JPH08225944A - 硬質カーボン膜の形成方法 - Google Patents
硬質カーボン膜の形成方法Info
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- JPH08225944A JPH08225944A JP7032068A JP3206895A JPH08225944A JP H08225944 A JPH08225944 A JP H08225944A JP 7032068 A JP7032068 A JP 7032068A JP 3206895 A JP3206895 A JP 3206895A JP H08225944 A JPH08225944 A JP H08225944A
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Abstract
助電極23を挿入するように試料を真空槽13内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口15から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノ
ード31に直流電圧を印加しフィラメント33に交流電
圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カーボン
膜を形成する。 【効果】 同電位同士が対向することがなくなり、異常
放電であるホロー放電は発生しない。そのため、密着の
良好な硬質カーボン膜を試料に形成することができる。
開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布の発生が
なく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚を形成するこ
とができるという効果ももつ。
Description
法に関し、とくに開口部を有する試料に硬質カーボン膜
を形成する方法に関する。
ンドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜
は、高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁
性や高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾
品や医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜
を被覆することが提案されている。
質カーボン膜の形成方法を、図4を用いて説明する。図
4は従来技術における硬質カーボン膜の形成方法を示す
断面図である。
口17とを有する真空槽13内に、硬質カーボン膜を形
成する試料11を配置する。
ら直流電圧を印加する。さらにアノード31にはアノー
ド電源27から直流電圧を印加し、さらにフィラメント
33にはフィラメント電源29から交流電圧を印加す
る。
排気後、ガス導入口15から炭素を含むガスを真空槽1
3内に導入し、真空槽13内にプラズマを発生させて、
試料11に硬質カーボン膜を形成している。
方法においては、試料11に印加する直流電圧により発
生するプラズマと、交流電圧を印加するフィラメント3
3と直流電圧を印加するアノード31で発生するプラズ
マとが発生する。
空槽13内の圧力により、試料11周囲のプラズマか、
フィラメント33とアノード31近傍のプラズマかが主
になって、硬質カーボン膜を形成している。
硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽13内の
圧力が3×10-3torr以上のときは、試料11の周
囲に発生するプラズマが主になって、炭素を含むガスを
分解して硬質カーボン膜を形成する。
ン膜を均一性よく形成することができるが、試料11の
開口内面に形成する硬質カーボン膜は密着性が悪く、さ
らに硬度などの膜質が劣る。
ており、開口内面は同電位の電極どうしが対向している
空間となり、その開口内面でのプラズマはホロー放電と
呼ばれる異常放電を発生する。
ーボン膜は、ポリマーライクな密着性の悪い被膜であ
り、試料11から剥離しやすく、硬度も低い。
0-3torrより低いときは、試料11周囲のプラズマ
より、硬質カーボン膜の形成はフィラメント33とアノ
ード31近傍に発生するプラズマがおもに寄与する。
ン膜を均一性よく形成することができるが、試料11の
開口内面に形成する硬質カーボン膜は試料11の長手方
向で膜厚を均一に形成することができない。
近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素イオン
は、試料11に印加する直流負電位に引っ張られて堆積
し、試料11に硬質カーボン膜の被膜形成を行ってい
る。
orrより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのに対して、圧力が3×10-3torr
より低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に形
成される。
1近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カーボ
ン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理気相成長法と
同様に、試料11の開口内面には開口端面から開口奥側
に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄くなる。こ
の結果、試料11の開口内面に形成する硬質カーボン膜
は試料11の長手方向で膜厚を均一に形成することがで
きない。
口内面に密着性よくしかも均一な膜厚で硬質カーボン膜
を形成することが可能な硬質カーボン膜の形成方法を提
供することである。
に本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、下記
記載の手段を採用する。
料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入する
ように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料
に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて試料
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電
圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマ
を発生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入する
ように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料
に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させて試料に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラズマを発
生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入する
ように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料
に直流電圧を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズマを発生
させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入する
ように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料
に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて試料
の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電
圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマ
を発生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入する
ように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料
に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させて試料の外
周部を被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラズマを発
生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
料の開口内面に接地電位に接続する補助電極を挿入する
ように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料
に直流電圧を印加し、プラズマを発生させて試料の外周
部を被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成すること
を特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズマを発生
させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。
は、試料の開口内面の開口の中央部にに、接地電位に接
続する補助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。
そして試料には、負の直流電圧あるいは高周波電圧を印
加する。
いる開口内面に、接地電位に接続する補助電極を設ける
こととなり、同電位同士が対向することがなくなる。
成長法にとって最も望ましい状態であり、ホロー放電は
発生しない。そのため、密着の良好な硬質カーボン膜を
試料に形成することができる。
においては、試料の長手方向の開口内面で、電位特性が
均一になる。
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図1は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
口17とを有する真空槽13内に、硬質カーボン膜を形
成する試料11を配置する。そしてこの試料11の開口
内面には、接地電位に接続する補助電極23を挿入する
ように設ける。このとき補助電極23が試料11の開口
中央部になるようにする。
ら直流電圧を印加し、さらにアノード31にはアノード
電源27から直流電圧を印加し、さらにフィラメント3
3にはフィラメント電源29から交流電圧を印加する。
加する直流電圧はマイナス3kVを印加し、さらにアノ
ード電源27からアノード31に印加する直流電圧はプ
ラス50Vを印加する。さらにフィラメント電源29か
らフィラメント33に印加する電圧は30Aの電流が流
れるように10Vの交流電圧を印加する。
torrになるように排気口17から真空排気する。
スとしてベンゼンを真空槽13内に導入して、真空槽1
3内の圧力を5×10-3torrになるように制御す
る。
ズマを発生させて、試料11に硬質カーボン膜を形成し
ている。
方法においては、試料11の開口内面に挿入するように
設ける補助電極23により、試料11の外周部だけでな
く、試料11開口内面にもプラズマを形成することがで
きる。
極23により、異常放電であるホロー放電の発生はな
く、硬質カーボン膜の密着性が向上する。
電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。
さより小さければよく、好ましくは5mm程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。
ような金属材料で形成すればよい。
し、試料11に補助電極23を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極23を突
出するように構成する。
1の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料1
1の断面形状が四角形であれば補助電極23の断面形状
は四角形とし、試料11の断面形状が円形であれば補助
電極23の断面形状は円形とする。
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図2は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
口17とを有する真空槽13内に、硬質カーボン膜を形
成する試料11を配置する。
19を介して13.56MHzの発振周波数を有する高
周波電源21から高周波電圧を印加する。
排気後、ガス導入口15から炭素を含むガスとしてメタ
ンガスを真空槽13内に導入し、真空度を0.1tor
rになるように調整する。
央部には、接地電位に接続する補助電極23を挿入する
ように配置して、プラズマを発生させる。このときプラ
ズマは、試料11の外周部だけでなく、試料11の開口
内面にもプラズマは発生し、試料11に硬質カーボン膜
を形成している。
けでなく、試料11の開口内面にもプラズマは発生して
いるので、試料11の開口内面にも硬質カーボン膜を形
成することができる。そして硬質カーボン膜は、外周部
と開口内面とではその膜質に差は発生していない。
ているため、異常放電であるホロー放電は発生せず。開
口内面にも密着性よく、均一な硬質カーボン膜を形成す
ることができる。
においては、試料11の開口内面に補助電極23を設け
ているので、試料11の長手方向の開口内面で、電位特
性が均一になる。
硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。
さより小さければよく、好ましくは5mm程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極23は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
し、試料11に補助電極23を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料11の開口から補助電
極23が突出するように構成してもよい。
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図3は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
口17とを有する真空槽13内に、硬質カーボン膜を形
成する試料11を配置する。
らマイナス600Vの直流電圧を印加する。
排気後、ガス導入口15から炭素を含むガスとしてメタ
ンガスを真空槽13内に導入し、真空度を0.1tor
rになるように調整する。
央部には、接地電位に接続する補助電極23を挿入する
ように配置して、プラズマを発生させる。このときプラ
ズマは、試料11の外周部だけでなく、試料11の開口
内面にもプラズマは発生し、試料11に硬質カーボン膜
を形成している。
けでなく、試料11の開口内面にもプラズマは発生して
いるので、試料11の開口内面にも硬質カーボン膜を形
成することができる。そして硬質カーボン膜は、外周部
と開口内面とではその膜質に差は発生していない。
ているため、異常放電であるホロー放電は発生せず。開
口内面にも密着性よく、均一な硬質カーボン膜を形成す
ることができる。
においては、試料11の開口内面に補助電極23を設け
ているので、試料11の長手方向の開口内面で、電位特
性が均一になる。
硬質カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開
口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。
さより小さければよく、好ましくは5mm程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極23は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
外周部と開口内面とに硬質カーボン膜を形成する実施例
で説明したが、開口内面にのみに硬質カーボン膜を形成
するすることができる。
を配置する方法や、簡易的にはアルミニウム箔を試料1
1の外周部に巻き付けるように形成してもよい。
直接硬質カーボン膜を形成する実施例で説明したが、中
間層を介して硬質カーボン膜を形成してもよい。
表第IV族のシリコンやゲルマニウムや、あるいはシリ
コンやゲルマニウムの化合物でもよい。あるいはこの中
間層としては、シリコンカーバイト(SiC)やチタン
カーバイト(TiC)のような炭素を含む化合物でもよ
い。
パッタリング法やイオンプレーティング法や化学気相成
長(CVD)法や溶射法を適用すればよい。
成方法の説明においては、炭素を含むガスとしてメタン
ガスやベンゼンガスを用いる実施例で説明したが、メタ
ン以外にエチレンなどの炭素を含むガスや、あるいはヘ
キサンなどの炭素を含む液体の蒸発蒸気も使用すること
ができる。
硬質カーボン膜の形成方法では、試料の開口内面に、接
地電位に接続する補助電極を配置して硬質カーボン膜を
形成している。そして試料には、高周波電圧あるいは負
の直流電圧を印加する。
いる開口内面に、接地電位に接続する補助電極を設ける
こととなり、同電位どうしが対向することがなくなり、
異常放電であるホロー放電は発生しない。そのため、密
着の良好な硬質カーボン膜を試料に形成することができ
る。
においては、試料の長手方向の開口内面で、電位特性を
均一にすることができる。
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口中側とで
均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
す断面図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電
圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマ
を発生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項2】 中間層を形成した試料の開口内面に接地
電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空槽
内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項3】 試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラズマを発
生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項4】 中間層を形成した試料の開口内面に接地
電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空槽
内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電圧を印加
し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項5】 試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズマを発生
させて試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項6】 中間層を形成した試料の開口内面に接地
電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空槽
内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加
し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項7】 試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電
圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマ
を発生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の
形成方法。 - 【請求項8】 中間層を形成した試料の開口内面に接地
電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空槽
内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させて試料の外周部を被覆して
開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項9】 試料の開口内面に接地電位に接続する補
助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラズマを発
生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成
方法。 - 【請求項10】 中間層を形成した試料の開口内面に接
地電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空
槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電圧を印
加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆して開
口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする硬
質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項11】 試料の開口内面に接地電位に接続する
補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置し、真
空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空
槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズマを発
生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成
方法。 - 【請求項12】 中間層を形成した試料の開口内面に接
地電位に接続する補助電極を挿入するように試料を真空
槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加
し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆して開口
内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする硬質
カーボン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7032068A JP3014289B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 硬質カーボン膜の形成方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7032068A JP3014289B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 硬質カーボン膜の形成方法 |
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JP11267221A Division JP2000119853A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 硬質カ―ボン膜の形成方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH08225944A true JPH08225944A (ja) | 1996-09-03 |
JP3014289B2 JP3014289B2 (ja) | 2000-02-28 |
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JP7032068A Expired - Fee Related JP3014289B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 硬質カーボン膜の形成方法 |
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JP (1) | JP3014289B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998006885A1 (fr) * | 1996-08-15 | 1998-02-19 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede d'elimination d'un film de carbone dur forme sur la surface circonferentielle interne d'une douille de guidage |
WO2013140986A1 (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-26 | シチズンホールディングス株式会社 | 有色硬質装飾部材 |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP7032068A patent/JP3014289B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998006885A1 (fr) * | 1996-08-15 | 1998-02-19 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede d'elimination d'un film de carbone dur forme sur la surface circonferentielle interne d'une douille de guidage |
US5993680A (en) * | 1996-08-15 | 1999-11-30 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of removing hard carbon film formed on inner circumferential surface of guide bush |
WO2013140986A1 (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-26 | シチズンホールディングス株式会社 | 有色硬質装飾部材 |
US9464355B2 (en) | 2012-03-19 | 2016-10-11 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Colored rigid decorative member |
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JP3014289B2 (ja) | 2000-02-28 |
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