KR980700451A - 다이아몬드형 탄소막의 대규모, 저압 플라즈마-이온 피착(Large-Scale, Low Pressure Plasma-lon Deposition of Diamondike Carbon Films) - Google Patents

다이아몬드형 탄소막의 대규모, 저압 플라즈마-이온 피착(Large-Scale, Low Pressure Plasma-lon Deposition of Diamondike Carbon Films)

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Abstract

탈기시킬 수 있으며 탄소 가스로 재충전시킬 수 있는 피착 장치(40) 내의 피착 기판(46) 상에 다이아몬드형 탄소를 피착시킨다. 피착실(42) 내에 필라멘트(62)를 가열시켜 전자를 발생시키고, 피착실 벽(44)에 대해 필라멘트(62)를 정바이어스시켜 탄소 가스 내로 전자를 가속화시킴으로써 가스 중에서 플라즈마(68)가 발생된다. 발생된 플라즈마(68) 중에서 탄소 가스가 분해되고 이온화되어 정전하 탄소 이온이 생성된다. 피착실(42) 내의 피착기판(46)은 피착실 벽(44)에 대해 부바이어스되어 탄소 이온이 가속화되어짐으로써 기판(46)의 표면 상으로 탄소 이온이 피착되어진다.

Description

다이아몬드형 타소막의 대규모, 저압 플라즈마-이온 피착(Large-Scale, Low Pressure Plasma-lon Deposition of Diamondlike Carbon Films)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 다이아몬드형 탄소막을 피착하는 방법에 대한 블럭 흐름도.
제 2도는 본 발명에 따른 장치에 대한 개략도.
제 3도는 본 발명의 방법에 따라 준비한, 다이아몬드형 탄소막 코팅이 형성되어 있는 피착 기판에 대한 부분 개략도.

Claims (15)

  1. 피착 기판 상에 다이아몬드형 탄소막을 피착시키기 위한 방법에 있어서, 피착 기판을 제공하는 단계와, 상기 피착 기판에 접촉하여 약 0.01 내지 약 10 밀리토르의 압력을 갖는 탄소 가스 중에서 플라즈마를 발생시키는 단계와, 약 300℃를 넘지 않는 상기 피착 기판의 온도에서 상기 피착 기판 상에 상기 플라즈마로 다이아몬드형 탄소막을 피착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피착 기판을 제공하는 단계는 피착실 벽을 갖는 피착실과, 상기 피착실과 제어가능하게 연결되는 진공 펌프와, 상기 피착실과 제어가능하게 연결되는 탄소 가스 소스와, 상기 피착실 내에 함유된 가스 중에서 플라즈마를 발생시키기 위한 수단과, 상기 피착실 내에 위치된 피착 기판 지지체와, 상기 피착 기판 지지체와 상기 피착실 벽 사이에 제어가능하게 연결된 바이어스 전압원 /전류원을 포함하는 피착 장치를 제공하는 단계와, 상기 피착 기판 지지체 상에 피착 기판을 배치하는 단계와, 상기 피착실을 탈기시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 피착 단계는 상치 피착 기판을 상기 피착실 벽에 대해 상기 바이어스 전압원/전류원으로 부바이어스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 피착 장치를 제공하는 단계는 상기 플라즈마 발생 수단이 필라멘트와, 상기 필라멘트 양단간에 제어가능하게 접속된 필라멘트 전류원과, 상기 필라멘트와 상기 피착실 벽 사이에 제어가능하게 접속된 방전 전압원을 포함하고 있는 피착 장치를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 단계는 상기 필라멘트가 열전자 온도까지 가열되도록 상기 전류원에 의해 상기 필라멘트에 충분한 전류를 통과시키는 단계와, 상기 필라멘트를 상기 피착실 벽에 대해 약 30 내지 약 150 볼트의 전압으로 바이어스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 부바이어스 단계는 상기 피착 기판을 상기 피착실 벽에 대해 0 내지 약 3000 볼트의 전압으로 부바이어스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 배치 단계 후, 상기 탈기 단계 전에 상기 피착 기판의 표면을 다이아몬드형 탄소막의 피착을 위해 준비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제공 단계는 불활성 가스 소스를 상기 피착실과 제어가능하게 연결하여 제공하는 단계를 포함하며, 상기 준비 단계는 상기 불활성 가스 소스로부터의 불활성 가스를 상기 피착실 내로 도입시키는 단계와, 상기 피착실 내의 상기 불활성 가스 중에서 플라즈마를 발생시키는 단계와, 상기 피착 기판을 상기 피착실 벽에 대해 상기 바이어스 전압원으로 부바이어스시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제공 단계는 실란 함유 가스 소슬를 상기 피착실과 제어가능하게 연결하여 제공하는 단계를 포함하며, 상기 준비 단계는 상기 실란 함유 가스 소스로부터의 실란 함유 가스를 상기 피착실 내로 도입시키는 단계와, 상기 피착실 내의 상기 실란 함유 가스 중에서 플라즈마를 발생시키는 단계와, 상기 피착 기판을 상기 피착실 벽에 대해 상기 바이어스 전원압으로 부바이어스시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  10. 제2항에 있어서, 상기 피착 기판을 부바이어스시키는 단계는 초기에는 상기 피착 기판을 제1 시간 주기동안 비교적 저 전류로 인가되는 비교적 높은 전압으로 바이어스시키는 단계와, 그 후에는 상기 피착 기판을 제2 시간 주기 동안 비교적 고 전류로 인가되는 비교적 낮은 전압으로 바이어스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  11. 제2항에 있어서, 상기 탄소 가스 도입 단계는 탄소 가스와 제2 가스의 혼합물을 도입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  12. 제2항에 있어서, 상기 탄소 가스 도입 단계는 메탄, 아세틸렌, 부텐 및 톨루엔으로 이루어진 그룹에서 선택된 탄소 가스를 도입시키는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  13. 제2항에 있어서, 상기 피착 기판을 배치하는 단계는 알루미늄, 티타늄 합금, 평편한 스틸, 툴 스틸 및 스테인레스 스틸로 이루어진 그룹에서 선택한 물질로 제조한 피착기판을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  14. 제2항에 있어서, 상기 부바이어스 단계는 상기 피착 기판을 상기 파칙실 벽에 대해 DC-연속형 바이어스 전압원/전류원으로 부바이어스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
  15. 제2항에 있어서, 상기 부바이어스 단계는 상기 피착 기판을 상기 피착실 벽에 대해 펄스형 바이어스 전압원/전류원으로 부바이어스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드형 탄소막 피착 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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