JP2017179612A - 成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板へのパーティクル汚染を低減できるＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、基板にＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ装置において、チャンバー１０１と、前記チャンバー内に配置され、前記基板を保持する基板ホルダー１０４と、前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、を具備し、前記チャンバーの内面、前記基板ホルダー、前記チャンバー内に配置された防着板、前記チャンバー内に配置された治具および前記原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入するガスシャワー部材の少なくとも一つに、金属、セラミックス、プラスチックおよびサーメットのいずれかの材料からなる膜が形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置である。【選択図】 図１

Description

本発明は、装置内を表面処理することでパーティクルを低減したＣＶＤ装置に関する。

ＣＶＤ装置などの成膜装置では、チャンバー内の被成膜基板に薄膜を成膜するときに、チャンバー内面にも薄膜が付着し、その付着した薄膜が剥離することにより被成膜基板にパーティクル汚染が発生することがある。

そこで、上記のパーティクル汚染を防止する対策として、チャンバー内面にブラスト処理を施したり、ブラスト処理を施した防着板をチャンバー内面に取り付けている。このようにブラスト処理を施すことにより、チャンバー内面または防着板に薄膜が付着した際に、薄膜との密着性が向上することで、パーティクル汚染を抑制しようとする対策である。しかし、この対策を施しても、パーティクル汚染を十分に抑えることはできない。

また、上記のパーティクル汚染を防止する対策として、チャンバー内面などにパーティクルゲッターを貼る方法もある。しかし、この対策には、パーティクルゲッターが高価であること、プラズマＣＶＤ装置の電極表面に貼ると異常放電の原因となること、チャンバー内にシャワー状のガスを導入する導入口のような微細な構造の被処理基板には貼ることができないことなどの課題がある。

本発明の一態様は、基板へのパーティクル汚染を低減できるＣＶＤ装置を提供することを課題とする。

下記の（１）〜（１２）それぞれは、本発明の一態様に係るＣＶＤ装置である。
（１）基板にＣＶＤ法により膜を成膜するＣＶＤ装置において、
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、前記基板を保持する基板ホルダーと、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記チャンバーの内面、前記基板ホルダー、前記チャンバー内に配置された防着板、前記チャンバー内に配置された治具および前記原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入するガスシャワー部材の少なくとも一つに、金属、セラミックス、プラスチックおよびサーメットのいずれかの材料からなる膜が形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置。

（２）上記（１）において、
前記材料は、Ｃｒ、Ｗ及びＭｏの少なくとも一つを１０重量％以上含有することを特徴とするＣＶＤ装置。

（３）上記（１）または（２）において、
前記材料は、Ｃｒを１重量％以上５０重量％以下含有し、ＷＣを０重量％以上４９重量％以下含有し、Ｍｏを０重量％以上４９重量％以下含有し、且つＣｒとＷＣとＭｏを合計で５０重量％以下含有し、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ａｌ及びＣｕを合計で０重量％以上５０重量％以下含有し、残部がＮｉおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＣＶＤ装置。

（４）上記（３）において、
前記Ｆｅを０重量％以上１０重量％以下含有し、前記Ｓｉを０重量％以上１０重量％以下含有し、前記Ｃを０重量％以上３重量％以下含有し、前記Ｂを０重量％以上７重量％以下含有し、前記Ａｌを０重量％以上１５重量％以下含有し、前記Ｃｕを０重量％以上５重量％以下含有することを特徴とするＣＶＤ装置。

（５）上記（３）または（４）において、
前記材料は、Ｃｒを９重量％以上２０重量％以下含有することを特徴とするＣＶＤ装置。

（６）上記（３）乃至（５）のいずれか一項において、
前記材料は、Ｍｏを３重量％以上１０重量％以下含有することを特徴とするＣＶＤ装置。

（７）上記（３）乃至（６）のいずれか一項において、
前記材料は、ＷＣを３０重量％以上４０重量％以下含有することを特徴とするＣＶＤ装置。

（８）上記（２）において、
前記材料は、Ｍｏを８０重量％以上含有し、残部が不純物および不可避的不純物からなることを特徴とするＣＶＤ装置。

（９）上記（８）において、
前記不純物は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣの少なくとも一つであることを特徴とするＣＶＤ装置。

（１０）上記（１）乃至（９）のいずれか一項において、
前記材料からなる膜は溶射によって形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置。

（１１）上記（１）乃至（１０）のいずれか一項において、
前記基板に成膜する前記膜は、炭素膜であることを特徴とするＣＶＤ装置。

本発明の一態様によれば、基板へのパーティクル汚染を低減できるＣＶＤ装置を提供することができる。

本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を概略的に示す断面図である。 本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を概略的に示す断面図である。 実施例のサンプル１〜４にテープ剥離試験を行った結果を示す写真である。 実施例のサンプル５にテープ剥離試験を行った結果を示す写真である。 比較例のサンプル６〜９にテープ剥離試験を行った結果を示す写真である。

以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を概略的に示す断面図である。

プラズマＣＶＤ装置は成膜チャンバー１０１を有しており、この成膜チャンバー１０１の上部には蓋１０２が配置されている。成膜チャンバー１０１に蓋１０２をすることにより、成膜チャンバー１０１内には成膜室１０３が形成される。

この成膜室１０３内の下方には被成膜基板（図示せず）を保持するステージ電極１０４が配置されており、このステージ電極１０４は高周波電源１０６に電気的に接続されている。ステージ電極１０４はＲＦ印加電極としても作用し、また基板ホルダーとしても機能する。ステージ電極１０４の周囲及び下部はアースシールド１０５によってシールドされている。

成膜室１０３内の上方には、ステージ電極１０４に対向して平行の位置にガスシャワー電極１０７が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極１０７の周囲及び上部はアースシールド１０８によってシールドされている。また、ガスシャワー電極１０７は接地電位に接続されている。ガスシャワー電極１０７は、原料ガスを成膜チャンバー１０１内にシャワー状に導入するガスシャワー部材としても機能する。

ガスシャワー電極１０７の下方（ステージ電極上面側）には、被成膜基板の表面側にシャワー状の原料ガスを導入する複数の導入口（図示せず）が形成されている。ガスシャワー電極１０７の内部にはガス導入経路（図示せず）が設けられている。このガス導入経路の一方側は上記導入口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給機構（図示せず）に接続されている。また、成膜チャンバー１０１には、成膜室１０３の内部を真空排気する排気口１１０が設けられている。この排気口１１０は排気ポンプ（図示せず）に接続されている。

成膜チャンバー１０１の内面、蓋１０２の内面、ステージ電極１０４およびガスシャワー電極１０７それぞれに、金属、セラミックス、プラスチックおよびサーメットのいずれかの材料からなる溶射膜が形成されている。この溶射膜は、溶射によって形成されており、以下の膜を用いることができる。なお、溶射とは、加熱することで溶融またはそれに近い状態にした粒子を、物体表面に吹き付けて被膜を形成する表面処理方法である。

第１の溶射膜は、Ｃｒ、Ｗ及びＭｏの少なくとも一つを１０重量％以上含有する材料からなる膜である。

第２の溶射膜は、Ｃｒを１重量％以上５０重量％以下（好ましくは５重量％以上５０重量％以下、より好ましくは１重量％以上２０重量％以下、より一層好ましくは５重量％以上１５重量％以下、または９重量％以上２０重量％以下、さらに好ましくは９．５０重量％以上１６．２重量％以下、または１重量％以上１０重量％以下、より好ましくは５重量％以上１０重量％以下）含有し、ＷＣを０重量％以上４９重量％以下（好ましくは０．０１重量％以上４９重量％以下、より好ましくは２０重量％以上４９重量％以下、より一層好ましくは３０重量％以上４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以上３５重量％以下、または２０重量％以上３５重量％以下）含有し、Ｍｏを０重量％以上４９重量％以下（好ましくは１重量％以上２０重量％以下、より好ましくは１重量％以上１０重量％以下、より一層好ましくは３重量％以上１０重量％以下、さらに好ましくは３重量％以上６重量％以下、さらに一層好ましくは３．８３重量％以上６重量％以下）含有し、且つＣｒとＷＣとＭｏを合計で５０重量％以下含有し、不純物を０重量％以上５０重量％以下含有し、残部がＮｉおよび不可避的不純物からなる材料からなる膜である。

ここでいう不純物は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ａｌ及びＣｕである。第２の溶射膜には、Ｆｅが０重量％以上１０重量％以下（または０．０１重量％以上１０重量％以下、または０．０１重量％以上７重量％以下、または２．９０重量％以上７重量％以下）含有されていてもよく、Ｓｉが０重量％以上１０重量％以下（または０．０１重量％以上１０重量％以下、または０重量％以上５重量％以下、または０．０１重量％以上５重量％以下、または３．８９重量％以下、または０．０１重量％以上３．８９重量％以下、または１重量％以上３．８９重量％以下、または２．９重量％以下、または０．０１重量％以上２．９重量％以下、または１重量％以上２．９重量％以下）含有されていてもよく、Ｃが０重量％以上３重量％以下（または１．５重量％以下、または０．７５重量％以下、または０．５重量％以下）含有されていてもよく、Ｂが０重量％以上７重量％以下（または０．０１重量％以上７重量％以下、または４．５重量％以下、または０．０１重量％以上４．５重量％以下、または３．２８重量％以下、または０．０１重量％以上３．２８重量％以下、または２．３重量％以下）含有されていてもよく、Ａｌが０重量％以上１５重量％以下（または９重量％以下、または０．０１重量％以上９重量％以下）含有されていてもよく、Ｃｕが０重量％以上５重量％以下（または０．０１重量％以上５重量％以下、または１．９重量％以下、または０．０１重量％以上１．９重量％以下）含有されていてもよい。

第３の溶射膜は、Ｍｏを含有し、残部が不可避的不純物からなる材料からなる膜である。

第４の溶射膜は、Ｍｏを８０重量％以上含有し、残部が不純物および不可避的不純物からなる材料からなる膜である。ここで、不純物とは、Ｆe、Ｓｉ、Ｃである。

次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いた成膜方法について説明する。
被成膜基板（図示せず）をプラズマＣＶＤ装置の成膜室１０３内に挿入し、この成膜室内のステージ電極１０４上に被成膜基板を保持する。

次いで、この被成膜基板をステージ電極１０４上に固定し、成膜チャンバー１０１を蓋１０２で閉じ、排気ポンプで真空排気する。次いで、ガスシャワー電極１０７の導入口からシャワー状の原料ガスを成膜室１０３の被成膜基板の表面側に導入する。原料ガスとしては炭素を含有するガスを用いる。そして、所定の圧力、原料ガス流量などに制御することにより成膜室内を所望の雰囲気とし、高周波電源１０６により高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板に炭素膜を成膜する。

本実施形態によれば、成膜チャンバー１０１の内面、蓋１０２の内面、ステージ電極１０４およびガスシャワー電極１０７それぞれに、金属、セラミックス、プラスチックおよびサーメットのいずれかの材料からなる溶射膜を形成している。このため、成膜チャンバー１０１内の被成膜基板に炭素膜を成膜するときに、成膜チャンバー１０１の内面等にも炭素膜が付着するが、この付着した炭素膜と溶射膜の密着性が良いため、付着した炭素膜が剥がれにくくなる。その結果、被成膜基板へのパーティクル汚染を低減することができる。また、Ｃｒ、Ｗ及びＭｏの少なくとも一つを１０重量％以上含有する材料からなる溶射膜は炭素膜との密着性が良い。また、Ｃｒを１重量％以上５０重量％以下含有し、ＷＣを０重量％以上４９重量％以下含有し、Ｍｏを０重量％以上４９重量％以下含有し、且つＣｒとＷＣとＭｏを合計で５０重量％以下含有する材料からなる溶射膜は、炭素膜との密着性がさらに良い。また、Ｍｏを８０重量％以上含有する材料からなる溶射膜も炭素膜との密着性がさらに良い。

なお、本実施形態では、溶射膜を、成膜チャンバー１０１の内面、蓋１０２の内面、ステージ電極１０４およびガスシャワー電極１０７それぞれに形成しているが、溶射膜を、成膜チャンバー１０１の内面、蓋１０２の内面、ステージ電極１０４およびガスシャワー電極１０７の少なくとも一つに形成してもよいし、これら以外のもの、例えば成膜チャンバー内に配置された防着板、成膜チャンバー内に配置された治具などに形成してもよい。つまり、成膜処理の際に炭素膜が付着する可能性のある部分に溶射膜を形成しておくことにより、被成膜基板へのパーティクル汚染を低減することができる。

防着板は、チャンバーの内面に炭素膜が付着するのを防ぐための板であり、例えば成膜チャンバー１０１および蓋１０２それぞれの内面に配置される。

治具とは、部品を固定・取付に用いる器具の総称であり、例えば、シリコンウェハの様な被成膜基板を指定の位置に設置、或いは固定するための加工品である。

また、本実施形態では、本発明の一態様としてプラズマＣＶＤ装置の例を挙げているが、本発明の他の一態様としては他のＣＶＤ装置（例えば熱ＣＶＤ装置）を用いてもよい。

（第２の実施形態）
図２は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を概略的に示す断面図である。このプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）１１１に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板１１１の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図２では、被成膜基板１１１に対して左側を示し、右側は省略している。

プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１１２を有しており、このチャンバー１１２内にはホットカソード（カソード電極）１１３が形成されている。ホットカソード１１３の両端はチャンバー１１２の外部に位置する交流電源１１５に電気的に接続されている。交流電源１１５の一端はアース１１６に電気的に接続されている。

チャンバー１１２内にはロート状の形状を有するホーンアノード１１４が配置されており、このホーンアノード１１４はＤＣ電源１１７に電気的に接続されている。このＤＣ電源１１７のプラス電位側がホーンアノード１１４に電気的に接続されており、ＤＣ電源１１７のマイナス電位側がアース１１６に電気的に接続されている。

チャンバー１１２内には基板ホルダー（図示せず）が配置されており、この基板ホルダーには被成膜基板１１１が保持されている。被成膜基板１１１はイオン加速用電源としてのＤＣ電源（直流電源）１２２に電気的に接続されている。このＤＣ電源１２２のマイナス電位側が被成膜基板１１１に電気的に接続されており、ＤＣ電源１２２のプラス電位側がアース１１６に電気的に接続されている。

チャンバー１１２内には、ホットカソード１１３及びホーンアノード１１４それぞれと被成膜基板１１１との間の空間を覆うようにプラズマウォール１１８が配置されている。このプラズマウォール１１８は、円筒形状を有しており、フロート電位（図示せず）に電気的に接続されている。

チャンバー１１２の内面、基板ホルダー、ホーンアノード１１４およびプラズマウォール１１８それぞれに溶射膜が形成されている。この溶射膜は、第１の実施形態と同様の方法および同様の材料を用いることができる。

次に、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて被成膜基板１１１にＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜を成膜する方法について説明する。

まず、チャンバー１１２の内部を所定の真空状態とし、チャンバー１１２の内部に成膜原料ガスとして例えばトルエン（Ｃ_７Ｈ_８）ガスを導入する。チャンバー１１２内が所定の圧力になった後、ホットカソード１１３に交流電源１１５によって交流電流を供給することによりホットカソード１１３が加熱される。また、ホーンアノード１１４にＤＣ電源１１７によって直流電流を供給し、被成膜基板１１１にＤＣ電源１２２によって直流電流を供給する。

ホットカソード１１３の加熱によって、ホットカソード１１３からホーンアノード１１４に向けて多量の電子が放出され、ホットカソード１１３とホーンアノード１１４との間でグロー放電が開始される。多量の電子によってチャンバー１１２の内部の成膜原料ガスとしてのトルエンガスがイオン化され、プラズマ状態とされる。この際、下記式（１）のような反応が起きている。そして、プラズマ状態の成膜原料分子は、被成膜基板１１１のマイナス電位によって直接に加速されて、被成膜基板１１１の方向に向かって飛走して、被成膜基板１１１の表面に付着される。これにより、被成膜基板１１１には薄いＤＬＣ膜が形成される。この際、被成膜基板１１１の表面では下記式（２）の反応が起きている。
Ｃ_７Ｈ_８＋ｅ⁻ →Ｃ_７Ｈ_８ ^＋ ＋２ｅ⁻ ・・・（１）
Ｃ_７Ｈ_８ ^＋ ＋ｅ⁻ →Ｃ_７Ｈ_２ ＋３Ｈ_２↑ ・・・（２）

本実施形態によれば、チャンバー１１２の内面、基板ホルダー、ホーンアノード１１４およびプラズマウォール１１８それぞれに溶射膜を形成している。このため、チャンバー１１２内の被成膜基板１１１にＤＬＣ膜を成膜するときに、チャンバー１１２の内面等にもＤＬＣ膜が付着するが、この付着したＤＬＣ膜と溶射膜の密着性が良いため、付着したＤＬＣ膜が剥がれにくくなる。その結果、被成膜基板１１１へのパーティクル汚染を低減することができる。

なお、本実施形態では、溶射膜を、チャンバー１１２の内面、基板ホルダー、ホーンアノード１１４およびプラズマウォール１１８それぞれに形成しているが、溶射膜を、チャンバー１１２の内面、基板ホルダー、ホーンアノード１１４およびプラズマウォール１１８の少なくとも一つに形成してもよいし、これら以外のもの、例えばチャンバー内に配置された治具、原料ガスをチャンバー１１２内にシャワー状に導入するガスシャワー部材などに形成してもよい。つまり、成膜処理の際にＤＬＣ膜が付着する可能性のある部分に溶射膜を形成しておくことにより、被成膜基板へのパーティクル汚染を低減することができる。

また、本実施形態では、本発明の一態様としてプラズマＣＶＤ装置の例を挙げているが、本発明の他の一態様としては他のＣＶＤ装置（例えば熱ＣＶＤ装置）を用いてもよい。

（実施例のサンプル１〜５）
ＳＵＳからなる基板の表面に溶射法によって表１に示す５つの溶射膜を形成する。この際の溶射法はパウダーを用いたガスフレーム溶射法である。このようにして、５つの溶射膜それぞれが基板表面に形成されたサンプル１〜５を用意した（表１参照）。

（比較例のサンプル６〜９）
ＳＵＳおよびＡｌそれぞれからなる基板の表面をブラスト処理したサンプル６，７を用意した（表２参照）。この際のブラスト処理では粒度Ｆ３６のアルミナ材を用いた。

また、サンプル１〜５と同様の溶射法によってＳＵＳからなる基板の表面にＡｌおよびＣｕそれぞれの溶射膜を形成する。これにより、ＡｌおよびＣｕそれぞれの溶射膜が基板表面に形成されたサンプル８，９を用意した（表２参照）。

次に、下記の成膜条件によってサンプル１〜５，８，９それぞれの溶射膜上およびサンプル６，７それぞれの基板上にＤＬＣ膜を成膜した。
成膜装置： 図１に示すプラズマＣＶＤ装置
出発原料： トルエン（Ｃ_７Ｈ_８）
ガス流量： ３０ｓｃｃｍ
ガス圧力： ０．５Ｐａ
高周波出力の周波数： １３．５６ＭＨｚ
高周波出力： ３００Ｗ
ＤＬＣ膜の膜厚： １００ｎｍ

次に、ＤＬＣ膜が成膜されたサンプル１〜９それぞれにテープ剥離試験を下記の試験方法によって行った。

テープ剥離試験は、ＪＩＳ Ｋ ５４００に準拠し、ＤＬＣ膜にカッターナイフで１ｍｍ間隔の碁盤目状に切り込みを入れて、テープを貼り付けた後、テープを引き剥がした。

図３は、実施例のサンプル１〜４にテープ剥離試験を行った結果を示す写真である。図４は、実施例のサンプル５にテープ剥離試験を行った結果を示す写真である。図５は、比較例のサンプル６〜９にテープ剥離試験を行った結果を示す写真である。

図３、図４及び表１に示すように、実施例のサンプル１，３，４はＤＬＣ膜と溶射膜との密着性が良好な結果（○）が得られ、実施例のサンプル５はＤＬＣ膜と溶射膜との密着性が特に良好な結果（◎）が得られ、実施例のサンプル２はＤＬＣ膜と溶射膜との密着性がサンプル１，３，４より劣るがある程度の密着性を有する結果（△）が得られた。

これに対し、図５及び表２に示すように、比較例のサンプル６〜８はＤＬＣ膜と基板または溶射膜との密着性が悪いという結果（×）が得られ、比較例のサンプル９はＤＬＣ膜と溶射膜との密着性がサンプル６〜９より良く、ある程度の密着性を有する結果（△）が得られた。

本実施例によれば、チャンバー内の被成膜基板にＤＬＣ膜を成膜するときに、チャンバーの内面等にもＤＬＣ膜が付着しても、ＤＬＣ膜との密着性が良い表１に示す溶射膜をチャンバーの内面等に形成することにより、この付着したＤＬＣ膜が剥がれにくくなり、その結果、被成膜基板へのパーティクル汚染を低減できることが確認された。

１０１…成膜チャンバー
１０２…蓋
１０３…成膜室
１０４…ステージ電極
１０５，１０８…アースシールド
１０６…高周波電源
１０７…ガスシャワー電極
１１０…排気口
１１１…被成膜基板
１１２…チャンバー
１１３…カソード電極（ホットカソード）
１１４…アノード電極（ホーンアノード）
１１５…交流電源
１１６…アース
１１７…ＤＣ電源
１１８…プラズマウォール
１２２…ＤＣ電源

Claims (8)

1. 基板にＣＶＤ法によりＤＬＣ膜または炭素膜を成膜する方法であって、
   チャンバーの内面、基板ホルダー、前記チャンバー内に配置された防着板、前記チャンバー内に配置された治具、および原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入するガスシャワー部材の少なくとも一つの表面に、Ｃｒを１重量％以上５０重量％以下含有し、ＷＣを０重量％以上４９重量％以下含有し、Ｍｏを０重量％以上４９重量％以下含有し、且つＣｒとＷＣとＭｏを合計で５０重量％以下含有し、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ａｌ及びＣｕを合計で０重量％以上５０重量％以下含有し、残部がＮｉおよび不可避的不純物からなる材料からなる膜が形成されたＣＶＤ装置を準備し、
   前記基板ホルダーに基板を保持し、
   前記チャンバーを真空排気し、
   前記原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入し、
   電力を供給して前記チャンバー内にプラズマを発生させることで、前記少なくとも一つの表面に形成された前記膜上に前記ＤＬＣ膜または前記炭素膜が付着し、この付着した前記ＤＬＣ膜または前記炭素膜を剥がれにくくしながら、前記基板に前記ＤＬＣ膜または前記炭素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
2. 基板にＣＶＤ法によりＤＬＣ膜または炭素膜を成膜する方法であって、
   チャンバーの内面、基板ホルダー、前記チャンバー内に配置された防着板、前記チャンバー内に配置された治具、および原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入するガスシャワー部材の少なくとも一つの表面に、Ｃｒ、Ｗ及びＭｏの少なくとも一つを１０重量％以上含有し、Ｍｏを８０重量％以上含有し、残部が不純物および不可避的不純物からなる材料からなる膜が形成されたＣＶＤ装置を準備し、
   前記基板ホルダーに基板を保持し、
   前記チャンバーを真空排気し、
   前記原料ガスを前記チャンバー内にシャワー状に導入し、
   電力を供給して前記チャンバー内にプラズマを発生させることで、前記少なくとも一つの表面に形成された前記膜上に前記ＤＬＣ膜または前記炭素膜が付着し、この付着した前記ＤＬＣ膜または前記炭素膜を剥がれにくくしながら、前記基板に前記ＤＬＣ膜または前記炭素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
3. 請求項１において、
   前記Ｆｅを０重量％以上１０重量％以下含有し、前記Ｓｉを０重量％以上１０重量％以下含有し、前記Ｃを０重量％以上３重量％以下含有し、前記Ｂを０重量％以上７重量％以下含有し、前記Ａｌを０重量％以上１５重量％以下含有し、前記Ｃｕを０重量％以上５重量％以下含有することを特徴とする成膜方法。
4. 請求項１または３において、
   前記材料は、Ｃｒを９重量％以上２０重量％以下含有することを特徴とする成膜方法。
5. 請求項１、３及び４のいずれか一項において、
   前記材料は、Ｍｏを３重量％以上１０重量％以下含有することを特徴とする成膜方法。
6. 請求項１、３乃至５のいずれか一項において、
   前記材料は、ＷＣを３０重量％以上４０重量％以下含有することを特徴とする成膜方法。
7. 請求項２において、
   前記不純物は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣの少なくとも一つであることを特徴とする成膜方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記材料からなる膜は溶射によって形成されていることを特徴とする成膜方法。