JP3319217B2 - 光学レンズ用金型およびその製造方法 - Google Patents
光学レンズ用金型およびその製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/24—Carbon, e.g. diamond, graphite, amorphous carbon
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- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学レンズを製造する
際に用いられる成形用金型およびその製造方法に関する
ものであり、詳しくは、リヒートプレス法に適した保護
膜を有する成形用金型の製造方法に関するものである。
際に用いられる成形用金型およびその製造方法に関する
ものであり、詳しくは、リヒートプレス法に適した保護
膜を有する成形用金型の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光学レンズ成形用金型としては、従来、
各種のものが提案されているが、いずれも型の表面に離
型性を良好にして型寿命を延ばすために保護膜を設ける
ものが基準となっており、その保護膜の材料には高温で
成形環境下で化学的に安定なもので、ガラスと反応しな
いものが使用されている。特にダイアモンド、ダイアモ
ンドライクカーボン、硬質炭素膜、ｉ−カーボン、アモ
ルファスカーボン等が有効と言われているが、これらの
具体的な製法や構造については言及されておらず、実際
にリヒートプレス法で有効なものはごく一部であった。
各種のものが提案されているが、いずれも型の表面に離
型性を良好にして型寿命を延ばすために保護膜を設ける
ものが基準となっており、その保護膜の材料には高温で
成形環境下で化学的に安定なもので、ガラスと反応しな
いものが使用されている。特にダイアモンド、ダイアモ
ンドライクカーボン、硬質炭素膜、ｉ−カーボン、アモ
ルファスカーボン等が有効と言われているが、これらの
具体的な製法や構造については言及されておらず、実際
にリヒートプレス法で有効なものはごく一部であった。
【０００３】例えば、特開平２−２８３６２７号では
「高周波プラズマ、イオンビーム法、イオンプレーティ
ング法、スパッタ法を用いて作製する水素を含んだアモ
ルファスカーボン膜」と述べているが、その構造につい
ては詳しく言及していない。また、特開昭６４−８３５
２９号では「スパッタ法による水素を含まない硬質炭素
膜」が紹介されているが水素を含んでいないこと、その
構造がｓｐ２＋ｓｐ３の混合であること、スパッタ法で
作製することが述べられている。
「高周波プラズマ、イオンビーム法、イオンプレーティ
ング法、スパッタ法を用いて作製する水素を含んだアモ
ルファスカーボン膜」と述べているが、その構造につい
ては詳しく言及していない。また、特開昭６４−８３５
２９号では「スパッタ法による水素を含まない硬質炭素
膜」が紹介されているが水素を含んでいないこと、その
構造がｓｐ２＋ｓｐ３の混合であること、スパッタ法で
作製することが述べられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の炭素膜はｓｐ３構造が主たる膜の場合、ガラスとの離
型性は良いが同様に型母材との密着性が悪く結果的に金
型としては耐久性の悪いものであった。またｓｐ２構造
が主たる膜の場合、型母材との密着性は良いが、同様に
ガラスにも密着し易く融着を引き起し易くなる問題点が
あった。さらに、この構造の場合ｓｐ３構造に比べて化
学的にガラスと反応し易くチタン等を含む硝材には不適
当であった。
の炭素膜はｓｐ３構造が主たる膜の場合、ガラスとの離
型性は良いが同様に型母材との密着性が悪く結果的に金
型としては耐久性の悪いものであった。またｓｐ２構造
が主たる膜の場合、型母材との密着性は良いが、同様に
ガラスにも密着し易く融着を引き起し易くなる問題点が
あった。さらに、この構造の場合ｓｐ３構造に比べて化
学的にガラスと反応し易くチタン等を含む硝材には不適
当であった。
【０００５】従って本発明は、光学レンズを製造する際
に用いられる改良された成形用金型の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。本発明はさらに、離型
性および耐久性に優れた光学レンズ成形用金型の製造方
法を提供することを目的とするものである。本発明はま
たリヒートプレス法に適した保護膜を有する成形用金型
の製造方法を提供することを目的とするものである。
に用いられる改良された成形用金型の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。本発明はさらに、離型
性および耐久性に優れた光学レンズ成形用金型の製造方
法を提供することを目的とするものである。本発明はま
たリヒートプレス法に適した保護膜を有する成形用金型
の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決する本発
明は、金型母材表面上に炭素膜よりなる保護膜を形成し
てなる光学レンズ用金型であって、ｓｐ２結合とｓｐ３
結合とを含む当該炭素膜におけるｓｐ３結合の割合を、
金型母材側から表面側に向って増加させて形成したこと
を特徴とするものである。
明は、金型母材表面上に炭素膜よりなる保護膜を形成し
てなる光学レンズ用金型であって、ｓｐ２結合とｓｐ３
結合とを含む当該炭素膜におけるｓｐ３結合の割合を、
金型母材側から表面側に向って増加させて形成したこと
を特徴とするものである。
【０００７】上記目的を解決する本発明はまた、上記光
学レンズ用金型の製造方法であって、マグネトロンスパ
ッタリング法を用いて金型母材表面上に炭素膜よりなる
保護膜を形成するにおいて、基板温度を変化させ、基板
温度を成膜開始時から終了時まで徐々に下げることを特
徴とするものである。
学レンズ用金型の製造方法であって、マグネトロンスパ
ッタリング法を用いて金型母材表面上に炭素膜よりなる
保護膜を形成するにおいて、基板温度を変化させ、基板
温度を成膜開始時から終了時まで徐々に下げることを特
徴とするものである。
【０００８】本発明の光学レンズ用金型の製造方法を、
マグネトロンスパッタ法により行なう場合においては、
成膜速度を１０〜１０００オングストローム／分（以
下、Ａ／min と記する。）程度とすることが望ましく、
また、母材側より保護膜全膜厚の１０％程度の厚みとな
るまでは、母材温度を約２００℃以上として成膜し、そ
の後母材を徐々に冷却し表面側を１００℃以下の温度で
成膜することが望ましい。
マグネトロンスパッタ法により行なう場合においては、
成膜速度を１０〜１０００オングストローム／分（以
下、Ａ／min と記する。）程度とすることが望ましく、
また、母材側より保護膜全膜厚の１０％程度の厚みとな
るまでは、母材温度を約２００℃以上として成膜し、そ
の後母材を徐々に冷却し表面側を１００℃以下の温度で
成膜することが望ましい。
【０００９】
【作用】このように本発明によれば、金型母材表面上に
形成される保護膜としての炭素膜が、金型母材側から表
面側に向うに従ってｓｐ２構造からしだいにｓｐ３構造
に移行するような膜構造を持つものとなり、当該保護膜
は、金型母材との密着性が良く、またガラスとの離型性
も良いものとなるため、金型を使用した際に保護膜が金
型母材から剥がれることなく、またガラスとの融着を起
こすこともなく、光学レンズを成形するのに良好な、離
型性および耐久性に優れた金型を得ることができる。
形成される保護膜としての炭素膜が、金型母材側から表
面側に向うに従ってｓｐ２構造からしだいにｓｐ３構造
に移行するような膜構造を持つものとなり、当該保護膜
は、金型母材との密着性が良く、またガラスとの離型性
も良いものとなるため、金型を使用した際に保護膜が金
型母材から剥がれることなく、またガラスとの融着を起
こすこともなく、光学レンズを成形するのに良好な、離
型性および耐久性に優れた金型を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施態様に基づきより詳細に
説明する。ｓｐ３構造が主たる炭素膜は一般にダイヤモ
ンドライクカーボン膜と言われ、化学的に安定で滑らか
な膜である。このため、ガラスモールド用金型の保護膜
として用いると融着しにくく離型性が良いと言われてい
る。このような炭素膜を得るためにはプラズマＣＶＤ法
やイオンプレーティング法が主流であるが、マグネトロ
ンスパッタ法においても適切な条件設定を行うことによ
り作製が可能である。適切な条件設定とは、以下に示す
条件である。
説明する。ｓｐ３構造が主たる炭素膜は一般にダイヤモ
ンドライクカーボン膜と言われ、化学的に安定で滑らか
な膜である。このため、ガラスモールド用金型の保護膜
として用いると融着しにくく離型性が良いと言われてい
る。このような炭素膜を得るためにはプラズマＣＶＤ法
やイオンプレーティング法が主流であるが、マグネトロ
ンスパッタ法においても適切な条件設定を行うことによ
り作製が可能である。適切な条件設定とは、以下に示す
条件である。
【００１１】１．基板温度は低い方が良く、１００℃以
下が好ましい。 ２．スパッタガスは、アルゴン＋水素、アルゴン＋ヘリ
ウム、アルゴン＋ヘリウム＋水素、アルゴン＋酸素、ア
ルゴン＋ヘリウム＋酸素等を用いる。 ３．少なくとも上記１，２のいずれかを満たした上で、
成膜速度は１０〜１０００Ａ／min 程度とすることが好
ましい。
下が好ましい。 ２．スパッタガスは、アルゴン＋水素、アルゴン＋ヘリ
ウム、アルゴン＋ヘリウム＋水素、アルゴン＋酸素、ア
ルゴン＋ヘリウム＋酸素等を用いる。 ３．少なくとも上記１，２のいずれかを満たした上で、
成膜速度は１０〜１０００Ａ／min 程度とすることが好
ましい。
【００１２】これらの理由は炭素がｓｐ３構造を形成す
るために、ｓｐ２構造を阻害する条件で成膜することに
よりｓｐ３構造を増やすということであり、例えば水
素、酸素、ヘリウム等の存在が炭素原子同士の結合時に
作用してｓｐ３構造が出来易くなると考えられている。
また、これらのガスが作用するには基板温度が低い方が
良好である。なお、基板温度の下限値としては特に限定
されるものではないが２０℃程度が実用上好ましい。さ
らに成膜速度が遅すぎると有機高分子膜になってしまう
虞れが高く、また速すぎるとこれらのガスが炭素原子に
作用できないので、上記１０〜１０００Ａ／min が望ま
しい範囲である。
るために、ｓｐ２構造を阻害する条件で成膜することに
よりｓｐ３構造を増やすということであり、例えば水
素、酸素、ヘリウム等の存在が炭素原子同士の結合時に
作用してｓｐ３構造が出来易くなると考えられている。
また、これらのガスが作用するには基板温度が低い方が
良好である。なお、基板温度の下限値としては特に限定
されるものではないが２０℃程度が実用上好ましい。さ
らに成膜速度が遅すぎると有機高分子膜になってしまう
虞れが高く、また速すぎるとこれらのガスが炭素原子に
作用できないので、上記１０〜１０００Ａ／min が望ま
しい範囲である。
【００１３】一方、ｓｐ２構造が主たる炭素膜は一般に
グラファイト結合の炭素膜と言われ、化学的には上記の
ｓｐ３構造よりも安定ではないが、逆に密着力の強い膜
である。このため、ＳｉＣ、超硬合金などといった材質
で構成される金型母材との密着性が良好である。このよ
うな炭素膜を得るためには、マグネトロンスパッタ法や
真空蒸着法が一般的で容易に得ることができるが、以下
に示す条件を満たすことにより、さらに密着力の向上し
た膜の作製が可能である。
グラファイト結合の炭素膜と言われ、化学的には上記の
ｓｐ３構造よりも安定ではないが、逆に密着力の強い膜
である。このため、ＳｉＣ、超硬合金などといった材質
で構成される金型母材との密着性が良好である。このよ
うな炭素膜を得るためには、マグネトロンスパッタ法や
真空蒸着法が一般的で容易に得ることができるが、以下
に示す条件を満たすことにより、さらに密着力の向上し
た膜の作製が可能である。
【００１４】１．基板温度は高い方が良く、約２００℃
以上、より好ましくは３００℃以上が望ましい。 ２．スパッタガスは、アルゴンのみで構わない。 ３．成膜速度は１０〜１０００Ａ／min 程度とすること
が好ましい。 ４．炭素膜堆積に先立ち、逆スパッタやイオン照射によ
る基板クリーニングを行なうことが好ましい。
以上、より好ましくは３００℃以上が望ましい。 ２．スパッタガスは、アルゴンのみで構わない。 ３．成膜速度は１０〜１０００Ａ／min 程度とすること
が好ましい。 ４．炭素膜堆積に先立ち、逆スパッタやイオン照射によ
る基板クリーニングを行なうことが好ましい。
【００１５】なお、これらの条件は、一般的に密着性を
向上するときに用いるものであるが、詳述すれば、上記
とは逆に炭素がｓｐ２構造を形成するために、ｓｐ３構
造を阻害する条件で成膜することによりｓｐ２構造を増
やすということである。スパッタガスとして、例えば水
素等の反応性ガスを含むことなくアルゴン等の不活性ガ
スのみを使用することでｓｐ２構造が出来易くなり、ま
た、基板温度が高い方がｓｐ３構造の形成が抑制される
ためである。なお、基板温度の上限値としては特に限定
されるものではないが５００℃程度を越えるものである
と得られる炭素膜の面粗度が悪化するためにこれ以下で
あることが実用上好ましい。さらに上記したように成膜
速度が遅すぎると有機高分子膜になってしまう虞れが高
く、また速すぎると面粗度が悪くなるために、上記１０
〜１０００Ａ／min が望ましい範囲である。
向上するときに用いるものであるが、詳述すれば、上記
とは逆に炭素がｓｐ２構造を形成するために、ｓｐ３構
造を阻害する条件で成膜することによりｓｐ２構造を増
やすということである。スパッタガスとして、例えば水
素等の反応性ガスを含むことなくアルゴン等の不活性ガ
スのみを使用することでｓｐ２構造が出来易くなり、ま
た、基板温度が高い方がｓｐ３構造の形成が抑制される
ためである。なお、基板温度の上限値としては特に限定
されるものではないが５００℃程度を越えるものである
と得られる炭素膜の面粗度が悪化するためにこれ以下で
あることが実用上好ましい。さらに上記したように成膜
速度が遅すぎると有機高分子膜になってしまう虞れが高
く、また速すぎると面粗度が悪くなるために、上記１０
〜１０００Ａ／min が望ましい範囲である。
【００１６】しかして、本発明の製造方法は、上記した
ようなｓｐ２構造を形成する条件と、ｓｐ３構造を形成
する条件とを組合せることにより、金型母材側から金型
表面側に向けてｓｐ２構造からしだいにｓｐ３構造に移
行するような膜構造を持つ炭素膜からなる保護膜を形成
しようとするものである。
ようなｓｐ２構造を形成する条件と、ｓｐ３構造を形成
する条件とを組合せることにより、金型母材側から金型
表面側に向けてｓｐ２構造からしだいにｓｐ３構造に移
行するような膜構造を持つ炭素膜からなる保護膜を形成
しようとするものである。
【００１７】以下、本発明の製造方法を、マグネトロン
スパッタ法を用いた一実施態様に基づきより詳細に説明
する。本発明の製造方法において使用される金型母材と
しては、特に限定されるものではないが、例えば、シリ
コン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3
Ｎ4 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）など、あるいは炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）、炭化タングステン−コバルト（ＷＣ−Ｃｏ）合金
といった超硬合金や各種サーメットなどを用いることが
でき、このうち好ましくはＳｉＣ、ＷＣ−Ｃｏなどであ
る。このような材質からなる金型母材は、マグネトロン
スパッタ法による炭素膜堆積に先立ち、常法に基づき鏡
面研磨、洗浄等の前処理を行なうことが望ましい。さら
に必要に応じて、逆スパッタやイオン照射による基板ク
リーニングを行なうことも可能である。
スパッタ法を用いた一実施態様に基づきより詳細に説明
する。本発明の製造方法において使用される金型母材と
しては、特に限定されるものではないが、例えば、シリ
コン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（Ｓｉ3
Ｎ4 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）など、あるいは炭化タングステン（Ｗ
Ｃ）、炭化タングステン−コバルト（ＷＣ−Ｃｏ）合金
といった超硬合金や各種サーメットなどを用いることが
でき、このうち好ましくはＳｉＣ、ＷＣ−Ｃｏなどであ
る。このような材質からなる金型母材は、マグネトロン
スパッタ法による炭素膜堆積に先立ち、常法に基づき鏡
面研磨、洗浄等の前処理を行なうことが望ましい。さら
に必要に応じて、逆スパッタやイオン照射による基板ク
リーニングを行なうことも可能である。
【００１８】図１は、マグネトロンスパッタリング法に
おいて用いられるマグネトロンスパッタ装置の一例の構
成を示す概略図であり、この装置において、真空チャン
バ１２内には、冷却機構１９および基板加熱用ヒータ２
０を備えた基板ホルダー１３が設けられており、またこ
の基板ホルダー１３と対向する位置にはターゲット電極
１６が配置されいる。また、基板ホルダー１３とターゲ
ット電極１６との間に電力を印加する電源としては、直
流電源１７と高周波電源１８とを切替え可能に有してお
り、さらに真空チャンバ１２には、チャンバ内を真空排
気するための排気バルブ１５、チャンバ内にスパッタガ
スを導入するためのガス導入バルブ１４が接続されてい
る。また基板ホルダー１３には基板（金型母材）温度測
定用の熱電対２２が配置してある。なお、図示していな
いが、この装置には、真空チャンバ１２内に形成される
電場と直交する磁場を形成するように磁石が配置してあ
り、いわゆるマグネトロン放電を利用できるようになっ
ている。そして、上記したような材質からなる金型母材
１１が基板ホルダー１３上に載置され、一方、ターゲッ
ト電極１６にはターゲットとしての炭素材（グラファイ
ト）２１を設置される。
おいて用いられるマグネトロンスパッタ装置の一例の構
成を示す概略図であり、この装置において、真空チャン
バ１２内には、冷却機構１９および基板加熱用ヒータ２
０を備えた基板ホルダー１３が設けられており、またこ
の基板ホルダー１３と対向する位置にはターゲット電極
１６が配置されいる。また、基板ホルダー１３とターゲ
ット電極１６との間に電力を印加する電源としては、直
流電源１７と高周波電源１８とを切替え可能に有してお
り、さらに真空チャンバ１２には、チャンバ内を真空排
気するための排気バルブ１５、チャンバ内にスパッタガ
スを導入するためのガス導入バルブ１４が接続されてい
る。また基板ホルダー１３には基板（金型母材）温度測
定用の熱電対２２が配置してある。なお、図示していな
いが、この装置には、真空チャンバ１２内に形成される
電場と直交する磁場を形成するように磁石が配置してあ
り、いわゆるマグネトロン放電を利用できるようになっ
ている。そして、上記したような材質からなる金型母材
１１が基板ホルダー１３上に載置され、一方、ターゲッ
ト電極１６にはターゲットとしての炭素材（グラファイ
ト）２１を設置される。
【００１９】もちろん、マグネトロンスパッタ装置の構
成としては、図１に例示するようなものに何ら限定され
るものではなく、従来公知の各種の構成のものを使用可
能である。
成としては、図１に例示するようなものに何ら限定され
るものではなく、従来公知の各種の構成のものを使用可
能である。
【００２０】本発明に係る製造方法においては、まずｓ
ｐ２構造を形成する条件において金型母材上に炭素膜を
堆積させる。上記したような装置を使用しマグネトロン
スパッタ法により炭素膜を形成する態様の場合、この条
件としては、金型母材１１の温度約２００℃以上、より
好ましくは３００℃以上に設定し、さらに印加電力、ス
パッタガス雰囲気圧力等を所望の成膜速度である１０〜
１０００Ａ／min 、より好ましくは３０〜８００Ａ／mi
n が得られるように調節する。使用するスパッタガスと
しては、アルゴンのみで構わないが、アルゴンに、水
素、ヘリウム、酸素等の反応性ガスを一部添加した（ガ
ス全量の０〜５０容量％程度）混合ガスを用いることも
可能である。
ｐ２構造を形成する条件において金型母材上に炭素膜を
堆積させる。上記したような装置を使用しマグネトロン
スパッタ法により炭素膜を形成する態様の場合、この条
件としては、金型母材１１の温度約２００℃以上、より
好ましくは３００℃以上に設定し、さらに印加電力、ス
パッタガス雰囲気圧力等を所望の成膜速度である１０〜
１０００Ａ／min 、より好ましくは３０〜８００Ａ／mi
n が得られるように調節する。使用するスパッタガスと
しては、アルゴンのみで構わないが、アルゴンに、水
素、ヘリウム、酸素等の反応性ガスを一部添加した（ガ
ス全量の０〜５０容量％程度）混合ガスを用いることも
可能である。
【００２１】なお、このような条件において形成される
炭素膜は、代表的にはｓｐ２構造が５０〜７０％程度、
ｓｐ３構造が３０〜５０％程度含まれたものとなる。こ
こで、ｓｐ２構造が５０％未満であると、金型母材との
密着性改善が十分でなくなるためである。一方、ｓｐ２
構造が７０％を越える、即ちｓｐ３構造が３０％未満と
なると、密着性は充分なものとなるものの、ガラス、特
にチタンを含むガラスと反応したり融着を引き起こす虞
れがあるためである。従って、本発明の製造方法によっ
て得られる炭素膜は、ｓｐ３構造を全体を通じて少なく
とも３０％以上含むことになる。
炭素膜は、代表的にはｓｐ２構造が５０〜７０％程度、
ｓｐ３構造が３０〜５０％程度含まれたものとなる。こ
こで、ｓｐ２構造が５０％未満であると、金型母材との
密着性改善が十分でなくなるためである。一方、ｓｐ２
構造が７０％を越える、即ちｓｐ３構造が３０％未満と
なると、密着性は充分なものとなるものの、ガラス、特
にチタンを含むガラスと反応したり融着を引き起こす虞
れがあるためである。従って、本発明の製造方法によっ
て得られる炭素膜は、ｓｐ３構造を全体を通じて少なく
とも３０％以上含むことになる。
【００２２】このような条件において、炭素膜が所定の
厚み、例えば形成しようとする保護膜の全膜厚の少なく
とも１０％程度、より好ましくは５〜２０％程度の厚み
となるまで、成膜を続けた後、ｓｐ３構造を形成する条
件へと漸次移行させていく。具体的には、金型母材を徐
々に冷却し、１００℃以下、より好ましくは２０〜５０
℃まで温度を低下させて炭素膜の成長を行なう。この冷
却時においては一端、炭素膜成長を停止させることも可
能であるが、表面側に向って徐々にｓｐ３構造が増加す
るものとする上から、冷却時においても連続的に成長を
行なうことが望ましい。またこの際使用するスパッタガ
スとしては、アルゴンに、水素、ヘリウム、酸素等の反
応性ガスを一部添加した（ガス全量の０〜５０容量％程
度）混合ガスを用いることが望ましく、先の成長条件で
アルゴンガスを用いていた場合には、温度低下と併せ
て、反応性ガスを添加した混合ガスへと切り替えること
が望ましい。また、先の成長条件で混合ガスを用いてい
た場合であっても、反応性ガスの添加量が少ない態様に
おいては、この反応性ガスの添加量を増加させることも
可能である。また、成膜速度としては、上記と同様に１
０〜１０００Ａ／min程度であることが適当である。
厚み、例えば形成しようとする保護膜の全膜厚の少なく
とも１０％程度、より好ましくは５〜２０％程度の厚み
となるまで、成膜を続けた後、ｓｐ３構造を形成する条
件へと漸次移行させていく。具体的には、金型母材を徐
々に冷却し、１００℃以下、より好ましくは２０〜５０
℃まで温度を低下させて炭素膜の成長を行なう。この冷
却時においては一端、炭素膜成長を停止させることも可
能であるが、表面側に向って徐々にｓｐ３構造が増加す
るものとする上から、冷却時においても連続的に成長を
行なうことが望ましい。またこの際使用するスパッタガ
スとしては、アルゴンに、水素、ヘリウム、酸素等の反
応性ガスを一部添加した（ガス全量の０〜５０容量％程
度）混合ガスを用いることが望ましく、先の成長条件で
アルゴンガスを用いていた場合には、温度低下と併せ
て、反応性ガスを添加した混合ガスへと切り替えること
が望ましい。また、先の成長条件で混合ガスを用いてい
た場合であっても、反応性ガスの添加量が少ない態様に
おいては、この反応性ガスの添加量を増加させることも
可能である。また、成膜速度としては、上記と同様に１
０〜１０００Ａ／min程度であることが適当である。
【００２３】なお、このような条件において形成される
炭素膜（保護膜の表面側）は、ｓｐ２構造が２０〜５０
％程度、ｓｐ３構造が５０〜８０％程度含まれたものと
なる。ここで、ｓｐ３構造が５０％未満であると、ガラ
スとの離型性が充分なものとならないためである。尚、
製造上で可能であればｓｐ３構造が８０％を越えるもの
であっても問題はない。
炭素膜（保護膜の表面側）は、ｓｐ２構造が２０〜５０
％程度、ｓｐ３構造が５０〜８０％程度含まれたものと
なる。ここで、ｓｐ３構造が５０％未満であると、ガラ
スとの離型性が充分なものとならないためである。尚、
製造上で可能であればｓｐ３構造が８０％を越えるもの
であっても問題はない。
【００２４】本発明の製造方法において、金型母材表面
に形成する上記したような構造を有する炭素膜の膜厚と
しては特に限定されるものではないが、例えば３００〜
５０００Ａ程度であることが望ましい。３００Ａ未満で
あるとＳＰ２構造からＳＰ３構造への連続性等の面から
問題が生じる虞れがあり、一方、５０００Ａを越えるも
のであると金型母材の形状によっては膜応力の影響で剥
離し易くなる等の面から問題が生じる虞れがあるためで
ある。
に形成する上記したような構造を有する炭素膜の膜厚と
しては特に限定されるものではないが、例えば３００〜
５０００Ａ程度であることが望ましい。３００Ａ未満で
あるとＳＰ２構造からＳＰ３構造への連続性等の面から
問題が生じる虞れがあり、一方、５０００Ａを越えるも
のであると金型母材の形状によっては膜応力の影響で剥
離し易くなる等の面から問題が生じる虞れがあるためで
ある。
【００２５】以上は、本発明の製造方法をマグネトロン
スパッタ法において言及しているが、同様の考え方を適
用すればプラズマＣＶＤ法やイオンプレーティング法な
どにおいても同様の金型を得ることができる。すなわ
ち、例えば、プラズマＣＶＤ法において、炭素膜形成時
における結晶成長速度を１０〜１０００Ａ／min 程度と
した上で、金型母材の温度を当初２００〜４００℃程度
とし、その後３０〜５０℃程度とする、またイオンプレ
ーティング法において、炭素膜形成時における結晶成長
速度を１０〜１０００Ａ／min 程度とした上で、金型母
材の温度を当初２００〜４００℃程度とし、その後３０
〜５０℃程度とするといった態様が考えられる。
スパッタ法において言及しているが、同様の考え方を適
用すればプラズマＣＶＤ法やイオンプレーティング法な
どにおいても同様の金型を得ることができる。すなわ
ち、例えば、プラズマＣＶＤ法において、炭素膜形成時
における結晶成長速度を１０〜１０００Ａ／min 程度と
した上で、金型母材の温度を当初２００〜４００℃程度
とし、その後３０〜５０℃程度とする、またイオンプレ
ーティング法において、炭素膜形成時における結晶成長
速度を１０〜１０００Ａ／min 程度とした上で、金型母
材の温度を当初２００〜４００℃程度とし、その後３０
〜５０℃程度とするといった態様が考えられる。
【００２６】以下、本発明を実施例によりさらに具体的
に説明する。 実施例１ まず、膜構造の基本条件を決定する。金型母材をＳｉＣ
とし、マグネトロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、
スパッタガスとしてアルゴン７０％＋水素３０％の混合
ガスを用いる。まず、表面を鏡面研磨し、十分に洗浄し
た金型母材１１を図１に示すような装置の真空チャンバ
１２の基板ホルダ１３にセットして基板加熱用ヒータ２
０により４５０℃まで加熱しながら２×１０-7Ｔｏｒｒ
まで排気し、その後、上記の混合ガスをガス導入バルブ
１４より５×１０-4Ｔｏｒｒまで導入し、排気バルブ１
５を調節して５×１０-3Ｔｏｒｒにしてターゲット電極
１６と基板ホルダー１３の間で高周波（１３．５６ＭＨ
ｚ）を５００Ｗ印加して１０分間スパッタリングを行な
った。得られた炭素膜は膜厚１５００Ａで、ラマン分光
法によりその構造を測定したところ図２に示すようなラ
マンスペクトルが得られ、またＦＴ−ＩＲ法（フーリエ
変換赤外分光法）によってｓｐ３構造が３６％、ｓｐ２
構造が６４％含まれた炭素膜であると測定された。
に説明する。 実施例１ まず、膜構造の基本条件を決定する。金型母材をＳｉＣ
とし、マグネトロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、
スパッタガスとしてアルゴン７０％＋水素３０％の混合
ガスを用いる。まず、表面を鏡面研磨し、十分に洗浄し
た金型母材１１を図１に示すような装置の真空チャンバ
１２の基板ホルダ１３にセットして基板加熱用ヒータ２
０により４５０℃まで加熱しながら２×１０-7Ｔｏｒｒ
まで排気し、その後、上記の混合ガスをガス導入バルブ
１４より５×１０-4Ｔｏｒｒまで導入し、排気バルブ１
５を調節して５×１０-3Ｔｏｒｒにしてターゲット電極
１６と基板ホルダー１３の間で高周波（１３．５６ＭＨ
ｚ）を５００Ｗ印加して１０分間スパッタリングを行な
った。得られた炭素膜は膜厚１５００Ａで、ラマン分光
法によりその構造を測定したところ図２に示すようなラ
マンスペクトルが得られ、またＦＴ−ＩＲ法（フーリエ
変換赤外分光法）によってｓｐ３構造が３６％、ｓｐ２
構造が６４％含まれた炭素膜であると測定された。
【００２７】次に同様に、金型母材をＳｉＣとし、マグ
ネトロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタガ
スとしてアルゴン７０％＋水素３０％の混合ガスを用
い、加熱は行なわず室温（約３０℃）のままで、１０分
間スパッタリングを行なった。得られた炭素膜は膜厚１
５００Ａで、ラマン分光法によりその構造を測定したと
ころ図３に示すようなラマンスペクトルが得られ、また
ＦＴ−ＩＲ法によってｓｐ３構造が７２％、ｓｐ２構造
が２８％含まれた炭素膜であると測定された。
ネトロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタガ
スとしてアルゴン７０％＋水素３０％の混合ガスを用
い、加熱は行なわず室温（約３０℃）のままで、１０分
間スパッタリングを行なった。得られた炭素膜は膜厚１
５００Ａで、ラマン分光法によりその構造を測定したと
ころ図３に示すようなラマンスペクトルが得られ、また
ＦＴ−ＩＲ法によってｓｐ３構造が７２％、ｓｐ２構造
が２８％含まれた炭素膜であると測定された。
【００２８】この２つの基本条件より、炭素膜の全体の
厚みを３０００Ａとしたときの本発明の金型の作製方法
を述べる。まず金型母材としてＳｉＣを用い、マグネト
ロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタガスと
してアルゴン７０％＋水素３０％の混合ガスを用いる。
まず、表面を鏡面研磨し、十分に洗浄した金型母材１１
を図１に示すような装置の真空チャンバ１２の基板ホル
ダ１３にセットして基板加熱用ヒータ２０により４５０
℃まで加熱しながら２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、そ
の後、上記の混合ガスをガス導入バルブ１４より５×１
０-4Ｔｏｒｒまで導入し、排気バルブ１５を調節して５
×１０-3Ｔｏｒｒにしてターゲット電極１６と基板ホル
ダー１３の間で高周波（１３．５６ＭＨｚ）を５００Ｗ
印加してスパッタリングを開始し、７分後に金型母材加
熱を止め、基板ホルダー１３内に冷却機構１９により冷
却水を流して金型母材の冷却を始める。ただし、この間
も成膜は連続させた。約１０分後、基板温度はほぼ室温
（約３０℃）になっており、このままで３分間スパッタ
リングを行なった。この結果得られた炭素膜は金型母材
側がｓｐ２構造が多く、表面側に向うにつれてｓｐ３構
造が増加する薄膜であった。
厚みを３０００Ａとしたときの本発明の金型の作製方法
を述べる。まず金型母材としてＳｉＣを用い、マグネト
ロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタガスと
してアルゴン７０％＋水素３０％の混合ガスを用いる。
まず、表面を鏡面研磨し、十分に洗浄した金型母材１１
を図１に示すような装置の真空チャンバ１２の基板ホル
ダ１３にセットして基板加熱用ヒータ２０により４５０
℃まで加熱しながら２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、そ
の後、上記の混合ガスをガス導入バルブ１４より５×１
０-4Ｔｏｒｒまで導入し、排気バルブ１５を調節して５
×１０-3Ｔｏｒｒにしてターゲット電極１６と基板ホル
ダー１３の間で高周波（１３．５６ＭＨｚ）を５００Ｗ
印加してスパッタリングを開始し、７分後に金型母材加
熱を止め、基板ホルダー１３内に冷却機構１９により冷
却水を流して金型母材の冷却を始める。ただし、この間
も成膜は連続させた。約１０分後、基板温度はほぼ室温
（約３０℃）になっており、このままで３分間スパッタ
リングを行なった。この結果得られた炭素膜は金型母材
側がｓｐ２構造が多く、表面側に向うにつれてｓｐ３構
造が増加する薄膜であった。
【００２９】このようにして得られた金型を用いて光学
レンズの成形を行なった。ガラスの素材としてシリカホ
ウ酸ランタン系ガラス（ガラス転移点６２３℃）を用い
て、リヒートプレス法によって成形を繰返し金型の耐久
性を調べた。窒素雰囲気において、成形温度６７０℃で
加圧成形を行った（圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 、加圧時間３
０秒）。
レンズの成形を行なった。ガラスの素材としてシリカホ
ウ酸ランタン系ガラス（ガラス転移点６２３℃）を用い
て、リヒートプレス法によって成形を繰返し金型の耐久
性を調べた。窒素雰囲気において、成形温度６７０℃で
加圧成形を行った（圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 、加圧時間３
０秒）。
【００３０】比較のために、前記したように金型母材温
度４５０℃のままでスパッタリングを行ない、３０００
Ａの厚さに炭素膜を形成して得られた比較用金型（ａ）
と、金型母材の加熱は行なわず室温（約３０℃）のまま
でスパッタリングを行ない、３０００Ａの厚さに炭素膜
を形成して得られた比較用金型（ｂ）とに対しても、上
記と同様に光学レンズの成形を繰返し金型の耐久性を調
べた。
度４５０℃のままでスパッタリングを行ない、３０００
Ａの厚さに炭素膜を形成して得られた比較用金型（ａ）
と、金型母材の加熱は行なわず室温（約３０℃）のまま
でスパッタリングを行ない、３０００Ａの厚さに炭素膜
を形成して得られた比較用金型（ｂ）とに対しても、上
記と同様に光学レンズの成形を繰返し金型の耐久性を調
べた。
【００３１】その結果、表１に示すように本発明に係る
金型の方が母材と炭素膜との密着性が良好で、母材と炭
素膜との間で剥離が生じにくく、かつガラスとの離型性
も良好で、耐久性に優れたものであることが確認され
た。
金型の方が母材と炭素膜との密着性が良好で、母材と炭
素膜との間で剥離が生じにくく、かつガラスとの離型性
も良好で、耐久性に優れたものであることが確認され
た。
【００３２】
【表１】
【００３３】実施例２ まず、膜構造の基本条件を決定する。金型母材を超硬合
金（ＷＣ−Ｃｏ）とし、マグネトロンスパッタ法で、タ
ーゲットを炭素、スパッタガスとしてアルゴン９０％＋
酸素１０％の混合ガスを用いる。まず、表面を鏡面研磨
し、十分に洗浄した金型母材１１を図１に示すような装
置の真空チャンバ１２の基板ホルダ１３にセットして基
板加熱用ヒータ２０により２５０℃まで加熱しながら２
×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、その後、上記の混合ガス
をガス導入バルブ１４より５×１０-4Ｔｏｒｒまで導入
し、排気バルブ１５を調節して５×１０-3Ｔｏｒｒにし
てターゲット電極１６と基板ホルダー１３の間で直流６
００Ｖ、０．１Ａを印加して１０分間スパッタリングを
行なった。得られた炭素膜は膜厚５００Ａで、ラマン分
光法によりその構造を測定したところ図４に示すような
ラマンスペクトルが得られ、またＦＴ−ＩＲ法（フーリ
エ変換赤外分光法）によってｓｐ３構造が４６％、ｓｐ
２構造が５４％含まれた炭素膜であると測定された。
金（ＷＣ−Ｃｏ）とし、マグネトロンスパッタ法で、タ
ーゲットを炭素、スパッタガスとしてアルゴン９０％＋
酸素１０％の混合ガスを用いる。まず、表面を鏡面研磨
し、十分に洗浄した金型母材１１を図１に示すような装
置の真空チャンバ１２の基板ホルダ１３にセットして基
板加熱用ヒータ２０により２５０℃まで加熱しながら２
×１０-7Ｔｏｒｒまで排気し、その後、上記の混合ガス
をガス導入バルブ１４より５×１０-4Ｔｏｒｒまで導入
し、排気バルブ１５を調節して５×１０-3Ｔｏｒｒにし
てターゲット電極１６と基板ホルダー１３の間で直流６
００Ｖ、０．１Ａを印加して１０分間スパッタリングを
行なった。得られた炭素膜は膜厚５００Ａで、ラマン分
光法によりその構造を測定したところ図４に示すような
ラマンスペクトルが得られ、またＦＴ−ＩＲ法（フーリ
エ変換赤外分光法）によってｓｐ３構造が４６％、ｓｐ
２構造が５４％含まれた炭素膜であると測定された。
【００３４】次に同様に、金型母材を超硬合金とし、マ
グネトロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタ
ガスとしてアルゴン９０％＋酸素１０％の混合ガスを用
い、加熱は行なわず室温（約３０℃）のままで、１０分
間スパッタリングを行なった。えられた炭素膜は膜厚５
００Ａで、ラマン分光法によりその構造を測定したとこ
ろ図５に示すようなラマンスペクトルが得られ、またＦ
Ｔ−ＩＲ法によってｓｐ３構造が６４％、ｓｐ２構造が
３６％含まれた炭素膜であると測定された。
グネトロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタ
ガスとしてアルゴン９０％＋酸素１０％の混合ガスを用
い、加熱は行なわず室温（約３０℃）のままで、１０分
間スパッタリングを行なった。えられた炭素膜は膜厚５
００Ａで、ラマン分光法によりその構造を測定したとこ
ろ図５に示すようなラマンスペクトルが得られ、またＦ
Ｔ−ＩＲ法によってｓｐ３構造が６４％、ｓｐ２構造が
３６％含まれた炭素膜であると測定された。
【００３５】この２つの基本条件より、炭素膜の全体の
厚みを１０００Ａとしたときの本発明の金型の作製方法
を述べる。まず金型母材として超硬合金を用い、マグネ
トロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタガス
としてアルゴン９０％＋酸素１０％の混合ガスを用い
る。まず、表面を鏡面研磨し、十分に洗浄した金型母材
１１を図１に示すような装置の真空チャンバ１２の基板
ホルダ１３にセットして基板加熱用ヒータ２０により２
５０℃まで加熱しながら２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気
し、その後、上記の混合ガスをガス導入バルブ１４より
５×１０-4Ｔｏｒｒまで導入し、排気バルブ１５を調節
して５×１０-3Ｔｏｒｒにしてターゲット電極１６と基
板ホルダー１３の間で直流６００Ｖ、０．１Ａを印加し
てスパッタリングを開始し、３分後に金型母材加熱を止
め、基板ホルダー１３内に冷却機構１９により冷却水を
流して金型母材の冷却を始める。ただし、この間も成膜
は連続させた。約５分後、基板温度はほぼ室温（約３０
℃）になっており、このままで２分間スパッタリングを
行なった。この結果得られた炭素膜は金型母材側がｓｐ
２構造が多く、表面側に向うにつれてｓｐ３構造が増加
する薄膜であった。
厚みを１０００Ａとしたときの本発明の金型の作製方法
を述べる。まず金型母材として超硬合金を用い、マグネ
トロンスパッタ法で、ターゲットを炭素、スパッタガス
としてアルゴン９０％＋酸素１０％の混合ガスを用い
る。まず、表面を鏡面研磨し、十分に洗浄した金型母材
１１を図１に示すような装置の真空チャンバ１２の基板
ホルダ１３にセットして基板加熱用ヒータ２０により２
５０℃まで加熱しながら２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気
し、その後、上記の混合ガスをガス導入バルブ１４より
５×１０-4Ｔｏｒｒまで導入し、排気バルブ１５を調節
して５×１０-3Ｔｏｒｒにしてターゲット電極１６と基
板ホルダー１３の間で直流６００Ｖ、０．１Ａを印加し
てスパッタリングを開始し、３分後に金型母材加熱を止
め、基板ホルダー１３内に冷却機構１９により冷却水を
流して金型母材の冷却を始める。ただし、この間も成膜
は連続させた。約５分後、基板温度はほぼ室温（約３０
℃）になっており、このままで２分間スパッタリングを
行なった。この結果得られた炭素膜は金型母材側がｓｐ
２構造が多く、表面側に向うにつれてｓｐ３構造が増加
する薄膜であった。
【００３６】このようにして得られた金型を用いて光学
レンズの成形を行なった。ガラスの素材としてシリカ鉛
系ガラス（ガラス転移点４４３℃）を用いて、リヒート
プレス法によって成形を繰返し金型の耐久性を調べた。
窒素雰囲気において、成形温度５００℃で加圧成形を行
った（圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 、加圧時間２０秒）。
レンズの成形を行なった。ガラスの素材としてシリカ鉛
系ガラス（ガラス転移点４４３℃）を用いて、リヒート
プレス法によって成形を繰返し金型の耐久性を調べた。
窒素雰囲気において、成形温度５００℃で加圧成形を行
った（圧力５０ｋｇ／ｃｍ2 、加圧時間２０秒）。
【００３７】比較のために、前記したように金型母材温
度２５０℃のままでスパッタリングを行ない、１０００
Ａの厚さに炭素膜を形成して得られた比較用金型（ｃ）
と、金型母材の加熱は行なわず室温（約３０℃）のまま
でスパッタリングを行ない、１０００Ａの厚さに炭素膜
を形成して得られた比較用金型（ｄ）とに対しても、上
記と同様に光学レンズの成形を繰返し金型の耐久性を調
べた。
度２５０℃のままでスパッタリングを行ない、１０００
Ａの厚さに炭素膜を形成して得られた比較用金型（ｃ）
と、金型母材の加熱は行なわず室温（約３０℃）のまま
でスパッタリングを行ない、１０００Ａの厚さに炭素膜
を形成して得られた比較用金型（ｄ）とに対しても、上
記と同様に光学レンズの成形を繰返し金型の耐久性を調
べた。
【００３８】その結果、表２に示すように本発明に係る
金型の方が母材と炭素膜との密着性が良好で、母材と炭
素膜との間で剥離が生じにくく、かつガラスとの離型性
も良好で、耐久性に優れたものであることが確認され
た。
金型の方が母材と炭素膜との密着性が良好で、母材と炭
素膜との間で剥離が生じにくく、かつガラスとの離型性
も良好で、耐久性に優れたものであることが確認され
た。
【００３９】
【表２】
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、金型
母材表面上に形成される保護膜としての炭素膜が、金型
母材側から表面側に向うに従ってｓｐ２構造からしだい
にｓｐ３構造に移行するような膜構造を持つものであ
り、当該保護膜は、金型母材との密着性が良く、またガ
ラスとの離型性も良いものとなるため、金型を使用した
際に保護膜が金型母材から剥がれることなく、またガラ
スとの融着を起こすこともなく、光学レンズを成形する
のに良好な、離型性および耐久性に優れた金型を得るこ
とができる。
母材表面上に形成される保護膜としての炭素膜が、金型
母材側から表面側に向うに従ってｓｐ２構造からしだい
にｓｐ３構造に移行するような膜構造を持つものであ
り、当該保護膜は、金型母材との密着性が良く、またガ
ラスとの離型性も良いものとなるため、金型を使用した
際に保護膜が金型母材から剥がれることなく、またガラ
スとの融着を起こすこともなく、光学レンズを成形する
のに良好な、離型性および耐久性に優れた金型を得るこ
とができる。
【図１】は、本発明の製造方法において用いられるマグ
ネトロンスパッタ装置の一例の構成を示す概略図、
ネトロンスパッタ装置の一例の構成を示す概略図、
【図２】は、ある高温条件下でマグネトロンスパッタリ
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル、
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル、
【図３】は、ある低温条件下でマグネトロンスパッタリ
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル、
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル、
【図４】は、別の高温条件下でマグネトロンスパッタリ
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル、
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル、
【図５】は、別の低温条件下でマグネトロンスパッタリ
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル。
ング法により形成した炭素膜のラマンスペクトル。
１１ 金型母材 １２ 真空チャンバ２ １３ 基板ホルダ １４ ガス導入バルブ １５ 排気バルブ １６ ターゲット電極 １７ 直流電源 １８ 高周波電源 １９ 冷却機構 ２０ 基板加熱用ヒータ ２１ ターゲット（グラファイト）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 11/00 - 11/16 C03B 40/00 - 40/04
Claims (2)
- 【請求項１】 金型母材表面上に炭素膜よりなる保護膜
を形成してなる光学レンズ用金型であって、ｓｐ２結合
とｓｐ３結合とを含む当該炭素膜におけるｓｐ３結合の
割合を、金型母材側から表面側に向って増加させて形成
したことを特徴とする光学レンズ用金型。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光学レンズ用金型の製
造方法であって、マグネトロンスパッタリング法を用い
て金型母材表面上に炭素膜よりなる保護膜を形成するに
おいて、基板温度を変化させ、基板温度を成膜開始時か
ら終了時まで徐々に下げることを特徴とする光学レンズ
用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10972995A JP3319217B2 (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 光学レンズ用金型およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10972995A JP3319217B2 (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 光学レンズ用金型およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08301625A JPH08301625A (ja) | 1996-11-19 |
| JP3319217B2 true JP3319217B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=14517763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10972995A Expired - Fee Related JP3319217B2 (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 光学レンズ用金型およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319217B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001312844A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Aitakku Kk | コンパクトディスクなどのディスク成形装置 |
-
1995
- 1995-05-08 JP JP10972995A patent/JP3319217B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08301625A (ja) | 1996-11-19 |
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Legal Events
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