：１６５０ｍＡ
ＤＣ電源１１２の電圧：２５０Ｖ
上記の比較例では、図４（Ｂ）に示すように、被成膜基板１の外周付近のＤＬＣ膜１１の膜厚が厚くなったのに対し、上記の実施例１では、図３（Ｂ）に示すように、被成膜基板１の外周付近のＤＬＣ膜１０の膜厚が比較例に比べて薄くなった。従って、マグネットの磁場によって被成膜基板１に成膜される膜の厚さを比較例に比べて均一性よく制御できることが確認された。
１ 被成膜基板
１０，１１ ＤＬＣ膜
９０ アウターシールド
１０２ チャンバー
１０３ カソード電極（カソードフィラメント）
１０４ アノード電極（アノードコーン）
１０５ カソード電源（交流電源）
１０６ アース電源
１０７ アノード電源（ＤＣ（直流）電源）
１０８ インナーシールド
１０９，１１９，１２９ マグネット
１０９ａ プラズマ
１１９ａ，１２９ａ 磁界
１１２ バイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）
１１８ 膜厚補正板
１４０ カソードマグネット
１４０ａ 磁界
１１０９，１１１９，１１２９，１１３９ 外部マグネット
１１０９ａ，１１１９ａ，１１２９ａ，１１３９ａ 磁界

Claims (7)

  1. チャンバーと、
    前記チャンバー内に配置されたアノードコーンと、
    前記チャンバー内に配置されたカソードフィラメントと、
    前記チャンバー内に配置され、前記カソードフィラメント及び前記アノードコーンに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
    前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノードコーン及び前記カソードフィラメントそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
    前記チャンバー内に配置され、前記インナーシールドの外側に配置され、前記インナーシールドを囲むように配置されたマグネットと、
    前記アノードコーンに電気的に接続された第１の直流電源と、
    前記カソードフィラメントに電気的に接続された交流電源と、
    前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
    前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
    前記チャンバー内を排気する排気機構と、
    を具備し、
    前記被成膜基板の表面と平行で且つ前記マグネットの前記被成膜基板側の端部を含む平面と、前記被成膜基板の表面との距離が１５〜１００ｍｍであり、
    前記第１の直流電源によって前記アノードコーンに直流電圧が印加され、前記交流電源によって前記カソードフィラメントに交流電圧が印加され、前記第２の直流電源によって前記被成膜基板に直流電圧が印加されることで、前記カソードフィラメントと前記アノードコーンとの間で放電され、プラズマ状態とされた前記原料ガスが前記被成膜基板の電位によって加速されて成膜されることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  2. 請求項１において、
    前記インナーシールドは２ｎ個のマグネットによって囲まれており、
    前記２ｎ個のマグネットそれぞれは、前記インナーシールドの内側にＮ極またはＳ極の一方が向いており、且つ隣り合う前記マグネットは前記インナーシールドの内側に向く磁極が逆であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
    ただし、ｎは２〜１２の整数である。
  3. 請求項２において、
    前記被成膜基板の外周の磁場が±０．１Ｇ〜±５０Ｇであることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  4. 請求項１において、
    前記インナーシールドは１個のマグネットによって囲まれており、
    前記１個のマグネットは、前記カソードフィラメント側にＮ極またはＳ極の一方が向き、前記被成膜基板側にＮ極またはＳ極の他方が向いていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記チャンバー内に配置され、前記インナーシールドの外側に配置されたアウターシールドを有し、
    前記マグネットは、前記アウターシールドの外側に位置していることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法において、
    非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
    前記チャンバー内で前記カソードフィラメントと前記アノードコーンとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  7. 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭素が主成分である保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて前記保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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