JP6007380B2 - プラズマcvd装置及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、真空排気機構を起動させ、チャンバーの内部を所定の真空状態とし、チャンバーの内部にガス導入機構によって成膜原料ガスとして例えばトルエン(C7H8)ガスを導入する。また、カソード電極103にカソード電源105によって交流電流を供給し、被成膜基板101にDC電源112によって直流電流を供給し、DC電源107からアノード電極104に直流電流を供給する。
図4(A)のデータを取得した際のDLC膜の成膜条件は以下のとおりである。
成膜装置:SUS製のプラズマウォールを備えたプラズマCVD装置(インナーシールドに電位を付加せずにフロートとした点以外は図1に示すプラズマCVD装置と同様の構成)
出発原料:高純度トルエン
ガス流量:3.0sccm
圧力 :0.3Pa
成膜時間:1時間あたり2sec×450回
カソードフィラメント103:タンタルフィラメント
交流電源105の出力:230W
DC電源107の電流:1650mA
DC電源112の電圧:250V
(1)チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記空間の電場をコントロールする機構と、
前記アノードに電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記機構は、前記インナーシールドに電気的に接続され電源を有することを特徴とするプラズマCVD装置。
前記電源は、直流電源、直流パルス電源、直流バイポーラ電源及び高周波電源の群から選択された一の電源であることを特徴とするプラズマCVD装置。
(3)上記(1)または(2)において、
前記機構は、前記空間の電場の初期状態に対する変動を抑制するようにコントロールする機構であることを特徴とするプラズマCVD装置。
(4)上記(3)において、
前記機構は、前記インナーシールドの電圧を測定する電圧計を有し、前記インナーシールドの電圧の初期状態に対する変動を抑制するようにコントロールする機構であることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記チャンバー内に配置されたアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられ、前記アノードに電気的に接続されたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。
前記インナーシールドは、前記アノードと一体的に形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
前記インナーシールドの前記被成膜基板側の端部に形成された膜厚補正板を有しており、
前記膜厚補正板は前記インナーシールドに電気的に接続されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
上記(1)乃至(7)のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いて前記保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
<プラズマCVD装置>
図1は、本発明の一態様に係るプラズマCVD装置を模式的に示す断面図である。このプラズマCVD装置は被成膜基板(例えばディスク基板)1に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板1の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図1では左側のみを示している。
カソード電源105は、図示せぬ制御部によって制御される。これにより、カソードフィラメント103に印加される電圧が制御される。なお、カソード電源105としては例えば0〜50V、10〜50A(アンペア)の電源を用いることができる。カソード電源105の一端はアース106に電気的に接続されている。
図1に示すプラズマCVD装置を用いて被成膜基板1にDLC膜を成膜する方法について説明する。
<プラズマCVD装置>
図2は、本発明の一態様に係るプラズマCVD装置を模式的に示す断面図であり、図1と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明を省略する。このプラズマCVD装置は被成膜基板(例えばディスク基板)1に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板1の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図2では左側のみを示している。
図2に示すプラズマCVD装置を用いて被成膜基板1にDLC膜を成膜する方法について説明する。
成膜装置:図2に示すプラズマCVD装置
出発原料:高純度トルエン
ガス流量:3.0sccm
圧力 :0.3Pa
成膜時間:1時間あたり2sec×450回
カソードフィラメント103:タンタルフィラメント
交流電源105の出力:230W
DC電源107の電流:1650mA
DC電源107の電圧:95Vの一定
DC電源112の電圧:250V
90 アウターシールド
91 電源
102 チャンバー
103 カソード電極(カソードフィラメント)
104 アノード電極(アノードコーン)
105 カソード電源(交流電源)
106 アース電源
107 アノード電源(DC(直流)電源)
108 インナーシールド
109 ネオジウム磁石
112 バイアス電源(DC電源,直流電源)
118 膜厚補正板
Claims (8)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記空間の電場をコントロールする機構と、
前記アノードに電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記機構は、前記インナーシールドに電気的に接続され電源を有し、
前記機構は、前記インナーシールドの電圧を測定する電圧計を有し、前記インナーシールドの電圧を初期状態の電圧に近づけるように前記電源をコントロールする機構であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
前記電源は、直流電源、直流パルス電源、直流バイポーラ電源及び高周波電源の群から選択された一の電源であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1または2において、
前記機構は、前記空間の電場の初期状態に対する変動を抑制するようにコントロールする機構であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたアノードと、
前記チャンバー内に配置されたカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられ、前記アノードに電気的に接続されたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第1の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第2の直流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備することを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項4において、
前記インナーシールドは、前記アノードと一体的に形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記インナーシールドの前記被成膜基板側の端部に形成された膜厚補正板を有しており、
前記膜厚補正板は前記インナーシールドに電気的に接続されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いた磁気記録媒体の製造方法において、
非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した被成膜基板を前記保持部に保持し、
前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させて炭素が主成分である保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭素が主成分である保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマCVD装置を用いて前記保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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