JP3231165B2 - 光学素子成形用型及びその製造方法 - Google Patents
光学素子成形用型及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レンズ、プリズム等の
ガラスよりなる光学素子を、ガラス素材のプレス成形に
より製造するのに使用される光学素子形成用型およびそ
の製造方法に関し、特に、炭素膜を有する型において、
膜の剥離やクラックが発生しない表面欠陥の少ない鏡面
を有する型およびその製造方法に関する。
ガラスよりなる光学素子を、ガラス素材のプレス成形に
より製造するのに使用される光学素子形成用型およびそ
の製造方法に関し、特に、炭素膜を有する型において、
膜の剥離やクラックが発生しない表面欠陥の少ない鏡面
を有する型およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】研磨工程を必要としないでガラス素材の
プレス成形によってレンズを製造する技術は従来の製造
において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安
価にレンズを製造することを可能とし、近年、レンズの
みならずプリズムやその他のガラスよりなる光学素子の
製造に使用されるようになってきた。
プレス成形によってレンズを製造する技術は従来の製造
において必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安
価にレンズを製造することを可能とし、近年、レンズの
みならずプリズムやその他のガラスよりなる光学素子の
製造に使用されるようになってきた。
【０００３】このようなガラス製光学素子のプレス成形
に使用される型材には、硬度、耐熱性、離型性、鏡面加
工性等の性質に優れていることが要求される。従来、こ
の種の型材として金属、セラミックス及びそれらをコー
ティングした材料等、数多くの提案がされている。いく
つかの例を挙げるならば、特開昭４９−５１１１２号公
報には１３Ｃｒマルテンサイト鋼が、特開昭５２−４５
６１３号公報には、ＳｉＣ及びＳｉ3 Ｎ4 が、特開昭６
０−２４６２３０には超硬合金に貴金属をコーティング
した材料が、また、特開昭６１−１８３１３４号公報、
６１−２８１０３０号公報、特開平１−３０１８６４号
公報にはダイヤモンド薄膜もしくはダイヤモンド状炭素
膜、特開昭６４−８３５２９号公報には硬質炭素膜、特
公平２−３１０１２号公報には炭素膜をコーティングし
た材料が提案されている。
に使用される型材には、硬度、耐熱性、離型性、鏡面加
工性等の性質に優れていることが要求される。従来、こ
の種の型材として金属、セラミックス及びそれらをコー
ティングした材料等、数多くの提案がされている。いく
つかの例を挙げるならば、特開昭４９−５１１１２号公
報には１３Ｃｒマルテンサイト鋼が、特開昭５２−４５
６１３号公報には、ＳｉＣ及びＳｉ3 Ｎ4 が、特開昭６
０−２４６２３０には超硬合金に貴金属をコーティング
した材料が、また、特開昭６１−１８３１３４号公報、
６１−２８１０３０号公報、特開平１−３０１８６４号
公報にはダイヤモンド薄膜もしくはダイヤモンド状炭素
膜、特開昭６４−８３５２９号公報には硬質炭素膜、特
公平２−３１０１２号公報には炭素膜をコーティングし
た材料が提案されている。
【０００４】しかし、１３Ｃｒマルテンサイト鋼は酸化
し易く、更に高温でＦｅがガラス中に拡散してガラスが
着色する欠点を持つ。ＳｉＣ及びＳｉ3 Ｎ4 は一般的に
は酸化されにくいとされているが、高温ではやはり酸化
が起こり表面にＳｉＯ2 の膜が形成されるためガラスの
融着を生じる。更に、高硬度のため型自体の加工性が極
めて悪いという欠点をもつ。貴金属をコーティングした
材料は融着を起こしにくいが、極めて柔らかいため傷が
つき易く変形し易いという欠点を持つ。
し易く、更に高温でＦｅがガラス中に拡散してガラスが
着色する欠点を持つ。ＳｉＣ及びＳｉ3 Ｎ4 は一般的に
は酸化されにくいとされているが、高温ではやはり酸化
が起こり表面にＳｉＯ2 の膜が形成されるためガラスの
融着を生じる。更に、高硬度のため型自体の加工性が極
めて悪いという欠点をもつ。貴金属をコーティングした
材料は融着を起こしにくいが、極めて柔らかいため傷が
つき易く変形し易いという欠点を持つ。
【０００５】また、ダイヤモンド薄膜は高硬度で熱的安
定性にも優れているが、多結晶膜であるため表面粗度が
大きく、鏡面加工する必要がある。ＤＬＣ膜、ａ−Ｃ：
Ｈ膜、硬質炭素膜を用いた型は、型とガラスの離型性が
良く、ガラスの融着を起こさないが、成形操作を数百回
以上繰り返して行うと、前記膜が部分的に剥離し成形品
において十分な成形性能が得られないことがある。
定性にも優れているが、多結晶膜であるため表面粗度が
大きく、鏡面加工する必要がある。ＤＬＣ膜、ａ−Ｃ：
Ｈ膜、硬質炭素膜を用いた型は、型とガラスの離型性が
良く、ガラスの融着を起こさないが、成形操作を数百回
以上繰り返して行うと、前記膜が部分的に剥離し成形品
において十分な成形性能が得られないことがある。
【０００６】この原因として以下のことが考えられる。
【０００７】前述の膜はいずれも非常に大きな圧縮応
力を有しており、成形プロセスにおける急加熱−急冷却
にともなう応力解放の結果として剥離、クラック等が生
じる。同様に型母材と膜の熱膨張係数の違いと熱サイク
ルに起因する熱応力によっても同様な現象が生じる。
力を有しており、成形プロセスにおける急加熱−急冷却
にともなう応力解放の結果として剥離、クラック等が生
じる。同様に型母材と膜の熱膨張係数の違いと熱サイク
ルに起因する熱応力によっても同様な現象が生じる。
【０００８】型母材によっては、表面状態により膜が
部分的に形成されなかったり、膜厚が薄いことがある。
例えば、ＷＣ−ＣｏやＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の焼結体で
は、粒の欠落や焼結時のポアが避けられず、成形研磨面
に数μｍ以上の穴が存在している。こうした面に膜を形
成したとき、これらの穴には膜が形成されなかったり、
極端に膜厚の薄い状態になる。従って、こうした部分の
膜の付着強度や機械的強度は著しく低下するため剥離や
クラックの発生起点となりやすい。
部分的に形成されなかったり、膜厚が薄いことがある。
例えば、ＷＣ−ＣｏやＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の焼結体で
は、粒の欠落や焼結時のポアが避けられず、成形研磨面
に数μｍ以上の穴が存在している。こうした面に膜を形
成したとき、これらの穴には膜が形成されなかったり、
極端に膜厚の薄い状態になる。従って、こうした部分の
膜の付着強度や機械的強度は著しく低下するため剥離や
クラックの発生起点となりやすい。
【０００９】ＷＣ−ＣｏのＣｏに代表される焼結体中
の焼結助材と前述の膜の間で拡散による合金形成が生じ
る。こうした部分は成形時にガラスの融着が生じガラス
中に含有される成分と反応し析出物を生じる結果、耐久
性の劣化を招く。
の焼結助材と前述の膜の間で拡散による合金形成が生じ
る。こうした部分は成形時にガラスの融着が生じガラス
中に含有される成分と反応し析出物を生じる結果、耐久
性の劣化を招く。
【００１０】以上のように、成形性、耐久性、経済性に
優れた光学素子成形用型を実現するに至っていない。
優れた光学素子成形用型を実現するに至っていない。
【００１１】また、特公平２−３１０１２号公報では、
膜厚が５０オンク゛ストトーム未満では膜が不均一になるため炭
素膜の形成効果が減少し、５０００オンク゛ストトームを超える
と加圧成形による面積度の低下が生じるものの、５０〜
５０００オンク゛ストトームならば問題は生じないとしている。
しかしながら、この発明の実施例における炭素膜は、基
板との付着力が小さく、あるいは大きな圧縮応力のため
に、成形過程において膜剥離を生じ易い。この結果、剥
離部におけるガラスの融着や成形品の外観不良を引き起
こし、耐久性の優れた実用的な型を提供するに至ってい
ない。
膜厚が５０オンク゛ストトーム未満では膜が不均一になるため炭
素膜の形成効果が減少し、５０００オンク゛ストトームを超える
と加圧成形による面積度の低下が生じるものの、５０〜
５０００オンク゛ストトームならば問題は生じないとしている。
しかしながら、この発明の実施例における炭素膜は、基
板との付着力が小さく、あるいは大きな圧縮応力のため
に、成形過程において膜剥離を生じ易い。この結果、剥
離部におけるガラスの融着や成形品の外観不良を引き起
こし、耐久性の優れた実用的な型を提供するに至ってい
ない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の実情に鑑み、型母材の成形表面に炭素膜が形成され
た型における該炭素膜に、特定の形状を与え、また一定
の炭素濃度勾配を与えることによって、ガラス成形の際
に膜の剥離やクラックが長時間繰り返しても発生せず表
面欠陥の少ない鏡面を得ることを目的とする。
術の実情に鑑み、型母材の成形表面に炭素膜が形成され
た型における該炭素膜に、特定の形状を与え、また一定
の炭素濃度勾配を与えることによって、ガラス成形の際
に膜の剥離やクラックが長時間繰り返しても発生せず表
面欠陥の少ない鏡面を得ることを目的とする。
【００１３】また、本発明の他の目的は、かかる特定形
状を効率よく形成するための製造方法を提供することに
ある。
状を効率よく形成するための製造方法を提供することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成する本
発明は、ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる
光学素子成形用型において、該型母材の少なくとも成形
表面に中間層を介して又は介さずに形成されている炭素
膜が、平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均高さ０．５〜３０
ｎｍの突起を多数連設する形状であることを特徴とする
光学素子成形用型である。炭素膜に特定の形状を与える
ことにより、膜の吸着力、摩擦係数を小さくし、かつ膜
の型母材への付着強度を高くすることができる一方、成
形される光学素子の表面粗さを劣化させることがないの
で、ガラスの融着や反応生成物が生ずることなく、ガラ
スとの離型性を長期間良好に保持し、ガラスとの離型性
を長期間良好に保持し、ガラスの成形に於て膜の剥離や
クラックが発生しない耐久性の高い鏡面を有する型を得
ることができる。
発明は、ガラスよりなる光学素子のプレス成形に用いる
光学素子成形用型において、該型母材の少なくとも成形
表面に中間層を介して又は介さずに形成されている炭素
膜が、平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均高さ０．５〜３０
ｎｍの突起を多数連設する形状であることを特徴とする
光学素子成形用型である。炭素膜に特定の形状を与える
ことにより、膜の吸着力、摩擦係数を小さくし、かつ膜
の型母材への付着強度を高くすることができる一方、成
形される光学素子の表面粗さを劣化させることがないの
で、ガラスの融着や反応生成物が生ずることなく、ガラ
スとの離型性を長期間良好に保持し、ガラスとの離型性
を長期間良好に保持し、ガラスの成形に於て膜の剥離や
クラックが発生しない耐久性の高い鏡面を有する型を得
ることができる。
【００１５】また、本発明は、炭素膜が、１〜１００ｎ
ｍの厚みを有し、炭素原子濃度が表面側で高く母材側で
低い濃度勾配を有するものである上記の光学素子成形型
である。表面における炭素濃度を高くすることによっ
て、ガラス成分との反応析出物の生成を抑えガラスとの
離型性をより良好にすることができる。
ｍの厚みを有し、炭素原子濃度が表面側で高く母材側で
低い濃度勾配を有するものである上記の光学素子成形型
である。表面における炭素濃度を高くすることによっ
て、ガラス成分との反応析出物の生成を抑えガラスとの
離型性をより良好にすることができる。
【００１６】また、本発明は、上記の光学素子成形用型
を製造する方法であって、型母材表面に中間層を介して
又は介さずに、イオンエネルギー５〜２５ｋｅＶの炭素
イオンビームを用いて炭素膜を形成することを特徴とす
る光学素子成形用型の製造方法である。この方法によ
り、特定形状の突起が連設された炭素膜を効率良く形成
することができる。
を製造する方法であって、型母材表面に中間層を介して
又は介さずに、イオンエネルギー５〜２５ｋｅＶの炭素
イオンビームを用いて炭素膜を形成することを特徴とす
る光学素子成形用型の製造方法である。この方法によ
り、特定形状の突起が連設された炭素膜を効率良く形成
することができる。
【００１７】また、本発明は、上記の光学素子成形用型
を製造する方法であって、型母材表面を傷つけ処理し、
平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均段差０．５〜３０ｎｍの
突起を多数連設した後、中間層を介して又は介さずにイ
オンエネルギー０．２〜１．５ｋｅＶの炭素イオンビー
ムを用いて炭素膜を形成することを特徴とする光学素子
成形用型の製造方法である。あらかじめ型母材に特定の
突起形状を形成しておくことにより、比較的薄い炭素膜
で同様の突起形状を付与することができる。
を製造する方法であって、型母材表面を傷つけ処理し、
平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均段差０．５〜３０ｎｍの
突起を多数連設した後、中間層を介して又は介さずにイ
オンエネルギー０．２〜１．５ｋｅＶの炭素イオンビー
ムを用いて炭素膜を形成することを特徴とする光学素子
成形用型の製造方法である。あらかじめ型母材に特定の
突起形状を形成しておくことにより、比較的薄い炭素膜
で同様の突起形状を付与することができる。
【００１８】以下、本発明に関して詳細に説明する。
【００１９】本発明において型母材として用いられる材
料は、ＷＣ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＢＮ、ＴｉＮ、
ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、サーメット、サイアロン、ムラ
イト、ＷＣ−Ｃｏ合金等から選ばれる。
料は、ＷＣ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＢＮ、ＴｉＮ、
ＡｌＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、サーメット、サイアロン、ムラ
イト、ＷＣ−Ｃｏ合金等から選ばれる。
【００２０】炭素はガラスに対し密着力が小さいことか
ら、古くよりガラスの成形用型に用いられてきた。ガラ
スモールドでは、この炭素とガラスの性質を利用して型
母材の成形面に前述の硬質で滑らかな炭素膜を形成す
る。炭素膜としては、ダイヤモンド膜、ＤＬＣ膜，ａ−
Ｃ：Ｈ膜、硬質炭素膜が挙げられるが、ダイヤモンド膜
は多結晶で表面が粗いために鏡面加工を要するという問
題がある。
ら、古くよりガラスの成形用型に用いられてきた。ガラ
スモールドでは、この炭素とガラスの性質を利用して型
母材の成形面に前述の硬質で滑らかな炭素膜を形成す
る。炭素膜としては、ダイヤモンド膜、ＤＬＣ膜，ａ−
Ｃ：Ｈ膜、硬質炭素膜が挙げられるが、ダイヤモンド膜
は多結晶で表面が粗いために鏡面加工を要するという問
題がある。
【００２１】一方、アモルファスなＤＬＣ膜、ａ−Ｃ：
Ｈ膜、硬質炭素膜は、内部応力が大きくガラスが成形さ
れる高温領域では熱安定性に欠け、成形回数がふえるに
従い、型母材と膜の付着強度が低下するという問題が発
生する。すなわち、ガラスモールドに於ける型表面材料
としての炭素膜の問題は、主に型母材と膜の付着強度に
係わるものである。
Ｈ膜、硬質炭素膜は、内部応力が大きくガラスが成形さ
れる高温領域では熱安定性に欠け、成形回数がふえるに
従い、型母材と膜の付着強度が低下するという問題が発
生する。すなわち、ガラスモールドに於ける型表面材料
としての炭素膜の問題は、主に型母材と膜の付着強度に
係わるものである。
【００２２】型母材の成形面に、平均ピッチ５〜３０ｎ
ｍ、平均段差０．５〜３０ｎｍの多数の突起を連設する
ことにより従来問題とされてきた問題を解決することが
できる。この炭素膜は、ガラスとの吸着力が小さく、
摩擦係数が小さい。ＡＦＭによる測定では、Ｓｉ3 Ｎ4
スタイラスとの吸着力は１００ｎＮよりも小さく、摩擦
係数も０．１以下である。従って、成形に際してガラス
に対する密着力が小さく、ガラスとの反応性も小さい。
この結果、ガラスの融着や反応生成物の生じることのな
い良好な成形が実現できる。この膜は、型母材もしく
は中間層材料との間に深い遷移状態を形成しているため
膜付着強度が極めて高い。この状態を模式的に表したも
のが図１である。この膜では、炭素が型母材もしくは型
母材上に形成した中間層材料の界面においてミックス
（原子混合）されている（以下、炭素濃度勾配を有する
炭素膜を「混合層」と称し、型母材もしくは中間層と炭
素膜の界面前後における炭素原子の信号強度（炭素濃
度）の全変化量の５０％の値を示す、炭素膜表面からの
深さを混合層（炭素膜）の厚みと定義する）。混合層の
状態は、炭素原子濃度が母材側に比べ表面側で高くなっ
ているのに対し、炭素以外の原子濃度は表面側に比べ母
材側で高くなっている。図中、横軸は表面から型母材に
向かう深さを表しており、深さ０の位置が表面である。
一方、縦軸は原子濃度を表している。特に、表面におけ
る炭素濃度が十分に高ければ、ガラスとの離型性が良好
でガラス成分との反応析出物も生じない。
ｍ、平均段差０．５〜３０ｎｍの多数の突起を連設する
ことにより従来問題とされてきた問題を解決することが
できる。この炭素膜は、ガラスとの吸着力が小さく、
摩擦係数が小さい。ＡＦＭによる測定では、Ｓｉ3 Ｎ4
スタイラスとの吸着力は１００ｎＮよりも小さく、摩擦
係数も０．１以下である。従って、成形に際してガラス
に対する密着力が小さく、ガラスとの反応性も小さい。
この結果、ガラスの融着や反応生成物の生じることのな
い良好な成形が実現できる。この膜は、型母材もしく
は中間層材料との間に深い遷移状態を形成しているため
膜付着強度が極めて高い。この状態を模式的に表したも
のが図１である。この膜では、炭素が型母材もしくは型
母材上に形成した中間層材料の界面においてミックス
（原子混合）されている（以下、炭素濃度勾配を有する
炭素膜を「混合層」と称し、型母材もしくは中間層と炭
素膜の界面前後における炭素原子の信号強度（炭素濃
度）の全変化量の５０％の値を示す、炭素膜表面からの
深さを混合層（炭素膜）の厚みと定義する）。混合層の
状態は、炭素原子濃度が母材側に比べ表面側で高くなっ
ているのに対し、炭素以外の原子濃度は表面側に比べ母
材側で高くなっている。図中、横軸は表面から型母材に
向かう深さを表しており、深さ０の位置が表面である。
一方、縦軸は原子濃度を表している。特に、表面におけ
る炭素濃度が十分に高ければ、ガラスとの離型性が良好
でガラス成分との反応析出物も生じない。
【００２３】混合層における各原子の混合状態は、図１
に示したものに限定されるものではなく、直線状、ステ
ップ状等であっても良い。すなわち、Ｃ原子濃度とその
他の原子濃度は、混合層において前述した勾配であれば
良く、そのプロファイルは一つに限定されるものではな
いが、理想的には、表面においてはＣ原子濃度が１００
％でその他の原子濃度が０％であるとよい。また、型母
材もしくは中間層における原子濃度は、必ずしもストイ
キオメトリである必要はない。
に示したものに限定されるものではなく、直線状、ステ
ップ状等であっても良い。すなわち、Ｃ原子濃度とその
他の原子濃度は、混合層において前述した勾配であれば
良く、そのプロファイルは一つに限定されるものではな
いが、理想的には、表面においてはＣ原子濃度が１００
％でその他の原子濃度が０％であるとよい。また、型母
材もしくは中間層における原子濃度は、必ずしもストイ
キオメトリである必要はない。
【００２４】炭素膜が３０ｎｍより大きい平均ピッチ
（間隔）を有し、かつその突起の高さ（段差）が３０ｎ
ｍよりも大きい場合には、型母材もしくは中間層との付
着強度が低下する。また、成形される光学素子がこの形
状を転写するため、光学素子の表面粗さが劣化し使用で
きない。逆に炭素膜の突起の平均ピッチが５ｎｍより小
さく、その高さ（段差）が０．５ｎｍより小さい平滑な
場合には、成形上の特別な問題は生じないが、膜の吸着
力が大きく、膜の付着強度も低い傾向にある。好ましい
平均ピッチは１０〜２５ｎｍ、平均高さは５〜２０ｎｍ
程度である。
（間隔）を有し、かつその突起の高さ（段差）が３０ｎ
ｍよりも大きい場合には、型母材もしくは中間層との付
着強度が低下する。また、成形される光学素子がこの形
状を転写するため、光学素子の表面粗さが劣化し使用で
きない。逆に炭素膜の突起の平均ピッチが５ｎｍより小
さく、その高さ（段差）が０．５ｎｍより小さい平滑な
場合には、成形上の特別な問題は生じないが、膜の吸着
力が大きく、膜の付着強度も低い傾向にある。好ましい
平均ピッチは１０〜２５ｎｍ、平均高さは５〜２０ｎｍ
程度である。
【００２５】上記の炭素膜の形状は、平滑な型母材の上
に形成されたものに限らず、あらかじめ所定の突起が多
数連設された形状を型母材に形成し、その上に一定の膜
厚の炭素膜を被覆することによっても上述の突起形状を
形成することができる。尚、通常の型母材の表面性状
は、表面粗さＲmaxが約０．０１〜０．０５μｍ程度で
あり、微細な突起形状を有していない。炭素膜形成後の
表面粗さＲmaxも通常０．０１〜０．０５μｍ程度であ
る。
に形成されたものに限らず、あらかじめ所定の突起が多
数連設された形状を型母材に形成し、その上に一定の膜
厚の炭素膜を被覆することによっても上述の突起形状を
形成することができる。尚、通常の型母材の表面性状
は、表面粗さＲmaxが約０．０１〜０．０５μｍ程度で
あり、微細な突起形状を有していない。炭素膜形成後の
表面粗さＲmaxも通常０．０１〜０．０５μｍ程度であ
る。
【００２６】炭素膜（混合層）の厚さは１ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下であれと良い。１ｎｍよりも薄い場合には、
十分なミックス状態とならないため前述の効果が得られ
ず、１００ｎｍよりも厚くなると表面状態が粗くなり成
形性能が低下するとともに、膜応力が大きくなり、成形
時に微小な剥離を生じる。より理想的な厚さは、２０ｎ
ｍから５０ｎｍの範囲である。なお、混合層中には酸
素、水素、窒素の他、混合層を形成する際に原料ガスと
して用いられるＡｒやＦ等が数ａｔ％〜十数ａｔ％程度
存在しても良い。
０ｎｍ以下であれと良い。１ｎｍよりも薄い場合には、
十分なミックス状態とならないため前述の効果が得られ
ず、１００ｎｍよりも厚くなると表面状態が粗くなり成
形性能が低下するとともに、膜応力が大きくなり、成形
時に微小な剥離を生じる。より理想的な厚さは、２０ｎ
ｍから５０ｎｍの範囲である。なお、混合層中には酸
素、水素、窒素の他、混合層を形成する際に原料ガスと
して用いられるＡｒやＦ等が数ａｔ％〜十数ａｔ％程度
存在しても良い。
【００２７】型母材としては安定したミックス状態が得
られ、炭素と結合しやすい（炭化物を形成しやすい）元
素からなる単一組成の材料で、同時に高温での機械的強
度、表面硬度が高く、耐酸化性に優れていることが理想
であるが、型母材の成形面に中間層を設けることによ
り、こうした条件を満足することができる。中間層とし
ては、Ｓｉ、Ａｌ、周期律表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族
の金属及びこれらの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化
物、炭酸窒化物、硼化物、硼窒化物、更に硼素の炭化
物、窒化物及びこれらの少なくとも一種以上からなる化
合物、混合物であれば良い。中間層材料は、型母材に対
して付着強度の高いものを選択すれば良く、必要最小限
の膜厚（５〜１００ｎｍ程度）であれば良い。
られ、炭素と結合しやすい（炭化物を形成しやすい）元
素からなる単一組成の材料で、同時に高温での機械的強
度、表面硬度が高く、耐酸化性に優れていることが理想
であるが、型母材の成形面に中間層を設けることによ
り、こうした条件を満足することができる。中間層とし
ては、Ｓｉ、Ａｌ、周期律表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族
の金属及びこれらの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化
物、炭酸窒化物、硼化物、硼窒化物、更に硼素の炭化
物、窒化物及びこれらの少なくとも一種以上からなる化
合物、混合物であれば良い。中間層材料は、型母材に対
して付着強度の高いものを選択すれば良く、必要最小限
の膜厚（５〜１００ｎｍ程度）であれば良い。
【００２８】本発明の炭素膜は、イオンエネルギーが５
〜２５ｋｅＶの炭素イオンビームを用いて形成すること
ができる。イオンエネルギーが５ｋｅＶ未満の炭素イオ
ンビームで形成した炭素膜は、表面の突起の高さ（段
差）が小さく平滑であるが、膜付着強度が低く、成形時
に膜剥離を生じることがある。このときのイオン電流密
度は、０．２ｍＡ／ｃｍ2 〜１．５ｍＡ／ｃｍ2 が好適
である。イオン電流密度が、０．２ｍＡ／ｃｍ2 以下で
は成膜時間が長くなり、１．５ｍＡ／ｃｍ2 を超える場
合には付着強度の問題はないものの成形回数の増加にと
もない成形表面の表面粗度の劣化が生じ易い。一方、イ
オンエネルギーが２５ｋｅＶより大きい場合には、２５
ｎｍより大きい平均ピッチの突起を有し、かつその突起
の高さ（段差）が３０ｎｍよりも大きい炭素膜となる。
イオンエネルギーは５ｋｅＶ以上であればよいが、実用
的には５ｋｅＶ〜１０ｋｅＶが好適である。但し、あら
かじめ型母材に所定の突起を形成しておく態様において
は、炭素膜は一定の膜厚（２０〜２００ｎｍ程度）で被
覆すればよいから、炭素イオンビームのイオンエネルギ
ーは０．２〜１．５ｋｅＶ程度でよい。
〜２５ｋｅＶの炭素イオンビームを用いて形成すること
ができる。イオンエネルギーが５ｋｅＶ未満の炭素イオ
ンビームで形成した炭素膜は、表面の突起の高さ（段
差）が小さく平滑であるが、膜付着強度が低く、成形時
に膜剥離を生じることがある。このときのイオン電流密
度は、０．２ｍＡ／ｃｍ2 〜１．５ｍＡ／ｃｍ2 が好適
である。イオン電流密度が、０．２ｍＡ／ｃｍ2 以下で
は成膜時間が長くなり、１．５ｍＡ／ｃｍ2 を超える場
合には付着強度の問題はないものの成形回数の増加にと
もない成形表面の表面粗度の劣化が生じ易い。一方、イ
オンエネルギーが２５ｋｅＶより大きい場合には、２５
ｎｍより大きい平均ピッチの突起を有し、かつその突起
の高さ（段差）が３０ｎｍよりも大きい炭素膜となる。
イオンエネルギーは５ｋｅＶ以上であればよいが、実用
的には５ｋｅＶ〜１０ｋｅＶが好適である。但し、あら
かじめ型母材に所定の突起を形成しておく態様において
は、炭素膜は一定の膜厚（２０〜２００ｎｍ程度）で被
覆すればよいから、炭素イオンビームのイオンエネルギ
ーは０．２〜１．５ｋｅＶ程度でよい。
【００２９】混合層は、イオンビーム蒸着法、イオンプ
レーティング法、イオン注入法、イオンビームミックス
法等により形成できる。炭素のミキシングに用いるガス
としては、含炭素ガスであるメタン、エタン、プロパ
ン、エチレン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素；塩
化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエ
タン等のハロゲン化炭化水素；メチルアルコール、エチ
ルアルコール等のアルコール類；（ＣＨ3 ）2 ＣＯ、
（Ｃ6 Ｈ5 ）2 ＣＯ等のケトン類；ＣＯ、ＣＯ2 等のガ
ス、及びこれらのガスにＮ2 、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、Ａ
ｒ等のガスを混合したものが挙げられる。
レーティング法、イオン注入法、イオンビームミックス
法等により形成できる。炭素のミキシングに用いるガス
としては、含炭素ガスであるメタン、エタン、プロパ
ン、エチレン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素；塩
化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエ
タン等のハロゲン化炭化水素；メチルアルコール、エチ
ルアルコール等のアルコール類；（ＣＨ3 ）2 ＣＯ、
（Ｃ6 Ｈ5 ）2 ＣＯ等のケトン類；ＣＯ、ＣＯ2 等のガ
ス、及びこれらのガスにＮ2 、Ｈ2 、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、Ａ
ｒ等のガスを混合したものが挙げられる。
【００３０】ここで、炭素イオンビームを用いて混合層
を形成する場合について説明する。炭素イオンビーム
は、カウフマン型イオン源により生成する。図１１に代
表的なカウフマン型イオン源の模式図を示す。図中３３
は磁場発生用円筒コイル、３４はフィラメント、３５は
ガス導入部、３６はアノード、３７は引き出し電極、３
８はイオンビーム、３９は型母材、４０は基板ホルダー
である。ガス導入部より前述の原料ガス、例えばＣＨ4
とＨ2 をイオン化室に導入し、プラズマを形成した後、
引き出し電極に電圧を印加してイオンビームを引き出し
型母材に照射する。このとき、引き出し電圧が基板に対
して５ｋＶ以上となるようイオン源、基板位置等を調節
して混合層を形成する。
を形成する場合について説明する。炭素イオンビーム
は、カウフマン型イオン源により生成する。図１１に代
表的なカウフマン型イオン源の模式図を示す。図中３３
は磁場発生用円筒コイル、３４はフィラメント、３５は
ガス導入部、３６はアノード、３７は引き出し電極、３
８はイオンビーム、３９は型母材、４０は基板ホルダー
である。ガス導入部より前述の原料ガス、例えばＣＨ4
とＨ2 をイオン化室に導入し、プラズマを形成した後、
引き出し電極に電圧を印加してイオンビームを引き出し
型母材に照射する。このとき、引き出し電圧が基板に対
して５ｋＶ以上となるようイオン源、基板位置等を調節
して混合層を形成する。
【００３１】成形により型表面が荒れたり欠陥が生じた
場合には、ドライプロセスで混合層を除去した後再び混
合層を形成することができり、再使用することができ
る。これは、型母材の表面硬度が高いために、成形によ
って生じる欠陥が混合層に限定され型母材には及ばない
からである。ドライプロセスによるエッチング方法とし
ては、プラズマ・エッチング、スパッタ・エッチング、
イオンビーム・エッチング、リアクティブイオン・エッ
チング等の方法が用いられる。エッチングガスとして
は、Ｏ2 、Ｈ2 、Ｎ2 、Ａｒ、Ａｉｒ、ＣＦ4 等とこれ
らの混合ガスが用いられる。エッチングにより型の表面
形状、特に表面粗さを劣化させないようなエッチング条
件を選択することが好ましい。なお、膜の除去はドライ
プロセスに限定されるものではなく、ダイヤモンド砥粒
を用いた機械的研磨や、化学的にエッチングする方法を
併用することができる。
場合には、ドライプロセスで混合層を除去した後再び混
合層を形成することができり、再使用することができ
る。これは、型母材の表面硬度が高いために、成形によ
って生じる欠陥が混合層に限定され型母材には及ばない
からである。ドライプロセスによるエッチング方法とし
ては、プラズマ・エッチング、スパッタ・エッチング、
イオンビーム・エッチング、リアクティブイオン・エッ
チング等の方法が用いられる。エッチングガスとして
は、Ｏ2 、Ｈ2 、Ｎ2 、Ａｒ、Ａｉｒ、ＣＦ4 等とこれ
らの混合ガスが用いられる。エッチングにより型の表面
形状、特に表面粗さを劣化させないようなエッチング条
件を選択することが好ましい。なお、膜の除去はドライ
プロセスに限定されるものではなく、ダイヤモンド砥粒
を用いた機械的研磨や、化学的にエッチングする方法を
併用することができる。
【００３２】なお、本発明はレンズ、ミラー、グレーテ
ィング、プリズム等の光学素子に限定されるものではな
く、光学素子以外のガスラ、プラスチック成形品に対し
ても実用できることは言うまでもない。
ィング、プリズム等の光学素子に限定されるものではな
く、光学素子以外のガスラ、プラスチック成形品に対し
ても実用できることは言うまでもない。
【００３３】
【実施例】以下、図面を参照しながら具体的実施例によ
り本発明を説明する。
り本発明を説明する。
【００３４】（実施例１）図２及び図３は本発明の光学
素子成形用型の一つの実施態様を示すものである。図２
は光学素子のプレス成形面の状態を示し、図３は光学素
子成形後の状態を示す。図２中６は型母材、７はガラス
素材を成形する成形面、８は炭素の混合層、９はガラス
素材であり、図３中１０は光学素子である。図４に示す
ように型の間に置かれたガラス素材９をプレス成形する
ことによってレンズ等の光学素子１０が形成される。
素子成形用型の一つの実施態様を示すものである。図２
は光学素子のプレス成形面の状態を示し、図３は光学素
子成形後の状態を示す。図２中６は型母材、７はガラス
素材を成形する成形面、８は炭素の混合層、９はガラス
素材であり、図３中１０は光学素子である。図４に示す
ように型の間に置かれたガラス素材９をプレス成形する
ことによってレンズ等の光学素子１０が形成される。
【００３５】次に、本実施例の光学素子成形用型につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００３６】型母材として焼結ＳｉＣを所定の形状に加
工した後、ＣＶＤ法により多結晶のＳｉＣ膜を形成した
後、成形面を鏡面研磨したものを用いた。この型を良く
洗浄した後、図４に示すＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に設置した。図中１１は真空
槽、１２はイオンビーム装置、１３はイオン化室、１４
はガス導入口、１５はイオンビーム引き出しグリッド、
１６はイオンビーム、１７は型母材、１８は基板ホルダ
ー及びヒーター、１９は排気口を示す。まず、ガス導入
口よりＡｒガス３５ｓｃｃｍをイオン化室に導入しイオ
ン化した後、イオンビーム引き出しグリッドに５００Ｖ
の電圧を印加してイオンビームを引き出し、型母材に３
分間照射して成形表面の自然酸化膜の除去と洗浄化を行
った。
工した後、ＣＶＤ法により多結晶のＳｉＣ膜を形成した
後、成形面を鏡面研磨したものを用いた。この型を良く
洗浄した後、図４に示すＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に設置した。図中１１は真空
槽、１２はイオンビーム装置、１３はイオン化室、１４
はガス導入口、１５はイオンビーム引き出しグリッド、
１６はイオンビーム、１７は型母材、１８は基板ホルダ
ー及びヒーター、１９は排気口を示す。まず、ガス導入
口よりＡｒガス３５ｓｃｃｍをイオン化室に導入しイオ
ン化した後、イオンビーム引き出しグリッドに５００Ｖ
の電圧を印加してイオンビームを引き出し、型母材に３
分間照射して成形表面の自然酸化膜の除去と洗浄化を行
った。
【００３７】引き続き、ＣＨ4 ：１６ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：
３０ｓｃｃｍをイオン化室に導入してガス圧３．６×１
０-4Ｔｏｒｒとし、加速電圧８ｋＶでイオンビームを引
き出し成形面に照射して４０ｎｍの炭素膜を形成した。
このとき基板前方に配置した移動可能のファラディカッ
プにより測定したイオンビームの電流密度は、１．５ｍ
Ａ／ｃｍ2 であった。基板とイオン源の引き出しグリッ
ドまでの距離を１００ｍｍ、基板温度は室温とした。同
条件で作成した分析サンプルの炭素膜をＡＥＳ（Ａｕｇ
ｅｒ Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐ
ｙ）により深さ方向分析した結果を図５に示す。図５よ
り明らかなように混合層の厚さは４０ｎｍで、炭素Ｃの
濃度は表面側の９６％から型母材側に向かって減少して
いた。一方、Ｓｉ原子の濃度は表面側の５％から型母材
側に向かって増加していた。すなわち、Ｃ、Ｓｉ濃度の
深さ方向のプロファイルが図５である。型母材側では、
ＣとＳｉの濃度がそれぞれ５０％とＳｉＣのストイキオ
メトリになっている。混合層の厚さは、型母材界面の前
後においてＣ濃度が極大から極小となる変化量の５０％
の深さから表面までの厚さである。
３０ｓｃｃｍをイオン化室に導入してガス圧３．６×１
０-4Ｔｏｒｒとし、加速電圧８ｋＶでイオンビームを引
き出し成形面に照射して４０ｎｍの炭素膜を形成した。
このとき基板前方に配置した移動可能のファラディカッ
プにより測定したイオンビームの電流密度は、１．５ｍ
Ａ／ｃｍ2 であった。基板とイオン源の引き出しグリッ
ドまでの距離を１００ｍｍ、基板温度は室温とした。同
条件で作成した分析サンプルの炭素膜をＡＥＳ（Ａｕｇ
ｅｒ Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐ
ｙ）により深さ方向分析した結果を図５に示す。図５よ
り明らかなように混合層の厚さは４０ｎｍで、炭素Ｃの
濃度は表面側の９６％から型母材側に向かって減少して
いた。一方、Ｓｉ原子の濃度は表面側の５％から型母材
側に向かって増加していた。すなわち、Ｃ、Ｓｉ濃度の
深さ方向のプロファイルが図５である。型母材側では、
ＣとＳｉの濃度がそれぞれ５０％とＳｉＣのストイキオ
メトリになっている。混合層の厚さは、型母材界面の前
後においてＣ濃度が極大から極小となる変化量の５０％
の深さから表面までの厚さである。
【００３８】同様に、図６に炭素膜のＡＦＭ観察の結果
を示す。これより、膜の表面構造は、５００ｎｍの走査
に対して突起の数は２０個程度で、約２５ｎｍの平均ピ
ッチで突起があり、その高さ方向の高さは、約１５ｎｍ
より小さかった。また、炭素膜とＳｉ3 Ｎ4 スタイラス
間に働く吸着力は、約１０ｎＮと非常に小さかった。次
に、本発明による光学素子成形用型によってガラスレン
ズのプレス成形を行った例を示す。図７中、５１は真空
槽本体、５２はそのフタ、５３は光学素子を成形するた
めの上型、５４はその下型、５５は上型を押さえるため
の上型おさえ、５６は胴型、５７は型ホルダー、５８は
ヒーター、５９は下型を突き上げる突き上げ棒、６０は
該突き上げ棒を作動するエアシリンダ、６１は油回転ポ
ンプ、６２、６３、６４はバルブ、６５は不活性ガス流
入パイプ、６６はパルプ、６７はリークバルブ、６８は
バルブ、６９は温度センサ、７０は水冷パイプ、７１は
真空槽を支持する台を示す。
を示す。これより、膜の表面構造は、５００ｎｍの走査
に対して突起の数は２０個程度で、約２５ｎｍの平均ピ
ッチで突起があり、その高さ方向の高さは、約１５ｎｍ
より小さかった。また、炭素膜とＳｉ3 Ｎ4 スタイラス
間に働く吸着力は、約１０ｎＮと非常に小さかった。次
に、本発明による光学素子成形用型によってガラスレン
ズのプレス成形を行った例を示す。図７中、５１は真空
槽本体、５２はそのフタ、５３は光学素子を成形するた
めの上型、５４はその下型、５５は上型を押さえるため
の上型おさえ、５６は胴型、５７は型ホルダー、５８は
ヒーター、５９は下型を突き上げる突き上げ棒、６０は
該突き上げ棒を作動するエアシリンダ、６１は油回転ポ
ンプ、６２、６３、６４はバルブ、６５は不活性ガス流
入パイプ、６６はパルプ、６７はリークバルブ、６８は
バルブ、６９は温度センサ、７０は水冷パイプ、７１は
真空槽を支持する台を示す。
【００３９】レンズを製作する工程を次ぎに述べる。
【００４０】フリント系光学ガラス（ＳＦ１４）を所定
の量に調整し、球状にしたガラス素材を型のキャビティ
ー内に置き、これを成形装置内に設置する。ガラス素材
を投入した型を装置内に設置してから真空槽５１の蓋５
２を閉じ、水冷パイプ７０に水を流し、ヒーター５８に
電流を流す。このとき窒素ガス用バルブ６６及び６８は
閉じ、排気系バルブ６２、６３、６４も閉じている。
尚、油回転ポンプ６１は常に回転している。バルブ６２
を開け排気を開始してから１０-2Ｔｏｒｒ以下になった
らバルブ６２を閉じ、バルブ６６を開いて窒素ガスをボ
ンベより真空槽内に導入する。所定の温度になったらエ
アシリンダ６０を作動させて２００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力
で１分間加圧する。圧力を解除した後、冷却速度を−５
℃／ｍｉｎで転移点以下になるまで冷却し、その後は−
２０℃／ｍｉｎ以上の速度で冷却を行い２００℃以下に
下がったらバルブ６６を閉じ、リークバルブ６３を開い
て真空槽５１内に空気を導入する。それから蓋５２を開
け上型おさえを外して成形物を取り出す。上記のように
して、フリント系光学ガラスＳＦ１４（軟化点Ｓｐ＝５
８６℃、転移点Ｔｇ＝４８５℃）を使用して図３に示す
レンズ１０を成形した。このときの成形条件すなわち時
間−温度関係図を図８に示す。
の量に調整し、球状にしたガラス素材を型のキャビティ
ー内に置き、これを成形装置内に設置する。ガラス素材
を投入した型を装置内に設置してから真空槽５１の蓋５
２を閉じ、水冷パイプ７０に水を流し、ヒーター５８に
電流を流す。このとき窒素ガス用バルブ６６及び６８は
閉じ、排気系バルブ６２、６３、６４も閉じている。
尚、油回転ポンプ６１は常に回転している。バルブ６２
を開け排気を開始してから１０-2Ｔｏｒｒ以下になった
らバルブ６２を閉じ、バルブ６６を開いて窒素ガスをボ
ンベより真空槽内に導入する。所定の温度になったらエ
アシリンダ６０を作動させて２００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力
で１分間加圧する。圧力を解除した後、冷却速度を−５
℃／ｍｉｎで転移点以下になるまで冷却し、その後は−
２０℃／ｍｉｎ以上の速度で冷却を行い２００℃以下に
下がったらバルブ６６を閉じ、リークバルブ６３を開い
て真空槽５１内に空気を導入する。それから蓋５２を開
け上型おさえを外して成形物を取り出す。上記のように
して、フリント系光学ガラスＳＦ１４（軟化点Ｓｐ＝５
８６℃、転移点Ｔｇ＝４８５℃）を使用して図３に示す
レンズ１０を成形した。このときの成形条件すなわち時
間−温度関係図を図８に示す。
【００４１】前記型を用いて５００回成形を行った。成
形後の型は、傷や割れといった欠陥やガラス中に含まれ
るＰｂＯの還元析出物であるＰｂやガラスの融着が光学
顕微鏡、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察されな
かった。また、成形品についても表面粗さ、面精度、透
過率、形状精度とも良好でＰｂの析出や成形時のガス残
りと言った問題もなかった。
形後の型は、傷や割れといった欠陥やガラス中に含まれ
るＰｂＯの還元析出物であるＰｂやガラスの融着が光学
顕微鏡、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察されな
かった。また、成形品についても表面粗さ、面精度、透
過率、形状精度とも良好でＰｂの析出や成形時のガス残
りと言った問題もなかった。
【００４２】次に、この型を用いて図９に示す成形装置
により成形を行った。図９において、１０２は成形装
置、１０４は取入れ用置換室であり、１０６は成形室で
あり、１０８は蒸着室であり、１１０は取り出し用置換
室である。１１２、１１４、１１６はゲートバルブであ
り、１１８はレールであり、１２０は該レール上を矢印
Ａ方向に搬送せしめられるパレットである。１２４、１
３８、１４０、１５０はシリンダであり、１２６、１５
２はバルブである。１２８は成形室１０６内においてレ
ール１１８に沿って配列されているヒータである。成形
室１０６内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾーン
１０６−１、プレスゾーン１０６−２および徐冷ゾーン
１０６−３とされている。プレスゾーン１０６−２にお
いて、上記シリンダ１３８のロッド１３４の下端には成
形用上型部材１３０が固定されており、上記シリンダ１
４０のロッド１３６の上端には成形用下型部材１３２が
固定されている。これら上型部材１３０及び下型部材１
３２は本発明による型部材である。蒸着室１０８内にお
いては、蒸着物質１４６を収容した容器１４２及び該容
器を加熱するためのヒータ１４４が配置されている。
により成形を行った。図９において、１０２は成形装
置、１０４は取入れ用置換室であり、１０６は成形室で
あり、１０８は蒸着室であり、１１０は取り出し用置換
室である。１１２、１１４、１１６はゲートバルブであ
り、１１８はレールであり、１２０は該レール上を矢印
Ａ方向に搬送せしめられるパレットである。１２４、１
３８、１４０、１５０はシリンダであり、１２６、１５
２はバルブである。１２８は成形室１０６内においてレ
ール１１８に沿って配列されているヒータである。成形
室１０６内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾーン
１０６−１、プレスゾーン１０６−２および徐冷ゾーン
１０６−３とされている。プレスゾーン１０６−２にお
いて、上記シリンダ１３８のロッド１３４の下端には成
形用上型部材１３０が固定されており、上記シリンダ１
４０のロッド１３６の上端には成形用下型部材１３２が
固定されている。これら上型部材１３０及び下型部材１
３２は本発明による型部材である。蒸着室１０８内にお
いては、蒸着物質１４６を収容した容器１４２及び該容
器を加熱するためのヒータ１４４が配置されている。
【００４３】クラウン系ガラスＳＫ１２（軟化点Ｓｐ＝
６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５５０℃）を所定の形状
および寸法に粗加工して成形のためのブランクを得た。
ガラスブランクをパレット１２０に設置し、取入れ置換
室１０４内の１２０−１の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ１２４のロッド１２２によりＡ方向に押し
てゲートバルブ１１２を越えて成形室１０６内の１２０
−２の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ置換室１０４内にパレットを成形室１
０６内で１２０−２→…→１２０−８の位置へと順次搬
送した。この間に、加熱ゾーン１０６−１ではガラスブ
ランクをヒータ１２８により徐々に加熱し１２０−４の
位置で軟化点以上とした上で、プレスゾーン１０６−２
へと搬送し、ここでシリンダ１３８、１４０を作動させ
て上型部材１３０及び下型部材１３２により２００ｋｇ
／ｃｍ2 の圧力でプレス温度６２０℃で一分間プレス
し、その後加圧力を解除しガラス転移点以下まで冷却
し、その後シリンダ１３８、１４０を作動させて上型部
材１３０及び下型部材１３２をガラス成形品から離型し
た。該プレスに際しては上記パレットが成形用胴型部材
として利用された。しかる後に、徐冷ゾーン１０６−３
ではガラス成形品を徐々に冷却した。なお、成形室１０
６内には不活性ガスを充満させた。成形室１０６内にお
いて１２０−８の位置に到達したパレットを、次の搬送
ではゲートバルブ１１４を越えて蒸着室１０８内の１０
２−９の位置へと搬送した。通常、ここで真空蒸着を行
うのであるが本実施例では該蒸着を行わなかった。そし
て、次の搬送ではゲートバルブ１１６を越えて取り出し
置換室１１０内の１０２−１０の位置へと搬送した。そ
して、次の搬送時にはシリンダ１５０を作動させてロッ
ド１４８によりガラス成形品を成形装置１０２外へと取
り出した。
６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５５０℃）を所定の形状
および寸法に粗加工して成形のためのブランクを得た。
ガラスブランクをパレット１２０に設置し、取入れ置換
室１０４内の１２０−１の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ１２４のロッド１２２によりＡ方向に押し
てゲートバルブ１１２を越えて成形室１０６内の１２０
−２の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ置換室１０４内にパレットを成形室１
０６内で１２０−２→…→１２０−８の位置へと順次搬
送した。この間に、加熱ゾーン１０６−１ではガラスブ
ランクをヒータ１２８により徐々に加熱し１２０−４の
位置で軟化点以上とした上で、プレスゾーン１０６−２
へと搬送し、ここでシリンダ１３８、１４０を作動させ
て上型部材１３０及び下型部材１３２により２００ｋｇ
／ｃｍ2 の圧力でプレス温度６２０℃で一分間プレス
し、その後加圧力を解除しガラス転移点以下まで冷却
し、その後シリンダ１３８、１４０を作動させて上型部
材１３０及び下型部材１３２をガラス成形品から離型し
た。該プレスに際しては上記パレットが成形用胴型部材
として利用された。しかる後に、徐冷ゾーン１０６−３
ではガラス成形品を徐々に冷却した。なお、成形室１０
６内には不活性ガスを充満させた。成形室１０６内にお
いて１２０−８の位置に到達したパレットを、次の搬送
ではゲートバルブ１１４を越えて蒸着室１０８内の１０
２−９の位置へと搬送した。通常、ここで真空蒸着を行
うのであるが本実施例では該蒸着を行わなかった。そし
て、次の搬送ではゲートバルブ１１６を越えて取り出し
置換室１１０内の１０２−１０の位置へと搬送した。そ
して、次の搬送時にはシリンダ１５０を作動させてロッ
ド１４８によりガラス成形品を成形装置１０２外へと取
り出した。
【００４４】以上のようなプレス行程により３０００回
成形した後の型部材の成形面及び成形された光学素子の
表面粗さ、並びに型部材と成形された光学素子との離型
性は良好であった。特に、型部材の成形面について光学
顕微鏡、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察しても傷やク
ラック等の欠陥やガラス成分の反応析出物、ガラスの融
着は見られなかった。
成形した後の型部材の成形面及び成形された光学素子の
表面粗さ、並びに型部材と成形された光学素子との離型
性は良好であった。特に、型部材の成形面について光学
顕微鏡、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察しても傷やク
ラック等の欠陥やガラス成分の反応析出物、ガラスの融
着は見られなかった。
【００４５】（実施例２）実施例１と同様の型母材を用
い、図１０に示すＥＣＲイオン源を持つ成膜装置により
炭素膜を５０ｎｍ形成した。図中２０は真空槽、２１は
排気系、２２はＥＣＲイオン源、２３はマイクロ波の発
振器、２４はマイクロ波の導波管、２５はマイクロ波導
入窓、２６は空洞共振器タイプのプラズマ室、２７は外
部磁場、２８は引き出し電極、２９はシャッター兼ファ
ラディカップ、３０は型母材、３１は基板ホルダー、３
２はガス導入系である。まず、基板ホルダーに型母材を
設置した後、装置内を５×１０-6Ｔｏｒｒに排気しガス
導入系よりＡｒガスをイオン源に導入した。このＡｒイ
オンビームにより型母材表面のクリーニングと酸化膜の
除去を行なった。この時の真空度は３×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、イオン電流７ｍＡで行なった。引き続き、イオン源
にＣ2 Ｈ6 ：３５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：１０ｓｃｃｍをガス
供給系より導入し、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を２３
のマイクロ波発振器と２４の導波管によって８００Ｗ投
入し、ＥＣＲプラズマをプラズマ室２６に形成した。こ
のとき外部磁場２７により、導入窓２５で１６００Ｇａ
ｕｓｓ、引き出し電極２８から５０ｍｍマイクロ波導入
窓側で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とした。次に、イ
オン引き出し電極に１０ｋＶを印加してイオンビームを
引き出し型母材に照射して型Ｎｏ．１を作製した。この
時のイオン電流密度はファラディカップで１．０ｍＡ／
ｃｍ2 、真空度３×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度は室温と
した。同一装置を用いて、イオン引き出し電極に１ｋ
Ｖ、３ｋＶ、４．９ｋＶ、５．０ｋＶ、２５ｋＶを印加
してイオンビームを引き出し、型母材に照射して型Ｎ
ｏ．２、３、４、５、６を製作した。この時のイオン電
流密度は、ファラディカップでそれぞれ０．２、０．２
５、０．３、０．３２、１．８ｍＡ／ｃｍ2、真空度３
×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度は室温とし、膜厚は５０ｎ
ｍとなるよう照射時間を調整した。この型を用いて、実
施例１と同様に図９の成形機によりクラウン系ガラスＳ
Ｋ１２（軟化点Ｓｐ＝６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５
５０℃）を１０００回成形した。各型の表面形状と成形
結果を第１表に示した。
い、図１０に示すＥＣＲイオン源を持つ成膜装置により
炭素膜を５０ｎｍ形成した。図中２０は真空槽、２１は
排気系、２２はＥＣＲイオン源、２３はマイクロ波の発
振器、２４はマイクロ波の導波管、２５はマイクロ波導
入窓、２６は空洞共振器タイプのプラズマ室、２７は外
部磁場、２８は引き出し電極、２９はシャッター兼ファ
ラディカップ、３０は型母材、３１は基板ホルダー、３
２はガス導入系である。まず、基板ホルダーに型母材を
設置した後、装置内を５×１０-6Ｔｏｒｒに排気しガス
導入系よりＡｒガスをイオン源に導入した。このＡｒイ
オンビームにより型母材表面のクリーニングと酸化膜の
除去を行なった。この時の真空度は３×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、イオン電流７ｍＡで行なった。引き続き、イオン源
にＣ2 Ｈ6 ：３５ｓｃｃｍ、Ｈ2 ：１０ｓｃｃｍをガス
供給系より導入し、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を２３
のマイクロ波発振器と２４の導波管によって８００Ｗ投
入し、ＥＣＲプラズマをプラズマ室２６に形成した。こ
のとき外部磁場２７により、導入窓２５で１６００Ｇａ
ｕｓｓ、引き出し電極２８から５０ｍｍマイクロ波導入
窓側で８７５ＧａｕｓｓのＥＣＲ条件とした。次に、イ
オン引き出し電極に１０ｋＶを印加してイオンビームを
引き出し型母材に照射して型Ｎｏ．１を作製した。この
時のイオン電流密度はファラディカップで１．０ｍＡ／
ｃｍ2 、真空度３×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度は室温と
した。同一装置を用いて、イオン引き出し電極に１ｋ
Ｖ、３ｋＶ、４．９ｋＶ、５．０ｋＶ、２５ｋＶを印加
してイオンビームを引き出し、型母材に照射して型Ｎ
ｏ．２、３、４、５、６を製作した。この時のイオン電
流密度は、ファラディカップでそれぞれ０．２、０．２
５、０．３、０．３２、１．８ｍＡ／ｃｍ2、真空度３
×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度は室温とし、膜厚は５０ｎ
ｍとなるよう照射時間を調整した。この型を用いて、実
施例１と同様に図９の成形機によりクラウン系ガラスＳ
Ｋ１２（軟化点Ｓｐ＝６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５
５０℃）を１０００回成形した。各型の表面形状と成形
結果を第１表に示した。
【００４６】
【表１】 成形後の型１、５は、実施例１と同様に傷や割れといっ
た欠陥やガラス中に含まれるＰｂＯの還元析出物である
Ｐｂやガラスの融着が光学顕微鏡、走査電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）によって観察されなかった。また、成形品につい
ても表面粗さ、面精度、透過率、形状精度とも良好でＰ
ｂの析出や成形時のガス残りと言った問題もなかった。
型２は、成形回数が３００回で部分的な膜剥離を生じ、
型３は５００回、型４は８００回で微小な膜剥離を生じ
た。型６は表面粗さが大きく、成形面が散乱のため曇っ
ていた。また、８００回で部分的な膜剥離を生じた。
た欠陥やガラス中に含まれるＰｂＯの還元析出物である
Ｐｂやガラスの融着が光学顕微鏡、走査電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）によって観察されなかった。また、成形品につい
ても表面粗さ、面精度、透過率、形状精度とも良好でＰ
ｂの析出や成形時のガス残りと言った問題もなかった。
型２は、成形回数が３００回で部分的な膜剥離を生じ、
型３は５００回、型４は８００回で微小な膜剥離を生じ
た。型６は表面粗さが大きく、成形面が散乱のため曇っ
ていた。また、８００回で部分的な膜剥離を生じた。
【００４７】（実施例３）型母材としてＷＣ（８４％）
−ＴｉＣ（８％）−ＴａＣ（８％）からなる焼結体を所
定の形状に加工した後、成形面をＲmax.＝０．０２μｍ
に鏡面研磨した。この型母材の成形面にイオンプレーテ
ィング法によりＴｉを２００ｎｍ形成した後、ＴｉＮを
１８００ｎｍ形成した。この型の成形面に実施例１と同
一方法、同一条件により炭素膜を形成した。
−ＴｉＣ（８％）−ＴａＣ（８％）からなる焼結体を所
定の形状に加工した後、成形面をＲmax.＝０．０２μｍ
に鏡面研磨した。この型母材の成形面にイオンプレーテ
ィング法によりＴｉを２００ｎｍ形成した後、ＴｉＮを
１８００ｎｍ形成した。この型の成形面に実施例１と同
一方法、同一条件により炭素膜を形成した。
【００４８】次に、この型を用いて、実施例１と同様に
図７の成形機を用いてクラウン系ガラスＳＫ１２（軟化
点Ｓｐ＝６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５５０℃）を１
０００回成形した。その結果、実施例１と同様の結果が
得られた。
図７の成形機を用いてクラウン系ガラスＳＫ１２（軟化
点Ｓｐ＝６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５５０℃）を１
０００回成形した。その結果、実施例１と同様の結果が
得られた。
【００４９】なお、中間層としてＴｉＮ以外にＳｉ、Ａ
ｌ、周期律表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の金属及びこれ
らの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、炭酸窒化
物、硼化物、硼窒化物、更に硼素の炭化物、窒化物及び
これらの少なくとも一種以上からなる化合物、混合物を
形成した場合もＴｉＮと同様の結果が得られた。
ｌ、周期律表の４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の金属及びこれ
らの炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、炭酸窒化
物、硼化物、硼窒化物、更に硼素の炭化物、窒化物及び
これらの少なくとも一種以上からなる化合物、混合物を
形成した場合もＴｉＮと同様の結果が得られた。
【００５０】（実施例４）実施例１と同様の型母材を用
い、炭素膜の形成に先立ち、粒径１μｍ以下のダイヤモ
ンド砥粒を分散させたアルコール溶液中に入れ、超音波
振動させることにより型母材表面の傷付け処理を行っ
た。この型母材表面をＡＦＭで測定したところ、表面の
突起間隔が２０ｎｍ、突起の高さが２５ｎｍであった。
型母材を良く洗浄した後、実施例１のイオンビーム蒸着
装置に設置し、引き出すイオンビームのエネルギーを
０．８ｋｅＶ、イオンビームの電流密度を０．７ｍＡ／
ｃｍ2 、基板加熱温度を３００℃とした以外は、実施例
１と同一条件で炭素膜を１００ｎｍ形成した。この膜表
面をＡＦＭで測定したところ、傷付け処理後の型母材表
面の形状と変わらなかった。
い、炭素膜の形成に先立ち、粒径１μｍ以下のダイヤモ
ンド砥粒を分散させたアルコール溶液中に入れ、超音波
振動させることにより型母材表面の傷付け処理を行っ
た。この型母材表面をＡＦＭで測定したところ、表面の
突起間隔が２０ｎｍ、突起の高さが２５ｎｍであった。
型母材を良く洗浄した後、実施例１のイオンビーム蒸着
装置に設置し、引き出すイオンビームのエネルギーを
０．８ｋｅＶ、イオンビームの電流密度を０．７ｍＡ／
ｃｍ2 、基板加熱温度を３００℃とした以外は、実施例
１と同一条件で炭素膜を１００ｎｍ形成した。この膜表
面をＡＦＭで測定したところ、傷付け処理後の型母材表
面の形状と変わらなかった。
【００５１】次に、この型を用いて、実施例１と同様に
図７の成形機を用いてクラウン系ガラスＳＫ１２（軟化
点Ｓｐ＝６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５５０℃）を１
０００回成形した。その結果、実施例１と同様の結果が
得られた。
図７の成形機を用いてクラウン系ガラスＳＫ１２（軟化
点Ｓｐ＝６７２℃、ガラス転移点Ｔｇ＝５５０℃）を１
０００回成形した。その結果、実施例１と同様の結果が
得られた。
【００５２】また、イオンビーム蒸着法以外のイオンプ
レーティング法、ＤＣプラズマＣＶＤ法、ＲＦプラズマ
ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法、プラズマ・スッパタリング法等により型母
材上に同様に形成した炭素膜においても実施例１と同様
の結果が得られた。
レーティング法、ＤＣプラズマＣＶＤ法、ＲＦプラズマ
ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法、プラズマ・スッパタリング法等により型母
材上に同様に形成した炭素膜においても実施例１と同様
の結果が得られた。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、炭素膜の形状を、
平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均高さ０．５〜３０ｎｍの
突起を多数連設する形状とすることにより、膜の吸着
力、摩擦係数を小さくし、かつ膜の型母材への付着強度
を高くすることができる一方、成形される光学素子の表
面粗さを劣化させることがないので、ガラスの融着や反
応生成物が生ずることなく、ガラスとの離型性を長期間
良好に保持し、ガラスの成形に於て膜の剥離やクラック
が発生しない耐久性の高い鏡面を有する型を得ることが
でた。
平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均高さ０．５〜３０ｎｍの
突起を多数連設する形状とすることにより、膜の吸着
力、摩擦係数を小さくし、かつ膜の型母材への付着強度
を高くすることができる一方、成形される光学素子の表
面粗さを劣化させることがないので、ガラスの融着や反
応生成物が生ずることなく、ガラスとの離型性を長期間
良好に保持し、ガラスの成形に於て膜の剥離やクラック
が発生しない耐久性の高い鏡面を有する型を得ることが
でた。
【００５４】また、炭素膜の厚みを１〜１００ｎｍと
し、炭素原子濃度が表面側で高く母材側で低い濃度勾配
を有するものとすることによって、ガラス成分との反応
析出物の生成を抑えガラスとの離型性をより良好にする
ことができた。
し、炭素原子濃度が表面側で高く母材側で低い濃度勾配
を有するものとすることによって、ガラス成分との反応
析出物の生成を抑えガラスとの離型性をより良好にする
ことができた。
【００５５】この光学素子成形用型を用いることにより
生産性の向上とコストダウンを実現することが可能とな
る。
生産性の向上とコストダウンを実現することが可能とな
る。
【００５６】また、上記の光学素子成形用型を、型母材
表面に中間層を介して又は介さずに、イオンエネルギー
５〜２５ｋｅＶの炭素イオンビームを用いて形成するこ
とにより、特定形状の突起が連設された炭素膜を効率良
く形成することができた。
表面に中間層を介して又は介さずに、イオンエネルギー
５〜２５ｋｅＶの炭素イオンビームを用いて形成するこ
とにより、特定形状の突起が連設された炭素膜を効率良
く形成することができた。
【００５７】また、上記の光学素子成形用型を、型母材
表面を傷つけ処理した後、中間層を介して又は介さずに
イオンエネルギー０．２〜１．５ｋｅＶの炭素イオンビ
ームを用いて形成することにより、比較的薄い炭素膜で
同様の突起形状を付与することができた。
表面を傷つけ処理した後、中間層を介して又は介さずに
イオンエネルギー０．２〜１．５ｋｅＶの炭素イオンビ
ームを用いて形成することにより、比較的薄い炭素膜で
同様の突起形状を付与することができた。
【図１】本発明の光学素子成形用型の成形表面に形成し
た混合層の原子混合状態を示す模式図である。
た混合層の原子混合状態を示す模式図である。
【図２】本発明の光学素子成形用型の一例を示す断面図
であり、プレス前の状態を示す。
であり、プレス前の状態を示す。
【図３】本発明の光学素子成形用型の一例を示す断面図
であり、プレス成形後の状態を示す。
であり、プレス成形後の状態を示す。
【図４】本発明の実施例で用いるＩＢＤ装置を示す概略
図である。
図である。
【図５】本発明の実施例における混合層のＡＥＳによる
デプスプロファイルを示す。
デプスプロファイルを示す。
【図６】本発明の実施例における炭素膜のＡＦＭ観察結
果を示し、（ａ）はＡＦＭ像、（ｂ）は表面粗さを示
す。
果を示し、（ａ）はＡＦＭ像、（ｂ）は表面粗さを示
す。
【図７】本発明の光学素子成形用型を使用するレンズの
非連続成形タイプの成形装置を示す断面図である。
非連続成形タイプの成形装置を示す断面図である。
【図８】図７に示した成形装置によるレンズ成形の際の
時間−温度関係図の一例を示す。
時間−温度関係図の一例を示す。
【図９】本発明の光学素子成形用型を使用するレンズの
連続成形タイプの成形装置を示す断面図である。
連続成形タイプの成形装置を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例で用いたＥＣＲイオン源を有
するイオンビーム成膜装置を示す概略図である。
するイオンビーム成膜装置を示す概略図である。
【図１１】本発明に係る混合層の形成に用い得るカウフ
マン型イオン源を示す模式図である。
マン型イオン源を示す模式図である。
６ 型母材 ７ 成形面 ８ 炭素の混合層 ９ ガラス素材 １０ 成形されたレンズ １１ 真空槽 １２ イオンビーム装置 １３ イオン化室 １４ ガス導入口 １５ イオンビーム引出しグリッド １６ イオンビーム １７ 型母材 １８ 基板ホルダー＆ヒーター １９ 排気口 ２０ 真空槽 ２１ 排気系 ２２ ＥＣＲイオン源 ２３ マイクロ波発振器 ２４ マイクロ波の導波管 ２５ マイクロ波の導入窓 ２６ 空洞共振器タイプのプラズマ室 ２７ 外部磁場 ２８ 引き出し電極 ２９ シャッター兼ファラディ・カップ ３０ 型母材 ３１ 基板ホルダー ３２ ガス導入系 ３３ 磁場発生用コイル ３４ フィラメント ３５ ガス導入系 ３６ アノード ３７ イオンビーム引き出し電極 ３８ イオンビーム ３９ 型母材 ４０ 基本ホルダー＆ヒーター ５１ 真空槽 ５２ 真空槽の蓋 ５３ 上型 ５４ 下型 ５５ 上型押え ５６ 胴型 ５７ 型ホルダー ５８ ヒーター ５９ 下型を突上げる突上げ棒 ６０ エアシリンダ ６１ 油回転ポンプ ６２、６３、６４ バルブ ６５ 不活性ガス導入バルブ ６６ バルブ ６７ リークパイプ ６８ バルブ ６９ 温度センサ ７０ 水冷パイプ ７１ 真空槽を支持する台 １０２ 成形装置 １０４ 取入れ用置換室 １０６ 成形室 １０８ 蒸着室 １１０ 取り出し用置換室 １１２ ゲートバルブ １１４ ゲートバルブ １１６ ゲートバルブ １１８ レール １２０ パレット １２２ ロッド １２４ シリンダ １２６ バルブ １２８ ヒータ １３０ 上型 １３２ 下型 １３４ ロッド １３６ ロッド １３８ シリンダ １４０ シリンダ １４２ 容器 １４４ ヒータ １４６ 蒸着物質 １４８ ロッド １５０ シリンダ １５２ バルブ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−301864（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−154634（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−257031（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−149435（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−305742（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−320233（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−1622（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−239124（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 11/00 - 11/16 C03B 40/00
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラスよりなる光学素子のプレス成形に
用いる光学素子成形用型において、該型母材の少なくと
も成形表面に中間層を介して又は介さずに形成されてい
る炭素膜が、平均ピッチ５〜３０ｎｍで平均高さ０．５
〜３０ｎｍの突起を多数連設する形状であることを特徴
とする光学素子成形用型。 - 【請求項２】 炭素膜が、１〜１００ｎｍの厚みを有
し、炭素原子濃度が表面側で高く母材側で低い濃度勾配
を有するものである請求項１記載の光学素子成形型。 - 【請求項３】 請求項１記載の光学素子成形用型を製造
する方法であって、型母材表面に中間層を介して又は介
さずに、イオンエネルギー５〜２５ｋｅＶの炭素イオン
ビームを用いて炭素膜を形成することを特徴とする光学
素子成形用型の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の光学素子成形用型を製造
する方法であって、型母材表面を傷つけ処理し、平均ピ
ッチ５〜３０ｎｍで平均段差０．５〜３０ｎｍの突起を
多数連設した後、中間層を介して又は介さずにイオンエ
ネルギー０．２〜１．５ｋｅＶの炭素イオンビームを用
いて炭素膜を形成することを特徴とする光学素子成形用
型の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28472193A JP3231165B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
| US08/336,106 US5662999A (en) | 1993-11-15 | 1994-11-04 | Mold and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28472193A JP3231165B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138033A JPH07138033A (ja) | 1995-05-30 |
| JP3231165B2 true JP3231165B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17682127
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28472193A Expired - Fee Related JP3231165B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5662999A (ja) |
| JP (1) | JP3231165B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855966A (en) * | 1997-11-26 | 1999-01-05 | Eastman Kodak Company | Method for precision polishing non-planar, aspherical surfaces |
| US6036873A (en) * | 1997-11-26 | 2000-03-14 | Eastman Kodak Company | Process for generating precision polished non-plannar aspherical surfaces |
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