CN106104768B - 等离子体处理方法和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。

Description

等离子体处理方法和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。
背景技术
以往，在半导体装置的制造工序等中使用了使气体等离子体化并作用于基板(例如，半导体晶圆)来对基板实施蚀刻处理等的等离子体处理装置。并且，作为这样的等离子体处理装置，已知有一种上部电极和下部电极以相对的方式配置在处理腔室内、通过向这些电极之间施加高频电力来产生等离子体的所谓电容耦合型的等离子体处理装置。而且，在这样的结构的等离子体处理装置中，已知有一种利用磁场控制等离子体密度的装置(参照例如专利文献1。)。
在所述等离子体处理装置的情况下，对于基板的外周缘部和比基板靠外侧的部分，因其构造、材质不同，形成于上部的等离子体鞘层在厚度上容易产生不同。然后，在等离子体鞘层在厚度上产生不同时，在等离子体鞘层的界面(等离子体鞘层与等离子体之间的界面)产生凹凸，在该凹部和凸部的交界，等离子体鞘层的界面产生倾斜的部分。在该等离子体鞘层的界面倾斜的部分，离子的入射角变得倾斜，发生蚀刻状态产生倾斜的所谓偏斜(Tilting)。因此，以将比基板靠外周的部分包围的方式配置包括Si或者SiC等的聚焦环，由此使等离子体鞘层的界面平坦化。另外，例如，变更聚焦环的厚度、材质，或者对聚焦环自身施加高频偏压，从而使等离子体鞘层的界面平坦化，抑制偏斜的发生(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013－149722号公报
专利文献2：日本特开2010－186841号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，在以往的等离子体处理装置中，通过配置将基板的外侧包围的聚焦环，抑制了在基板的外周部分产生偏斜。但是，在该情况下，若聚焦环耗损而其厚度发生变化，则会发生偏斜，因此存在这样的问题：需要频繁更换聚焦环，因维护时间的增加而导致生产效率降低，并且导致生产成本增加。
本发明是应对上述状况而做成的，提供一种与以往相比能够实现生产效率的提高和生产成本的降低的等离子体处理法和等离子体处理装置。
用于解决问题的方案
一技术方案的等离子体处理方法包括：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有：腔室；下部电极，其配置在所述腔室内；上部电极，其配置在所述腔室内，与所述下部电极相对；聚焦环，其配置在所述腔室内，将所述下部电极的周缘包围起来；以及环状线圈，其配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使所述环状线圈产生磁场、使所述基板的上部的等离子体鞘层的界面和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。
一技术方案的等离子体处理装置包括：腔室；下部电极，其配置在所述腔室内，用于载置基板；上部电极，其配置在所述腔室内，与所述下部电极相对；聚焦环，其配置在所述腔室内，将所述基板的周缘包围起来；环状线圈，其配置于所述上部电极的上部且比所述基板的周缘靠外侧的位置；导入部，其用于向所述腔室内导入处理气体；高频电源，其用于向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体；以及电流源，其用于向所述环状线圈供给电流，使所述环状线圈产生磁场，使所述基板的上部的等离子体鞘层的界面和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化。
发明的效果
采用本发明，与以往相比，能够实现生产效率的提高和生产成本的降低。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式的等离子体蚀刻装置的概略结构的图。
图2是示意性地表示图1的等离子体蚀刻装置的主要部分的概略结构的图。
图3是表示由电磁体形成的磁场的例子的图。
图4是用于说明偏斜的发生状态的图。
图5是示意性地表示偏斜角度、等离子体鞘层的界面的形状、离子的入射方向之间的关系的图。
图6是表示产生1G的磁场的情况下的偏斜角度的测量值的图。
图7是表示产生8G的磁场的情况下的偏斜角度的测量值的图。
图8是表示产生15G的磁场的情况下的偏斜角度的测量值的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。图1是示意性地表示实施方式的等离子体处理装置的概略截面结构的图。图1所示的等离子体处理装置10具有圆筒状的处理腔室12，处理腔室12气密地构成，用于收容直径例如300mm的半导体晶圆W。
在处理腔室(腔室)12内的下方配置有用于载置半导体晶圆W的圆板形状的载置台14。载置台14包括基台14a(下部电极)和静电吸盘14b。基台14a由铝等的导电性的构件构成。
在基台14a的上表面的周缘的区域，以将半导体晶圆W的周围包围起来的方式设有环状的聚焦环26。另外，在基台14a的上表面的中央的区域设有静电吸盘14b。静电吸盘14b为圆板形状，具有设于绝缘膜的内侧的电极膜。从直流电源(未图示。)向静电吸盘14b的电极膜供给直流电压，而产生静电力，对作为基板的半导体晶圆W进行吸附。
在将半导体晶圆W载置于静电吸盘14b上的状态下，沿上下方向通过半导体晶圆W的中心的中心轴线Z与基台14a以及静电吸盘14b的中心轴线大致一致。
基台14a构成下部电极。产生等离子体生成用的高频电力的第1高频电源18经由第1匹配器22连接于该基台14a。第1高频电源18产生例如频率100MHz的高频电力。另外，第1匹配器22具有用于使该第1匹配器22的输出阻抗与负载侧(下部电极侧)的输入阻抗匹配的电路。
在本实施方式中，第1高频电源18能够以期望的频率(例如50kHz)以及期望的占空比(例如，20％)以脉冲状施加等离子体生成用的高频电力。由此，设有等离子体生成期间和等离子体非生成期间，能够减轻在半导体晶圆W上的特定部位产生电荷的积累。即，在等离子体生成期间，因等离子体中的电子密度的不均匀而在电子密度高的部分产生电荷的积累，但通过设置等离子体非生成期间，能够使该期间内积累的电荷向周围分散，能够消除电荷的积累。由此，能够防止发生绝缘膜的破坏等。
另外，产生离子吸引用的高频偏置电力的第2高频电源20经由第2匹配器24连接于基台14a。第2高频电源20产生频率比第1高频电源18的频率低(例如，频率3.2MHz)的高频电力。另外，第2匹配器24具有用于使该第2匹配器24的输出阻抗与负载侧(下部电极侧)的输入阻抗匹配的电路。
在载置台(下部电极)14的上方以隔着处理空间S与载置台14相对的方式配置有上部电极16。上部电极16为圆板状，从处理空间S的上方划分出处理空间S。上部电极16配置为其中心轴线与载置台14的中心轴线大致一致。
上部电极16兼具将规定的处理气体呈喷淋状导入处理空间S的喷淋头(向腔室内导入处理气体的导入部)的功能。在本实施方式中，在上部电极16形成有缓冲室16a、气体管线16b、以及多个气孔16c。缓冲室16a与气体管线16b的一端相连接。另外，缓冲室16a与多个气孔16c相连接，这些气孔16c向下方延伸，朝向处理空间S开口。在本实施方式中，上部电极16与喷淋头(导入部)形成为一体，但是上部电极16与喷淋头也可以是相对独立的。
另一方面，在处理腔室12的底部连接有未图示的TMP(涡轮分子泵：TurboMolecular Pump)以及DP(干泵：Dry Pump)等排气机构，能够将处理腔室12内的压力维持为规定的减压气氛。
在上部电极16的上部配置有电磁体30。电磁体30包括芯构件50以及线圈(环状线圈)61～64。芯构件50具有一体形成有柱状部51、多个圆筒部52～55以及基部56的构造，芯构件50由磁性材料形成。基部56具有大致圆板形状，以其中心轴线沿着中心轴线Z的方式设置。柱状部51、多个圆筒部52～55配置为从基部56的下表面向下方突出。柱状部51具有大致圆柱形状，以其中心轴线沿着中心轴线Z的方式设置。该柱状部51的半径L1(参照图2)例如为30mm。
圆筒部52～55的每一个都具有沿轴线Z方向延伸的圆筒形状。如图2所示，圆筒部52～55分别沿着以中心轴线Z为中心的多个同心圆C2～C5设置。具体而言，圆筒部52沿着比半径L1大的半径L2的同心圆C2配置。圆筒部53沿着比半径L2大的半径L3的同心圆C3配置。圆筒部54沿着比半径L3大的半径L4的同心圆C4配置。圆筒部55沿着比半径L4大的半径L5的同心圆C5配置。
在一例中，半径L2、L3、L4、L5分别为76mm、127mm、178mm、229mm。另外，线圈61、62、63、64的中心的位置分别距离中心轴线Z大约50mm、100mm、150mm、200mm。
在柱状部51与圆筒部52之间划分出槽。如图1所示，在该槽中收容有沿柱状部51的外周面卷绕的线圈61。在圆筒部52与圆筒部53之间也划分出槽，在该槽中收容有沿圆筒部52的外周面卷绕的线圈62。另外，在圆筒部53与圆筒部54之间也划分出槽，在该槽中收容有沿圆筒部53的外周面卷绕的线圈63。进而，在圆筒部54与圆筒部55之间也划分有槽，在该槽中收容有沿圆筒部54的外周面卷绕的线圈64。这些线圈61～64中的各线圈的两端与电源(电流源)31～34相连接。利用来自控制部Cnt的控制信号来控制从电源31～34相对于线圈61～64中的各线圈的电流的供给及供给停止、以及电流值。
这里，在电磁体30中，如上述那样，半径L4、L5比半导体晶圆W的半径150mm大。因而，如图1所示，线圈64位于比半导体晶圆W的外周缘部靠外侧的位置，配置为至少其一部分位于聚焦环26的上方。另外，线圈61、62配置为位于半导体晶圆W的上方，尤其是位于比半导体晶圆W的外周缘部靠内侧的位置。线圈63配置为跨着半导体晶圆W的外周缘部的内侧和外侧。
半导体晶圆W的外周缘部的内侧和外侧由图1所示的交界B划分开来。交界B沿半导体晶圆W的周缘配置，呈相对于中心轴线Z具有旋转对称性的大致圆筒面形状。
采用上述结构的电磁体30，从电源31～34向线圈61～64中的一个以上的线圈供给电流，从而能够在处理空间S形成相对于中心轴线Z具有沿着径向的水平磁场成分BH的磁场B。图3表示由电磁体30形成的磁场的例子。
图3的(a)表示相对于中心轴线Z而言的半平面内的电磁体30的截面及向线圈62供给了电流时的磁场B，图3的(b)表示向线圈62供给了电流时的水平磁场成分BH的强度分布。
另外，图3的(c)表示相对于中心轴线Z而言的半平面内的电磁体30的截面及向线圈64供给了电流时的磁场B，图3的(d)表示向线圈64供给了电流时的水平磁场成分BH的强度分布。在图3的(b)及图3的(d)所示的图表中，横轴表示中心轴线Z的位置为0mm时的径向的位置，纵轴表示水平磁场成分(磁场的水平成分)BH的强度(磁通密度)。
在向电磁体30的线圈62供给电流时，形成图3的(a)所示那样的磁场B。即，形成从柱状部51及圆筒部52的靠处理空间S侧的端部朝向圆筒部53～55的靠处理空间S侧的端部的磁场B。这样的磁场B的水平磁场成分BH的径向的强度分布如图3的(b)所示，为在线圈62的中心的下方具有峰值的强度分布。在一例中，线圈62的中心的位置为距离轴线Z大约100mm的位置，在处理直径300mm的晶圆W的情况下，在径向上为晶圆W的中心与边缘的中间位置。
另外，在向电磁体30的线圈64供给电流时，形成图3的(c)所示那样的磁场B。即，形成从柱状部51及圆筒部52～54的靠处理空间S侧的端部朝向圆筒部55的靠处理空间S侧的端部的磁场B。这样的磁场B的水平磁场成分BH的径向的强度分布如图3的(d)所示，为在线圈64的中心的下方具有峰值的强度分布。在一例中，线圈64的中心的位置为距离轴线Z大约200mm的位置，在处理直径300mm(半径150mm)的晶圆W的情况下，在径向上为晶圆W的边缘(交界B)的外侧、即聚焦环26的位置。
在等离子体处理装置10中，从构成喷淋头的上部电极16向处理空间S供给来自气体供给系统的处理气体，将来自第1高频电源18的高频电力施加于作为下部电极的载置台14，在上部电极16与载置台14之间产生高频电场。由此，在处理空间S生成处理气体的等离子体。于是，能够利用构成在等离子体中离解的处理气体的分子或者原子的活性种对半导体晶圆W进行处理。另外，通过调整从第2高频电源20向作为下部电极的载置台14供给的高频偏置电力，能够调整对离子的吸引程度。
另外，等离子体处理装置10具有控制部Cnt。控制部Cnt由可编程的计算机装置(处理器、存储器、输入装置以及显示器)等构成。控制部Cnt控制第1高频电源18产生的高频电力、第2高频电源20产生的高频电力、排气装置的排气量、从气体供给系统供给出的气体及该气体的流量、以及从电源31～34向电磁体30的线圈61～64供给的电流的值及电流的方向。为此，控制部Cnt按照制程(存储于存储器，或者从输入装置输入)向第1高频电源18、第2高频电源20、排气装置、气体供给系统的各构成要素、电源31～34(与电磁体30相连接的电流源)发送控制信号。
另外，在本实施方式中，控制部Cnt在等离子体处理时，控制电源34，向线圈64供给电流，产生磁场。结果，使形成在半导体晶圆W的上部及聚焦环26的上部的等离子体鞘层的界面(等离子体鞘层与等离子体之间的界面)平坦化为相对于半导体晶圆W的表面平行的平面。
在上述构成的等离子体处理装置10中，在半导体晶圆W的周围配置聚焦环26，从而使半导体晶圆W的外周部处的等离子体的状态与半导体晶圆W的上部一样，使半导体晶圆W的面内的处理均匀性得到提高。但是，若形成在半导体晶圆W的上部及聚焦环26的上部的等离子体鞘层的界面产生凹凸，则在等离子体鞘层的界面倾斜的部分，离子的入射角变得倾斜，发生蚀刻状态产生倾斜的所谓偏斜。
图4示意性地表示利用等离子体蚀刻在半导体晶圆W形成了孔、线形状的情况下的沿着径向的截面的放大图的例子。另外，在图4中，左侧为半导体晶圆W的中心方向，右侧为聚焦环(半导体晶圆W的周缘部)的方向。
如图4所示，利用等离子体蚀刻形成了孔、线形状的情况下，若离子相对于半导体晶圆W倾斜地入射，则蚀刻状态相对于半导体晶圆W产生倾斜。结果，形成的孔、线形状的上端部的空间的中心的位置(上端部空间中心)与底部的空间的中心的位置(底部空间中心)在径向上发生偏差，成为将它们连结起来的线A1相对于从上端部空间中心向下的垂线A2倾斜的状态。
这样的状态为发生了偏斜的状态，通过测量该线A1与垂线A2所成的角度(以下，称为偏斜角度)，能够定量地评价偏斜的发生状态。这样的偏斜在细微化的发展、例如三维NAND的多层化的发展中成为很大的问题，优选偏斜角度小于±1.0°的程度。
另外，图5示意性地表示上述偏斜角度、等离子体鞘层的界面的形状、离子的入射方向之间的关系。图5表示在使电流流向线圈64而形成了15G的磁场的情况下，在距离半导体晶圆W的中心0mm、30mm、60mm、80mm、100mm、125mm、145mm的位置测量偏斜角度的结果。各位置的偏斜角度为0.0、0.1、0.1、－0.5、－0.1、－0.6、－1.8度(deg)。在图5的上部示出了该情况下的预想的鞘层界面形状及离子的入射角。
如图5所示，通过使电流流向线圈64而形成磁场，能够控制等离子体鞘层的界面的形状。在该情况下，形成有磁场的部位的电子的滞留时间变长，等离子体密度变高。因此，等离子体鞘层的厚度变薄，等离子体鞘层的界面的位置变低。另外，在等离子体鞘层的界面产生凹凸时，在等离子体鞘层的界面倾斜的部分，离子的入射角(图5中箭头所示)变得倾斜，在该部分发生偏斜。
从图5所示的结果可知，通常的情况下，设定为在不施加磁场时在半导体晶圆W的中央部等离子体鞘层的界面成为与半导体晶圆W的面平行的平坦面。因此，在半导体晶圆W的周缘部，在等离子体鞘层的界面产生凹凸的可能性较高。即，由于半导体晶圆W与其周围的构造物在材质、构造上不同，形成在其上部的等离子体的状态受到影响，容易在等离子体鞘层的界面产生凹凸。为了抑制这样的现象，在半导体晶圆W的周围配置聚焦环26。但是，聚焦环26的耗损等导致厚度发生变化，由此，聚焦环26的上部的等离子体鞘层的界面的高度也发生变化。
另一方面，如图5所示，使电流仅流向被配置为位于比半导体晶圆W的外周缘部靠外侧的位置且其一部分位于聚焦环26的上方的线圈64，来形成磁场。结果，能够使特别是聚焦环26的上部的等离子体鞘层的厚度变化，能够使等离子体鞘层的界面的高度变化。
另外，在该情况下，在使电流仅流向线圈64的情况下，磁场的水平磁场成分BH的径向的强度分布如图3的(d)所示那样在线圈64的中心的下方(比半导体晶圆W的周缘部(交界B)靠外侧的位置)具有峰值(最大值)。
在本实施方式中，使电流仅流向线圈64来形成磁场，从而能够抑制在半导体晶圆W的周缘部处发生偏斜。
另外，在聚焦环26耗损的情况下，聚焦环26的厚度发生变化，由此聚焦环26上的等离子体的状态发生变化，等离子体鞘层的界面的高度也发生变化。但是，在本实施方式中，对流向线圈64的电流进行调整，使磁场的强度变化。结果，即使在聚焦环26耗损的情况下，也能够使等离子体鞘层的界面平坦化为与半导体晶圆W的表面平行的平面，能够抑制偏斜的发生。
图6～图8表示使电流仅流向线圈64而形成磁场的状态下进行半导体晶圆W的被蚀刻层的等离子体蚀刻的结果。即，在距半导体晶圆W的中心为0mm、30mm、60mm、80mm、100mm、125mm、145mm的位置测量利用蚀刻形成的图案的偏斜角度。图6是形成有1G的磁场的情况，图7是形成有8G的磁场的情况，图8是形成有15G的磁场的情况。
对于等离子体蚀刻，处理气体使用含有C4F8+C4F6+Ar+O2的气体，作为一例，按照以下的条件进行等离子体蚀刻。
处理腔室内压力：5.32Pa(40mTorr)
第1高频：频率100MHz，300W
第2高频：频率3.2MHz，10000W
处理时间：1分钟
其中，等离子体蚀刻条件并不限定于所述那样，能够从C4F8+C4F6＝10sccm～300sccm、Ar＝50sccm～800sccm、O2＝5sccm～150sccm中任意地选择处理气体的流量来将压力设定为1.33Pa～5.32Pa(10mTorr～40mTorr)。
如图6所示，在使电流流向线圈64而形成1G的磁场的情况下，距半导体晶圆W的中心为125mm的位置处的偏斜角度为+1.1度，存在偏斜角度为1.0度以上的部位。
如图7所示，在使电流流向线圈64而形成8G的磁场的情况下，所有位置处的偏斜角度都小于±1.0度，没有产生偏斜角度为1.0度以上的部位。
如图8所示，在使电流流向线圈64而形成15G的磁场的情况下，距半导体晶圆W的中心为145mm的位置处的偏斜角度为－1.8度，存在偏斜角度为1.0度以上的部位。
由所述图6～图8可知，使电流仅流向位于比半导体晶圆W的周缘部(交界B)靠外侧的位置的线圈64来形成磁场，利用电流的大小对该磁场的强度进行调整，从而能够控制半导体晶圆W的周缘部处的偏斜的状态。结果，能够形成为各部的偏斜角度均小于±1.0度的良好的状态。
另外，在图6所示的结果中，距半导体晶圆W的中心为125mm的位置处的偏斜角度为+1.1度，距半导体晶圆W的中心为145mm的位置处的偏斜角度为+0.6度。相对于此，在图8所示的结果中，距半导体晶圆W的中心为125mm的位置处的偏斜角度为－0.6度，距半导体晶圆W的中心为145mm的位置处的偏斜角度为－1.8度。此时，若通过提高磁场的强度来减薄等离子体鞘层的厚度而降低等离子体鞘层的界面的高度，则能够使离子的入射角反转，使偏斜角度从正方向变化为负方向。
以上，仅向线圈64供给电流，但除线圈64之外，还能够向线圈61～63中的至少任一者(或者全部)供给电流。向线圈61～63中的至少任一者以及线圈64供给电流，对向线圈64供给的电流进行调节，从而能够控制半导体晶圆W的周缘附近处的偏斜的状态。此时，只要不会因来自线圈61～63的磁场而损坏等离子体鞘层的厚度的均匀性即可。例如，能够通过使来自线圈61～63的磁场小于来自线圈64的磁场来避免损坏等离子体鞘层的厚度的均匀性。
在聚焦环26耗损而其厚度减小时，形成于聚焦环26的上部的等离子体鞘层的界面的高度发生变化，在等离子体鞘层的界面产生凹凸，因此发生偏斜。在这样的情况下，以往需要通过更换聚焦环26来进行应对。
相对于此，采用本实施方式，根据聚焦环26的耗损状态来调整流向线圈64的电流，对磁场的强度进行控制，从而能够将等离子体鞘层的界面维持为平坦的状态，能够抑制发生偏斜。由此，能够推迟聚焦环26的更换时期，能够谋求聚焦环26的寿命的长期化，还能够使维护周期长期化，因此实现生产率的提高和生产成本的降低。
其中，本发明并不限定于所述实施方式及实施例，能够进行各种变形，这是不言而喻的。

Claims (7)

1.一种等离子体处理方法，其中，
该等离子体处理方法包括如下工序：
准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有：腔室；下部电极，其配置在所述腔室内；上部电极，其配置在所述腔室内，与所述下部电极相对；聚焦环，其配置在所述腔室内，将所述下部电极的周缘包围起来；以及电磁体，其配置于所述上部电极的上部上，并与载置在所述下部电极上的基板同心状配置，整体呈环状，具有芯构件以及多个环状线圈，其中，所述芯构件具有一体形成有基部、柱状部以及多个圆筒部的构造，所述基部具有大致圆板形状，所述柱状部和所述多个圆筒部配置为从所述基部的下表面向下方突出，在所述柱状部与距离所述柱状部最近的圆筒部之间、以及各相邻圆筒部之间划分出用于收容所述多个环状线圈的槽，各环状线圈呈环状，并且各环状线圈之间呈同心状配置，各环状线圈均与所述上部电极和所述下部电极同心状配置，所述多个环状线圈包括位于所述下部电极的外周的外侧的1个环状线圈和位于所述下部电极的外周的内侧的其它环状线圈；
将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；
向所述腔室内导入处理气体的工序；
向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及
向所述1个环状线圈供给电流、使该环状线圈产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
通过使所述等离子体鞘层的界面平坦化，使得通过由所述等离子体进行的蚀刻而形成在所述基板上的图案产生偏斜的情况受到抑制。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
由所述1个环状线圈产生的磁场的水平成分在比所述基板的周缘靠外侧的位置具有最大值。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
该等离子体处理方法还包括根据所述聚焦环的耗损状态使向所述1个环状线圈供给的电流变化的工序。
5.一种等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置包括：
腔室；
下部电极，其配置在所述腔室内，用于载置基板；
上部电极，其配置在所述腔室内，与所述下部电极相对；
聚焦环，其配置在所述腔室内，将所述基板的周缘包围起来；
电磁体，其配置于所述上部电极的上部上，并与载置在所述下部电极上的基板同心状配置，整体呈环状，具有芯构件以及多个环状线圈；
导入部，其用于向所述腔室内导入处理气体；
高频电源，其用于向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体；以及
电流源，其用于至少向配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈供给电流，使该环状线圈产生磁场，使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化，
其中，所述芯构件具有一体形成有基部、柱状部以及多个圆筒部的构造，所述基部具有大致圆板形状，所述柱状部和所述多个圆筒部配置为从所述基部的下表面向下方突出，在所述柱状部与距离所述柱状部最近的圆筒部之间、以及各相邻圆筒部之间划分出用于收容所述多个环状线圈的槽，
各环状线圈呈环状，并且各环状线圈之间呈同心状配置，各环状线圈均与所述上部电极和所述下部电极同心状配置，
所述多个环状线圈包括位于所述下部电极的外周的外侧的1个环状线圈和位于所述下部电极的外周的内侧的其它环状线圈。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
由配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈产生的磁场的水平成分在比所述基板的周缘靠外侧的位置具有最大值。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置还包括控制部，该控制部根据所述聚焦环的耗损状态控制所述电流源，以使向配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈供给的电流变化。
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