JP2572438B2 - ガラスプレス成形型の製造方法 - Google Patents
ガラスプレス成形型の製造方法Info
- Publication number
- JP2572438B2 JP2572438B2 JP1020545A JP2054589A JP2572438B2 JP 2572438 B2 JP2572438 B2 JP 2572438B2 JP 1020545 A JP1020545 A JP 1020545A JP 2054589 A JP2054589 A JP 2054589A JP 2572438 B2 JP2572438 B2 JP 2572438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mold
- film
- press
- ion plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- -1 hydrocarbon ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 8
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 25
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 1-[6-[4-(5-chloro-6-methyl-1H-indazol-4-yl)-5-methyl-3-(1-methylindazol-5-yl)pyrazol-1-yl]-2-azaspiro[3.3]heptan-2-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound ClC=1C(=C2C=NNC2=CC=1C)C=1C(=NN(C=1C)C1CC2(CN(C2)C(C=C)=O)C1)C=1C=C2C=NN(C2=CC=1)C AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004554 molding of glass Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/10—Die base materials
- C03B2215/12—Ceramics or cermets, e.g. cemented WC, Al2O3 or TiC
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/24—Carbon, e.g. diamond, graphite, amorphous carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/30—Intermediate layers, e.g. graded zone of base/top material
- C03B2215/34—Intermediate layers, e.g. graded zone of base/top material of ceramic or cermet material, e.g. diamond-like carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/72—Barrel presses or equivalent, e.g. of the ring mould type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガラスプレス成形型の製造方法に係り、詳
しくはガラスレンズ等の製造に用いられるガラスプレス
成形型の製造方法に関する。
しくはガラスレンズ等の製造に用いられるガラスプレス
成形型の製造方法に関する。
［従来の技術及びその問題点］ プレス成形によるガラスレンズの製造においては、ガ
ラスレンズ面は高温下において成形型の表面がそのまま
転写されることから、成形型表面でガラスレンズ面の面
精度ならびに面粗度が確保されなければならず、このた
めプレス成形型は高温下においてガラスと科学的な反応
を起こさないこと、耐酸化性及び耐熱性に優れているこ
と、硬度が高くプレス成形時に組織変化又は塑性変形し
ないこと、さらに型形状の加工性が良く型表面の摩擦抵
抗が極力小さいことなど必要とされる。
ラスレンズ面は高温下において成形型の表面がそのまま
転写されることから、成形型表面でガラスレンズ面の面
精度ならびに面粗度が確保されなければならず、このた
めプレス成形型は高温下においてガラスと科学的な反応
を起こさないこと、耐酸化性及び耐熱性に優れているこ
と、硬度が高くプレス成形時に組織変化又は塑性変形し
ないこと、さらに型形状の加工性が良く型表面の摩擦抵
抗が極力小さいことなど必要とされる。
従来、プレス成形型としてはタングステンカーバイド
（WC）、シリコン（Si）、シリコンナイトライド（Si3N
4）等が用いられているが、これらはいずれも型表面に
ガラスの融着が起こるため、これを防止する手段として
型表面に各種カーボン離型膜を設けることが提案されて
いる。
（WC）、シリコン（Si）、シリコンナイトライド（Si3N
4）等が用いられているが、これらはいずれも型表面に
ガラスの融着が起こるため、これを防止する手段として
型表面に各種カーボン離型膜を設けることが提案されて
いる。
例えば特開昭61−281030号公報ではマイクロ波プラズ
マCVD法により原料ガスをメタン（CH4）及び水素（H2）
の混合ガスとしてダイヤモンド状膜を型表面に高温で成
形してプレス成形型とする方法が開示されている。
マCVD法により原料ガスをメタン（CH4）及び水素（H2）
の混合ガスとしてダイヤモンド状膜を型表面に高温で成
形してプレス成形型とする方法が開示されている。
この高温成形のマイクロ波プラズマCVD法により得ら
れたダイヤモンド状膜は、耐熱性及び耐酸化性に優れ、
高硬度のため型表面に傷などが生じ難い利点があるが、
この膜はダイヤモンド結晶が集合した多結晶膜であるた
め表面の凹凸が激しく、型表面の良好な面粗度を得るた
めに研磨工程を必要とする。またマイクロ波プラズマCV
D法は再現性が悪く、かつ大面積化が困難であるという
問題を有している。さらにプレス成形型に型表面が汚れ
たり膜の一部が剥離した場合の再生が困難であるという
問題を有している。
れたダイヤモンド状膜は、耐熱性及び耐酸化性に優れ、
高硬度のため型表面に傷などが生じ難い利点があるが、
この膜はダイヤモンド結晶が集合した多結晶膜であるた
め表面の凹凸が激しく、型表面の良好な面粗度を得るた
めに研磨工程を必要とする。またマイクロ波プラズマCV
D法は再現性が悪く、かつ大面積化が困難であるという
問題を有している。さらにプレス成形型に型表面が汚れ
たり膜の一部が剥離した場合の再生が困難であるという
問題を有している。
また特開昭61−242922号公報ではイオンビームスパッ
タ法によりダイヤモンド状カーボン膜を型表面に低温で
成形する方法が開示されている。
タ法によりダイヤモンド状カーボン膜を型表面に低温で
成形する方法が開示されている。
この低温成形のイオンビームスパッタ法により得られ
たダイヤモンド状カーボン膜は、ダイヤモンドに近似し
た性質を示す非晶質膜であり、室温では高硬度で良好な
潤滑性を有するが、プレス成形温度領域に相当する例え
ば500℃以上の高温では構造がグラファイト化し硬度、
耐熱性が劣化するという欠点がある。
たダイヤモンド状カーボン膜は、ダイヤモンドに近似し
た性質を示す非晶質膜であり、室温では高硬度で良好な
潤滑性を有するが、プレス成形温度領域に相当する例え
ば500℃以上の高温では構造がグラファイト化し硬度、
耐熱性が劣化するという欠点がある。
この他にもカーボン離型膜としては、、グラッシーカ
ーボン膜グラファイト膜が挙げられるが、これらも耐熱
性又は耐酸化性に劣るという問題を有している。
ーボン膜グラファイト膜が挙げられるが、これらも耐熱
性又は耐酸化性に劣るという問題を有している。
従って本発明の目的は、マイクロ波プラズマCVD法や
イオンビームスパッタ法などにより設けられたダイヤモ
ンド状カーボン離型膜等のカーボン離型膜を有するガラ
ス成形型の欠点を解消したガラス成形型を提供すること
にある。
イオンビームスパッタ法などにより設けられたダイヤモ
ンド状カーボン離型膜等のカーボン離型膜を有するガラ
ス成形型の欠点を解消したガラス成形型を提供すること
にある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は上述の目的を達成するためになされたもので
あり、本発明のガラスプレス成形型の製造方法は、 製造されるべきガラスプレス成形型の基盤上にイオン
プレーティング法によりｉ−カーボン膜を被覆する工程
を含み、 アノード電極と、第１のカソード電極と、前記プレス
成形型基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、さらに前
記２つの電極を取り囲む形で前記基盤ホルダーの近くま
で伸びているリフレクターを有するイオンプレーティン
グ装置を用い、前記アノード電極と前記第１のカソード
電極との間に低電圧を印加して、炭素原子数と水素原子
数の比率（C/H）が1/3以上である炭化水素のイオンのプ
ラズマを発生させ、更に前記アノード電極に対して前記
基盤ホルダーが第２のカソード電極となるように前記基
盤ホルダーと前記アノード電極との間に0.5〜2.5KVの電
圧を印加するとともに、前記リフレクターを前記第１の
カソード電極と同電位として、炭化水素イオンを、温度
200〜400℃に保持された基盤の方向に集中的に加速する
ことにより、前記イオンプレーティング法を実施する ことを特徴とする。
あり、本発明のガラスプレス成形型の製造方法は、 製造されるべきガラスプレス成形型の基盤上にイオン
プレーティング法によりｉ−カーボン膜を被覆する工程
を含み、 アノード電極と、第１のカソード電極と、前記プレス
成形型基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、さらに前
記２つの電極を取り囲む形で前記基盤ホルダーの近くま
で伸びているリフレクターを有するイオンプレーティン
グ装置を用い、前記アノード電極と前記第１のカソード
電極との間に低電圧を印加して、炭素原子数と水素原子
数の比率（C/H）が1/3以上である炭化水素のイオンのプ
ラズマを発生させ、更に前記アノード電極に対して前記
基盤ホルダーが第２のカソード電極となるように前記基
盤ホルダーと前記アノード電極との間に0.5〜2.5KVの電
圧を印加するとともに、前記リフレクターを前記第１の
カソード電極と同電位として、炭化水素イオンを、温度
200〜400℃に保持された基盤の方向に集中的に加速する
ことにより、前記イオンプレーティング法を実施する ことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記イオンプレーテ
ィング法を実施するに先立ち、イオンボンバード処理を
行なうのが好ましい。
ィング法を実施するに先立ち、イオンボンバード処理を
行なうのが好ましい。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のガラスプレス成形型の製造方法は、製造され
るべきガラスプレス成形型の形状とほぼ同一形状に研
削、研磨されたガラスプレス成形型基盤上にイオンプレ
ーティング法によりｉ−カーボン膜（非晶質の硬質カー
ボン膜）を被覆する工程を含むものである。
るべきガラスプレス成形型の形状とほぼ同一形状に研
削、研磨されたガラスプレス成形型基盤上にイオンプレ
ーティング法によりｉ−カーボン膜（非晶質の硬質カー
ボン膜）を被覆する工程を含むものである。
基盤材料としては、シリコン（Si）、シリコンナイト
ライド（Si3N4）、タングステンカーバイド（WC）や、
アルミナ（Al2O3）とチタンカーバイト（TiC）のサーメ
ット等も用いられるが、炭化珪素（SiC）焼結体を用い
るのが好ましい。この炭化珪素焼結体は、プレス成形の
際、ガラスと接する面にCV法による炭化珪素膜を有する
ものが特に好ましい。
ライド（Si3N4）、タングステンカーバイド（WC）や、
アルミナ（Al2O3）とチタンカーバイト（TiC）のサーメ
ット等も用いられるが、炭化珪素（SiC）焼結体を用い
るのが好ましい。この炭化珪素焼結体は、プレス成形の
際、ガラスと接する面にCV法による炭化珪素膜を有する
ものが特に好ましい。
イオンプレーティング法は、アノード電極と、第１の
カソード電極と、ガラスプレス成形型基盤を保持する基
盤ホルダーとを有し、さらに前記２つの電極を取り囲む
形で前記基盤ホルダーの近くまで伸びているレフレクタ
ーを有するイオンプレーティング装置を用いて実施され
る。このイオンプレーティング装置において、前記アノ
ード電極と前記第１のカソード電極との間に低電圧を印
加して炭化水素のイオンのプラズマを発生させる。両電
極間に印加される低電圧としては50〜150Vが好ましい。
50V未満ではイオン化率が低く非能率であり、150Vを越
えるとプラズマが不安定になるからである。また用いら
れる炭化水素としては、炭素原子数と水素原子数の比率
（C/H）が1/3以上であるものに限定され、その例として
は、ベンゼン（C/H＝6/6）、トルエン（C/H＝7/8）、キ
シレン（C/H＝8/10）等の芳香族炭化水素、アセチレン
（C/H＝2/2）、メチルアセチレン（C/H＝3/4）、ブチン
類（C/H＝4/6）等の三重結合含有不飽和炭化水素、エチ
レン（C/H＝2/4）、プロピレン（C/H＝3/7）、ブテン
（C/H＝4/8）等の二重結合含有不飽和炭化水素、エタン
（C/H＝2/6）、プロパン（C/H＝3/8）、ブタン（C/H＝4
/10）、ペンタン（C/H＝5/12）等の飽和炭化水素が挙げ
られる。これらの炭化水素は、単独で用いても良く、２
種以上を混合して用いても良い。
カソード電極と、ガラスプレス成形型基盤を保持する基
盤ホルダーとを有し、さらに前記２つの電極を取り囲む
形で前記基盤ホルダーの近くまで伸びているレフレクタ
ーを有するイオンプレーティング装置を用いて実施され
る。このイオンプレーティング装置において、前記アノ
ード電極と前記第１のカソード電極との間に低電圧を印
加して炭化水素のイオンのプラズマを発生させる。両電
極間に印加される低電圧としては50〜150Vが好ましい。
50V未満ではイオン化率が低く非能率であり、150Vを越
えるとプラズマが不安定になるからである。また用いら
れる炭化水素としては、炭素原子数と水素原子数の比率
（C/H）が1/3以上であるものに限定され、その例として
は、ベンゼン（C/H＝6/6）、トルエン（C/H＝7/8）、キ
シレン（C/H＝8/10）等の芳香族炭化水素、アセチレン
（C/H＝2/2）、メチルアセチレン（C/H＝3/4）、ブチン
類（C/H＝4/6）等の三重結合含有不飽和炭化水素、エチ
レン（C/H＝2/4）、プロピレン（C/H＝3/7）、ブテン
（C/H＝4/8）等の二重結合含有不飽和炭化水素、エタン
（C/H＝2/6）、プロパン（C/H＝3/8）、ブタン（C/H＝4
/10）、ペンタン（C/H＝5/12）等の飽和炭化水素が挙げ
られる。これらの炭化水素は、単独で用いても良く、２
種以上を混合して用いても良い。
これに対して、C/Hが1/3未満のメタン（C/H＝1/4）
や、アセント、酢酸、アルコール類（メタノール、エタ
ノール、プロパノール等）、ジオキサン、アニリン、ピ
リジン等の酸素や窒素を含む炭化水素化合物は、離型膜
の成膜性及びプレス成形時のプレス成形品離型性の少な
くともいずれか一方が不十分であり、使用することが不
適当であることが判明している。
や、アセント、酢酸、アルコール類（メタノール、エタ
ノール、プロパノール等）、ジオキサン、アニリン、ピ
リジン等の酸素や窒素を含む炭化水素化合物は、離型膜
の成膜性及びプレス成形時のプレス成形品離型性の少な
くともいずれか一方が不十分であり、使用することが不
適当であることが判明している。
本発明においては、前記アノード電極に対して前記基
盤ホルダーが第２のカソード電極となるように前記基盤
ホルダーと前記アノード電極との間に0.5〜2.5KVの電圧
を印加する。この電圧を0.5〜2.5KVに限定した理由は、
0.5KV未満では、炭化水素イオンの加速が不十分でガラ
スプレス成形型基盤とｉ−カーボン膜との密着性が弱く
なり、得られた成形型を用いてプレス成形すると、少な
いプレス成形回数でガラスとの融着を生じ、一方2.5KV
を超えると、異常放電が生じやすく、得られた成形型の
型表面が荒れやすくなるからである。
盤ホルダーが第２のカソード電極となるように前記基盤
ホルダーと前記アノード電極との間に0.5〜2.5KVの電圧
を印加する。この電圧を0.5〜2.5KVに限定した理由は、
0.5KV未満では、炭化水素イオンの加速が不十分でガラ
スプレス成形型基盤とｉ−カーボン膜との密着性が弱く
なり、得られた成形型を用いてプレス成形すると、少な
いプレス成形回数でガラスとの融着を生じ、一方2.5KV
を超えると、異常放電が生じやすく、得られた成形型の
型表面が荒れやすくなるからである。
又本発明においイオンプレーティング処理時の基盤の
温度は200〜400℃に限定される。
温度は200〜400℃に限定される。
本発明者らは基盤を200〜400℃に加熱してｉ−カーボ
ン膜を成形する根拠として、レーザーラマン分光分析よ
り膜形成温度が膜構造と密接に関係していることを明ら
かにした。ｉ−カーボンとはレーザーラマン分光分析で
1550cm-1に幅広いピークを示すものと定義付けられ、非
晶質のカーボンと考えられている。そして1550cm-1のピ
ークが1600cm-1側にシフトすると共に、結晶格子の乱れ
を示す1360cm-1のピークが成長した場合にはグラファイ
ト化したものと考えられる。第３図はディスク状の炭化
珪素膜上に室温、300、400、450、550℃の各温度で膜を
成形した場合のラマン特性図であり、膜成形温度が室温
及び300℃のものに関してはｉ−カーボン構造と同定で
きるが、400℃及び450℃のものでは1360cm-1のピーク強
度が大きくなると同時に1600cm-1側に波長がシフトする
傾向があり、550℃のものはその傾向が一層顕著となり
フラファイト構造となっていることが認められた。更に
こうして得られたｉ−カーボン膜とグラファイト膜との
差異を明らかにするため、島津製作所製微小硬度計DUH
−50を用いて各膜の硬度測定を行ない、それをビッカー
ス硬度に換算した結果、膜形成温度が室温から300℃で
は3000〜3400、400℃では2400,500℃以上では1500であ
った。またスクラッチ試験後の痕跡観察において、膜形
成温度が室温から200℃未満では痕跡の両端に貝殻状の
剥離を伴うような脆弱な膜質であるのに対して、200℃
以上ではこのような剥離を伴なわない靭性に富んだ膜質
であることが認められた。また、耐熱性を調べるための
窒素雰囲気中における650℃のアニーリングテストにお
いて、膜形成温度が400℃以上では１時間の保持で炭化
珪素膜表面との剥離を生じ、室温から200℃未満では昇
温直後にカーボン膜がフィルム状に基盤表面から浮き上
り耐熱性に劣ることが認められた。これらに対して膜成
形温度が200℃以上では30時間保持後も何ら劣化を示さ
なかった。
ン膜を成形する根拠として、レーザーラマン分光分析よ
り膜形成温度が膜構造と密接に関係していることを明ら
かにした。ｉ−カーボンとはレーザーラマン分光分析で
1550cm-1に幅広いピークを示すものと定義付けられ、非
晶質のカーボンと考えられている。そして1550cm-1のピ
ークが1600cm-1側にシフトすると共に、結晶格子の乱れ
を示す1360cm-1のピークが成長した場合にはグラファイ
ト化したものと考えられる。第３図はディスク状の炭化
珪素膜上に室温、300、400、450、550℃の各温度で膜を
成形した場合のラマン特性図であり、膜成形温度が室温
及び300℃のものに関してはｉ−カーボン構造と同定で
きるが、400℃及び450℃のものでは1360cm-1のピーク強
度が大きくなると同時に1600cm-1側に波長がシフトする
傾向があり、550℃のものはその傾向が一層顕著となり
フラファイト構造となっていることが認められた。更に
こうして得られたｉ−カーボン膜とグラファイト膜との
差異を明らかにするため、島津製作所製微小硬度計DUH
−50を用いて各膜の硬度測定を行ない、それをビッカー
ス硬度に換算した結果、膜形成温度が室温から300℃で
は3000〜3400、400℃では2400,500℃以上では1500であ
った。またスクラッチ試験後の痕跡観察において、膜形
成温度が室温から200℃未満では痕跡の両端に貝殻状の
剥離を伴うような脆弱な膜質であるのに対して、200℃
以上ではこのような剥離を伴なわない靭性に富んだ膜質
であることが認められた。また、耐熱性を調べるための
窒素雰囲気中における650℃のアニーリングテストにお
いて、膜形成温度が400℃以上では１時間の保持で炭化
珪素膜表面との剥離を生じ、室温から200℃未満では昇
温直後にカーボン膜がフィルム状に基盤表面から浮き上
り耐熱性に劣ることが認められた。これらに対して膜成
形温度が200℃以上では30時間保持後も何ら劣化を示さ
なかった。
以上が基盤の温度を200〜400℃に限定した理由である
が、後記の実施例及び比較例によってもこのことは十分
に実証される。
が、後記の実施例及び比較例によってもこのことは十分
に実証される。
以下に本発明の実施例について説明する。
［実施例１］ ガラスプレス成形型の基盤材料として炭化珪素（Si
C）焼結体を用い、研削によりプレス成形型形状に加工
後、プレス成形の際、ガラスと接する面はCVD法により
炭化珪素膜を成形し、更に研削及び研磨して鏡面に仕上
げて成形型基盤とする。次に上記成形基盤の炭化珪素膜
上にｉ−カーボン膜をイオンプレーティング法により被
覆する。第１図に示されたイオンプレーティング装置20
において、真空槽11の上部にヒーター19を内蔵した基盤
ホルダー12が設けられ、これに炭化珪素膜を有する成形
型基盤13が保持されている。基盤ホルダー12と対向した
下部にはタンタル（Ta）フィラメントから成る第１のカ
ソード電極14とタングステン（Ｗ）ワイヤーが格子状に
張られたグリッドとしてのアノード電極15が設置され、
この両電極14,15を取り囲む形で基盤ホルダー12の近傍
まで円筒状のリフレクター16が設けてあり、これは第１
のカソード電極14の同電位とし、プラズマが真空槽側壁
に流れず基盤13に集中することを目的としている。また
図中、17はアルゴン及びベンゼンガス導入口、18は真空
排気のための排気口である。
C）焼結体を用い、研削によりプレス成形型形状に加工
後、プレス成形の際、ガラスと接する面はCVD法により
炭化珪素膜を成形し、更に研削及び研磨して鏡面に仕上
げて成形型基盤とする。次に上記成形基盤の炭化珪素膜
上にｉ−カーボン膜をイオンプレーティング法により被
覆する。第１図に示されたイオンプレーティング装置20
において、真空槽11の上部にヒーター19を内蔵した基盤
ホルダー12が設けられ、これに炭化珪素膜を有する成形
型基盤13が保持されている。基盤ホルダー12と対向した
下部にはタンタル（Ta）フィラメントから成る第１のカ
ソード電極14とタングステン（Ｗ）ワイヤーが格子状に
張られたグリッドとしてのアノード電極15が設置され、
この両電極14,15を取り囲む形で基盤ホルダー12の近傍
まで円筒状のリフレクター16が設けてあり、これは第１
のカソード電極14の同電位とし、プラズマが真空槽側壁
に流れず基盤13に集中することを目的としている。また
図中、17はアルゴン及びベンゼンガス導入口、18は真空
排気のための排気口である。
排気口18より真空槽11内の真空度を5.0×10-6Torrに
排気した後、ガス導入口17よりアルゴンガスを導入する
ことによって真空度を0.8×10-4Torrに保持し、第１の
カソード電極14とアノード電極15間に70Vの電圧を印加
し、この間にプラズマを発生させ、第１のカソード電極
14からの熱電子によりアルゴンガスをイオン化する。更
に基盤ホルダー12とアノード電極15間に1.0KVの電圧を
印加してアルゴンイオンの加速を促進し、成形型基盤13
の表面をイオンボンバードすることにより清浄化する。
すなわちイオンの全体的な動きから見ればアノード電極
15に対して基盤ホルダー12をカソード電極と見なすこと
もでき、既に述べたように第２のカソード電極と称す
る。この基盤ホルダー12つまり第２のカソード電極は作
業の安全性を考慮してグラウンド電位としてある。以上
は装置の原理をわかり易く説明するために述べたもので
あり、基盤ホルダーがグラウンド電位であるということ
は実際にはアノード電極15に1.0KVの電位を印加するこ
とになり、この電位は、第１のカソード電極14でもある
フィラメントを加熱してプラズマを発生させる以前に印
加しておく方が好ましい。このイオンボンバード工程に
おいて成形型基盤13の加熱は必ずしも必要ではないが、
型面の清浄効果の促進及び次に続く成膜工程における加
熱のことを考えればここで加熱しておくことが好まし
い。
排気した後、ガス導入口17よりアルゴンガスを導入する
ことによって真空度を0.8×10-4Torrに保持し、第１の
カソード電極14とアノード電極15間に70Vの電圧を印加
し、この間にプラズマを発生させ、第１のカソード電極
14からの熱電子によりアルゴンガスをイオン化する。更
に基盤ホルダー12とアノード電極15間に1.0KVの電圧を
印加してアルゴンイオンの加速を促進し、成形型基盤13
の表面をイオンボンバードすることにより清浄化する。
すなわちイオンの全体的な動きから見ればアノード電極
15に対して基盤ホルダー12をカソード電極と見なすこと
もでき、既に述べたように第２のカソード電極と称す
る。この基盤ホルダー12つまり第２のカソード電極は作
業の安全性を考慮してグラウンド電位としてある。以上
は装置の原理をわかり易く説明するために述べたもので
あり、基盤ホルダーがグラウンド電位であるということ
は実際にはアノード電極15に1.0KVの電位を印加するこ
とになり、この電位は、第１のカソード電極14でもある
フィラメントを加熱してプラズマを発生させる以前に印
加しておく方が好ましい。このイオンボンバード工程に
おいて成形型基盤13の加熱は必ずしも必要ではないが、
型面の清浄効果の促進及び次に続く成膜工程における加
熱のことを考えればここで加熱しておくことが好まし
い。
次に、再び真空槽11の真空排気を行ない、ガス導入口
17よりベンゼンガスを導入することによって真空度を9.
0×10-4Torrに保持し、基本的にはイオンボンバード工
程と同操作によりイオンプレーティング工程を行なう。
すなわち、第１のカーソード電極14とアノード電極15間
に70Vの電圧を印加してベンゼンイオンのプラズマを発
生させ、更に第２のカーソード電極である基盤ホルダー
12とアノード電極15間に1.0KVの電圧を印加するととも
に、リフレクター16を第１のカソード電極14と同電位に
保持することにより、ベンゼンイオンを成形型基盤13の
方向に集中的に加速し、あらかじめ300℃に加熱してお
いた成形型基盤13の表面に膜厚600Åのｉ−カーボン膜
を成形する。
17よりベンゼンガスを導入することによって真空度を9.
0×10-4Torrに保持し、基本的にはイオンボンバード工
程と同操作によりイオンプレーティング工程を行なう。
すなわち、第１のカーソード電極14とアノード電極15間
に70Vの電圧を印加してベンゼンイオンのプラズマを発
生させ、更に第２のカーソード電極である基盤ホルダー
12とアノード電極15間に1.0KVの電圧を印加するととも
に、リフレクター16を第１のカソード電極14と同電位に
保持することにより、ベンゼンイオンを成形型基盤13の
方向に集中的に加速し、あらかじめ300℃に加熱してお
いた成形型基盤13の表面に膜厚600Åのｉ−カーボン膜
を成形する。
このようにして、第２図に示すように、所定形状の炭
化珪素焼結体１上のプレス成形面に、CVD法により成形
された炭化珪素膜２を有し、さらにこの炭化珪素膜２上
に、イオンプレーティング法により成形されたｉ−カー
ボン膜３を有する本実施例のガラスプレス成形型４が得
られた。
化珪素焼結体１上のプレス成形面に、CVD法により成形
された炭化珪素膜２を有し、さらにこの炭化珪素膜２上
に、イオンプレーティング法により成形されたｉ−カー
ボン膜３を有する本実施例のガラスプレス成形型４が得
られた。
次に本実施例で得られたガラスプレス成形型を用いて
行なったプレス成形結果について説明する。第２図の如
く、一対のガラスプレス成形型4,4と案内型５との間に
ガラスＡ（ランタン系光学ガラス）からなるガラス６を
配置した後、窒素雰囲気中でガラス６を温度560℃（ガ
ラス粘度109ポアズに相当）にて30kgf/cm2のプレス圧で
30秒間のプレス成形を行ない、室温まで急冷する操作を
繰り返した結果、炭化珪素膜上にｉ−カーボン膜を600
Åの膜厚で成形した本実施例の成形型では1000回のプレ
ス成形でもガラスの融着は認めらせず、ｉ−カーボン膜
３の表面も何ら劣化を示さなかった（表−１の実施例１
における型試料No.4〜７についてのガラスＡの離型状態
の記載参照）。これに対して炭化珪素膜を有するが、ｉ
−カーボン膜を有しない参考例の式形型では５〜９回で
ガラスの融着が認められた（表−１の参考例における型
試料No.1〜３についてのガラスＡの離型状態の記載参
照）。
行なったプレス成形結果について説明する。第２図の如
く、一対のガラスプレス成形型4,4と案内型５との間に
ガラスＡ（ランタン系光学ガラス）からなるガラス６を
配置した後、窒素雰囲気中でガラス６を温度560℃（ガ
ラス粘度109ポアズに相当）にて30kgf/cm2のプレス圧で
30秒間のプレス成形を行ない、室温まで急冷する操作を
繰り返した結果、炭化珪素膜上にｉ−カーボン膜を600
Åの膜厚で成形した本実施例の成形型では1000回のプレ
ス成形でもガラスの融着は認めらせず、ｉ−カーボン膜
３の表面も何ら劣化を示さなかった（表−１の実施例１
における型試料No.4〜７についてのガラスＡの離型状態
の記載参照）。これに対して炭化珪素膜を有するが、ｉ
−カーボン膜を有しない参考例の式形型では５〜９回で
ガラスの融着が認められた（表−１の参考例における型
試料No.1〜３についてのガラスＡの離型状態の記載参
照）。
また上記ガラスＡとは異なるガラスＢ（バリウム系光
学ガラス）を温度720℃（ガラス粘度109ポアズに相当）
で上記と同条件でプレス成形を行なったところ、本実施
例の成形型では、４種の型試料のうち３種は625〜891回
目にガラスの融着が認められたが、弗化水素アンモニウ
ム液による融着ガラスの除去後再びプレス成形の続行が
可能であった。また残りの１種の型試料については1000
回のプレス成形後も融着は認められなかった（表−１の
実施例１における型試料No.104〜107についてのガラス
Ｂの離型状態の記載参照）。
学ガラス）を温度720℃（ガラス粘度109ポアズに相当）
で上記と同条件でプレス成形を行なったところ、本実施
例の成形型では、４種の型試料のうち３種は625〜891回
目にガラスの融着が認められたが、弗化水素アンモニウ
ム液による融着ガラスの除去後再びプレス成形の続行が
可能であった。また残りの１種の型試料については1000
回のプレス成形後も融着は認められなかった（表−１の
実施例１における型試料No.104〜107についてのガラス
Ｂの離型状態の記載参照）。
また、このプレス成形に関連して、ディスク状に加工
したCVD法による炭化珪素膜又はこの炭化珪素膜上に本
実施例の方法に従ってｉ−カーボン膜を成形したものに
ついて、球状の被成形ガラスとの間の摩擦係数の測定を
行なった結果、炭化珪素膜では0.40であるのに対して、
炭化珪素膜上にｉ−カーボン膜を形成したものでは0.10
であり、ｉ−カーボン膜が被成形ガラスに対して良好な
潤滑性を示していることが認められた。
したCVD法による炭化珪素膜又はこの炭化珪素膜上に本
実施例の方法に従ってｉ−カーボン膜を成形したものに
ついて、球状の被成形ガラスとの間の摩擦係数の測定を
行なった結果、炭化珪素膜では0.40であるのに対して、
炭化珪素膜上にｉ−カーボン膜を形成したものでは0.10
であり、ｉ−カーボン膜が被成形ガラスに対して良好な
潤滑性を示していることが認められた。
比較例1a 実施例１と同様にベンゼンガスを用い、基盤温度を30
0℃としたが、基盤ホルダーとアノード電極間の電圧を
本発明の範囲（0.5〜2.5KV）に含まれない0.4KVとして
イオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜し
た。
0℃としたが、基盤ホルダーとアノード電極間の電圧を
本発明の範囲（0.5〜2.5KV）に含まれない0.4KVとして
イオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜し
た。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例１
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、24〜29回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合も
20〜26回で融着が認められた（表−１の比較例1aにおけ
る型試料No.8〜９及びNo.108〜108の結果参照）。
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、24〜29回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合も
20〜26回で融着が認められた（表−１の比較例1aにおけ
る型試料No.8〜９及びNo.108〜108の結果参照）。
比較例1b 実施例１と同様にベンゼンガスを用い、基盤ホルダー
とアノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、基盤温度を
本発明の範囲（200〜400℃）に含まれない80℃としてイ
オンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜し
た。
とアノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、基盤温度を
本発明の範囲（200〜400℃）に含まれない80℃としてイ
オンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜し
た。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例１
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、７〜９回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合も
２〜４回で融着が認められた（表−１の比較例1bにおけ
る型試料No.10〜11及びNo.110〜111の結果参照）。
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、７〜９回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合も
２〜４回で融着が認められた（表−１の比較例1bにおけ
る型試料No.10〜11及びNo.110〜111の結果参照）。
比較例1c 実施例１と同様にベンゼンガスを用い、基盤ホルダー
とアノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、基盤温度を
本発明の範囲（200〜400℃）に温まれない450℃として
イオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜し
た。
とアノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、基盤温度を
本発明の範囲（200〜400℃）に温まれない450℃として
イオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜し
た。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例１
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、87〜93回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合も
41〜45回で融着が認められた（表−１の比較例1cにおけ
る型試料No.12〜13及びNo.112〜113の結果を参照）。
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、87〜93回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合も
41〜45回で融着が認められた（表−１の比較例1cにおけ
る型試料No.12〜13及びNo.112〜113の結果を参照）。
実施例２ 原料ガスのベンゼンをアセチレンに変えた以外は実施
例１と同様の実験を行なった。すなわち、アセチレンガ
スにより真空度を1.0×10-3Torrとし、基盤温度300℃、
基盤ホルダーとアノード電極間の電圧1.0KV、アノード
電極と第１のカソード電極間の電圧90Vとして成形型基
盤13の表面に600Åのｉ−カーボン膜を形成した。次に
本実施例で得られたガラスプレス成形型を用いた実施例
１におけると同様にプレス成形を行なった結果、ガラス
Ａでは1000回のプレス成形後もガラス融着は認められ
ず、ｉ−カーボン膜表面も何ら劣化を示さなかった（表
−１の実施例２における型試料No.14〜17についてのガ
ラスＡの離型状態の記載参照）。またガラスＡとは別種
のガラスＢでは、４種の型試料について438〜518回目に
ガラスの融着が認められたため弗化水素アンモニウム液
による融着ガラスの除去を行なったところ、融着跡のｉ
−カーボン膜表面に若干の肌荒れが生じたが、その後の
プレス成形には支障のない程度であった（表−１の実施
例２における型試料No.114〜117についてのガラスＢの
離型状態の記載参照）。
例１と同様の実験を行なった。すなわち、アセチレンガ
スにより真空度を1.0×10-3Torrとし、基盤温度300℃、
基盤ホルダーとアノード電極間の電圧1.0KV、アノード
電極と第１のカソード電極間の電圧90Vとして成形型基
盤13の表面に600Åのｉ−カーボン膜を形成した。次に
本実施例で得られたガラスプレス成形型を用いた実施例
１におけると同様にプレス成形を行なった結果、ガラス
Ａでは1000回のプレス成形後もガラス融着は認められ
ず、ｉ−カーボン膜表面も何ら劣化を示さなかった（表
−１の実施例２における型試料No.14〜17についてのガ
ラスＡの離型状態の記載参照）。またガラスＡとは別種
のガラスＢでは、４種の型試料について438〜518回目に
ガラスの融着が認められたため弗化水素アンモニウム液
による融着ガラスの除去を行なったところ、融着跡のｉ
−カーボン膜表面に若干の肌荒れが生じたが、その後の
プレス成形には支障のない程度であった（表−１の実施
例２における型試料No.114〜117についてのガラスＢの
離型状態の記載参照）。
比較例2a 実施例２と同様に基盤温度を300℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、アセチレンの
代りに本発明外のアセトンを用いイオンプレーティング
法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
アノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、アセチレンの
代りに本発明外のアセトンを用いイオンプレーティング
法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例２
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、87〜114回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も63〜91回で融着が認められた（表−１の比較例2aにお
ける型試料No.18〜19及びNo.118〜119の結果参照） 比較例2b 実施例２と同様に基盤温度を300℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、アセチレンガ
スの代りに本発明外のメタンガスを用いイオンプレーテ
ィング法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、87〜114回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も63〜91回で融着が認められた（表−１の比較例2aにお
ける型試料No.18〜19及びNo.118〜119の結果参照） 比較例2b 実施例２と同様に基盤温度を300℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、アセチレンガ
スの代りに本発明外のメタンガスを用いイオンプレーテ
ィング法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例２
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、96〜105回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も53〜72回で融着が認められた（表−１の比較例2bにお
ける型試料No.20〜21及びNo.120〜121の結果参照）。
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、96〜105回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も53〜72回で融着が認められた（表−１の比較例2bにお
ける型試料No.20〜21及びNo.120〜121の結果参照）。
比較例2c 実施例２と同様に基盤温度を300℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、アセチレンガ
スの代りに本発明外のピリジンガスを用い、イオンプレ
ーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
アノード電極間の電圧を1.0KVとしたが、アセチレンガ
スの代りに本発明外のピリジンガスを用い、イオンプレ
ーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例２
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、128〜142回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も105〜110回で融着が認められた（表−１の比較例2cに
おける型試料No.22〜23及びNo.122〜123の結果参照）。
と同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場
合、128〜142回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も105〜110回で融着が認められた（表−１の比較例2cに
おける型試料No.22〜23及びNo.122〜123の結果参照）。
実施例３〜４ 原料ガスのベンゼンをトルエン（実施例３）及びキシ
レン（実施例４）に変えた以外は実施例１と同様に実施
し、プレス成形型を得た。
レン（実施例４）に変えた以外は実施例１と同様に実施
し、プレス成形型を得た。
得られたプレス成形型を用いてガラスのプレス成形を
行なったが、実施例１の場合よりもやや劣るが、実施例
３の場合、ガラスＡで586回以上まで融着せず、ガラス
Ｂで403回以上まで融着せず良好な結果が得られた（表
−１の実施例３における型試料No.24〜27及びNo.124〜1
27の離型状態の記載参照）。
行なったが、実施例１の場合よりもやや劣るが、実施例
３の場合、ガラスＡで586回以上まで融着せず、ガラス
Ｂで403回以上まで融着せず良好な結果が得られた（表
−１の実施例３における型試料No.24〜27及びNo.124〜1
27の離型状態の記載参照）。
また実施例４の場合も、ガラスＡで582回以上まで融
着せず、ガラスＢで430回以上まで融着せず、良好な効
果が得られた（表−１の実施例４における型試料No.28
〜31及びNo.128〜131の離型状態の記載参照）。
着せず、ガラスＢで430回以上まで融着せず、良好な効
果が得られた（表−１の実施例４における型試料No.28
〜31及びNo.128〜131の離型状態の記載参照）。
実施例５ 原料ガスのベンゼンをペンタンに変えた以外は実施例
１と同様に実施し、プレス成形型を得た。
１と同様に実施し、プレス成形型を得た。
得られたプレス成形型を用いてガラスのプレス成形を
行なったが、実施例１の場合よりもやや劣るが、ガラス
Ａで631回以上まで融着せず、ガラスＢで941回以上まで
融着せず良好な結果が得られた（表−１実施例５におけ
る型試料No.32〜35及びNo.132〜135の離型状態の記載参
照）。
行なったが、実施例１の場合よりもやや劣るが、ガラス
Ａで631回以上まで融着せず、ガラスＢで941回以上まで
融着せず良好な結果が得られた（表−１実施例５におけ
る型試料No.32〜35及びNo.132〜135の離型状態の記載参
照）。
［発明の効果］ 以上説明した通り本発明のガラスプレス成形型の製造
方法によれば、イオンプレーティング法によるｉ−カー
ボン膜の形成に際して、所定の炭化水素、所定の電圧条
件、所定の温度条件等を採用することにより、ガラスプ
レス成形型基盤との密着性、硬度、潤滑性等にすぐれた
ｉ−カーボン膜を有するガラスプレス成形型を得ること
ができた。このようにして得られたガラスプレス成形型
は、ガラスプレス成形を多数回繰り返してもｉ−カーボ
ン膜が剥離しにくく、かつガラス離型性もよいので、長
期間にわたってガラスプレス成形のために使用すること
ができる。
方法によれば、イオンプレーティング法によるｉ−カー
ボン膜の形成に際して、所定の炭化水素、所定の電圧条
件、所定の温度条件等を採用することにより、ガラスプ
レス成形型基盤との密着性、硬度、潤滑性等にすぐれた
ｉ−カーボン膜を有するガラスプレス成形型を得ること
ができた。このようにして得られたガラスプレス成形型
は、ガラスプレス成形を多数回繰り返してもｉ−カーボ
ン膜が剥離しにくく、かつガラス離型性もよいので、長
期間にわたってガラスプレス成形のために使用すること
ができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の方法を実施するのに好適なイオンプレ
ーティング装置の概略図、第２図は本発明の方法で得ら
れたガラスプレス成形型を用いるガラスプレス成形例を
示す概略図、第３図は膜形成温度が膜構造と密接に関係
していることを示すレーザーラマン分光分析図である。 １……炭化珪素焼結体、２……炭化珪素膜、３……ｉ−
カーボン膜、４……ガラス成形型、５……案内型、６…
…被成形ガラス、11……真空槽、12……基盤ホルダー、
13……ガラス成形型基盤、14……カソード電極、15……
アノード電極、16……リフレクター、17……ガス導入
口、18……排気口、19……ヒーター、20……イオンプレ
ーティング装置。
ーティング装置の概略図、第２図は本発明の方法で得ら
れたガラスプレス成形型を用いるガラスプレス成形例を
示す概略図、第３図は膜形成温度が膜構造と密接に関係
していることを示すレーザーラマン分光分析図である。 １……炭化珪素焼結体、２……炭化珪素膜、３……ｉ−
カーボン膜、４……ガラス成形型、５……案内型、６…
…被成形ガラス、11……真空槽、12……基盤ホルダー、
13……ガラス成形型基盤、14……カソード電極、15……
アノード電極、16……リフレクター、17……ガス導入
口、18……排気口、19……ヒーター、20……イオンプレ
ーティング装置。
Claims (2)
- 【請求項１】製造されるべきガラスプレス成形型の基盤
上にイオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を被
覆する工程を含み、 アノード電極と、第１のカソード電極と、前記ガラスプ
レス成形型基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、さら
に前記２つの電極を取り囲む形で前記基盤ホルダーの近
くまで伸びているリフレクターを有するイオンプレーテ
ィング装置を用い、前記アノード電極と前記第１のカソ
ード電極との間に低電圧を印加して、炭素原子数と水素
原子数の比率（C/H）が1/3以上である炭化水素のイオン
のプラズマを発生させ、更に前記アノード電極に対して
前記基盤ホルダーが第２のカソード電極となるように前
記基盤ホルダーと前記アノード電極との間に0.5〜2.5KV
の電圧を印加するとともに、前記リフレクターを前記第
１のカソード電極と同電位として、炭化水素イオンを、
温度200〜400℃に保持された基盤の方向に集中的に加速
することにより、前記イオンプレーティング法を実施す
ることを特徴とするガラスプレス成形型の製造方法。 - 【請求項２】前記イオンプレーティング法を実施するに
先立ち、イオンボンバード処理を行なう、請求項（１）
に記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020545A JP2572438B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | ガラスプレス成形型の製造方法 |
| US07/467,248 US5008002A (en) | 1989-01-30 | 1990-01-19 | Process for producing mold used for obtaining press molded glass article |
| DE4002681A DE4002681C2 (de) | 1989-01-30 | 1990-01-30 | Verwendung einer Form zur Erzeugung eines Preßformartikels aus Glas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020545A JP2572438B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | ガラスプレス成形型の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199036A JPH02199036A (ja) | 1990-08-07 |
| JP2572438B2 true JP2572438B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=12030125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020545A Expired - Fee Related JP2572438B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | ガラスプレス成形型の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5008002A (ja) |
| JP (1) | JP2572438B2 (ja) |
| DE (1) | DE4002681C2 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707717A (en) * | 1991-10-29 | 1998-01-13 | Tdk Corporation | Articles having diamond-like protective film |
| US5541003A (en) * | 1991-10-31 | 1996-07-30 | Tdk Corporation | Articles having diamond-like protective thin film |
| JP2820852B2 (ja) * | 1992-04-21 | 1998-11-05 | 住友重機械プラスチックマシナリー株式会社 | ガラス圧縮成形機 |
| JP2815057B2 (ja) * | 1992-06-08 | 1998-10-27 | キヤノン株式会社 | 光学素子成形用型、その製造方法、光学素子及びレンズ |
| EP0581013B1 (en) * | 1992-06-25 | 1998-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold for forming optical element and method for producing the same |
| US5827613A (en) * | 1992-09-04 | 1998-10-27 | Tdk Corporation | Articles having diamond-like protective film and method of manufacturing the same |
| US5249554A (en) * | 1993-01-08 | 1993-10-05 | Ford Motor Company | Powertrain component with adherent film having a graded composition |
| US5415753A (en) * | 1993-07-22 | 1995-05-16 | Materials Research Corporation | Stationary aperture plate for reactive sputter deposition |
| US5873921A (en) | 1994-09-09 | 1999-02-23 | Hoya Precisions Inc. | Process for manufacturing glass optical elements |
| JPH0957757A (ja) * | 1995-03-27 | 1997-03-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 成形品及びその製造方法並びに成形用金型装置 |
| GB2300425A (en) * | 1995-05-01 | 1996-11-06 | Kobe Steel Europ Ltd | Nucleation of diamond films using an electrode |
| CA2184206C (en) * | 1995-08-29 | 2002-10-08 | Yasuaki Sakamoto | Molded glass plate produced by mold with modified surface |
| JP3820486B2 (ja) * | 1995-09-18 | 2006-09-13 | Ｈｏｙａ株式会社 | ガラス光学素子の製造方法 |
| US5859404A (en) * | 1995-10-12 | 1999-01-12 | Hughes Electronics Corporation | Method and apparatus for plasma processing a workpiece in an enveloping plasma |
| US5712000A (en) * | 1995-10-12 | 1998-01-27 | Hughes Aircraft Company | Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films |
| US6560994B1 (en) | 1997-07-18 | 2003-05-13 | Hoya Corporation | Mold used for molding glass optical elements process for preparation of glass optical elements and method for rebirth of mold |
| DE59906002D1 (de) * | 1998-03-13 | 2003-07-24 | Fraunhofer Ges Forschung | Tablettierwerkzeug |
| DE19810969A1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-09-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zum Verpressen von fließförmigen Feststoffen |
| US6660365B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6974629B1 (en) * | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6964731B1 (en) * | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| DE10001479A1 (de) * | 2000-01-15 | 2001-07-26 | Schott Glas | Glaspresse mit modular aufgebauten formgebenden Werkzeugen |
| US20040211217A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-10-28 | Hoya Corporation | Method of regenerating pressing molds and method of manufacturing optical elements |
| JP4556383B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2010-10-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 転写光学面の加工方法 |
| US7294404B2 (en) * | 2003-12-22 | 2007-11-13 | Cardinal Cg Company | Graded photocatalytic coatings |
| JP2008505841A (ja) * | 2004-07-12 | 2008-02-28 | 日本板硝子株式会社 | 低保守コーティング |
| JP4494913B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2010-06-30 | Ｈｏｙａ株式会社 | 光学素子の製造方法 |
| US8092660B2 (en) * | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US7923114B2 (en) * | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| JP2009534563A (ja) * | 2006-04-19 | 2009-09-24 | 日本板硝子株式会社 | 同等の単独の表面反射率を有する対向機能コーティング |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| US7820296B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-10-26 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coating technology |
| WO2009092729A2 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Novartis Ag | Apparatus, carrier and method for the plasma treatment of molds |
| US8072149B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Unbalanced ion source |
| JP4998403B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2012-08-15 | 株式会社ニコン | 成形型の劣化判定方法、石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
| JP4994405B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-08-08 | Ｈｏｙａ株式会社 | プレス成形型の離型膜の良否判定方法および光学素子の製造方法 |
| JP5868017B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2016-02-24 | キヤノン株式会社 | 光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型 |
| JP5472374B2 (ja) * | 2012-05-17 | 2014-04-16 | 株式会社ニコン | 成形型の劣化判定方法、石英ガラスの成形方法及び成形装置 |
| JP6007380B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-10-12 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2015117400A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 昭和電工株式会社 | 炭素膜の形成装置、炭素膜の形成方法、及び、磁気記録媒体の製造方法 |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3604970A (en) * | 1968-10-14 | 1971-09-14 | Varian Associates | Nonelectron emissive electrode structure utilizing ion-plated nonemissive coatings |
| US3961103A (en) * | 1972-07-12 | 1976-06-01 | Space Sciences, Inc. | Film deposition |
| DD148349A1 (de) * | 1979-12-28 | 1981-05-20 | Gerhard Ebersbach | Verfahren zur herstellung extrem harter,verschleissfester schichten erhoehter haftfestigkeit |
| DE3175345D1 (en) * | 1980-08-21 | 1986-10-23 | Nat Res Dev | Coating insulating materials by glow discharge |
| DE3047888A1 (de) * | 1980-12-19 | 1982-07-15 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "schneidwerkzeug, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung" |
| USH566H (en) * | 1985-12-04 | 1989-01-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus and process for deposition of hard carbon films |
| DD258341A3 (de) * | 1986-03-14 | 1988-07-20 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren zur herstellung haftfester ic-schichten |
| JPH01301864A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Hoya Corp | ガラス成形型の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1020545A patent/JP2572438B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-19 US US07/467,248 patent/US5008002A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-30 DE DE4002681A patent/DE4002681C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4002681C2 (de) | 1997-05-22 |
| DE4002681A1 (de) | 1990-08-02 |
| JPH02199036A (ja) | 1990-08-07 |
| US5008002A (en) | 1991-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2572438B2 (ja) | ガラスプレス成形型の製造方法 | |
| EP1220311A2 (en) | Electrostatic chuck and method of manufacturing the same | |
| EP0693573B1 (en) | Synthesizing diamond film | |
| JPH0461816B2 (ja) | ||
| US5286524A (en) | Method for producing CVD diamond film substantially free of thermal stress-induced cracks | |
| CN110777335B (zh) | 耐温的碳涂层 | |
| US5573864A (en) | Transparent carbon nitride films and compositions of matter comprising transparent carbon nitride films | |
| CN113621926A (zh) | 一种低应力类金刚石耐磨涂层及其制备方法 | |
| US20030107865A1 (en) | Wafer handling apparatus and method of manufacturing the same | |
| JP4116144B2 (ja) | 硬質炭素被膜部材の製造方法 | |
| JP2742362B2 (ja) | ガラスプレス成形型 | |
| JP4596476B2 (ja) | 光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型 | |
| JP2008144273A (ja) | 硬質炭素被膜部材の製造方法 | |
| IE901649A1 (en) | Method For Improving Adhesion Of Synthetic Diamond Coatings¹To Substrates | |
| JP3847805B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JP3319217B2 (ja) | 光学レンズ用金型およびその製造方法 | |
| JPH08259241A (ja) | 光学素子の成形方法 | |
| JP2003137564A (ja) | 光学素子成形用型材の製造方法 | |
| JP2009292707A (ja) | 光学素子成形用の金型の製造方法、光学素子成形用の金型および光学素子の製造方法 | |
| JP2006117457A (ja) | 光学素子成形用型及びその製造方法 | |
| JPH0912320A (ja) | 光学素子成形用型及び光学素子 | |
| JP3428720B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JP2003020233A (ja) | 光学素子成形用型及びその製造方法及び再生方法 | |
| JPH0826751A (ja) | 光学素子用成形型及びその製造方法 | |
| KR20240080847A (ko) | 그래핀 필름의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |