JPH10500391A - ダイヤモンド状炭素フィルムの大型で低圧力のプラズマイオン付着 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 排気され炭素質ガスを充填された付着装置（40）中において付着基体（46）上にダイヤモンド状炭素が付着される。プラズマ（68）は、容器（42）内のフィラメント（62）を加熱してガス中に電子を発生し、付着容器壁（44）に関してフィラメント（62）を正にバイアスして電子を炭素質ガス中へ加速することによって発生される。炭素質ガスは正に帯電された炭素イオンを発生するため結果として生じるプラズマ（68）を分解してイオン化する。容器（42）内の付着基体（46）は付着容器壁（44）に関して負にバイアスされ、炭素イオンを加速し、それによってこれらは基体（46）の表面に付着される。

Description

【発明の詳細な説明】 ダイヤモンド状炭素フィルムの大型で低圧力のプラズマイオン付着 ［発明の技術的背景］ 本発明は基体へのフィルムのプラズマイオン付着、特にダイアモンド状の炭素 フィルムの大規模で低圧力の付着に関する。 時にはＤＬＣとも呼ばれるダイアモンド状の炭素は、炭素または炭素および水 素を含んだ固体であり、アモルファス構造を有する。ＤＬＣはダイヤモンドに近 い硬度と耐摩耗性を有する。ＤＬＣは硬度および耐摩耗性においては炭化物およ び窒化物等の多数の通常利用可能な耐摩耗被覆よりも優れている。ＤＬＣの摩擦 係数はダイヤモンドおよび他の通常の被覆の摩擦係数よりも低い。ＤＬＣの乾式 摩擦係数は多数のオイル潤滑材料の乾式摩擦係数に匹敵する。ＤＬＣはアモルフ ァスであるので、結晶被覆で見られる変化がなく均一に表面を被覆する。この特 性の組合わせのために、ＤＬＣ被覆は種々の耐摩耗および低摩擦応用に使用され る。 ダイヤモンド状炭素はこれらの特性を改良するために表面に対する被覆として 施される。イオンビーム、プラズマ補助付着技術を含む多数の応用技術が利用可 能である。イオンビーム方法では、炭素質の前駆物質がソース中で溶解されイオ ン化され、その結果イオンは加速され付着基体上に衝突する。イオンビーム付着 はソースから付着基体までの見通し線を必要とし、それ故大規模で不規則な基体 への付着はイオンビームを基体の種々の領域に誘導するための厄介な基体の操作 を必要とする。 プラズマ補助付着技術では、プラズマが形成され、炭素質の前駆物質がプラズ マへ注入される。前駆物質は分離し、結果的な炭素イオンはプラズマから付着基 体の表面に付着する。種々のプラズマ付着技術はその方法、即ち、プラズマが形 成され電圧を付着基体に供給する方法において異なっている。通常のプラズマ補 助技術はプラズマを形成するため無線周波数エネルギ、マイクロ波、電子サイク ロトロン共鳴または高圧力のＤＣパワーを使用する。これらの種々の技術は動作 可能ではあるが、イオンエネルギの制御能力の欠如と、自動車の金型等の大きな 物体または多数の小さい物を一度に被覆ような重要な大きなシステムを容易に調 整することが不可能であるという欠点を有する。プロセスを調整することが不可 能である理由は無線周波数とマイクロ波エネルギを多量実効率的に結合するのが 困難であることである。 高度に制御された方法で、単一または多数の付着基体上に大きなスケールのダ イヤモンド状炭素を付着する改良された方法を必要とする。 ［発明の要約］ 本発明はダイヤモンド状炭素を付着基体に大きい寸法で付着をする方法と、こ の方法により処理された被覆基体に関する。本発明の方法は大きなサイズで簡単 または複雑な形態の付着基体、または簡単または複雑な形態の多数の小さい付着 基体がダイヤモンド状炭素により廉価に被覆されることを可能にする。このプロ セスは容易に制御可能であり、良好な再現能力を実現する。凹部、穴、他の見通 し線ではない領域の付着を含む基体表面の付着を達成するためにサンプル操作は 必要とされない。多重プラズマソースは複雑に成形された基体または多数の基体 を被覆するのに必要とされないが、ある場合に使用されてもよい。 本発明にしたがって、正確に制御されたイオンエネルギによりダイヤモンド状 炭素フィルムを付着基体に付着する方法は、付着装置を使用し、この付着装置は 、付着容器壁を有する付着容器と、付着容器と制御可能に連通する真空ポンプと 、付着容器と制御可能に連通する炭素質ガス源と、付着容器内に含まれるガス中 でプラズマを発生する手段と、付着容器内の付着基体支持体と、付着基体支持体 と付着容器壁との間に制御可能に接続されたバイアス電圧／電流源とを具備して いる。この方法は、付着基体支持体上に付着基体を支持し、付着容器を排気し、 炭素質ガス源から付着容器へ炭素質ガスを約０．０１乃至約１０ミリトルの圧力 まで導入し、約３００℃を越えない基体温度で、好ましくはできる限り低温でダ イヤモンド状炭素フィルムを基体へ付着することを含んでいる。比較的低圧力を 使用することによってプラズマにおける電荷交換と、結果的なイオンエネルギの 劣化を最小にする。付着ステップは付着容器内で炭素質ガス中にプラズマを発生 し、付着容器壁に関して付着基体を負にバイアスするステップを含んでいる。 本発明の装置はエンベローププラズマのソースを含んでいる。ここで使用され る用語“エンベローププラズマ”は、マスクされた領域等のプラズマから意図的 に遮蔽されたワークピースの表面領域またはワークピースの支持体と接触する領 域を除くワークピースを包囲して低い電荷交換を有する低圧力のプラズマを意味 している。ワークピースが完全に浸されるエンベローププラズマは例えばイオン ビームが表面に衝突する場所で発生される局部的プラズマと区別される。両者は プラズマの発生を含んでいるが、エンベローププラズマの場合、（前述したよう にマスクされた領域または支持領域を除いて）ワークピースを完全に包囲するプ ラズマを発生し均一にワークピースを処理するように均一であることを目的とす るのであり、それらはかなり異なった問題を提示する。以下説明するように、局 部的プラズマの場合にはこのような目的も制約も存在しない。 本発明の方法は、エンベローププラズマが基体上に均一な被覆を生成するため に使用される従来のプラズマ処理方法と異なっている。グロー放電技術では、圧 力は高く、１０ミリトルから数トルの範囲である。プラズマ発生はワークピース と容器間に供給される電圧から生じる。プラズマイオンエネルギの制御能力は電 荷交換のために限定される。基体は放射される電子のソースであるので、電気的 に絶縁性のＤＬＣフィルムが付着されるとき、フィルムおよび基体への関連する 損傷および付着プロセスの終了によってアークがしばしば生じる。強化されたグ ロー放電技術では、別々のフィラメントエミッタが設けられるが、容器圧力は依 然として高く、約１５乃至２５０ミリトルであり、電荷交換はこの場合にもイオ ンエネルギと付着効率を限定する。プラズマソースでは、プラズマソースの処理 は遠隔であり局部的ではない。従ってワークピース周辺で均一なプラズマを得る ことは困難である。 本発明の方法では、ホロー陰極等の他の電子源も使用されることができるが、 プラズマ発生手段は好ましくは電子発生用のフィラメントを横切って接続される フィラメント電流源を有するフィラメントを含んでいる。放電電圧源は付着容器 壁に関して制御可能にフィラメントをバイアスする。動作において、フィラメン トは電子を放射するため熱イオン温度に加熱される。容器壁は陰極フィラメント に関して陽極であり、したがって放射された電子は容器に引き付けられプラズマ を形成するため活動的に容器内のガスと相互作用する。炭素質のガスは分離しイ オン化し、プラズマ中で炭素イオンを発生する。水素イオンおよび他のラジカル も分解の結果として存在する。付着基体は付着容器の壁およびプラズマに関して （ＤＣ連続的波またはパルス的に）負にバイアスされ、それによって正イオンは プラズマから付着基体へ誘導され、そこに付着される。 プラズマ形式および付着プロセスはそれ故、相互から独立して動作し別々に制 御可能である。付着基体を包囲するイオンシースが比較的薄いことを確実にする ように電圧およびプラズマ密度が選択される。シース内の電荷交換が最小である ように圧力は同時に選択される。このイオンシースの厚さは付着されることがで きる凹部幅等の最小の寸法を決定し、電荷交換がイオンエネルギに影響を及ぼす ので薄いイオンシースおよび低い電荷交換により適切な付着を実現することが望 ましい。本発明の場合、付着を行うことができる最小の空間は１／２ミリメート ル程度であり、これはイオンビーム付着で達成されるよりも非常に小さい。 本発明はダイヤモンド状炭素フィルムの付着に関する技術に改良を与える。本 発明の他の特徴および利点は、例示により本発明の原理を示した添付図面を伴っ た好ましい実施形態の以下のより詳細な説明から明白になるであろう。 ［図面の簡単な説明］ 図１はダイヤモンド状炭素フィルムを付着する方法のブロックフロー図である 。 図２は本発明にしたがった装置の概略図である。 図３は本発明の方法にしたがって処理したダイヤモンド状炭素フィルム被覆を 有する付着基体の概略断面図である。 ［好ましい実施例の詳細な説明］ 図１は本発明の方法を示したブロック図である。符号20で付着装置が設けられ る。好ましい付着装置40は図２に示されている。装置40は気密容器壁44を有する 容器42を含んでいる。容器42は付着基体46（または多数の基体）をそこで受ける だけの十分な大きさの寸法でなければならない。付着基体は任意の動作可能な材 料から作られ、問題となる幾つかの例としては平らな炭素鋼、工具鋼、ステンレ ス鋼、アルミニウム合金、チタニウム合金を含んでいる。付着基体46は（以下説 明するように付着基体の電気バイアスの供給を除いて）容器壁44から電気的に分 離されている支持体48上に所望のように支持される。任意選択的に、付着するの に望ましい温度範囲内に基体46を維持するために補助ヒータ45または冷却コイル 47のような温度制御手段が存在する。ヒータ45は同様に冷却パネルまたは所望な 温度に付着基体を維持するように動作する他の装置である。しかしながらほとん どの場合、温度制御手段は必要とされず、基体はプラズマパラメータの制御によ って付着するのに所望な温度範囲内に維持されることができる。 容器42内の雰囲気は排気およびガス充填の組合わせにより制御される。真空ポ ンプ50は制御可能なゲートバルブ52を通って容器42の内部と連通する。真空ポン プ50は所望ならば容器42内で１０^-6トル程度のかなり高い真空度を達成するのに 十分な寸法の拡散ポンプおよび機械的ポンプの両者を含んでいることが好ましい 。しかしながら、真空レベルはゲートバルブ52の動作により制御され、特に所望 ならば、より低い真空度に調節される。 排気後、容器42はガス源54から炭素質の反応ガスを供給される。ガス源は、充 填バルブ58を通って容器42の内部と連通するガス供給装置56を含んでいる。ガス 源54は炭素、シリコン含有ガスまたはシリコン含有ガスと水素との混合物、シリ コン含有ガスと炭素含有ガスと水素との混合物、これらのガスを相互に混合した または不活性ガスと混合したガスを反応ガス源をガス供給装置56から供給する。 炭素の反応ガス源は分解して炭素イオンおよび／または活性されたガス炭素を発 生するように動作可能な任意のソースであり、これは付着基体46上に付着される 。炭素の好ましい反応ガス源はメタン（ＣＨ₄）、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）、ブテ ン、トルエンである。 容器42内の全体的なガス圧力は約０．０１乃至約１０ミリトルへ制御される。 正確にガス圧力を制御するのに便利な方法はゲートバルブ52を開いて真空ポンプ 50が容器42を所望であるよりも僅かに高い真空（即ち低圧力）に排気することを 許容する。充填バルブ58は供給装置56からのガスが容器42へ流れ所望の総圧力の 設定を許容するように必要な時に開く。容器42内の真空はしたがって、連続的に ポンプされたダイナミックな真空であり、これは定常状態的な方法で所望な雰囲 気に効率的に維持され、付着基体46または容器壁44から排出される可能性のある 不純物を除く。その他、本発明の技術的範囲内で、容器42は、最初に容器を真空 ポンプ50で排気しゲートバルブ52を閉じることにより静的に排気される。所望の 圧力に到達されるまでガスはバルブ58を通って供給されバルブ58が閉じられる。 動作において、付着基体46は符号22において容器42内、好ましくは支持体48上 に支持される。符号24で容器42は排気され、符号26において、必要とされるガス 雰囲気が導入される。雰囲気は基体の表面のスパッタ洗浄を許容するため最初は 不活性な雰囲気であり、その後雰囲気は炭素質のソースに変更される。ダイヤモ ンド状炭素は符号28において付着される。付着期間中、基体の温度は約３００℃ より大きくはなく、できる限り低温であることが最も好ましい。温度が約３００ ℃よりも高いならば、炭素質の層は基体の表面上またはその丁度下に形成される が、層はダイヤモンド状炭素ではなく、典型的には黒鉛である。 ダイヤモンド状炭素を付着するため、局部プラズマは符号30において容器42内 の局部的なエンベローププラズマソース60を動作することによって容器42内で発 生される。前述したように、局部的なエンベローププラズマソースは別の容器で 動作する遠隔プラズマソースとは異なっており、処理容器42中へプラズマを拡散 することを必要とする。それはまたイオンまたは他のビームが導かれる表面上の 特定位置にプラズマを発生する局部プラズマソースとも異なっている。 プラズマソース60は、電子エミッタを含んでおり、これは好ましくは容器42内 に位置する１以上のフィラメント62の形態であり、最も好ましくは容器壁44に隣 接している。１よりも多くのフィラメントが容器42の外周周辺の種々の位置に置 かれることができ、それによって容器内に位置する付着基体を十分に均一に包囲 するように結果的なプラズマの形状および密度を調節する。プラズマは弱くイオ ン化または十分にイオン化されるよりも部分的にイオン化される。“部分的にイ オン化された”プラズマは約０．０１乃至０．１０のプラズマ中のイオン対原子 比を有するプラズマである。弱くイオン化されたプラズマは約０．０１よりも小 さいイオン対原子比を有し、十分にイオン化されたプラズマは約０．１０よりも 大きいイオン対原子比を有する。 エミッタ電流源64は電圧Ｖ_FILAMENTをフィラメント62の両端間に供給し、電流 をフィラメント62へ供給する。フィラメント62を通って流れる電流はフィラメン トを加熱し、フィラメントから容器62の内部へ電子の放射を生じる。容器壁44に 関して負にフィラメント62をバイアスするフィラメントバイアス電圧66、典型的 に約３０乃至１５０ボルトのＶ_DISCHARGEがフィラメント66と容器壁44との間に 供給される。 フィラメント62から放射される熱イオン電子はバイアス電圧66により容器42の 内部へ駆動される。電子は容器42中でガスと相互作用し、炭素質イオン、ラジカ ル、原子、分子水素を含むプラズマ68を発生する。 好ましくは０乃至約３０００ボルトの付着基体バイアス電圧70、Ｖ_BIASは、符 号32において、付着基体46（または付着基体46と電気的に連結している支持体48 の一部分）と容器壁44との間に供給される。付着基体46は電圧70により容器壁44 に関して負に、したがって陰極にされる。付着基体46の陰極電位はプラズマ68中 の炭素イオンと水素イオンを付着基体46の方向へ加速し、そこに付着する。バイ アス電圧源70はパルス動作されるかＤＣ連続性である。 ダイヤモンド状炭素の層80は図３で示されているように付着基体46の表面82に 付着される。ダイヤモンド状炭素はほぼ純粋な炭素であるか、またはそこに水素 が溶解されている炭素である。被覆の組成はまた、炭素質ガス中に存在し、ガス が分解するときプラズマ中に放出される他の元素を含むことができる。ドープ剤 元素も所望ならばガス供給装置56から別々のガスとして導入されることができる 。これらの全ての炭素ベースの組成および組成の変化もここで使用されている用 語“ダイヤモンド状炭素”に含まれる。 層80は付着基体46の全ての露出された表面82上に付着される。図３で示されて いるように、好ましい方法では付着期間に下部表面84が基体の支持体48上に位置 するので、下部表面84には付着は存在しない。表面領域は付着を防止するため意 図的にマスクされてもよい。しかしながら、支持体から基体を懸架することによ って付着基体46の全ての表面上の付着は容易に実現される。 本発明の方法の特徴は、層80が凹部88等の凹部に付着されることである。プラ ズマは付着基体を包囲するので、ソースから基体までの見通し線アクセスは必要 とされない。バイアス電圧70とプラズマ密度の値は付着基体を包囲するイオンシ ースを比較的薄くすることを可能にする。イオンシースの寸法は、付着が行われ る最小の凹部を決定し、バイアス電圧70に典型的に使用される電圧の場合、約１ ／２ミリメートル程の小さい直径を有する凹部に付着が行われることができる。 従来のプロセスを使用してダイヤモンド状炭素層を幾つかの基体へ付着する際 に、共通して遭遇する問題の１つはＤＬＣ層と基体との間に良好な接着を実現す ることである。多くの場合、特に金属基体の場合、ダイヤモンド状炭素層を付着 する前に基体へ結合層を付着することが必要である。本発明の方法では、基体へ のＤＬＣフィルムの接着性を増加するための２つの方法が開発されている。 第１の技術では、付着基体の表面は最初にスパッタ洗浄により洗浄される。プ ラズマを形成するためアルゴンがガス供給装置56から供給される。アルゴンイオ ンは付着基体の表面に衝突し、基体の表面領域近くをスパッタして除去すること によりそれを洗浄する。水素等の他の活性ガスも洗浄に使用されることができる 。洗浄の終了後、洗浄ガスはシステムからポンプで排出され、炭素質ガス源が導 入される。約１５００乃至３０００ボルトの電位で約０．１ミリアンペア／ｃｍ よりも低い低電流密度で炭素質イオンの高エネルギにより付着が行われ、これは バイアス電圧およびフィラメント放射の調節により達成される。典型的に約０． １マイクロメートルの厚さの薄い炭化物層は転移層の役目をするため付着基体か らゆっくりと成長する。転移層の形成後、付着パラメータはイオンエネルギを数 百（典型的に約６００より少ない）まで減少させ、電流密度を約５ミリアンペア ／ｃｍ²またはそれ以下に増加するように変化される。生じる電流密度が高い程 、転移層を覆って位置するダイヤモンド状炭素層の付着は急速になる。結果的な ダイヤモンド状炭素層は良好に付着基体に接着する。この方法はアルミニウム， Ｍ−２工具鋼および３０４ステンレス鋼の付着基体で実践されている。 第２の技術では、アモルファスの水素添加されたシリコンまたは水素添加され たシリコン炭化物結合層は先に説明したようにＤＬＣフィルムの付着前に付着さ れる。結合層は、例えば高濃度のシラン（ＳｉＨ₄）または他のシリコン含有ガ ス、１００％乃至数％の水素またはヘリウムとの混合物を使用して１実施形態で 適用される。アルゴンスパッタ洗浄後、シランまたはその混合物は容器に導入さ れる。フィラメントの加熱と放電電圧の供給後、プラズマが形成される。プラズ マはシランを分解し、水素に加えてシランイオンおよび他のラジカルをプラズマ 中で発生する。バイアス電圧が付着基体に供給されるとき、水素添加されたシリ コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層が付着される。さらにシランガスに加えて、メタン等の 炭素質ガスが結合層付着期間に容器に付加されたならば、水素添加されたシリコ ン炭化物（ａ−Ｓｉ_xＣ：Ｈ）結合層が形成される。（ａ−Ｓｉ：Ｈ）または（ ａ−Ｓｉ_xＣ：Ｈ）結合層の付着の典型的な動作パラメータは０．５ミリトルの 容器中の圧力と、５０ボルトの放電電圧と、４００ボルトのバイアス電圧と、０ ．１乃至３ミリアンペア／ｃｍ²の電流密度である。 高濃度のシランガスの使用は管理および換気期間に安全性に対して問題を生じ させる。したがって、代わりの方法はヘリウムまたは水素を混合した約１．３５ 容積％程度の低濃度のシランを使用する。混合物中のシリコンが低濃度であるた めに高圧力の処理が高速度の結合層の付着に好ましい。グロー放電技術はこの部 分の処理に使用されることができる。先に説明したように、炭素質ガスが同様に 容器に付加されるならば、アモルファスのａ−Ｓｉ_xＣ：Ｈが得られる。典型的 な動作パラメータは１．５トル（水素中の１．３５容量％のシラン）のガス圧力 と、８００ボルトの負のバイアス電圧、１ミリアンペア／ｃｍ²の電流密度であ る。 これらのあらゆる方法により、ａ−Ｓｉ：Ｈまたはａ−Ｓｉ_xＣ：Ｈの結合層 の付着後、容器は排気され、メタンまたは他の動作可能な炭素質ガス源は先に説 明したようにＤＬＣ付着用の容器へ導入される。 以下の例は本発明の局面を示すことを意図する。しかしながら、これらはあら ゆる観点で本発明を限定するものと解釈されるべきではない。例１ 約４マイクロメートルの厚さのダイヤモンド状炭素層は図１の方法と図２の装 置を用いてアルミニウム３９０付着基体の平坦な部材上に付着された。付着基体 を負荷した後、容器42は３×１０^-6トルの真空に排気され、５×１０^-4トルの圧 力までアルゴンを充填された。付着基体は１１００ボルトのバイアス電圧70と０ .３ミリアンペア／cｍ²の電流密度を使用して２０分間アルゴンスパッタ洗浄さ れた。アルゴン流動は徐々に停止され、メタン流が５×１０^-4トルの圧力まで容 器42へ導入され、汚染層が付着基体上で一掃されるようにプラズマを維持する。 バイアス電圧および電流密度は、約０．１マイクロメートルの厚さを有する転移 層を付着するため１時間スパッタ洗浄と同一値に維持された。電圧はその後、５ ００ボルトまで減少され、電流密度は一時間に単位平方センチメートル当たり５ ミリアンペアまで増加され、それによって約４マイクロメートルの厚さを有する ダイヤモンド状炭素層80の均一なフィルムを付着した。例２ 付着基体がＭ−２工具鋼である以外、例１と同じ処理が反復された。動作パラ メータおよび結果は実質上同一であった。例３ 付着基体が３０４ステンレス鋼である以外、例１と同じ処理が反復された。動 作パラメータおよび結果は実質上同一であった。例４ 付着基体がＡ１−３９０合金で作られた自動車ピストンである以外、例１と同 じ処理が反復された。動作パラメータおよび結果は実質上同一であった。 ダイヤモンド状炭素層の付着後、ピストンは慎重に検査された。ダイヤモンド 状炭素層は約４マイクロメートルの厚さであった。ピストンの外側および内側の 壁と、ピストンリング中のピストンの外周上のピストン溝中で実質上均一であっ た。例５ 直径４フィート×長さ８フィートの大きな付着容器が使用され、基体が３０４ ステンレス鋼、Ｍ−２工具鋼、アルミニウム−３０９、である以外、例１と同じ 処理が反復された。実質上同一結果が得られた。例６ グロー放電方法を用いてａ−Ｓｉ：Ｈの層を最初に付着した後、約２マイクロ メートルの厚さのＤＬＣフィルムが３０４ステンレス鋼の平坦なサンプル上に付 着された。基体を負荷し容器を約０．０２ミリトルまで排気した後、サンプルは ４５０ボルトで０．５ミリアンペア／ｃｍ²の電流密度で５分間アルゴンスパッ タ洗浄された。水素中１．３５容積％のシラン混合物は１．５乃至２トルの圧力 まで容器に導入された。約１ミリアンペア／ｃｍ²の電流密度でグロー放電を発 生するため８００ボルトのバイアス電圧が基体に供給された。基体の表面へａ− Ｓｉ：Ｈを３０分間付着した後、ガス流は停止され、容器は排気された。メタン が０．５ミリトルの圧力まで容器に供給された。７５ボルトで１アンペアの電流 の放電がフィラメントを用いて発生され、２００ボルトのバイアスが０．７ミリ アンペア／cｍ²の電流密度で部品に供給された。結果としてＤＬＣフィルムは約 ２マイクロメートルの厚さであり、その下に位置するａ−Ｓｉ：Ｈシリコン結合 層は０．１乃至０．２マイクロメートルの厚さであった。例７ 例１乃至３および６で処理された付着基体の試料はダイヤモンド状炭素層の特 性を証明するためラマン分光法により検査された。比較のため、市場のイオンビ ームプロセスにより３０４ステンレス鋼に付着されたダイヤモンド状炭素層の試 料も解析された。４つのケースの被覆は実質上同一であることが発見され、本発 明のプラズマイオン付着プロセスが許容可能なダイヤモンド状炭素被覆を付着す るのに適切であることを証明された。 本発明の特定の実施形態を図示の目的で詳細に説明したが、種々の変形および 強化が本発明の技術的範囲を逸脱せずに行われよう。したがって本発明は特許請 求の範囲によってのみ限定される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 9216−2Ｇ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ (72)発明者 マトッシャン、 ジェス・エヌ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91306、カノガ・パーク、チェイス・スト リート 20439

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ダイヤモンド状炭素フィルムを付着基体に付着する方法において、 付着基体を設け、 約０．０１乃至約１０ミリトルの圧力を有し、付着基体に接触する炭素質のガ ス中においてプラズマを発生し、 プラズマから基体へダイヤモンド状炭素フィルムを付着し、基体は約３００℃ を越えない温度に維持するステップを有する付着方法。 （２）付着基体を設けるステップにおいて、 付着容器壁を有する付着容器と、 付着容器と制御可能に連通する真空ポンプと、 付着容器と制御可能に連通する炭素質ガス源と、 付着容器内に含まれるガス中にプラズマを発生する手段と、 付着容器内の付着基体支持体と、 付着基体支持体と付着容器の壁との間で制御可能に接続するバイアス電圧／電 流源とを具備する付着装置を設け、 付着基体支持体上に付着基体を支持し、 付着容器を排気するステップを含んでいる請求項１記載の方法。 （３）付着を行うステップにおいて、 バイアス電圧／電流源により付着容器壁に関して付着基体を負にバイアスする ステップを含んでいる請求項２記載の方法。 （４）付着装置を設けるステップが付着装置を準備するステップを含み、プラズ マを発生する手段が、 フィラメントと、 フィラメントを横切って制御可能に接続されるフィラメント電流源と、 フィラメントと付着容器壁との間に制御可能に接続される放電電圧源とを含ん でいる請求項２記載の方法。 （５）プラズマを発生するステップにおいて、 フィラメントを熱イオン温度まで加熱するために電流源によりフィラメントを 通って十分な電流を流し、 約３０乃至約１５０ボルトの電圧により付着容器壁に関してフィラメントをバ イアスするステップを含んでいる請求項４記載の方法。 （６）負にバイアスするステップにおいて、 ０乃至約３０００ボルトの電圧により付着容器壁に関して付着基体を負にバイ アスするステップを含んでいる請求項２記載の方法。 （７）支持するステップより後で、排気するステップより前に、 ダイヤモンド状炭素フィルムを付着するための付着基体表面を処理する付加的 なステップを含んでいる請求項２記載の方法。 （８）提供するステップが、付着容器と制御可能に連通する不活性ガス源を提供 し、 ここで処理するステップが、 不活性ガスを不活性ガス源から付着容器へ導入し、 付着容器内の不活性ガス中にプラズマを発生し、 バイアス電圧源により付着容器壁に関して付着基体を負にバイアスする付加的 なステップを含んでいる請求項７記載の方法。 （９）設けるステップが、付着容器と制御可能に連通するシリコン含有ガス源を 準備し、 ここで処理するステップが、 シリコン含有ガス源から付着容器へシリコン含有ガスを導入し、 付着容器内のシリコン含有ガス中にプラズマを発生し、 バイアス電圧源により付着容器壁に関して付着基体を負にバイアスする付加的 なステップを含んでいる請求項７記載の方法。 （１０）付着基体を負にバイアスするステップにおいて、 第１の期間に比較的低い電流を供給される比較的高い電圧により付着基体を最 初にバイアスし、 その後、第２の期間に比較的高い電流で供給される比較的低い電圧により付着 基体をバイアスするステップを含んでいる請求項２記載の方法。 （１１）炭素質ガスを導入するステップにおいて、 炭素質ガスと第２のガスとの混合ガスを導入するステップを含んでいる請求項 ２記載の方法。 （１２）炭素質ガスを導入するステップにおいて、 メタン、アセチレン、ブテン、トルエンからなるグループから選択された炭素 質ガスを導入するステップを含んでいる請求項２記載の方法。 （１３）付着基体を支持するステップにおいて、 アルミニウム、チタニウム合金、平らな炭素鋼、工具鋼、ステンレス鋼からな るグループから選択された材料で作られている付着基体を設けるステップを含ん でいる請求項２記載の方法。 （１４）負にバイアスするステップにおいて、 ＤＣ連続的バイアス電圧／電流源により付着容器壁に関して付着基体を負にバ イアスするステップを含んでいる請求項２記載の方法。 （１５）負にバイアスするステップにおいて、 パルス状のバイアス電圧／電流源により付着容器壁に関して付着基体を負にバ イアスするステップを含んでいる請求項２記載の方法。