JPH10330946A

JPH10330946A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH10330946A
Application number: JP14757897A
Authority: JP
Inventors: Atsumichi Kawashima; 敦道川島; Shunji Amano; 俊二天野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-06-05
Filing date: 1997-06-05
Publication date: 1998-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜の膜質および成膜速度を向上させること
ができる薄膜形成装置、および薄膜形成方法を提供す
る。【解決手段】プラズマＣＶＤ装置２０において、第１
に電界方向に垂直方向に磁界が形成されるように、反応
管２に対向して磁石８を配設する。第２に電界方向に平
行方向に磁界が形成されるように、反応管２に対向して
磁石８を配設する。第３に、電界の周囲に磁界が形成さ
れるように反応管の周囲に磁石８を配設する。かかるプ
ラズマＣＶＤ装置２０を用いることにより、プラズマ密
度を増大しつつ、膜質および成膜速度を増大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ反応を利用
した薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法に関
し、さらに詳しくは、形成される膜質に特徴を有する薄
膜形成装置および薄膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ反応を利用した薄膜形成装置お
よび薄膜形成方法を応用して、薄膜を形成する分野に
は、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体上への
保護層の形成、または磁気ヘッド上への保護層の形成等
がある。これらの保護層を形成する工程では、高スルー
プット化とともに、これにより形成された保護層の硬度
および耐摩耗性等の膜質特性の改善が求められている。

【０００３】これらの薄膜では、特にダイアモンドライ
クカーボン膜（以下、ＤＬＣ膜と略す。）が注目されて
おり、それを形成するための薄膜形成装置および薄膜形
成方法の改善が課題となっている。以下、ＤＬＣ膜を形
成する代表的なプラズマＣＶＤ装置を例にとり説明す
る。

【０００４】従来のＤＣ電源式のプラズマＣＶＤ装置で
は、プラズマ密度が十分に大きくならず、トルエンやエ
チレン等の原料の炭化水素ガスが完全に分解せず部分的
に重合する傾向にあった。そのために、成膜されるＤＬ
Ｃ膜の性質が、重合膜の性質に近くなり、硬度や耐摩耗
性の特性がＤＬＣ膜としては不充分なものになる可能性
があった。

【０００５】また、ＣＶＤ装置の反応管内の圧力を下げ
ることにより、原料の電離効率を増大させることが可能
だが、成膜速度は低下する。さらに、プラズマに印加す
る電圧を上げてもプラズマ密度を増大できるが、アーク
放電の頻度の増加を考慮すると現実的でない。

【０００６】また、成膜速度を上げようとする場合、反
応管圧力の増加や、原料供給量の増加が考えられるが、
いずれも原料の電離効率を減少させるので、原料が分解
せずに重合した重合物の割合が増加しＤＬＣ膜の膜質が
劣化する虞れがある。

【０００７】高密度プラズマを得る装置として、電子サ
イクロトロン共鳴（ＥＣＲ）装置やヘリコン波プラズマ
装置が知られているが、磁気テープ等の保護膜としてＤ
ＬＣ膜を成膜しようとするとその構造が複雑になり、マ
イクロ波電源や高周波電源が必要となり生産性が低下す
る。このような背景のもとに、ＤＣ電源式のプラズマＣ
ＶＤ装置の単純な構造の特徴を生かしながら、高速で高
品質なＤＬＣ膜を成膜できる薄膜形成装置および薄膜形
成方法が求められていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のかか
る問題点に鑑み、ＤＬＣ膜等の高速かつ、高品質な成膜
を実現する薄膜形成装置および薄膜形成方法の提供を課
題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜形成装置および薄膜形成方法は、プラ
ズマ反応を利用した薄膜形成装置であって、少なくと
も、プラズマ反応領域に、被処理体を含む面に対して平
行面に２個以上の磁石を配設することを特徴とした装置
を採用し、この装置を用いて薄膜を形成することを特徴
とする。

【００１０】本発明の薄膜形成装置のより具体的な磁石
構成は、磁石をプラズマ反応領域に、被処理体を含む面
に対して垂直方向に磁界が形成されるように配設し、か
かる磁石構成を採用した薄膜形成装置を用いて薄膜を形
成することを特徴とする。（以下、第１の薄膜形成装置
および薄膜形成方法とする。）

【００１１】本発明の薄膜形成装置のより具体的な磁石
構成は、磁石をプラズマ反応領域に、被処理体を含む面
に対して平行方向に磁界が形成されるように配設し、か
かる磁石構成を採用した薄膜形成装置を用いて薄膜を形
成することを特徴とする。（以下、第２の薄膜形成装置
および薄膜形成方法とする。）

【００１２】本発明の薄膜形成装置のより具体的な磁石
構成は、磁石をプラズマ反応領域に、被処理体を含む面
に対して垂直方向に取り囲むように配設し、かかる磁石
構成を採用した薄膜形成装置を用いて薄膜を形成するこ
とを特徴とする。（以下、第３の薄膜形成装置および薄
膜形成方法とする。）

【００１３】前述の磁石は、ゴム磁石、鉄・ネオジム・
ボロン合金、アルニコ合金、サマリウム・コバルト合金
のいずれか１種を有する永久磁石であることが望まし
い。

【００１４】また、本発明を反応管を備えた薄膜形成装
置に適用した場合、磁石を反応管の内側および外側のい
ずれか一方に配設することにより同様の特徴が得られ
る。さらに、反応管自体を磁性体とすることで、別途磁
石を使用せずに本発明の特徴が得られる。磁性体として
は、フェライトを含むセラミックスおよびフェライトを
含むガラスのうちのいずれかを用いることが望ましい。

【００１５】また、本発明の薄膜形成装置をプラズマＣ
ＶＤ装置、特にＤＣ電源式のプラズマＣＶＤ装置に適用
すると有効である。さらに、以上に述べたかかる成膜装
置を用いた成膜方法により、同様の特徴が得られる。

【００１６】被処理体が、磁気記録媒体または磁気ヘッ
ドの場合、保護層として耐摩耗性を有する薄膜を本発明
の薄膜形成方法により成膜すると有効である。保護層と
しては、カーボン、ダイアモンドライクカーボン、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＡｌＮ、ＡｌＣ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＢＣおよびＢＮのうちの少な
くとも１種を有することが望ましい。

【００１７】上述した手段による作用を以下に説明す
る。

【００１８】第１の薄膜形成装置および薄膜形成方法で
は、荷電粒子が磁界の磁力線方向に軌道をもつように運
動し電極に到達しにくくなる。その結果、荷電粒子の寿
命が大きくなり、プラズマ密度が増大することになる。
これは一般に電子やイオン等の荷電粒子が磁力線に沿っ
て運動する性質を有するからである。

【００１９】また、第２の薄膜形成装置および薄膜形成
方法では、荷電粒子が磁界の磁力線方向に運動するとき
はローレンツ力が働きらせん運動を行うので、荷電粒子
の行程が、直線運動の時よりも大きくなる。従って、荷
電粒子が他の分子に衝突する確率が増大し、衝突電離す
る確率も大きくなる。その結果、荷電粒子のプラズマ密
度が増大することになる。

【００２０】また、第３の薄膜形成装置および薄膜形成
方法では、荷電粒子は表面磁束密度の大きいところには
侵入できないのでプラズマ密度が増大することになる。
これは一般に、荷電粒子は反応管等の壁面等で電子やイ
オンと再結合して消滅するが、壁面を磁石で覆うと荷電
粒子は壁面に到達できず、従って消滅することもないか
らである。

【００２１】本発明の薄膜形成装置において、反応管を
用いた場合に適用すると、反応管内に原料ガスを閉じ込
めることができ、実質的にプラズマ密度が大きくなる。
また、反応管を磁性体で構成すると、磁石の配設が不要
となり一体化できる。

【００２２】本発明の薄膜形成装置は、プラズマＣＶＤ
装置、特にＤＣ電源式のプラズマＣＶＤ装置に適用する
と、ＤＣ電源式の簡便な装置構成を生かしながら、プラ
ズマ密度を大きくすることができる。従って、以上の作
用により高密度プラズマを有する生産性に優れた成膜装
置およびかかる成膜装置を用いた成膜方法を提供でき
る。

【００２３】本発明の薄膜形成方法を磁気テープや磁気
ディスク等の磁気記録媒体、または磁気ヘッドの保護層
の薄膜形成に適用すると、得られるＤＬＣ膜等の耐摩耗
性および成膜速度が向上する。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例として、反
応管を用いたＤＣ電源式のプラズマＣＶＤ装置を例にと
り、以下に図１〜図６を参照して説明する。

【００２５】図１は、磁気テープ等の被処理体１を連続
的に成膜するＤＣ電源式の連続成膜型プラズマＣＶＤ装
置２０の概略構成断面図である。真空排気系６を具備し
た真空槽７において、反応管２に導入された原料ガス
は、ＤＣ電源３で電極４によりプラズマ化されキャン状
の対向電極５上の被処理体１に成膜される。反応管２の
周囲には、磁石８が配設されている。

【００２６】図２は、被処理体１をバッチ式に成膜する
ＤＣ電源式の平行平板型プラズマＣＶＤ装置３０の概略
構成断面図である。真空排気系６を具備した真空槽７に
おいて、反応管２に導入された原料ガスは、ＤＣ電源３
で電極４によりプラズマ化され平行平板状の対向電極５
上の被処理体１に成膜される。反応管２の周囲には、磁
石８が配設されている。

【００２７】図３は、前述の連続成膜型プラズマＣＶＤ
装置２０において、反応管２の周囲に磁石８を配設する
構成を示す概略斜視図であり、第１の薄膜形成装置に相
当するものである。磁石８は、反応管２をはさんで対向
して配設されており、磁石８により形成される磁界方向
１０は、図中の矢印で示した電界方向９に垂直である。
磁石８は、例えば鉄・ネオジム・ホウ素合金を用いるこ
とができる。

【００２８】図４は、前述の連続成膜型プラズマＣＶＤ
装置２０において、反応管２の周囲に磁石８を配設する
構成を示す概略斜視図であり、第２の薄膜形成装置に相
当するものである。磁石８は、反応管２をはさんで対向
して配設されており、磁石８により形成される磁界方向
１０は、図中の矢印で示した電界方向９に平行である。
磁石８は、例えば鉄・ネオジム・ホウ素合金を用いるこ
とができる。

【００２９】図５は、前述の連続成膜型プラズマＣＶＤ
装置２０において、反応管２の周囲に磁石８を配設する
構成を示す概略斜視図であり、第３の薄膜形成装置に相
当するものである。磁石８は、反応管２の内側の周囲に
取り囲むように配設されている。この場合、磁石８によ
り磁石の壁面に沿って磁界が形成される。磁石８は、例
えばフェライトゴム磁石を用いることができる。

【００３０】図６は、前述の平行平板型プラズマＣＶＤ
装置３０において、反応管２の周囲に磁石８を配設する
構成を示す概略斜視図であり、第３の薄膜形成装置に相
当するものである。磁石８は、反応管２の周囲に外側か
ら取り囲むように配設される。この場合、磁石８により
磁石８の壁面に沿って磁界が形成される。磁石８は、例
えば鉄・ネオジム・ホウ素合金を用いることができる。

【００３１】以下、本発明の薄膜形成の好適な実施例に
つき、適宜、比較例を交えつつ、さらに詳しく説明す
る。以下の実施例および比較例は、前述の連続成膜型プ
ラズマＣＶＤ装置２０または平行平板型プラズマＣＶＤ
装置３０を使用して、被処理体１に１例としてＤＬＣ膜
を形成するときの事例である。

【００３２】実施例１成膜装置は、図１の連続成膜型プラズマＣＶＤ装置を用
い、磁石は、鉄・ネオジム・ホウ素合金を使用し、反応
管２との位置関係を図３のような配置になるように配設
した。磁石８の表面磁束密度は０．１８Ｔ、反応管２の
中心部での磁束密度は４×１０^-2Ｔであった。また、Ｃ
ＶＤ成膜条件は以下の通りである。原料条件原料ガスエチレン流量１２０ｃｍ³／ｍｉｎ反応管圧力４５Ｐａ電圧１．２ｋＶ

【００３３】実施例２成膜装置は、図１の連続成膜型プラズマＣＶＤ装置２０
を用い、磁石８は、鉄・ネオジム・ホウ素合金を使用
し、反応管２との位置関係を図４のような配置になるよ
うに配設した。磁石８の表面磁束密度は０．１８Ｔ、反
応管２の中心部では磁束密度は２×１０^-2Ｔであった。
また、ＣＶＤ成膜条件は実施例１と同様である。

【００３４】実施例３成膜装置は、図１の連続成膜型プラズマＣＶＤ装置２０
を用い、磁石８は、厚さ１ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ５０
０ｍｍのフェライトゴム磁石を使用し、反応管２との位
置関係を図５のような配置になるように反応管２の内側
に環状に巻いて配設した。その場合、磁石は積層し、実
際の厚さが３ｍｍ、６ｍｍ、９ｍｍとなるようにした。
磁石の着磁は厚さ方向である。磁石８表面から垂直方向
の磁束密度を［表１］に示し、磁石８表面から水平方向
の磁束密度を［表２］に示した。磁束密度の値は、Ｔ
（×１０^-4）である。ただし、本実施例では、以下のＤ
ＬＣ膜の成膜には、実際の磁石厚さが９ｍｍの場合のフ
ェライトゴム磁石を使用した。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【表２】

【００３７】ＣＶＤ成膜条件は以下の通りである。

【００３８】実施例４成膜装置および磁石構成は実施例３と同様である。ＣＶ
Ｄ成膜条件は、以下の通りである。

【００３９】実施例５この場合の成膜装置は、図２に示す平行平板型プラズマ
ＣＶＤ装置３０を用いる。磁石８は、鉄・ネオジム・ホ
ウ素合金を使用し、反応管２との位置関係を図６のよう
な配置になるように配設した。その場合の磁石８の表面
磁束密度は、８×１０^-2Ｔであった。また、ＣＶＤ成膜
条件は、以下の通りである。原料条件原料ガスエチレン及び流量２９ｃｍ³／ｍｉｎ反応管圧力４５Ｐａ電圧１．２ｋＶ

【００４０】比較例１本比較例の成膜装置は、図１の連続成膜型プラズマＣＶ
Ｄ装置２０を用い、磁石８は反応管２の周囲に配設しな
かったものである。また、ＣＶＤ成膜条件は実施例１と
同様である。

【００４１】比較例２本比較例の成膜装置は、図１の連続成膜型プラズマＣＶ
Ｄ装置２０を用い、磁石８は反応管２の周囲に配設しな
かったものである。また、ＣＶＤ成膜条件は実施例３と
同様である。

【００４２】比較例３本比較例の成膜装置は、図２の平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置３０を用い、磁石８は反応管２の周囲に配設しな
かったものである。また、ＣＶＤ成膜条件は実施例５と
同様である。

【００４３】実施例１〜５および比較例１〜３の、成膜
時の電流、成膜速度および膜密度を測定した結果を［表
３］に示す。ここで、ＤＬＣ膜の膜密度の測定は、図２
に示す平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用してシリコ
ン基板上に成膜し、密度はＤＬＣ膜の質量、成膜面積お
よび膜厚の測定値から計算した。

【００４４】

【表３】

【００４５】［表３］から明らかなように、実施例１お
よび実施例２は、磁石８を配設しなかった比較例１に比
べてプラズマ密度および成膜速度が大きかった。

【００４６】実施例３は、その比較例２に比べてプラズ
マ密度および成膜速度が大きい。また、成膜条件の原料
ガス条件を半減した実施例４ではその比較例２に比べて
成膜速度が変わらなかった。これは、プラズマ密度が大
きくなることにより、原料ガスの電離効率が大きくな
り、同じ成膜速度を維持するときは、原料の使用量の削
減が可能となるものと推察されるからである。

【００４７】実施例５はその比較例３に比べてプラズマ
密度および成膜速度が大きく、成膜されたＤＬＣ膜の密
度が大きかった。これは、原料ガスの電離効率の向上に
より、密度が大きく緻密な薄膜が得られるものと推察さ
れるからである。

【００４８】以上の実施例１ないし５は、ＤＣ電源式の
プラズマＣＶＤ装置を用いた例を１例として説明した
が、プラズマ反応を利用した、スパッタリング装置、イ
オンプレーティング装置、プラズマ重合装置等にも適用
できる。またプラズマＣＶＤ装置ではＲＦ電源式のプラ
ズマＣＶＤ装置、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置およびヘリ
コン波プラズマＣＶＤ装置等にも適用できる。

【００４９】

【発明の効果】本発明の薄膜形成装置を用いれば、原料
ガスのプラズマ密度および成膜速度を大きくでき、膜質
および生産性の良好な成膜装置を提供できる。

【００５０】本発明の薄膜形成方法によれば、原料ガス
のプラズマ密度および成膜速度を大きくでき、膜質およ
び生産性の良好な成膜方法を提供できる。

【００５１】本発明の他の薄膜形成装置である、反応管
を用いた薄膜形成装置の場合には、プラズマを閉じ込め
ることができ実質的にプラズマ密度が上がる。また、反
応管を磁性体で構成すると、磁石を使用せずに同等の効
果を得ることができ装置の簡略化が図れる。

【００５２】本発明の薄膜形成装置は、プラズマＣＶＤ
装置に適用すると有効であり、特にＤＣ電源式のプラズ
マＣＶＤ装置に適用すると、ＤＣ電源式の装置の簡略化
を保有し、かつプラズマ密度の増大と成膜速度の増大が
図れる。また、かかる成膜装置を用いた成膜方法によれ
ば、高プラズマで膜質および生産性の良好な成膜方法を
提供できる。

【００５３】本発明の薄膜形成方法によれば、膜質の優
れた薄膜が得られ、特に、磁気記録媒体または磁気ヘッ
ドの保護層として、ＤＬＣ膜等の形成に適用すると成膜
速度が大きく、耐摩耗性に優れた膜を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】連続成膜型プラズマＣＶＤ装置の概略構成断
面図である。

【図２】平行平板型プラズマＣＶＤ装置の概略構成断
面図である。

【図３】磁界が電界と垂直方向に配設された磁石と反
応管との配置関係を模式的に示す概略斜視図である。

【図４】磁界が電界と平行方向に配設された磁石と反
応管との配置関係を模式的に示す概略斜視図である。

【図５】電界を取り囲むように配設された磁石と反応
管との配置関係を模式的に示す概略斜視図である。

【図６】電界を取り囲むように配設された磁石と反応
管との配置関係を模式的に示す概略斜視図である。

【符号の説明】

１…被処理体、２…反応管、３…ＤＣ電源、４…電極、
５…対向電極、６…真空排気系、７…真空槽、８…磁
石、９…電界方向、１０…磁界方向、１１…厚さ、２０
…連続成膜型プラズマＣＶＤ装置、３０…平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ反応を利用して被処理体上に薄
膜を形成する薄膜形成装置において、少なくとも、前記プラズマ反応領域に、前記被処理体を
含む面に対向した平行面に２個以上の磁石を配設するこ
とを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】前記磁石は、前記プラズマ反応領域に前
記被処理体を含む面に対して垂直方向に磁界が形成され
るように配設されることを特徴とする請求項１に記載の
薄膜形成装置。
【請求項３】前記磁石は、前記プラズマ反応領域に前
記被処理体を含む面に対して平行方向に磁界が形成され
るように配設されることを特徴とする請求項１に記載の
薄膜形成装置。
【請求項４】前記磁石は、前記プラズマ反応領域に前
記被処理体を含む面に対して垂直方向に取り囲むように
配設されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成
装置。
【請求項５】前記磁石は、ゴム磁石、鉄・ネオジム・
ボロン合金、アルニコ合金、サマリウム・コバルト合金
のうちのいずれか１種を有する永久磁石であることを特
徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項６】前記薄膜形成装置は、少なくとも、前記
プラズマ反応領域に、前記被処理体を含む面に対向した
平行面に２個以上の磁石を配設するとともに、反応管を具備することを特徴とする請求項１に記載の薄
膜形成装置。
【請求項７】前記磁石が、前記反応管の内側および外
側のいずれか一方に配設されることを特徴とする請求項
６に記載の薄膜形成装置。
【請求項８】前記薄膜形成装置は、プラズマＣＶＤ装
置であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装
置。
【請求項９】少なくとも、反応管を備え、プラズマ反
応を利用した薄膜形成装置において、前記反応管が磁性体を有することを特徴とする薄膜形成
装置。
【請求項１０】前記磁性体は、フェライトを含むセラ
ミックスおよびフェライトを含むガラスのうちのいずれ
かを有することを特徴とする請求項９に記載の薄膜形成
装置。
【請求項１１】プラズマ反応を利用して被処理体上に
薄膜を形成する薄膜形成方法において、少なくとも、前記プラズマ反応領域に、前記被処理体を
含む面に対向した平行面に２個以上の磁石を配設した薄
膜形成装置を用い、被処理体に薄膜を形成する工程を有
することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１２】前記磁石は、前記プラズマ反応領域
に、前記被処理体を含む面に対して垂直方向に磁界が形
成されるように配設されることを特徴とする請求項１１
に記載の薄膜形成方法。
【請求項１３】前記磁石は、前記プラズマ反応領域
に、前記被処理体を含む面に対して平行方向に磁界が形
成されるように配設されることを特徴とする請求項１１
に記載の薄膜形成方法。
【請求項１４】前記磁石は、前記プラズマ反応領域
に、前記被処理体を含む面に対して垂直方向に取り囲む
ように配設されることを特徴とする請求項１１に記載の
薄膜形成方法。
【請求項１５】前記磁石は、ゴム磁石、鉄・ネオジム
・ボロン合金、アルニコ合金、サマリウム・コバルト合
金のうちのいずれか１種を有する永久磁石であることを
特徴とする請求項１１に記載の薄膜形成方法。
【請求項１６】前記薄膜形成方法は、少なくとも、前
記プラズマ反応領域に、被処理体を含む面に対向した平
行面に２個以上の磁石を配設するとともに、反応管を具備する薄膜形成装置を用いて、薄膜を形成す
る工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の薄
膜形成方法。
【請求項１７】前記磁石が、前記反応管の内側および
外側のいずれか一方に配設されてなる薄膜形成装置を用
いて、薄膜を形成する工程を有することを特徴とする請
求項１６に記載の薄膜形成方法。
【請求項１８】前記薄膜形成方法は、プラズマＣＶＤ
法を含むことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜形成
方法。
【請求項１９】前記被処理体が磁気記録媒体であり、前記薄膜を形成する工程が、前記磁気記録媒体の磁気記
録層の保護層を形成する工程であることを特徴とする請
求項１１に記載の薄膜形成方法。
【請求項２０】前記被処理体が磁気ヘッドであり、前記薄膜を形成する工程が、前記磁気ヘッドの磁気記録
媒体に対向する摺動面に保護層を形成する工程であるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の薄膜形成方法。
【請求項２１】前記保護層が、カーボン、ダイアモン
ドライクカーボン、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＣ、ＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＣ、ＴｉＮ、Ｂ
Ｃ、およびＢＮのうちの少なくとも１種を有することを
特徴とする請求項１９または請求項２０に記載の薄膜形
成方法。
【請求項２２】少なくとも、反応管を備え、プラズマ
反応を利用して被処理体上に薄膜を形成する薄膜形成装
置を用い、薄膜を形成する工程を有する薄膜形成方法に
おいて、前記反応管が磁性体からなることを特徴とする薄膜形成
方法。
【請求項２３】前記磁性体は、フェライトを含むセラ
ミックスおよびフェライトを含むガラスのうちのいずれ
かを有することを特徴とする請求項２２に記載の薄膜形
成方法。
【請求項２４】前記被処理体が磁気記録媒体であり、前記薄膜を形成する工程が、前記磁気記録媒体の磁気記
録層の保護層を形成する工程であることを特徴とする請
求項２２に記載の薄膜形成方法。
【請求項２５】前記被処理体が磁気ヘッドであり、前記薄膜を形成する工程が、前記磁気ヘッドの磁気記録
媒体に対向する摺動面に保護層を形成する工程であるこ
とを特徴とする請求項２２に記載の薄膜形成方法。
【請求項２６】前記保護層が、カーボン、ダイアモン
ドライクカーボン、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＣ、ＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＣ、ＴｉＮ、Ｂ
Ｃ、およびＢＮのうちの少なくとも１種を有することを
特徴とする請求項２４または請求項２５に記載の薄膜形
成方法。