JPH0826751A - 光学素子用成形型及びその製造方法 - Google Patents
光学素子用成形型及びその製造方法Info
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- JPH0826751A JPH0826751A JP16032194A JP16032194A JPH0826751A JP H0826751 A JPH0826751 A JP H0826751A JP 16032194 A JP16032194 A JP 16032194A JP 16032194 A JP16032194 A JP 16032194A JP H0826751 A JPH0826751 A JP H0826751A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/24—Carbon, e.g. diamond, graphite, amorphous carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/30—Intermediate layers, e.g. graded zone of base/top material
- C03B2215/34—Intermediate layers, e.g. graded zone of base/top material of ceramic or cermet material, e.g. diamond-like carbon
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラスを構成成分とする光学素子をプレス成
形するための成形型において、高硬度で、耐久性に優
れ、加工表面が平滑であり、被成形材料との離形性にも
優れたプレス成形型及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 ガラスを構成成分とする光学素子のプレス成
形に用いる光学素子用成形型において、ガラスと接する
面が非晶質硬質炭素膜により構成され、該非晶質硬質炭
素膜が、基体上に形成されたダイヤモンド結晶膜上に形
成されていることを特徴とする光学素子用成形型。
形するための成形型において、高硬度で、耐久性に優
れ、加工表面が平滑であり、被成形材料との離形性にも
優れたプレス成形型及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 ガラスを構成成分とする光学素子のプレス成
形に用いる光学素子用成形型において、ガラスと接する
面が非晶質硬質炭素膜により構成され、該非晶質硬質炭
素膜が、基体上に形成されたダイヤモンド結晶膜上に形
成されていることを特徴とする光学素子用成形型。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスを構成成分とす
るレンズ、プリズム等の光学素子を、プレス成形により
製造する際に使用される光学素子用成形型及びその製造
方法に関するものである。
るレンズ、プリズム等の光学素子を、プレス成形により
製造する際に使用される光学素子用成形型及びその製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】研磨工程を必要としないでガラス素材の
プレス成形によってレンズを製造する技術は、従来の製
造において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ
安価にレンズを製造することを可能とし、近年レンズの
みならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製
造に使用されるようになった。
プレス成形によってレンズを製造する技術は、従来の製
造において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ
安価にレンズを製造することを可能とし、近年レンズの
みならずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製
造に使用されるようになった。
【0003】このような光学素子のプレス成形に使用さ
れる型材の性質としては、硬度、耐熱性、離型性、鏡面
加工性等に優れていることが要求される。従来、これら
の要求を満たすものとして、金属、セラミックス及びそ
れらをコーティングした材料等、数多くの提案がなされ
ている。いくつかの例を挙げるならば、特開昭49−5
1112号公報には13Crマルテンサイト鋼、特開昭5
2−45613号公報にはSiC及びSi3N4、特開昭
60−246230号公報には超硬合金の母材表面に貴
金属をコーティングした材料、また特開昭61−183
134号公報、特開昭61−281030号公報、特開
平1−301864号公報にはダイヤモンド薄膜もしく
はダイヤモンド状炭素膜を母材表面にコーティングした
材料、特開昭64−83529号公報には硬質炭素膜を
母材表面にコーティングした材料が提案されている。ま
た、特公平2−31012号公報には、加圧成形される
前の予備成形されたガラスまたは型のどちらか一方の表
面に5〜500nmの炭素膜を形成することが提案され
ている。
れる型材の性質としては、硬度、耐熱性、離型性、鏡面
加工性等に優れていることが要求される。従来、これら
の要求を満たすものとして、金属、セラミックス及びそ
れらをコーティングした材料等、数多くの提案がなされ
ている。いくつかの例を挙げるならば、特開昭49−5
1112号公報には13Crマルテンサイト鋼、特開昭5
2−45613号公報にはSiC及びSi3N4、特開昭
60−246230号公報には超硬合金の母材表面に貴
金属をコーティングした材料、また特開昭61−183
134号公報、特開昭61−281030号公報、特開
平1−301864号公報にはダイヤモンド薄膜もしく
はダイヤモンド状炭素膜を母材表面にコーティングした
材料、特開昭64−83529号公報には硬質炭素膜を
母材表面にコーティングした材料が提案されている。ま
た、特公平2−31012号公報には、加圧成形される
前の予備成形されたガラスまたは型のどちらか一方の表
面に5〜500nmの炭素膜を形成することが提案され
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、13Cr
マルテンサイト鋼は酸化し易く、更に高温でFeがガラ
ス中に拡散して被成形材料であるガラスが着色する欠点
を持つ。SiC及びSi 3N4は、一般的に酸化されにく
いとされているが、高温では酸化が起こり、表面にSi
O2が形成され、ガラスの融着が生じる。更に、高硬度
のため型自体の加工性が極めて悪いという欠点を持つ。
貴金属をコーティングした材料は融着を起こしにくい
が、極めて柔らかいため傷がつき易く変形し易い、とい
う欠点を持つ。
マルテンサイト鋼は酸化し易く、更に高温でFeがガラ
ス中に拡散して被成形材料であるガラスが着色する欠点
を持つ。SiC及びSi 3N4は、一般的に酸化されにく
いとされているが、高温では酸化が起こり、表面にSi
O2が形成され、ガラスの融着が生じる。更に、高硬度
のため型自体の加工性が極めて悪いという欠点を持つ。
貴金属をコーティングした材料は融着を起こしにくい
が、極めて柔らかいため傷がつき易く変形し易い、とい
う欠点を持つ。
【0005】また、ダイヤモンド薄膜は高硬度で熱的安
定性にも優れているが、多結晶膜であるため表面粗さが
大きく、鏡面加工する必要がある。また、特開平1−3
01864号公報において、炭素源ガス濃度を3%以上
としてダイヤモンド結晶、グラファイト結晶、アモルフ
ァス状カーボンよりなる膜を形成し、最大表面粗さ(以
下、Rmaxとする)を20nm以下とすることが提案さ
れている。しかしながら、膜中のグラファイト結晶の存
在は、硬度と耐酸化性の劣化を生じ、型の耐久性を劣化
させる原因となる。更に、DLC膜、a−C:H膜、硬
質炭素膜を用いた型は、型とガラスとの離型性がよく、
ガラスとの融着を起こさないが、成形操作を数百回以上
繰り返して行うと、前記膜が部分的に剥離し成形品にお
いて十分な成形性能が得られないことがる。
定性にも優れているが、多結晶膜であるため表面粗さが
大きく、鏡面加工する必要がある。また、特開平1−3
01864号公報において、炭素源ガス濃度を3%以上
としてダイヤモンド結晶、グラファイト結晶、アモルフ
ァス状カーボンよりなる膜を形成し、最大表面粗さ(以
下、Rmaxとする)を20nm以下とすることが提案さ
れている。しかしながら、膜中のグラファイト結晶の存
在は、硬度と耐酸化性の劣化を生じ、型の耐久性を劣化
させる原因となる。更に、DLC膜、a−C:H膜、硬
質炭素膜を用いた型は、型とガラスとの離型性がよく、
ガラスとの融着を起こさないが、成形操作を数百回以上
繰り返して行うと、前記膜が部分的に剥離し成形品にお
いて十分な成形性能が得られないことがる。
【0006】また、特公平2−31012号公報の実施
例で用いられている形成方法(真空蒸着法)で得られる
炭素膜は、一般的には膜と基板との密着力が弱く、成形
中に膜が剥離する場合があり、耐久性に問題があった。
例で用いられている形成方法(真空蒸着法)で得られる
炭素膜は、一般的には膜と基板との密着力が弱く、成形
中に膜が剥離する場合があり、耐久性に問題があった。
【0007】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
ガラスを構成成分とする光学素子をプレス成形するため
の成形型において、高硬度で、耐久性に優れ、加工表面
が平滑であり、被成形材料との離形性にも優れたプレス
成形型及びその製造方法を提供することを目的とする。
ガラスを構成成分とする光学素子をプレス成形するため
の成形型において、高硬度で、耐久性に優れ、加工表面
が平滑であり、被成形材料との離形性にも優れたプレス
成形型及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
する本発明は、ガラスを構成成分とする光学素子のプレ
ス成形に用いる光学素子用成形型において、ガラスと接
する面が非晶質硬質炭素膜により構成され、該非晶質硬
質炭素膜が、基体上に形成されたダイヤモンド結晶膜上
に形成されていることを特徴とする光学素子用成形型で
ある。
する本発明は、ガラスを構成成分とする光学素子のプレ
ス成形に用いる光学素子用成形型において、ガラスと接
する面が非晶質硬質炭素膜により構成され、該非晶質硬
質炭素膜が、基体上に形成されたダイヤモンド結晶膜上
に形成されていることを特徴とする光学素子用成形型で
ある。
【0009】また、本発明の光学素子用成形型は、ダイ
ヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(R max)が30nmよ
り大きく150nm以下であり、非晶質硬質炭素膜の膜
厚が前記ダイヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)
の1.8倍以上、500nm以下であることを含むもの
である。
ヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(R max)が30nmよ
り大きく150nm以下であり、非晶質硬質炭素膜の膜
厚が前記ダイヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)
の1.8倍以上、500nm以下であることを含むもの
である。
【0010】また、本発明は、ガラスを構成成分とする
光学素子のプレス成形に用いる光学素子用成形型を製造
する方法において、基体上に気相合成法によりダイヤモ
ンド結晶膜を形成し、該ダイヤモンド結晶膜上に気相合
成法により非晶質硬質炭素膜を形成することを特徴とす
る光学素子用成形型の製造方法である。
光学素子のプレス成形に用いる光学素子用成形型を製造
する方法において、基体上に気相合成法によりダイヤモ
ンド結晶膜を形成し、該ダイヤモンド結晶膜上に気相合
成法により非晶質硬質炭素膜を形成することを特徴とす
る光学素子用成形型の製造方法である。
【0011】また、本発明の製造方法は、ダイヤモンド
結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)を30nmより大き
く、150nm以下とし、非晶質硬質炭素膜の膜厚を前
記ダイヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)の1.
8倍以上、500nm以下とすることを含むものであ
る。
結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)を30nmより大き
く、150nm以下とし、非晶質硬質炭素膜の膜厚を前
記ダイヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)の1.
8倍以上、500nm以下とすることを含むものであ
る。
【0012】また、本発明の製造方法は、非晶質硬質炭
素膜を、高周波プラズマCVD法又はイオンビーム蒸着
法により形成することを含むものである。
素膜を、高周波プラズマCVD法又はイオンビーム蒸着
法により形成することを含むものである。
【0013】又、本発明の製造方法は、ダイヤモンド結
晶膜を微結晶化させることにより、Rmaxを30nmよ
り大きく、150nm以下とするものである。
晶膜を微結晶化させることにより、Rmaxを30nmよ
り大きく、150nm以下とするものである。
【0014】又、本発明の製造方法は、ダイヤモンド結
晶膜を研磨することにより、Rmaxを30nmより大き
く、150nm以下とするものである。
晶膜を研磨することにより、Rmaxを30nmより大き
く、150nm以下とするものである。
【0015】本発明者らは、従来の光学素子用成形型の
問題点に鑑み、成形型の表面層として用いられる炭素を
主成分とする気相合成炭素膜の形態が、光学素子の成形
性能に及ぼす影響について詳細な実験を続けた結果、炭
素膜の結晶性及び構造が光学素子の成形性能へ関与する
ことを明らかにすることができたものである。
問題点に鑑み、成形型の表面層として用いられる炭素を
主成分とする気相合成炭素膜の形態が、光学素子の成形
性能に及ぼす影響について詳細な実験を続けた結果、炭
素膜の結晶性及び構造が光学素子の成形性能へ関与する
ことを明らかにすることができたものである。
【0016】すなわち、成形型の少なくとも被成形材料
と接する表面に、ダイヤモンド結晶膜を下地層とする非
晶質硬質炭素膜を気相合成法により形成することによ
り、ガラスとの融着がなく、高硬度で、表面平滑性に優
れ、更に、耐酸化性及び型耐久性の高い、光学素子用成
形型を実現したものである。
と接する表面に、ダイヤモンド結晶膜を下地層とする非
晶質硬質炭素膜を気相合成法により形成することによ
り、ガラスとの融着がなく、高硬度で、表面平滑性に優
れ、更に、耐酸化性及び型耐久性の高い、光学素子用成
形型を実現したものである。
【0017】これらの特徴は以下の理由によるものであ
る。すなわち、ダイヤモンド結晶膜は、他のセラミック
ス及び金属薄膜よりはガラスとの密着力が小さく離型性
に優れているが、非晶質を主成分とする硬質炭素膜は、
ダイヤモンド薄膜よりも更にガラスとの密着力が小さく
離型性に優れている。
る。すなわち、ダイヤモンド結晶膜は、他のセラミック
ス及び金属薄膜よりはガラスとの密着力が小さく離型性
に優れているが、非晶質を主成分とする硬質炭素膜は、
ダイヤモンド薄膜よりも更にガラスとの密着力が小さく
離型性に優れている。
【0018】図1は本発明の光学素子用成形型の層構成
の一例を示す概念図である。図中(a)はダイヤモンド
結晶膜形成前の基体1、(b)は基体1上にダイヤモン
ド結晶膜2が形成された状態、(c)はダイヤモンド結
晶膜上に非晶質硬質炭素膜が形成された状態を示す。図
1(b)に示されるように基体上に形成されるダイヤモ
ンド結晶膜は、表面の凹凸が大きく(代表的にはRmax
が100nm以上)、そのままでは光学素子用成形型と
して用いることができない。このため、本発明ではこの
ダイヤモンド結晶膜上に平滑性の良好な非晶質硬質炭素
膜を形成して表面の平滑化を行い、光学素子用成形型と
して利用可能な表面平滑性を得るものである。
の一例を示す概念図である。図中(a)はダイヤモンド
結晶膜形成前の基体1、(b)は基体1上にダイヤモン
ド結晶膜2が形成された状態、(c)はダイヤモンド結
晶膜上に非晶質硬質炭素膜が形成された状態を示す。図
1(b)に示されるように基体上に形成されるダイヤモ
ンド結晶膜は、表面の凹凸が大きく(代表的にはRmax
が100nm以上)、そのままでは光学素子用成形型と
して用いることができない。このため、本発明ではこの
ダイヤモンド結晶膜上に平滑性の良好な非晶質硬質炭素
膜を形成して表面の平滑化を行い、光学素子用成形型と
して利用可能な表面平滑性を得るものである。
【0019】図2及び図3は、本発明に係る光学素子用
成形型を用いて光学素子をプレス成形する一例を示す模
式図である。図2はプレス成形前のガラス素材と光学素
子用成形型とを示す模式図である。図3はガラス素材が
プレスされた状態を示す模式図である。図中21及び3
1は基体、22及び32はダイヤモンド結晶膜と硬質炭
素膜とからなる炭素膜であり、23はガラス素材、33
はプレス成形された光学素子である。上下の成形型の間
に置かれたガラス素材23をプレス成形することにより
レンズ等の光学素子33が形成される。
成形型を用いて光学素子をプレス成形する一例を示す模
式図である。図2はプレス成形前のガラス素材と光学素
子用成形型とを示す模式図である。図3はガラス素材が
プレスされた状態を示す模式図である。図中21及び3
1は基体、22及び32はダイヤモンド結晶膜と硬質炭
素膜とからなる炭素膜であり、23はガラス素材、33
はプレス成形された光学素子である。上下の成形型の間
に置かれたガラス素材23をプレス成形することにより
レンズ等の光学素子33が形成される。
【0020】本発明において基体上に形成されるダイヤ
モンド結晶膜は、そのRmaxが、30nmより大きく、
150nm以下、より好ましくは60nm以上、120
nm以下であることが望ましい。ダイヤモンド結晶膜の
Rmaxが150nmより大きい場合、その上に硬質炭素
膜を形成しても、光学素子用成形型として十分な表面平
滑性を得ることができない場合がある。
モンド結晶膜は、そのRmaxが、30nmより大きく、
150nm以下、より好ましくは60nm以上、120
nm以下であることが望ましい。ダイヤモンド結晶膜の
Rmaxが150nmより大きい場合、その上に硬質炭素
膜を形成しても、光学素子用成形型として十分な表面平
滑性を得ることができない場合がある。
【0021】非晶質硬質炭素膜の厚さは、ダイヤモンド
結晶膜のRmaxの1.8倍以上、500nm以下、望ま
しくはダイヤモンド結晶膜のRmaxの2倍以上、400
nm以下である。厚さがダイヤモンド結晶膜のRmaxの
1.8倍未満では光学素子用成形型として必要な表面粗
さを得ることができず、500nmより厚い場合は、膜
剥離等を生じ易く型耐久性の劣化の原因となる。非晶質
硬質炭素膜の厚さが前記範囲内であればダイヤモンド膜
と硬質炭素膜との密着力は非常に良好である。硬質炭素
膜の下地をダイヤモンド結晶膜とすることにより、成形
による硬質炭素膜硬度の劣化も抑制され、型の耐久性も
大幅に向上する。これは、ダイヤモンド構造を有する非
晶質炭素膜からグラファイト構造を有する非晶質炭素膜
へ構造が変化するためであると思われる。
結晶膜のRmaxの1.8倍以上、500nm以下、望ま
しくはダイヤモンド結晶膜のRmaxの2倍以上、400
nm以下である。厚さがダイヤモンド結晶膜のRmaxの
1.8倍未満では光学素子用成形型として必要な表面粗
さを得ることができず、500nmより厚い場合は、膜
剥離等を生じ易く型耐久性の劣化の原因となる。非晶質
硬質炭素膜の厚さが前記範囲内であればダイヤモンド膜
と硬質炭素膜との密着力は非常に良好である。硬質炭素
膜の下地をダイヤモンド結晶膜とすることにより、成形
による硬質炭素膜硬度の劣化も抑制され、型の耐久性も
大幅に向上する。これは、ダイヤモンド構造を有する非
晶質炭素膜からグラファイト構造を有する非晶質炭素膜
へ構造が変化するためであると思われる。
【0022】ダイヤモンド結晶膜のRmaxを150nm
以下にするには、結晶を微結晶化させる方法、核発生密
度を上げる方法、更には、ダイヤモンド結晶膜の研磨を
行う等の方法がある。
以下にするには、結晶を微結晶化させる方法、核発生密
度を上げる方法、更には、ダイヤモンド結晶膜の研磨を
行う等の方法がある。
【0023】ダイヤモンド結晶の微結晶化は、例えば、
(炭素源ガス流量)/(導入ガス全流量)で定義される
炭素原料ガス濃度を1.5%以上、より好ましくは2%
以上にすることにより、あるいは基体温度を750℃以
下、より好ましくは700℃以下にすることにより達成
される。
(炭素源ガス流量)/(導入ガス全流量)で定義される
炭素原料ガス濃度を1.5%以上、より好ましくは2%
以上にすることにより、あるいは基体温度を750℃以
下、より好ましくは700℃以下にすることにより達成
される。
【0024】核発生密度は、1×106個/mm2以上、
より好ましくは5×106個/mm2以上とすることが好
ましい。核発生密度を向上させる方法としては、1μm
以下のダイヤモンドペーストで基体表面を研磨する「傷
つけ処理」を施す方法、数十μmのダイヤモンド砥粒を
含有させた溶媒中で基体に超音波振動印加する「超音波
処理」を施す方法、炭素原料ガスを含有するプラズマ中
で基体に負バイアス印加する「電界処理」を施す方法等
を挙げることができる。
より好ましくは5×106個/mm2以上とすることが好
ましい。核発生密度を向上させる方法としては、1μm
以下のダイヤモンドペーストで基体表面を研磨する「傷
つけ処理」を施す方法、数十μmのダイヤモンド砥粒を
含有させた溶媒中で基体に超音波振動印加する「超音波
処理」を施す方法、炭素原料ガスを含有するプラズマ中
で基体に負バイアス印加する「電界処理」を施す方法等
を挙げることができる。
【0025】ダイヤモンド結晶膜の研磨方法としては、
通常のダイヤモンド砥粒を用いた研磨方法を挙げること
ができる。ダイヤモンド結晶膜は非常に硬度が高く研磨
が難しいが、Rmaxを30nmより大きく、150nm
以下とする研磨であれば、特別な装置や方法を用いず
に、例えば、ダイヤモンド砥粒を液体中に分散させた研
磨液と研磨板とを用いた通常の方法で研磨が可能である
ため、低コストでダイヤモンド膜の研磨が可能である。
通常のダイヤモンド砥粒を用いた研磨方法を挙げること
ができる。ダイヤモンド結晶膜は非常に硬度が高く研磨
が難しいが、Rmaxを30nmより大きく、150nm
以下とする研磨であれば、特別な装置や方法を用いず
に、例えば、ダイヤモンド砥粒を液体中に分散させた研
磨液と研磨板とを用いた通常の方法で研磨が可能である
ため、低コストでダイヤモンド膜の研磨が可能である。
【0026】本発明においては、以上の方法及び条件を
単独又は組み合わせてRmaxが30nmより大きく、1
50nm以下であるダイヤモンド結晶膜を形成するもの
である。
単独又は組み合わせてRmaxが30nmより大きく、1
50nm以下であるダイヤモンド結晶膜を形成するもの
である。
【0027】本発明においては、上記ダイヤモンド結晶
膜上に、非晶質硬質炭素膜を形成して、成形型の表面を
光学素子用成形型として必要な表面粗さに、すなわちR
maxが30nm以下となるように加工する。
膜上に、非晶質硬質炭素膜を形成して、成形型の表面を
光学素子用成形型として必要な表面粗さに、すなわちR
maxが30nm以下となるように加工する。
【0028】本発明において、「非晶質硬質炭素膜」と
は、結晶構造を全く有さないか、または殆ど無視できる
程度のダイヤモンドやグラファイトなどの炭素結晶相を
含有する炭素膜である。具体的には例えば、炭素含有ガ
スをプラズマ化し、プラズマ中のイオンを用いて形成さ
れた炭素膜、又は黒鉛等の固体炭素材料をイオンビーム
又はプラズマでスパッタリングして形成された炭素膜で
あり、硬度が高いことからダイヤモンド状炭素膜ととも
呼ばれているものである。これらの硬質炭素膜は、非晶
質であるため非常に平滑な表面を有しており、気体表面
に形成することにより基体表面の平滑性と同様かそれ以
上の平滑性を得ることができる。
は、結晶構造を全く有さないか、または殆ど無視できる
程度のダイヤモンドやグラファイトなどの炭素結晶相を
含有する炭素膜である。具体的には例えば、炭素含有ガ
スをプラズマ化し、プラズマ中のイオンを用いて形成さ
れた炭素膜、又は黒鉛等の固体炭素材料をイオンビーム
又はプラズマでスパッタリングして形成された炭素膜で
あり、硬度が高いことからダイヤモンド状炭素膜ととも
呼ばれているものである。これらの硬質炭素膜は、非晶
質であるため非常に平滑な表面を有しており、気体表面
に形成することにより基体表面の平滑性と同様かそれ以
上の平滑性を得ることができる。
【0029】これら非晶質硬質炭素膜は通常いかなる結
晶性も有していないが、電子顕微鏡で微小領域(nmオ
ーダー)を詳細に観察すると、数nm程度の大きさの微
結晶のダイヤモンド又はグラファイトが観察されること
がある。これらの微結晶の量を見積るのは非常に困難で
あるが、一般的には全体積の数%以下である。この程度
の微結晶相の量であれば表面の平滑性及び耐熱性には実
用上問題はない。但し、例えば、ラマン分光分析法でダ
イヤモンド結晶相が同定されたり、X線回折法による分
析方法でダイヤモンド、グラファイト等の結晶相が同定
できるほど膜中に結晶相が含有されている場合、表面の
平滑性又は耐熱性が劣化し、光学素子用成形型としては
適当ではない。
晶性も有していないが、電子顕微鏡で微小領域(nmオ
ーダー)を詳細に観察すると、数nm程度の大きさの微
結晶のダイヤモンド又はグラファイトが観察されること
がある。これらの微結晶の量を見積るのは非常に困難で
あるが、一般的には全体積の数%以下である。この程度
の微結晶相の量であれば表面の平滑性及び耐熱性には実
用上問題はない。但し、例えば、ラマン分光分析法でダ
イヤモンド結晶相が同定されたり、X線回折法による分
析方法でダイヤモンド、グラファイト等の結晶相が同定
できるほど膜中に結晶相が含有されている場合、表面の
平滑性又は耐熱性が劣化し、光学素子用成形型としては
適当ではない。
【0030】ダイヤモンド結晶膜の形成方法としては、
種々の気相合成法を用いることができる。気相合成法と
しては熱フィラメントCVD法、マイクロ波CVD法、
有磁場マイクロ波CVD法、VHFプラズマCVD法、
直流プラズマCVD法、RFプラズマCVD法、燃焼炎
法等を挙げることができる。
種々の気相合成法を用いることができる。気相合成法と
しては熱フィラメントCVD法、マイクロ波CVD法、
有磁場マイクロ波CVD法、VHFプラズマCVD法、
直流プラズマCVD法、RFプラズマCVD法、燃焼炎
法等を挙げることができる。
【0031】気相合成法に用いる原料ガスの炭素源とし
ては、メタン、エタン、エチレン、アセチレン等の炭化
水素ガス、アルコール、アセトン等の液状有機化合物、
一酸化炭素、ハロゲン化炭素などを用いることができ
る。更に、適宜、水素、酸素、塩素、フッ素、希ガスを
含むガスを添加することができる。
ては、メタン、エタン、エチレン、アセチレン等の炭化
水素ガス、アルコール、アセトン等の液状有機化合物、
一酸化炭素、ハロゲン化炭素などを用いることができ
る。更に、適宜、水素、酸素、塩素、フッ素、希ガスを
含むガスを添加することができる。
【0032】非晶質硬質炭素膜の形成方法としては、高
周波プラズマCVD法、スパッタ蒸着法、イオンビーム
蒸着法等がある。
周波プラズマCVD法、スパッタ蒸着法、イオンビーム
蒸着法等がある。
【0033】高周波プラズマCVD法は、メタン、エタ
ン、エチレン、アセチレン等の炭化水素ガス、アルコー
ル、アセトン、ベンゼン等の液状有機化合物、更には一
酸化炭素、ハロゲン化炭素等の種々の炭素源ガスに、適
宜水素、酸素、塩素、フッ素、希ガス等の希釈ガスを加
え、これらの混合ガスに、1MHzから10GHzまで
の周波数を有する高周波を用いてプラズマ化して、基体
上に非晶質硬質炭素膜を形成する方法である。
ン、エチレン、アセチレン等の炭化水素ガス、アルコー
ル、アセトン、ベンゼン等の液状有機化合物、更には一
酸化炭素、ハロゲン化炭素等の種々の炭素源ガスに、適
宜水素、酸素、塩素、フッ素、希ガス等の希釈ガスを加
え、これらの混合ガスに、1MHzから10GHzまで
の周波数を有する高周波を用いてプラズマ化して、基体
上に非晶質硬質炭素膜を形成する方法である。
【0034】スパッタ蒸着法は黒鉛等の固体炭素源ター
ゲット上に、プラズマ又はイオンビームを照射して炭素
源をスパッタし、このスパッタされた炭素源を基体上に
蒸着して非晶質硬質炭素膜を形成する方法である。本発
明の硬質炭素膜形成方法は、上記方法に限定されるもの
ではないが、高周波プラズマCVD法は装置構造が簡単
であり、また大面積化が可能で多数の基体上に同時に硬
質炭素膜を形成することが可能であり、本発明に好適な
方法である。
ゲット上に、プラズマ又はイオンビームを照射して炭素
源をスパッタし、このスパッタされた炭素源を基体上に
蒸着して非晶質硬質炭素膜を形成する方法である。本発
明の硬質炭素膜形成方法は、上記方法に限定されるもの
ではないが、高周波プラズマCVD法は装置構造が簡単
であり、また大面積化が可能で多数の基体上に同時に硬
質炭素膜を形成することが可能であり、本発明に好適な
方法である。
【0035】イオンビーム蒸着法はメタン、エタン、エ
チレン、アセチレン等の炭化水素ガス、アルコール、ア
セトン等の液状有機化合物、一酸化炭素、ハロゲン化炭
素等の炭素源ガス及び水素、酸素、塩素、フッ素、希ガ
ス等の希釈ガスを熱フィラメント又は高周波、更には磁
場等を印加してプラズマ化し、このプラズマから電界を
用いてイオンを加速し、イオンビームを形成し、このイ
オンビームを基体上に照射して硬質炭素膜を形成する方
法である。このとき、加速電圧は0.5kV以上、より
好ましくは3kV以上、好適には5kV以上が望まし
い。イオンビーム蒸着法は高加速電圧のイオンを基体に
照射して硬質炭素膜を形成するので型材との密着力が良
好であり、本発明に更に好適な方法である。
チレン、アセチレン等の炭化水素ガス、アルコール、ア
セトン等の液状有機化合物、一酸化炭素、ハロゲン化炭
素等の炭素源ガス及び水素、酸素、塩素、フッ素、希ガ
ス等の希釈ガスを熱フィラメント又は高周波、更には磁
場等を印加してプラズマ化し、このプラズマから電界を
用いてイオンを加速し、イオンビームを形成し、このイ
オンビームを基体上に照射して硬質炭素膜を形成する方
法である。このとき、加速電圧は0.5kV以上、より
好ましくは3kV以上、好適には5kV以上が望まし
い。イオンビーム蒸着法は高加速電圧のイオンを基体に
照射して硬質炭素膜を形成するので型材との密着力が良
好であり、本発明に更に好適な方法である。
【0036】光学素子用成形型に使用される基体として
は、アルミナ、ジルコニアのような酸化物系セラミック
ス、炭化珪素、窒化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭
化タングステン等の炭化物、窒化物系セラミックス、更
に、WC系の超合金、モリブデン、タングステン、タン
タル等の金属等を用いることができる。
は、アルミナ、ジルコニアのような酸化物系セラミック
ス、炭化珪素、窒化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭
化タングステン等の炭化物、窒化物系セラミックス、更
に、WC系の超合金、モリブデン、タングステン、タン
タル等の金属等を用いることができる。
【0037】基体の形状は、成形装置や成形レンズの形
状により任意に決めることができるが、例えばレンズを
成形する場合、成形面をそのレンズ径の曲率に合わせ
て、曲面形状にし、その曲面上に気相合成法を用いて前
記ダイヤモンド結晶膜及び非晶質を主体とする硬質炭素
膜を形成する。
状により任意に決めることができるが、例えばレンズを
成形する場合、成形面をそのレンズ径の曲率に合わせ
て、曲面形状にし、その曲面上に気相合成法を用いて前
記ダイヤモンド結晶膜及び非晶質を主体とする硬質炭素
膜を形成する。
【0038】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【0039】実施例1 熱フィラメントCVD法により以下の要領で基体上にダ
イヤモンド結晶膜を形成した。
イヤモンド結晶膜を形成した。
【0040】図4は熱フィラメントCVD法による装置
の一例を示す模式図である。41は石英反応管、42は
電気炉、43はフィラメント、44は基体、45は原料
ガス導入系、46はガス排気系である。原料ガス導入系
45は不図示のガスボンベ、ガス流量調節器、バルブ等
に接続されている。ガス排気系46は不図示のガス圧調
整バルブ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポ
ンプに接続されている。 基体としてSiC(炭化ケイ
素)焼結体を所定の形状に加工した後、CVD法で多結
晶SiC膜を形成し、その後、成形面をRmax=0.0
4μmに鏡面研磨したものを用いた。この型をよく洗浄
した後、図4に示す熱フィラメントCVD装置に蒸着し
た。ガス流量はメタン:2ml/min、酸素:100
ml/min(メタン濃度2%)とし、基体温度は65
0℃、合成時間は5時間、圧力104 Paとした。以上
のように形成したダイヤモンド結晶膜は、微結晶膜で、
R max は0.12μmであり、光学素子用成形型として
はこのままでは、精度が不十分で使用不可であった。
の一例を示す模式図である。41は石英反応管、42は
電気炉、43はフィラメント、44は基体、45は原料
ガス導入系、46はガス排気系である。原料ガス導入系
45は不図示のガスボンベ、ガス流量調節器、バルブ等
に接続されている。ガス排気系46は不図示のガス圧調
整バルブ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポ
ンプに接続されている。 基体としてSiC(炭化ケイ
素)焼結体を所定の形状に加工した後、CVD法で多結
晶SiC膜を形成し、その後、成形面をRmax=0.0
4μmに鏡面研磨したものを用いた。この型をよく洗浄
した後、図4に示す熱フィラメントCVD装置に蒸着し
た。ガス流量はメタン:2ml/min、酸素:100
ml/min(メタン濃度2%)とし、基体温度は65
0℃、合成時間は5時間、圧力104 Paとした。以上
のように形成したダイヤモンド結晶膜は、微結晶膜で、
R max は0.12μmであり、光学素子用成形型として
はこのままでは、精度が不十分で使用不可であった。
【0041】次に、ダイヤモンド結晶膜上に硬質炭素膜
を形成した。硬質炭素膜の形成は図5に示すイオンビー
ム蒸着装置を用いて行った。図5中、51は真空容器、
52はイオンビーム装置で、53の原料ガス導入口から
導入された原料ガスを熱フィラメント及び磁場を用いて
分解、プラズマ化し、加速用電極54を用いてイオンビ
ーム55を基体56に照射するものである。57はガス
排気系で不図示のガスバルブ及びターボ分子ポンプ及び
ロータリーポンプが接続されている。
を形成した。硬質炭素膜の形成は図5に示すイオンビー
ム蒸着装置を用いて行った。図5中、51は真空容器、
52はイオンビーム装置で、53の原料ガス導入口から
導入された原料ガスを熱フィラメント及び磁場を用いて
分解、プラズマ化し、加速用電極54を用いてイオンビ
ーム55を基体56に照射するものである。57はガス
排気系で不図示のガスバルブ及びターボ分子ポンプ及び
ロータリーポンプが接続されている。
【0042】ダイヤモンド結晶が形成された基体を図5
に示す装置に入れ、硬質炭素膜の形成を行う。形成条件
は、ガス流量がメタン:50ml/min、水素:50
ml/minとし、基体温度:室温、加速電圧:5k
V、圧力:5×10-3Pa、合成時間:20分間とし
た。この条件で約250nmの硬質炭素膜が形成され、
そのRmaxは0.025μmであった。なお、本実施例
では、硬質炭素膜の膜厚は、ダイヤモンド結晶膜のR
maxの約2.1倍である。
に示す装置に入れ、硬質炭素膜の形成を行う。形成条件
は、ガス流量がメタン:50ml/min、水素:50
ml/minとし、基体温度:室温、加速電圧:5k
V、圧力:5×10-3Pa、合成時間:20分間とし
た。この条件で約250nmの硬質炭素膜が形成され、
そのRmaxは0.025μmであった。なお、本実施例
では、硬質炭素膜の膜厚は、ダイヤモンド結晶膜のR
maxの約2.1倍である。
【0043】次に、上記のごとく形成した光学素子用成
形型を用いてガラス素材のプレス成形を行い、ガラスレ
ンズを作製した。
形型を用いてガラス素材のプレス成形を行い、ガラスレ
ンズを作製した。
【0044】図6は、プレス成形機の一例を示す模式図
である。61は真空槽、62は光学素子を成形するため
の上型、63はその下型、64は上型を押さえるための
上型押さえ、65は胴型、66は型ホルダー、67はヒ
ーター、68は下型を突き上げる突き上げ棒、69は突
き上げ棒を作動させるエアシリンダー、610は油回転
ポンプ、611、612、613はバルブ、614は不
活性ガス導入口、615はバルブ、616はリークガス
導入口、617はバルブ、618は温度センサーであ
る。
である。61は真空槽、62は光学素子を成形するため
の上型、63はその下型、64は上型を押さえるための
上型押さえ、65は胴型、66は型ホルダー、67はヒ
ーター、68は下型を突き上げる突き上げ棒、69は突
き上げ棒を作動させるエアシリンダー、610は油回転
ポンプ、611、612、613はバルブ、614は不
活性ガス導入口、615はバルブ、616はリークガス
導入口、617はバルブ、618は温度センサーであ
る。
【0045】成形ガラスはフリント系光学ガラスSF1
4(軟化点Sp=586℃、転移点Tg=485℃)
で、窒素雰囲気下、プレス温度588℃の条件で500
0回プレス成形を行った。
4(軟化点Sp=586℃、転移点Tg=485℃)
で、窒素雰囲気下、プレス温度588℃の条件で500
0回プレス成形を行った。
【0046】成形中、成形型と成形された光学素子との
離型性は良好であった。また、成形後の型表面を走査型
電子顕微鏡で観察したところ、膜剥離、クラックの発
生、更にガラス中の酸化鉛の還元析出物である鉛やガラ
スの融着は認められず、良好な型表面性を有していた。
また、成形ガラスレンズも、良好な表面粗さであった。 比較例1 ダイヤモンド結晶膜を形成しないで、硬質炭素膜のみを
形成した以外は実施例1と同様にして光学素子用成形型
を作製した。この型を使用して実施例1と同様な方法で
ガラスレンズのプレス成形を行った。それによれば、成
形回数約3200回で硬質炭素膜の一部が剥離し、型材
として使用することができなくなった。この剥離の原因
は、硬質炭素膜の劣化(グラファイト結晶化と推定され
る。)のため、膜の硬度が低下したためと考えられる。
離型性は良好であった。また、成形後の型表面を走査型
電子顕微鏡で観察したところ、膜剥離、クラックの発
生、更にガラス中の酸化鉛の還元析出物である鉛やガラ
スの融着は認められず、良好な型表面性を有していた。
また、成形ガラスレンズも、良好な表面粗さであった。 比較例1 ダイヤモンド結晶膜を形成しないで、硬質炭素膜のみを
形成した以外は実施例1と同様にして光学素子用成形型
を作製した。この型を使用して実施例1と同様な方法で
ガラスレンズのプレス成形を行った。それによれば、成
形回数約3200回で硬質炭素膜の一部が剥離し、型材
として使用することができなくなった。この剥離の原因
は、硬質炭素膜の劣化(グラファイト結晶化と推定され
る。)のため、膜の硬度が低下したためと考えられる。
【0047】実施例2〜5 参考例1〜2 ダイヤモンド結晶のRmaxについて評価を行った。
【0048】ダイヤモンド結晶は、水素−エチルアルコ
ールを原料ガスとする熱フィラメントCVD法で行っ
た。
ールを原料ガスとする熱フィラメントCVD法で行っ
た。
【0049】基体としてWC系超硬合金を所定の形状に
加工した後、基体前処理としてダイヤモンド砥粒(1μ
m以下)による傷つけ処理を行った。この型をよく洗浄
した後、図5の装置に設置し、ダイヤモンド合成を行っ
た。原料ガス流量は、水素:200ml/minで一定
とし、エチルアルコールの流量を変化させた。また、フ
ィラメント温度2050℃、基体温度:700℃、圧
力:1.3×104Pa、合成時間:8時間とした。更
に、このダイヤモンド結晶膜の上に実施例1と同様にイ
オンビーム蒸着法で硬質炭素膜を形成した。形成条件
は、ガス流量がメタン:80ml/min、水素:20
ml/minとし、基体温度:室温、加速電圧:5k
V、圧力:1×10-2Pa、合成時間:20分間とし
た。これにより、約200nmの硬質炭素膜が形成され
た。種々のメタン濃度で形成したダイヤモンド結晶膜に
ついて膜のRmaxをそれぞれ測定し、更にダイヤモンド
結晶膜上に硬質炭素膜を形成した成形型の表面粗さを測
定した結果を表1に示す。硬質炭素膜の膜あつとダイヤ
モンド結晶膜のRmaxの比も表1に示す。
加工した後、基体前処理としてダイヤモンド砥粒(1μ
m以下)による傷つけ処理を行った。この型をよく洗浄
した後、図5の装置に設置し、ダイヤモンド合成を行っ
た。原料ガス流量は、水素:200ml/minで一定
とし、エチルアルコールの流量を変化させた。また、フ
ィラメント温度2050℃、基体温度:700℃、圧
力:1.3×104Pa、合成時間:8時間とした。更
に、このダイヤモンド結晶膜の上に実施例1と同様にイ
オンビーム蒸着法で硬質炭素膜を形成した。形成条件
は、ガス流量がメタン:80ml/min、水素:20
ml/minとし、基体温度:室温、加速電圧:5k
V、圧力:1×10-2Pa、合成時間:20分間とし
た。これにより、約200nmの硬質炭素膜が形成され
た。種々のメタン濃度で形成したダイヤモンド結晶膜に
ついて膜のRmaxをそれぞれ測定し、更にダイヤモンド
結晶膜上に硬質炭素膜を形成した成形型の表面粗さを測
定した結果を表1に示す。硬質炭素膜の膜あつとダイヤ
モンド結晶膜のRmaxの比も表1に示す。
【0050】
【表1】 実施例2〜5においては、硬質炭素膜の厚さとダイヤモ
ンド膜のRmaxとの比を1.8以上とすることにより、
光学素子用成形型材として十分な表面粗さを得ることが
できたが、参考例1及び2では硬質炭素膜の厚さとダイ
ヤモンド膜のR maxとの比が1.8より小さいため、光
学素子用成形型材として十分なRmax を達成することが
できなかった。
ンド膜のRmaxとの比を1.8以上とすることにより、
光学素子用成形型材として十分な表面粗さを得ることが
できたが、参考例1及び2では硬質炭素膜の厚さとダイ
ヤモンド膜のR maxとの比が1.8より小さいため、光
学素子用成形型材として十分なRmax を達成することが
できなかった。
【0051】次に、実施例2〜5による光学素子用成形
型によってガラスレンズのプレス成形を行った。成形ガ
ラスはフリント系光学ガラスSF14(軟化点Sp=5
86℃、転移点Tg=485℃)で、窒素雰囲気下、プ
レス温度588℃の条件で5000回プレス成形を行っ
た。成形中、型と成形された光学素子との離型性は良好
であった。
型によってガラスレンズのプレス成形を行った。成形ガ
ラスはフリント系光学ガラスSF14(軟化点Sp=5
86℃、転移点Tg=485℃)で、窒素雰囲気下、プ
レス温度588℃の条件で5000回プレス成形を行っ
た。成形中、型と成形された光学素子との離型性は良好
であった。
【0052】成形後の型表面を走査型電子顕微鏡で観察
したところ、膜剥離、クラックの発生、更にガラス中の
酸化鉛の還元析出物である鉛やガラスの融着は認められ
ず、良好な型表面性を有していた。また、成形ガラスレ
ンズも、良好な表面粗さであった。
したところ、膜剥離、クラックの発生、更にガラス中の
酸化鉛の還元析出物である鉛やガラスの融着は認められ
ず、良好な型表面性を有していた。また、成形ガラスレ
ンズも、良好な表面粗さであった。
【0053】実施例6〜9 参考例3〜4 マイクロ波プラズマCVD法によりダイヤモンド結晶を
形成した。
形成した。
【0054】基体としてWC系超硬合金を所定の形状に
加工した後、基体前処理としてダイヤモンド砥粒(1μ
m以下)による傷つけ処理を行った。この型をよく洗浄
した後、マイクロ波プラズマCVD装置に設置し、ダイ
ヤモンド結晶膜を形成した。ガス流量は、水素:100
ml/min、一酸化炭素:5ml/minとし、基体
温度:720℃、圧力:1.3×104Pa、マイクロ
波出力:500W、合成時間:8時間とした。以上のよ
うに形成したダイヤモンド結晶は、Rmaxが0.1μm
であった。
加工した後、基体前処理としてダイヤモンド砥粒(1μ
m以下)による傷つけ処理を行った。この型をよく洗浄
した後、マイクロ波プラズマCVD装置に設置し、ダイ
ヤモンド結晶膜を形成した。ガス流量は、水素:100
ml/min、一酸化炭素:5ml/minとし、基体
温度:720℃、圧力:1.3×104Pa、マイクロ
波出力:500W、合成時間:8時間とした。以上のよ
うに形成したダイヤモンド結晶は、Rmaxが0.1μm
であった。
【0055】次に、図7に示す高周波プラズマCVD法
で種々の膜厚の硬質炭素膜を形成した。図7中、71は
真空容器、72、73は電極、74は基体、75は原料
ガス導入系で不図示のガスボンベ、ガス流量計、バルブ
等が接続されている。76はガス排気口で不図示の圧力
調整用バルブ及び排気系(ターボ分子ポンプ及びロータ
リーポンプ)が接続されている。77はマッチングボッ
クス、78は高周波電源である。この高周波プラズマC
VD装置を用いて種々の膜厚の硬質炭素膜を形成し、成
形用型の硬質炭素膜表面のRmax及び成形品の表面性、
更に成形耐久性を調べた結果を表2にまとめて示す。
で種々の膜厚の硬質炭素膜を形成した。図7中、71は
真空容器、72、73は電極、74は基体、75は原料
ガス導入系で不図示のガスボンベ、ガス流量計、バルブ
等が接続されている。76はガス排気口で不図示の圧力
調整用バルブ及び排気系(ターボ分子ポンプ及びロータ
リーポンプ)が接続されている。77はマッチングボッ
クス、78は高周波電源である。この高周波プラズマC
VD装置を用いて種々の膜厚の硬質炭素膜を形成し、成
形用型の硬質炭素膜表面のRmax及び成形品の表面性、
更に成形耐久性を調べた結果を表2にまとめて示す。
【0056】尚、耐久性はガラスレンズのプレス成形に
より行った。成形ガラスはクラウン系光学ガラスSK1
2(軟化点Sp=672℃、転移点Tg=550℃)
で、窒素雰囲気下、プレス温度620℃の条件で500
0回プレス成形を行った。
より行った。成形ガラスはクラウン系光学ガラスSK1
2(軟化点Sp=672℃、転移点Tg=550℃)
で、窒素雰囲気下、プレス温度620℃の条件で500
0回プレス成形を行った。
【0057】
【表2】 実施例6〜9において、硬質炭素膜の厚さとダイヤモン
ド膜のRmax との比が1.8以上であり、このとき、光
学素子用成形型として十分な表面平坦性を有していた。
また、成形中、成形型と成形された光学素子との離型性
は良好であった。更に、成形後の成形型表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、膜剥離、クラックの発生、
更にガラス中の酸化鉛の還元析出物である鉛やガラスの
融着は認められず、良好な型表面性を示していた。ま
た、成形されたガラスレンズも、実用上十分なRmax で
あった。
ド膜のRmax との比が1.8以上であり、このとき、光
学素子用成形型として十分な表面平坦性を有していた。
また、成形中、成形型と成形された光学素子との離型性
は良好であった。更に、成形後の成形型表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、膜剥離、クラックの発生、
更にガラス中の酸化鉛の還元析出物である鉛やガラスの
融着は認められず、良好な型表面性を示していた。ま
た、成形されたガラスレンズも、実用上十分なRmax で
あった。
【0058】これに対し、参考例3においては、硬質炭
素膜の厚さとダイヤモンド膜とのR max 比が1.8より
小さいため、光学素子用成形型として十分な表面平坦性
を有さず、成形品の表面性は実用に適さないものであっ
た。
素膜の厚さとダイヤモンド膜とのR max 比が1.8より
小さいため、光学素子用成形型として十分な表面平坦性
を有さず、成形品の表面性は実用に適さないものであっ
た。
【0059】また、参考例4においては、硬質炭素膜の
厚さが500nmより大きくなっており、耐久性の劣化
が確認された。尚、硬質炭素膜の膜厚と成形ガラスレン
ズの表面性及び成形耐久性との依存性は、表2からも分
かるよう通り、膜厚が厚くなると成形ガラスレンズの表
面性が向上するが、成形耐久性は悪くなる傾向がある本
実施例で示すように、硬質炭素膜膜厚が、ダイヤモンド
結晶膜のRmax の1.8倍以上で、500nm以下とい
う範囲において、良好な成形品の表面性と耐久性とを有
していることが明らかになった。
厚さが500nmより大きくなっており、耐久性の劣化
が確認された。尚、硬質炭素膜の膜厚と成形ガラスレン
ズの表面性及び成形耐久性との依存性は、表2からも分
かるよう通り、膜厚が厚くなると成形ガラスレンズの表
面性が向上するが、成形耐久性は悪くなる傾向がある本
実施例で示すように、硬質炭素膜膜厚が、ダイヤモンド
結晶膜のRmax の1.8倍以上で、500nm以下とい
う範囲において、良好な成形品の表面性と耐久性とを有
していることが明らかになった。
【0060】実施例10 本実施例では、実施例6と同様にマイクロ波プラズマC
VD法によりダイヤモンド結晶膜を形成した。
VD法によりダイヤモンド結晶膜を形成した。
【0061】基体としてWC系超硬合金を所定の形状に
加工した後、基体前処理としてダイヤモンド砥粒(1μ
m以下)による傷つけ処理を行った。この型を良く洗浄
した後、マイクロ波プラズマCVD装置に設置した。ガ
ス流量は、水素:200ml/min、メタン2ml/
minとし、基板温度は800℃、圧力1.3×10 4
Pa、マイクロ波出力500W、合成時間は8時間とし
た。以上のように形成したダイヤモンド結晶は、Rmax
は0.5μmであった。
加工した後、基体前処理としてダイヤモンド砥粒(1μ
m以下)による傷つけ処理を行った。この型を良く洗浄
した後、マイクロ波プラズマCVD装置に設置した。ガ
ス流量は、水素:200ml/min、メタン2ml/
minとし、基板温度は800℃、圧力1.3×10 4
Pa、マイクロ波出力500W、合成時間は8時間とし
た。以上のように形成したダイヤモンド結晶は、Rmax
は0.5μmであった。
【0062】このダイヤモンド結晶膜を公知のダイヤモ
ンド砥粒を用いた研磨法により、R max0.1μmまで
研磨を行なった。
ンド砥粒を用いた研磨法により、R max0.1μmまで
研磨を行なった。
【0063】このダイヤモンド結晶膜上に実施例8と同
様にして高周波プラズマCVD法により硬質炭素膜を形
成した。
様にして高周波プラズマCVD法により硬質炭素膜を形
成した。
【0064】以上のごとく作製した光学素子用成形型を
用いて実施例6と同様にしてガラスレンズ成形を行っ
た。その結果、成形中、成形型と成形された光学素子と
の離型性は良好であった。また、成形後の型表面を走査
型電子顕微鏡で観察した結果、膜剥離、クラックの発
生、更にガラス中の酸化鉛の還元析出物である鉛やガラ
スの融着は認められず、良好な型表面性を有していた。
また、成形ガラスレンズも、実用上十分なRmax であっ
た。
用いて実施例6と同様にしてガラスレンズ成形を行っ
た。その結果、成形中、成形型と成形された光学素子と
の離型性は良好であった。また、成形後の型表面を走査
型電子顕微鏡で観察した結果、膜剥離、クラックの発
生、更にガラス中の酸化鉛の還元析出物である鉛やガラ
スの融着は認められず、良好な型表面性を有していた。
また、成形ガラスレンズも、実用上十分なRmax であっ
た。
【0065】
【発明の効果】本発明の光学素子用成形型によれば、成
形用型のガラス素材と接する表面を非晶質硬質炭素膜と
し、非晶質硬質炭素膜の下地層をダイヤモンド結晶膜と
することにより、成形型とガラスとの離型性がよくガラ
スとの融着を生じないという非晶質硬質炭素膜の利点を
活かしながら、連続使用においても非晶質硬質炭素膜の
剥離、クラック、傷等の劣化を生じない成形型を提供す
ることができる。
形用型のガラス素材と接する表面を非晶質硬質炭素膜と
し、非晶質硬質炭素膜の下地層をダイヤモンド結晶膜と
することにより、成形型とガラスとの離型性がよくガラ
スとの融着を生じないという非晶質硬質炭素膜の利点を
活かしながら、連続使用においても非晶質硬質炭素膜の
剥離、クラック、傷等の劣化を生じない成形型を提供す
ることができる。
【0066】更に、本発明の光学素子用成形型製造方法
によれば、基体上に気相合成法によりダイヤモンド結晶
膜と非晶質硬質炭素膜とを順次積層するので、低コスト
で膜の劣化や成形品の表面性の劣化を生じない光学素子
用成形型を低コストで製造することができる。
によれば、基体上に気相合成法によりダイヤモンド結晶
膜と非晶質硬質炭素膜とを順次積層するので、低コスト
で膜の劣化や成形品の表面性の劣化を生じない光学素子
用成形型を低コストで製造することができる。
【0067】本発明に係る光学素子用成形型を光学素子
のプレス成形に使用することにより、ガラスと成形型と
の離型性が極めて良好であり、表面粗さ、面精度、透過
率、形状精度の良好な成形品が得られる。
のプレス成形に使用することにより、ガラスと成形型と
の離型性が極めて良好であり、表面粗さ、面精度、透過
率、形状精度の良好な成形品が得られる。
【0068】本発明により光学素子の製造において生産
性の向上と製造コストの低下を実現することが可能とな
る。
性の向上と製造コストの低下を実現することが可能とな
る。
【図1】本発明に係る光学素子用成形型の層構成の一例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図2】成形前のガラス素材と成形型との状態を示す模
式図である。
式図である。
【図3】成形後のガラス素材と成形型との状態を示す模
式図である。
式図である。
【図4】熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド結
晶膜形成の一例を示す模式図である。
晶膜形成の一例を示す模式図である。
【図5】イオンビーム蒸着法による硬質炭素膜形成の一
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図6】本発明に係る成形型を用いたレンズ成形機の一
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図7】高周波プラズマCVD法による硬質炭素膜形成
の一例を示す模式図である。
の一例を示す模式図である。
1 基体 2 ダイヤモンド結晶膜 3 非晶質硬質炭素膜 21 基体 22 ダイヤモンド結晶膜と非晶質硬質炭素膜とからな
る炭素膜 23 ガラス素材 31 基体 32 ダイヤモンド結晶膜と非晶質硬質炭素膜とからな
る炭素膜 33 成形された光学素子 41 石英反応管 42 電気炉 43 フィラメント 44 基体 45 原料ガス導入口 46 ガス排気口 51 真空容器 52 イオンビーム装置 53 ガス導入口 54 加速電極 55 イオンビーム 56 基体 57 ガス排気系 61 真空槽 62 上型 63 下型 64 上型押さえ 65 胴型 66 型ホルダー 67 ヒーター 68 突き上げ棒 69 エアシリンダー 610 油回転ポンプ 611、612、613 バルブ 614 不活性ガス導入口 615 バルブ 616 リークガス導入口 617 バルブ 618 温度センサー 71 真空容器 72、73 電極 74 基体 75 原料ガス導入系 76 ガス排気口 77 マッチングボックス 78 高周波電源
る炭素膜 23 ガラス素材 31 基体 32 ダイヤモンド結晶膜と非晶質硬質炭素膜とからな
る炭素膜 33 成形された光学素子 41 石英反応管 42 電気炉 43 フィラメント 44 基体 45 原料ガス導入口 46 ガス排気口 51 真空容器 52 イオンビーム装置 53 ガス導入口 54 加速電極 55 イオンビーム 56 基体 57 ガス排気系 61 真空槽 62 上型 63 下型 64 上型押さえ 65 胴型 66 型ホルダー 67 ヒーター 68 突き上げ棒 69 エアシリンダー 610 油回転ポンプ 611、612、613 バルブ 614 不活性ガス導入口 615 バルブ 616 リークガス導入口 617 バルブ 618 温度センサー 71 真空容器 72、73 電極 74 基体 75 原料ガス導入系 76 ガス排気口 77 マッチングボックス 78 高周波電源
Claims (7)
- 【請求項1】 ガラスを構成成分とする光学素子のプレ
ス成形に用いる光学素子用成形型において、ガラスと接
する面が非晶質硬質炭素膜により構成され、該非晶質硬
質炭素膜が、基体上に形成されたダイヤモンド結晶膜上
に形成されていることを特徴とする光学素子用成形型。 - 【請求項2】 ダイヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(R
max)が30nmより大きく150nm以下であり、非
晶質硬質炭素膜の膜厚が前記ダイヤモンド結晶膜の最大
表面粗さ(Rmax)の1.8倍以上、500nm以下で
ある請求項1に記載の光学素子用成形型。 - 【請求項3】 ガラスを構成成分とする光学素子のプレ
ス成形に用いる光学素子用成形型を製造する方法におい
て、基体上に気相合成法によりダイヤモンド結晶膜を形
成し、該ダイヤモンド結晶膜上に気相合成法により非晶
質硬質炭素膜を形成することを特徴とする光学素子用成
形型の製造方法。 - 【請求項4】 ダイヤモンド結晶膜の最大表面粗さ(R
max)を30nmより大きく、150nm以下である表
面粗さとし、非晶質硬質炭素膜の膜厚を前記ダイヤモン
ド結晶膜の最大表面粗さ(Rmax)の1.8倍以上、5
00nm以下とする請求項3に記載の製造方法。 - 【請求項5】 非晶質硬質炭素膜を、高周波プラズマC
VD法又はイオンビーム蒸着法により形成する請求項3
又は4に記載の製造方法。 - 【請求項6】 ダイヤモンド結晶膜を微結晶化させるこ
とにより、Rmaxを30nmより大きく、150nm以
下とする請求項4記載の製造方法。 - 【請求項7】 ダイヤモンド結晶膜を研磨することによ
り、Rmaxを30nmより大きく、150nm以下とす
る請求項4記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16032194A JPH0826751A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 光学素子用成形型及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16032194A JPH0826751A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 光学素子用成形型及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0826751A true JPH0826751A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=15712438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16032194A Pending JPH0826751A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 光学素子用成形型及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0826751A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100379475B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2003-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브의 무촉매 성장방법 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP16032194A patent/JPH0826751A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100379475B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2003-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 탄소나노튜브의 무촉매 성장방법 |
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