JPH02199036A - ガラスプレス成形型の製造方法 - Google Patents

ガラスプレス成形型の製造方法

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JPH02199036A
JPH02199036A JP1020545A JP2054589A JPH02199036A JP H02199036 A JPH02199036 A JP H02199036A JP 1020545 A JP1020545 A JP 1020545A JP 2054589 A JP2054589 A JP 2054589A JP H02199036 A JPH02199036 A JP H02199036A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ガラスプレス成形型の製造方法に係り、詳し
くはガラスレンズ等の製造に用いられるガラスプレス成
形型の製造方法に関する。
［従来の技術及びその問題点］ プレス成形によるガラスレンズの製造においては、ガラ
スレンズ面は高温下において成形型の表面がそのまま転
写されることから、成形型表面でガラスレンズ面の面精
度ならびに面粗度が確保されなければならず、このなめ
プレス成形型は高温下においてガラスと化学的な反応を
起こさないこと、耐酸化性及び耐熱性に優れていること
、硬度が高くプレス成形時に組織変化又は塑性変形しな
いこと、さらに型形状の加工性が良く型表面の摩擦抵抗
が極力小さいことなどが必要とされる。
従来、プレス成形型としてはタングステンカーバイド（
ＷＣ＞、シリコン（Ｓｉｎ、シリコンナイトライド（Ｓ
ｉ３Ｎ４）等が用いられているが、これらはいずれも型
表面にガラスの融着が起こるため、これを防止する手段
として型表面に各種カーボン離型膜を設けることが提案
されている。
例えば特開昭６１−２８１０３０号公報ではマイクロ波
プラズマＣＶＤ法により原料ガスをメタン（ＣＨ４）及
び水素（Ｈ２）の混合ガスとしてダイヤモンド状膜を型
表面に高温で形成してプレス成形型とする方法が開示さ
れている。
この高温形成のマイクロ波プラズマＣＶＤ法により得ら
れたダイヤモンド状膜は、耐熱性及び耐酸化性に優れ、
高硬度のなめ型表面に傷などが生じ難い利点があるが、
この膜はダイヤモンド結晶が集合した多結晶膜であるた
め表面の凹凸が激しく、型表面の良好な面粗度を得るた
めに研磨工程を必要とする。またマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法は再現性が悪く、かつ大面積化が困難であるとい
う問題を有している。さらにプレス成形時に型表面が汚
れなり膜の一部が剥離した場合の再生が困難であるとい
う問題を有している。
また特開昭６１−２４２９２２号公報ではイオンビーム
スパッタ法によりダイヤモンド状カーボン膜を型表面に
低温で形成する方法が開示されている。
この低温形成のイオンビームスパッタ法により得られた
ダイヤモンド状カーボン膜は、ダイヤモンドに近似した
性質を示す非晶質膜であり、室温では高硬度で良好な潤
滑性を有するが、プレス成形温度領域に相当する例えば
５００℃以上の高温では構造がグラファイト化し硬度、
耐熱性が劣化するという欠点がある。
この他にもカーボン離型膜としては、グラッシーカーボ
ン膜やグラファイト膜が挙げられるが、これらも耐熱性
又は耐酸化性に劣るという問題を有している。
従って本発明の目的は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法や
イオンビームスパッタ法などにより設けられたダイヤモ
ンド状カーボン離型膜等のカーボン離型膜を有するガラ
ス成形型の欠点を解消したガラス成形型を提供すること
にある。
Ｕ問題点を解決するための手段］ 本発明は上述の目的を達成するためになされたものであ
り、本発明のガラスプレス成形型の製造方法は、 製造されるべきガラスプレス成形型の基盤上にイオンプ
レーティング法によりｉ−カーボン膜を被覆する工程を
含み、 アノード電極と、第１のカソード電極と、前記プレス成
形型基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、さらに前記
２つの電極を取り囲む形で前記基盤ホルダーの近くまで
伸びているリフレクタ−を有するイオンプレーティング
装置を用い、前記アノード電極と前記第１のカソード電
極との間に低電圧を印加して、炭素原子数と水素原子数
の比率（Ｃ／Ｈ）が１／３以上である炭化水素のイオン
のプラズマを発生させ、更に前記アノード電極に対して
前記基盤ホルダーが第２のカソード電極となるように前
記基盤ホルダーと前記アノード電極との間に０．５〜２
．５ＫＶの電圧を印加するとともに、前記リフレクタ−
を前記第１のカソード電極と同電位として、炭化水素イ
オンを、温度２００〜４００℃に保持された基盤の方向
に集中的に加速することにより、前記イオンプレーティ
ング法を実施する ことを特徴とする。
本発明の好ましい態様によれば、前記イオンプレーティ
ング法を実施するに先立ち、イオンボンバード処理を行
なうのが好ましい。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のガラスプレス成形型の製造方法は、製造される
べきガラスプレス成形型の形状とほぼ同一形状に研削、
研磨されたガラスプレス成形型基盤上にイオンプレーテ
ィング法によりｉ−カーボン膜（非晶質の硬質カーボン
膜）を被覆する工程を含むものである。
基盤材料としては、シリコン（Ｓ　ｉ　）　、シリコン
ナイトライド（Ｓｉ３Ｎａ）、タングステンカーバイド
（ｗｃ　）や、アルミナ（Ａ　Ｉ　２０３　＞とチタン
カーバイト（Ｔ　ｉ　Ｃ）のサーメット等も用いられる
が、炭化珪素（ＳｉＣ）焼結体を用いるのが好ましい。
この炭化珪素焼結体は、プレス成形の際、ガラスと接す
る面にＣＶＤ法による炭化珪素膜を有するものが特に好
ましい。
イオンプレーティング法は、アノード電極と、第１のカ
ソード電極と、ガラスプレス成形型基盤を保持する基盤
ホルダーとを有し、さらに前記２つの電極を取り囲む形
で前記基盤ホルダーの近くまで伸びているレフレクタ−
を有するイオンプレーティング装置を用いて実施される
。このイオンプレーティング装置において、前記アノー
ド電極と前記第１のカソード電極との間に低電圧を印加
して炭化水素のイオンのプラズマを発生させる。
両電極間に印加される低電圧としては５０〜１５０■が
好ましい。５０Ｖ未満ではイオン化率が低く非能率であ
り、１５０■を超えるとプラズマが不安定になるからで
ある。また用いられる炭化水素としては、炭素原子数と
水素原子数の比率（Ｃ／Ｈ）が１／３以上であるものに
限定され、その例としては、ベンゼン（Ｃ／Ｈ＝６／６
）、トルエン（Ｃ／Ｈ＝７／８）　、キシレン（Ｃ／Ｈ
＝８／１０）等の芳香族炭化水素、アセチレン（Ｃ／Ｈ
＝２／２＞　、メチルアセチレン（Ｃ／Ｈ＝３／４）、
ブチン類（Ｃ／Ｈ＝４／６）等の三重結合含有不飽和炭
化水素、エチレン（Ｃ／Ｈ＝２／４）、プロピレン（Ｃ
／Ｈ＝３／７）　、ブテン（Ｃ／Ｈ＝４／８）等の二重
結合含有不飽和炭化水素、エタン（Ｃ／Ｈ＝２／６）　
、プロパン（Ｃ／Ｈ＝３／８）　、ブタン（Ｃ／Ｈ＝４
／１０）、ペンタン（Ｃ／Ｈ＝５／１２＞等の飽和炭化
水素が挙げられる。これらの炭化水素は、単独で用いて
も良く、２種以上を混合して用いても良い。
これに対して、Ｃ／Ｈが１／３未満のメタン（Ｃ／Ｈ＝
１／４）や、アセトン、酢酸、アルコール類（メタノー
ル、エタノール、プロパツール等）、ジオキサン、アニ
リン、ピリジン等の酸素や窒素を含む炭化水素化合物は
、離型膜の成膜性及びプレス成形時のプレス成形品離型
性の少なくともいずれか一方が不十分であり、使用する
ことが不適当であることが判明している。
本発明においては、前記アノード電極に対して前記基盤
ホルダーが第２のカソード電極となるように前記基盤ホ
ルダーと前記アノード電極との間に０．５〜２．５ＫＶ
の電圧を印加する。この電圧を０．５〜２．５ＫＶに限
定した理由は、０゜５ＫＶ未満では、炭化水素イオンの
加速が不十分でガラスプレス成形型基盤とｉ−カーボン
膜との密着性が弱くなり、得られた成形型を用いてプレ
ス成形すると、少ないプレス成形回数でガラスとの融着
を生じ、一方２．５ＫＶを超えると、異常放電が生じや
すく、得られた成形型の型表面が荒れやすくなるからで
ある。
又本発明においてイオンプレーティング処理時の基盤の
温度は２００−’４００℃に限定される。
本発明者らは基盤を２００〜４００℃に加熱してｉ−カ
ーボン膜を形成する根拠として、レーザーラマン分光分
析より膜形成温度が膜構造と密接に関係していることを
明らかにした。ｉ−カーボンとはレーザーラマン分光分
析で１５５０ａｍ−’に幅広いピークを示すものと定義
付けられ、非晶質のカーボンと考えられている。そして
１５５０（７）のピークが１６０００１１−１側にシフ
トすると共に、結晶格子の乱れを示す１３６０ｃｙｎ−
１のピークが成長した場合にはグラファイト化したもの
と考えられる。第３図はディスク状の炭化珪素膜上に室
温、３００．４００．４５０．５５０’Ｃの各温度で膜
を形成した場合のラマン特性図であり、膜形成温度が室
温及び３００℃のものに関してはｉ−カーボン構造と同
定できるが、４００℃及び４５０℃のものでは１３６０
ω−１のピーク強度が大きくなると同時に１６００ｃｎ
−１側に波長がシフトする傾向があり、５５０℃のもの
はその傾向が一層顕著となりグラファイト構造となって
いることが認められた。更にこうして得られたｉ−カー
ボン膜とグラファイト膜との差異を明らかにするなめ、
島津製作所製微小硬度計ＤＵＨ−５０を用いて各膜の硬
度測定を行ない、それをビッカース硬度に換算した結果
、膜形成温度が室温から３００℃では３０００〜３４０
０．４００℃では２４００．５００℃以上では１５００
であった。またスクラッチ試験後の痕跡観察において、
膜形成温度が室温から２００℃未満では痕跡の両端に貝
殻状の剥離を伴うような脆弱な膜質であるのに対して、
２００℃以上ではこのような剥離を伴なわない靭性に富
んだ膜質であることが認められた。また、耐熱性を調べ
るための窒素雰囲気中における６５０℃のアニーリング
テストにおいて、膜形成温度が４００℃以上では１時間
の保持で炭化珪素膜表面との剥離を生じ、室温から２０
０℃未満では昇温直後にカーボン膜がフィルム状に基盤
表面から浮き上り耐熱性に劣ることが認められた。これ
らに対して膜形成温度が２００℃以上では３０時間保持
後も何ら劣化を示さなかった。
以上が基盤の温度を２００〜４００℃に限定した理由で
あるが、後記の実施例及び比較例によってもこのことは
十分に実証される。
以下に本発明の実施例について説明する。
［実施例１］ ガラスプレス成形型の基盤材料として炭化珪素（ＳｉＣ
）焼結体を用い、研削によりプレス成形型形状に加工後
、プレス成形の際、ガラスと接する面はＣＶＤ法により
炭化珪素膜を形成し、更に研削及び研磨して鏡面に仕上
げて成形型基盤とする。　次に上記成形型基盤の炭化珪
素膜上にｉ　−カーボン膜をイオンプレーティング法に
より被覆する。第１図に示されたイオンプレーティング
装置２０において、真空槽１１の上部にヒーター１９を
内蔵した基盤ホルダー１２が設けられ、これに炭化珪素
膜を有する成形型基盤１３が保持されている。基盤ホル
ダー１２と対向した下部にはタンタル（Ｔａ）フィラメ
ントから成る第１のカソード電極１４とタングステン（
Ｗ＞ワイヤーが格子状に張られたグリッドとしてのアノ
ード電極１５が設置され、この画電極１４．１５を取り
囲む形で基盤ホルダー１２の近傍まで円筒形のりフレフ
タ−１６が設けてあり、これは第１のカソード電極１４
と同電位とし、プラズマが真空槽側壁に流れず基盤１３
に集中することを目的としている。
また図中、１７はアルゴン及びベンゼンガス導入口、１
８は真空排気のための排気口である。
排気口１８より真空槽１１内の真空度を５．０Ｘ　１０
’Ｔｏ　ｒ　ｒに排気した後、ガス導入口１７よりアル
ゴンガスを導入することによって真空度を８．０Ｘ１０
−４Ｔｏｒｒに保持し、第１のカソード電極１４とアノ
ード電極１５間に７０Ｖの電圧を印加し、この間にプラ
ズマを発生させ、第１のカソード電極１４からの熱電子
によりアルゴンガスをイオン化する。更に基盤ホルダー
１２とアノード電極１５間に１．ＯＫＶの電圧を印加し
てアルゴンイオンの加速を促進し、成形型基盤１３の表
面をイオンボンバードすることにより清浄化する。すな
わちイオンの全体的な動きから見ればアノード電極１５
に対して基盤ホルダー１２をカソード電極と見なすこと
もでき、既に述べたように第２のカソード電極と称する
。この基盤ホルダー１２つまり第２のカソード電極は作
業の安全性を考慮してグラウンド電位としである。以上
は装置の原理をわかり易く説明するために述べたもので
あり、基盤ホルダーがグラウンド電位であるということ
は実際にはアノード電極１５に１、ＯＫＶの電位を印加
することになり、この電位は、第１のカソード電極１４
でもあるフィラメントを加熱してプラズマを発生させる
以前に印加しておく方が好ましい。このイオンボンバー
ド工程において成形型基盤１３の加熱は必ずしも必要で
はないが、型面の清浄効果の促進及び次に続く成膜工程
における加熱のことを考えればここで加熱しておくこと
が好ましい。
次に、再び真空槽１１の真空排気を行ない、ガス導入口
１７よりベンゼンガスを導入することによって真空度を
９．０ＸＩＯ−４Ｔｏｒｒに保持し、基本的にはイオン
ボンバード工程と同操作によりイオンプレーティング工
程を行なう。すなわち、第１のカーソード電極１４とア
ノード電極１５間に７０Ｖの電圧を印加してベンゼンイ
オンのプラズマを発生させ、更に第２のカーソード電極
である基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１゜Ｏ
ＫＶの電圧を印加するとともに、リフレクタ−１６を第
１のカソード電極１４と同電位に保持することにより、
ベンゼンイオンを成形型基盤１３の方向に集中的に加速
し、あらかじめ３００℃に加熱しておいな成形型基盤１
３の表面に膜厚６００人のｉ−カーボン膜を形成する。
このようにして、第２図に示すように、所定形状の炭化
珪素焼結体１上のプレス成形面に、ＣＶＤ法により形成
された炭化珪素膜２を有し、さらにこの炭化珪素膜２上
に、イオンプレーティング法により形成されたｉ−カー
ボン膜３を有する本実施例のガラスプレス成形型４が得
られた。
次に本実施例で得られたガラスプレス成形型を用いて行
なったプレス成形結果について説明する。
第２図の如く、一対のガラスプレス成形型４．４と案内
型５との間にガラスＡ（ランタン系光学ガラス）からな
るガラス６を配置した後、窒素雰囲気中でガラス６を温
度５６０℃（ガラス粘度１０９ポアズに相当）にて３０
ｋｇｆ／−のプレス圧で３０秒間のプレス成形を行ない
、室温まで急冷する操作を繰り返しな結果、炭化珪素膜
上にｉ　−カーボン膜を６００人の膜厚で形成した本実
施例の成形型では１０００回のプレス成形でもガラスの
融着は認められず、ｉ−カーボン膜３の表面も何ら劣化
を示さなかった（表−１の実施例１における型試料Ｎｏ
、４〜７についてのガラスＡの離型状態の記載参照）。
これに対して炭化珪素膜を有するが、ｉ−カーボン膜を
有しない参考例の成形型では５〜９回でガラスの融着が
認められた（表−１の参考例における型試料Ｎ０１１〜
３についてのガラスＡの離型状態の記載参照〉。
また上記ガラスＡとは異なるガラスＢ（バリウム系光学
ガラス）を温度７２０℃（ガラス粘度１０９ポアズに相
当）で上記と同条件でプレス成形を行なったところ、本
実施例の成形型では、４種の型試料のうち３種は６２５
〜８９１回目にガラスの融着が認められたが、弗化水素
アンモニウム液による融着ガラスの除去後再びプレス成
形の続行が可能であった。また残りの１種の型試料につ
いては１０００回のプレス成形後も融着は認められなか
った（表−１の実施例１における型試料Ｎｏ、１０４〜
１０７についてのガラスＢの離型状態の記載参照）。
また、このプレス成形に関連して、ディスク状に加工し
たＣＶＤ法による炭化珪素膜又はこの炭化珪素膜上に本
実施例の方法に従ってｉ−カーボン膜を形成したものに
ついて、球状の被成形ガラスとの間の摩擦係数の測定を
行なった結果、炭化珪素膜では０．４０であるのに対し
て、炭化珪素膜上にｉ−カーボン膜を形成したものでは
０．１０であり、ｉ−カーボン膜が被成形ガラスに対し
て良好な潤滑性を示していることが認められた。
比較例１ａ 実施例１と同様にベンゼンガスを用い、基盤温度を３０
０℃としたが、基盤ホルダーとアノード電極間の電圧を
本発明の範囲（０，５〜２．５ＫＶ）に含まれない０．
４ＫＶとしてイオンプレーティング法によりｉ−カーボ
ン膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例１と
同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場合
、２４〜２９回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も２０〜２６回で融着が認められたく表−１の比較例１
ａにおける型試料Ｎｏ、８〜９及びＮｏ、１０８〜１０
９の結果参照）。
比較例１ｂ 実施例１と同様にベンゼンガスを用い、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を１．ＯＫＶとしたが、基盤温度
を本発明の範囲（２００〜４００℃）に含まれない８０
℃としてイオンプレーティング法によりｉ−カーボン膜
を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例１と
同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場合
、７〜９回で融着が認められ、−方ガラスＢの場合も２
〜４回で融着が認められた（表−１の比較例１ｂにおけ
る型試料Ｎｏ、１０〜１１及びＮｏ、１１０−１１１の
結果参照）。
比較例１ｃ 実施例１と同様にベンゼンガスを用い、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を１．ＯＫＶとしたが、基盤温度
を本発明の範囲（２００〜４００℃）に含まれない４５
０℃としてイオンプレーティング法によりｉ−カーボン
膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例１と
同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場合
、８７〜９３回で融着が認められ、一方ガラスＢの場合
も４１〜４５回で融着が認められた（表−１の比較例１
ｃにおける型試料Ｎｏ。
１２〜１３及びＮｏ、１１２〜１１３の結果を参照）。
実施例２ 原料ガスのベンゼンをアセチレンに変えた以外は実施例
１と同様の実験を行なった。すなわち、アセチレンガス
により真空度を１．０Ｘ１０”３Ｔｏｒｒとし、基盤温
度３００℃、基盤ホルダーとアノード電極間の電圧１．
ＯＫＶ、アノード電極と第１のカソード電極間の電圧９
０Ｖとして成形型基盤１３の表面に６００人のｉ−カー
ボン膜を形成した。次に本実施例で得られたガラスプレ
ス成形型を用い実施例１におけると同様にプレス成形を
行なった結果、ガラスＡでは１０００回のプレス成形後
もガラスの融着は認められず、ｉ−力−ボン膜表面も何
ら劣化を示さなかった（表−１の実施例２における型試
料Ｎｏ、１４〜１７についてのガラスＡの離型状態の記
載参照）。またガラスＡとは別種のガラスＢでは、４種
の型試料について４３８〜５１８回目にガラスの融着が
認められたため弗化水素アンモニウム液による融着ガラ
スの除去を行なったところ、融着跡のｉ−力−ボン膜表
面に若干の肌荒れが生じたが、その後のプレス成形には
支障のない程度であった（表−１の実施例２における型
試料Ｎｏ、１１４〜１１７についてのガラスＢの離型状
態の記載参照）。
比較例２ａ 実施例２と同様に基盤温度を３００℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を１．ＯＫＶとしたが、アセチレ
ンの代りに本発明外のアセトンを用いイオンプレーティ
ング法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
得られなｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例２と
同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場合
、８７〜１１４回で融着が認められ、一方ガラスＢの場
合も６３〜９１回で融着が認められた（表−１の比較例
２ａにおける型試料Ｎｏ。
１８〜１９及びＮｏ、１１８〜ｌ１９の結果参照）比較
例２ｂ 実施例２と同様に基盤温度を３００℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を１．ＯＫＶとしたが、アセチレ
ンガスの代りに本発明外のメタンガスを用いイオンプレ
ーティング法によりｉ−力−ボン膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例２と
同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場合
、９６〜１０５回で融着が認められ、一方ガラスＢの場
合も５３〜７２回で融着が認められた（表−１の比較例
２ｂにおける型試料Ｎｏ、２０〜２１及びＮｏ、１２０
〜１２１の結果を参照）。
比較例２ｃ 実施例２と同様に基盤温度を３００℃、基盤ホルダーと
アノード電極間の電圧を１．ＯＫＶとしたが、アセチレ
ンガスの代りに本発明外のピリジンガスを用い、イオン
プレーティング法によりｉ−カーボン膜を成膜した。
得られたｉ−カーボン膜付き成形型を用いて実施例２と
同様にガラスプレス成形を行なったが、ガラスＡの場合
、１２８〜１４２回で融着が認められ、一方ガラスＢの
場合も１０５〜１１０回で融着が認められたく表−１の
比較例２ｃにおける型試料Ｎｏ、２２〜２３及びＮｏ、
１２２〜１２３の結果参照）。
実施例３〜４ 原料ガスのベンゼンをトルエン（実施例３）及びキシレ
ン（実施例４）に変えた以外は実施例１と同様に実施し
、プレス成形型を得な。
得られたプレス成形型を用いてガラスのプレス成形を行
なったが、実施例１の場合よりもやや劣るが、実施例３
の場合、ガラスＡで５８６回以上まで融着せず、ガラス
Ｂで４０３回以上まで融着せず良好な結果が得られた（
表−１の実施例３における型試料Ｎｏ、２４〜２７及び
Ｎｏ、１２４〜１２７の離型状態の記載参照）。
また実施例４の場合も、ガラスＡで５８２回以上まで融
着せず、ガラスＢで４３０回以上まで融着せず、良好な
結果が得られた（表−１の実施例４における型試料Ｎｏ
、２８〜３１及びＮ０１１２８〜１３１の離型状態の記
載参照）。
実施例５ 原料ガスのベンゼンをペンタンに変えた以外は実施例１
と同様に実施し、プレス成形型を得た。
得られたプレス成形型を用いてガラスのプレス成形を行
なったが、実施例１の場合よりもやや劣るが、ガラスＡ
で６３１回以上まで融着せず、ガラスＢで４９１回以上
まで融着せず良好な結果が得られた（表−１の実施例５
における型試料Ｎｏ。
３２〜３５及びＮｏ、１３２〜１３５の離型状態の記載
参照）。
［発明の効果］ 以上説明した通り本発明のガラスプレス成形型の製造方
法によれば、イオンプレーティング法によるｉ−カーボ
ン膜の形成に際して、所定の炭化水素、所定の電圧条件
、所定の温度条件等を採用することにより、ガラスプレ
ス成形型基盤との密着性、硬度、潤滑性等にすぐれたｉ
−カーボン膜を有するガラスプレス成形型を得ることが
できた。
このようにして得られたガラスプレス成形型は、ガラス
プレス成形を多数回繰り返してもｉ−カーボン膜が剥離
しにくく、かつガラス離型性もよいので、長期間にわた
ってガラスプレス成形のために使用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法を実施するのに好適なイオンプレ
ーティング装置の概略図、第２図は本発明の方法で得ら
れたガラスプレス成形型を用いるガラスプレス成形例を
示す概略図、第３図は膜形成温度が膜構造と密接に関係
していることを示すレーザーラマン分光分析図である。 １・・・炭化珪素焼結体、２・・・炭化珪素膜、３・・
・ｉ　−カーボン膜、４・・・ガラス成形型、５・・・
案内型、６・・・被成形ガラス、１１・・・真空槽、１
２・・・基盤ホルダー、１３・・・ガラス成形型基盤、
１４・・・カソード電極、１５・・・アノード電極、１
６・・・リフレクタ−１７・・・ガス導入口、１８・・
・排気口、１９・・セーター、２０・・・イオンプレー
ティング装置。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）製造されるべきガラスプレス成形型の基盤上にイ
    オンプレーティング法によりｉ−カーボン膜を被覆する
    工程を含み、 アノード電極と、第１のカソード電極と、前記ガラスプ
    レス成形型基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、さら
    に前記２つの電極を取り囲む形で前記基盤ホルダーの近
    くまで伸びているリフレクターを有するイオンプレーテ
    ィング装置を用い、前記アノード電極と前記第１のカソ
    ード電極との間に低電圧を印加して、炭素原子数と水素
    原子数の比率（Ｃ／Ｈ）が１／３以上である炭化水素の
    イオンのプラズマを発生させ、更に前記アノード電極に
    対して前記基盤ホルダーが第２のカソード電極となるよ
    うに前記基盤ホルダーと前記アノード電極との間に０．
    ５〜２．５ＫＶの電圧を印加するとともに、前記リフレ
    クターを前記第１のカソード電極と同電位として、炭化
    水素イオンを、温度２００〜４００℃に保持された基盤
    の方向に集中的に加速することにより、前記イオンプレ
    ーティング法を実施することを特徴とするガラスプレス
    成形型の製造方法。
  2. （２）前記イオンプレーティング法を実施するに先立ち
    、イオンボンバード処理を行なう、請求項（１）に記載
    の方法。
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