JP2000272156A - カーボン膜の成膜方法 - Google Patents
カーボン膜の成膜方法Info
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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-
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
Abstract
(57)【要約】
【課題】気相成膜法によってカーボン膜を成膜するに際
し、ピンホールやクラックの極めて少ない、高品位なカ
ーボン膜を得ることができるカーボン膜の成膜方法を提
供する。 【解決手段】カーボン膜の成膜系内の０．５μｍパーテ
ィクル量を１０００個立方フィート／ｍｉｎ以下とした
後に、成膜プロセスを開始することにより、前記課題を
解決する。
し、ピンホールやクラックの極めて少ない、高品位なカ
ーボン膜を得ることができるカーボン膜の成膜方法を提
供する。 【解決手段】カーボン膜の成膜系内の０．５μｍパーテ
ィクル量を１０００個立方フィート／ｍｉｎ以下とした
後に、成膜プロセスを開始することにより、前記課題を
解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングや
ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 等の気相成膜法を
用いるカーボン膜の成膜方法の技術分野に属し、詳しく
は、感熱記録を行うサーマルヘッドの保護膜としてのカ
ーボン保護膜の形成に、特に好適に利用されるカーボン
膜の成膜方法に関する。
ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 等の気相成膜法を
用いるカーボン膜の成膜方法の技術分野に属し、詳しく
は、感熱記録を行うサーマルヘッドの保護膜としてのカ
ーボン保護膜の形成に、特に好適に利用されるカーボン
膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超音波診断画像の記録に、フィルム等を
支持体として感熱記録層を形成してなる感熱材料を用い
た感熱記録が利用されている。また、感熱記録は、湿式
の現像処理が不要であり、取り扱いが簡単である等の利
点を有することから、近年では、超音波診断のような小
型の画像記録のみならず、ＣＴ診断、ＭＲＩ診断、Ｘ線
診断等の大型かつ高画質な画像が要求される用途におい
て、医療診断のための画像記録への利用も検討されてい
る。
支持体として感熱記録層を形成してなる感熱材料を用い
た感熱記録が利用されている。また、感熱記録は、湿式
の現像処理が不要であり、取り扱いが簡単である等の利
点を有することから、近年では、超音波診断のような小
型の画像記録のみならず、ＣＴ診断、ＭＲＩ診断、Ｘ線
診断等の大型かつ高画質な画像が要求される用途におい
て、医療診断のための画像記録への利用も検討されてい
る。
【０００３】周知のように、感熱記録は、感熱材料を加
熱して画像を記録する、発熱抵抗体と電極とを有する発
熱素子が一方向（主走査方向）に配列されてなる発熱体
（グレーズ）が形成されたサーマルヘッドを用い、グレ
ーズを感熱材料に若干押圧した状態で、両者を前記主走
査方向と直交する副走査方向に相対的に移動しつつ、Ｍ
ＲＩやＣＴ等の画像データ供給源から供給された記録画
像の画像データに応じて、グレーズの各画素の発熱素子
にエネルギーを印加して発熱させることにより、感熱材
料の感熱記録層を加熱して発色させて画像記録を行う。
熱して画像を記録する、発熱抵抗体と電極とを有する発
熱素子が一方向（主走査方向）に配列されてなる発熱体
（グレーズ）が形成されたサーマルヘッドを用い、グレ
ーズを感熱材料に若干押圧した状態で、両者を前記主走
査方向と直交する副走査方向に相対的に移動しつつ、Ｍ
ＲＩやＣＴ等の画像データ供給源から供給された記録画
像の画像データに応じて、グレーズの各画素の発熱素子
にエネルギーを印加して発熱させることにより、感熱材
料の感熱記録層を加熱して発色させて画像記録を行う。
【０００４】このサーマルヘッドのグレーズには、感熱
材料を加熱する発熱体、あるいはさらに電極等を保護す
るため、その表面に保護膜が形成されている。従って、
感熱記録時に感熱材料と接触するのは、この保護膜で、
発熱体は、この保護膜を介して感熱材料を加熱し、これ
により感熱記録が行われる。保護膜の材料には、通常、
耐摩耗性を有するセラミック等が用いられているが、保
護膜の表面は、感熱記録時には加熱された状態で感熱材
料と慴接するため、記録を重ねるにしたがって摩耗し、
劣化する。
材料を加熱する発熱体、あるいはさらに電極等を保護す
るため、その表面に保護膜が形成されている。従って、
感熱記録時に感熱材料と接触するのは、この保護膜で、
発熱体は、この保護膜を介して感熱材料を加熱し、これ
により感熱記録が行われる。保護膜の材料には、通常、
耐摩耗性を有するセラミック等が用いられているが、保
護膜の表面は、感熱記録時には加熱された状態で感熱材
料と慴接するため、記録を重ねるにしたがって摩耗し、
劣化する。
【０００５】この摩耗が進行すると、感熱画像に濃度ム
ラが生じたり、保護膜としての強度が保てなくなるた
め、発熱体等を保護する機能が損なわれ、最終的には、
画像記録ができなくなる状態に陥る（ヘッド切れ）。特
に、前述の医療用途のように、高品質で、かつ高画質な
多階調画像が要求される用途においては、高品質化およ
び高画質化を計るために、ポリエステルフィルム等の高
剛性の支持体を使用する感熱フィルムを用い、さらに、
記録温度（印加エネルギー）や、感熱材料へのサーマル
ヘッドの押圧力を高く設定する方向にある。そのため、
通常の感熱記録に比して、サーマルヘッドの保護膜にか
かる力や熱が大きく、摩耗や腐食（腐食による摩耗）が
進行し易くなっている。
ラが生じたり、保護膜としての強度が保てなくなるた
め、発熱体等を保護する機能が損なわれ、最終的には、
画像記録ができなくなる状態に陥る（ヘッド切れ）。特
に、前述の医療用途のように、高品質で、かつ高画質な
多階調画像が要求される用途においては、高品質化およ
び高画質化を計るために、ポリエステルフィルム等の高
剛性の支持体を使用する感熱フィルムを用い、さらに、
記録温度（印加エネルギー）や、感熱材料へのサーマル
ヘッドの押圧力を高く設定する方向にある。そのため、
通常の感熱記録に比して、サーマルヘッドの保護膜にか
かる力や熱が大きく、摩耗や腐食（腐食による摩耗）が
進行し易くなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなサーマルヘ
ッドの保護膜の摩耗を防止し、耐久性を向上する方法と
して、保護膜の性能を向上する技術が数多く検討されて
おり、中でも特に、耐摩耗性や耐蝕性に優れた保護膜と
して、炭素を主成分とする保護膜（以下、カーボン保護
膜とする）が知られている。例えば、特公昭６１−５３
９５５号および特公平４−６２８６６（前記出願の分割
出願）の各公報には、サーマルヘッドの保護膜として、
ビッカーズ硬度が４５００kg/mm2以上のカーボン保護膜
を形成することにより、優れた耐摩耗性と共に、保護膜
を十分に薄くして優れた応答性も実現したサーマルヘッ
ド、およびその製造方法が開示されている。また、特開
平７−１３２６２８号公報には、下層のシリコン系化合
物層と、その上層のダイヤモンドライクカーボン層との
２層構造の保護膜を有することにより、保護膜の摩耗お
よび破壊を大幅に低減し、高画質記録が長期に渡って可
能なサーマルヘッドが開示されている。
ッドの保護膜の摩耗を防止し、耐久性を向上する方法と
して、保護膜の性能を向上する技術が数多く検討されて
おり、中でも特に、耐摩耗性や耐蝕性に優れた保護膜と
して、炭素を主成分とする保護膜（以下、カーボン保護
膜とする）が知られている。例えば、特公昭６１−５３
９５５号および特公平４−６２８６６（前記出願の分割
出願）の各公報には、サーマルヘッドの保護膜として、
ビッカーズ硬度が４５００kg/mm2以上のカーボン保護膜
を形成することにより、優れた耐摩耗性と共に、保護膜
を十分に薄くして優れた応答性も実現したサーマルヘッ
ド、およびその製造方法が開示されている。また、特開
平７−１３２６２８号公報には、下層のシリコン系化合
物層と、その上層のダイヤモンドライクカーボン層との
２層構造の保護膜を有することにより、保護膜の摩耗お
よび破壊を大幅に低減し、高画質記録が長期に渡って可
能なサーマルヘッドが開示されている。
【０００７】カーボン保護膜（カーボン膜）は、ダイヤ
モンドに極めて近い特性を有するもので、非常に硬度が
高く、また、化学的にも安定である。そのため、感熱材
料との摺接に対する耐摩耗性や耐蝕性という点では優れ
た特性を発揮する。しかしながら、カーボン保護膜は、
優れた耐摩耗性を有するものの、硬いが故に脆い、すな
わち靭性が低い。そのため、カーボン保護膜にピンホー
ルやクラック等があると、発熱素子の加熱によるヒート
ショックや熱的なストレス、カーボン保護膜とこれに接
する層との熱膨張係数の違いによるストレス、感熱材料
とサーマルヘッド（グレーズ）との間に混入する異物に
よる機械的衝撃等によって、比較的容易に割れや剥離が
生じてしまうという問題点がある。保護膜に割れや剥離
が生じると、ここから摩耗や腐食、さらには腐食による
摩耗が進行して、サーマルヘッドの耐久性が低下してし
まい、やはり、長期に渡って高い信頼性を発揮すること
はできない。
モンドに極めて近い特性を有するもので、非常に硬度が
高く、また、化学的にも安定である。そのため、感熱材
料との摺接に対する耐摩耗性や耐蝕性という点では優れ
た特性を発揮する。しかしながら、カーボン保護膜は、
優れた耐摩耗性を有するものの、硬いが故に脆い、すな
わち靭性が低い。そのため、カーボン保護膜にピンホー
ルやクラック等があると、発熱素子の加熱によるヒート
ショックや熱的なストレス、カーボン保護膜とこれに接
する層との熱膨張係数の違いによるストレス、感熱材料
とサーマルヘッド（グレーズ）との間に混入する異物に
よる機械的衝撃等によって、比較的容易に割れや剥離が
生じてしまうという問題点がある。保護膜に割れや剥離
が生じると、ここから摩耗や腐食、さらには腐食による
摩耗が進行して、サーマルヘッドの耐久性が低下してし
まい、やはり、長期に渡って高い信頼性を発揮すること
はできない。
【０００８】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決することにあり、スパッタリングやＣＶＤ等の気相
成膜法によって、炭素を主成分とするカーボン膜を成膜
するに際し、ピンホールやクラックの極めて少ない、高
品位なカーボン膜を得ることができるカーボン膜の成膜
方法を提供することにある。このような本発明は、例え
ば、炭素を主成分とするカーボン保護膜を有するサーマ
ルヘッドの製造に利用することにより、ピンホールやク
ラックやクラックに起因するカーボン保護膜の割れや剥
離を無くして、十分な耐久性を有し、長期に渡って高い
信頼性を発揮し、これにより、長期に渡って高画質の感
熱記録を安定して行うことができるサーマルヘッドを実
現できる。
解決することにあり、スパッタリングやＣＶＤ等の気相
成膜法によって、炭素を主成分とするカーボン膜を成膜
するに際し、ピンホールやクラックの極めて少ない、高
品位なカーボン膜を得ることができるカーボン膜の成膜
方法を提供することにある。このような本発明は、例え
ば、炭素を主成分とするカーボン保護膜を有するサーマ
ルヘッドの製造に利用することにより、ピンホールやク
ラックやクラックに起因するカーボン保護膜の割れや剥
離を無くして、十分な耐久性を有し、長期に渡って高い
信頼性を発揮し、これにより、長期に渡って高画質の感
熱記録を安定して行うことができるサーマルヘッドを実
現できる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、気相成膜によってカーボン膜を成膜する
に際し、成膜系内の０．５μｍパーティクル量を１００
０個立方フィート／ｍｉｎ以下とした後に、成膜プロセ
スを開始することを特徴とするカーボン膜の成膜方法を
提供する。
め、本発明は、気相成膜によってカーボン膜を成膜する
に際し、成膜系内の０．５μｍパーティクル量を１００
０個立方フィート／ｍｉｎ以下とした後に、成膜プロセ
スを開始することを特徴とするカーボン膜の成膜方法を
提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のカーボン膜の成膜
方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に
詳細に説明する。なお、以下の説明は、本発明をサーマ
ルヘッドの保護膜形成に利用した例で行うが、本発明
は、これに限定はされず、磁気ヘッド、プラスチック用
などの金型、工具等の各種の製品や部材等の各種の用途
におけるカーボン膜の形成に利用可能である。
方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に
詳細に説明する。なお、以下の説明は、本発明をサーマ
ルヘッドの保護膜形成に利用した例で行うが、本発明
は、これに限定はされず、磁気ヘッド、プラスチック用
などの金型、工具等の各種の製品や部材等の各種の用途
におけるカーボン膜の形成に利用可能である。
【００１１】図１に、本発明のカーボン保護膜の成膜方
法によってカーボン保護膜を成膜したサーマルヘッドの
発熱素子の概略断面図を示す。図示例のサーマルヘッド
１０は、例えば、最大Ｂ４サイズまでの画像記録が可能
な、約３００ｄｐｉの記録（画素）密度の感熱記録を行
うもので、保護膜に特徴を有する以外は、感熱材料Ａへ
の感熱記録を行う発熱素子が一方向（主走査方向 図１
において紙面と垂直方向）に配列されて形成された公知
の構成を有するものである。
法によってカーボン保護膜を成膜したサーマルヘッドの
発熱素子の概略断面図を示す。図示例のサーマルヘッド
１０は、例えば、最大Ｂ４サイズまでの画像記録が可能
な、約３００ｄｐｉの記録（画素）密度の感熱記録を行
うもので、保護膜に特徴を有する以外は、感熱材料Ａへ
の感熱記録を行う発熱素子が一方向（主走査方向 図１
において紙面と垂直方向）に配列されて形成された公知
の構成を有するものである。
【００１２】図１に示されるように、サーマルヘッド１
０（そのグレーズ）は、基板１２の上（図示例におい
て、サーマルヘッド１０は、上から感熱材料Ａに押圧さ
れるので、図１中では下となる）に形成されるグレーズ
層（畜熱層）１４と、その上に形成される発熱（抵抗）
体１６と、その上に形成される電極１８と、その上に形
成される、発熱体１６や電極１８からなる発熱素子等を
保護するための保護膜とを有して構成される。図示例の
サーマルヘッド１０の保護膜は、発熱体１６および電極
１８を覆って形成される下層保護膜２０と、下層保護膜
２０の上に形成される中間層保護膜２２（以下、中間層
２２とする）と、中間層２２の上に上層保護膜として形
成される炭素を主成分とする保護膜、すなわちカーボン
保護膜２４とからなる３層構成を有する。
０（そのグレーズ）は、基板１２の上（図示例におい
て、サーマルヘッド１０は、上から感熱材料Ａに押圧さ
れるので、図１中では下となる）に形成されるグレーズ
層（畜熱層）１４と、その上に形成される発熱（抵抗）
体１６と、その上に形成される電極１８と、その上に形
成される、発熱体１６や電極１８からなる発熱素子等を
保護するための保護膜とを有して構成される。図示例の
サーマルヘッド１０の保護膜は、発熱体１６および電極
１８を覆って形成される下層保護膜２０と、下層保護膜
２０の上に形成される中間層保護膜２２（以下、中間層
２２とする）と、中間層２２の上に上層保護膜として形
成される炭素を主成分とする保護膜、すなわちカーボン
保護膜２４とからなる３層構成を有する。
【００１３】図示例のサーマルヘッド１０は、カーボン
保護膜２４の成膜に特徴を有する以外は、基本的に公知
のサーマルヘッドと同様の構成を有するものであり、層
構成や各層の材料は公知のものである。具体的には、基
板１２としては耐熱ガラスやアルミナ、シリカ、マグネ
シアなどのセラミックス等の電気絶縁性材料が、グレー
ズ層１４としては耐熱ガラスやポリイミド樹脂等の耐熱
性樹脂等が、発熱体１６としてはニクロム（Ni-Cr)、タ
ンタル、窒化タンタル等の発熱抵抗体が、電極１８とし
てはアルミニウム、銅等の導電性材料が、各種利用可能
である。これらは、真空蒸着、ＣＶＤ(Chemical Vapor
Deposition) 、スパッタリング等のいわゆる薄膜形成技
術およびフォトエッチング法を用いて形成される薄膜型
発熱素子でも、スクリーン印刷などの印刷ならびに焼成
によるいわゆる厚膜形成技術を用いて形成される厚膜型
発熱素子でもよい。
保護膜２４の成膜に特徴を有する以外は、基本的に公知
のサーマルヘッドと同様の構成を有するものであり、層
構成や各層の材料は公知のものである。具体的には、基
板１２としては耐熱ガラスやアルミナ、シリカ、マグネ
シアなどのセラミックス等の電気絶縁性材料が、グレー
ズ層１４としては耐熱ガラスやポリイミド樹脂等の耐熱
性樹脂等が、発熱体１６としてはニクロム（Ni-Cr)、タ
ンタル、窒化タンタル等の発熱抵抗体が、電極１８とし
てはアルミニウム、銅等の導電性材料が、各種利用可能
である。これらは、真空蒸着、ＣＶＤ(Chemical Vapor
Deposition) 、スパッタリング等のいわゆる薄膜形成技
術およびフォトエッチング法を用いて形成される薄膜型
発熱素子でも、スクリーン印刷などの印刷ならびに焼成
によるいわゆる厚膜形成技術を用いて形成される厚膜型
発熱素子でもよい。
【００１４】下層保護膜２０は、絶縁性で、かつサーマ
ルヘッドの保護膜となりうる耐熱性、耐蝕性および耐摩
耗性を有する材料で形成されるものであり、好ましく
は、各種のセラミックス材料が例示される。具体的に
は、窒化珪素(Si3N4) 、炭化珪素(SiC) 、酸化タンタル
(Ta2O5) 、酸化アルミニウム(Al2O3) 、サイアロン(SiA
lON)、酸化珪素(SiO2)、窒化アルミニウム(AlN) 、窒化
ホウ素(BN)、酸化セレン(SeO) 、窒化チタン(TiN) 、炭
化チタン(TiC) 、炭窒化チタン(TiCN)、窒化クロム(Cr
N) 、およびこれらの混合物等が例示される。中でも特
に、成膜の容易性や製造コスト、機械的摩耗や化学的摩
耗に対する耐摩耗性等の点で、窒化物、炭化物が好まし
く、窒化珪素、炭化珪素、サイアロン等が好適に利用さ
れる。また、下層保護膜２０には、物性調整のため、金
属等の微量の添加物が含まれてもよい。
ルヘッドの保護膜となりうる耐熱性、耐蝕性および耐摩
耗性を有する材料で形成されるものであり、好ましく
は、各種のセラミックス材料が例示される。具体的に
は、窒化珪素(Si3N4) 、炭化珪素(SiC) 、酸化タンタル
(Ta2O5) 、酸化アルミニウム(Al2O3) 、サイアロン(SiA
lON)、酸化珪素(SiO2)、窒化アルミニウム(AlN) 、窒化
ホウ素(BN)、酸化セレン(SeO) 、窒化チタン(TiN) 、炭
化チタン(TiC) 、炭窒化チタン(TiCN)、窒化クロム(Cr
N) 、およびこれらの混合物等が例示される。中でも特
に、成膜の容易性や製造コスト、機械的摩耗や化学的摩
耗に対する耐摩耗性等の点で、窒化物、炭化物が好まし
く、窒化珪素、炭化珪素、サイアロン等が好適に利用さ
れる。また、下層保護膜２０には、物性調整のため、金
属等の微量の添加物が含まれてもよい。
【００１５】下層保護膜２０の形成方法には特に限定は
なく、前述の厚膜形成技術や薄膜形成技術等を用いて、
スパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングや、
ＣＶＤ、特にプラズマＣＶＤ等の、公知のセラミックス
膜（層）の成膜方法で形成すればよいが、中でもＣＶＤ
が好適に利用される。周知のように、ＣＶＤは、反応室
中に導入した気体原料に、熱や光等のエネルギを加え、
種々の化学反応を誘起させて、基板上に物質を堆積被覆
して成膜する技術であるが、下層保護膜２０をＣＶＤで
形成することにより、非常に緻密で、しかもクラック等
の欠損部がない下層保護膜２０を形成することができ、
その結果、より耐久性に優れ、かつ画質的にも有利なサ
ーマルヘッドを作成することができる。
なく、前述の厚膜形成技術や薄膜形成技術等を用いて、
スパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングや、
ＣＶＤ、特にプラズマＣＶＤ等の、公知のセラミックス
膜（層）の成膜方法で形成すればよいが、中でもＣＶＤ
が好適に利用される。周知のように、ＣＶＤは、反応室
中に導入した気体原料に、熱や光等のエネルギを加え、
種々の化学反応を誘起させて、基板上に物質を堆積被覆
して成膜する技術であるが、下層保護膜２０をＣＶＤで
形成することにより、非常に緻密で、しかもクラック等
の欠損部がない下層保護膜２０を形成することができ、
その結果、より耐久性に優れ、かつ画質的にも有利なサ
ーマルヘッドを作成することができる。
【００１６】図示例のサーマルヘッド１０は、このよう
な下層保護膜２０の上に中間層２２を形成し、その上に
カーボン保護膜２４を有する３層構成の保護膜を有す
る。前述のように、下層保護膜２０の上層にカーボン保
護膜２４を有することにより、長寿命なサーマルヘッド
を得ることができるが、さらに、この中間層２２を有す
ることにより、下層保護膜２０とカーボン保護膜２４の
密着性、衝撃吸収性等を向上し、より耐久性や長期信頼
性に優れた、より長寿命のサーマルヘッドを実現でき
る。
な下層保護膜２０の上に中間層２２を形成し、その上に
カーボン保護膜２４を有する３層構成の保護膜を有す
る。前述のように、下層保護膜２０の上層にカーボン保
護膜２４を有することにより、長寿命なサーマルヘッド
を得ることができるが、さらに、この中間層２２を有す
ることにより、下層保護膜２０とカーボン保護膜２４の
密着性、衝撃吸収性等を向上し、より耐久性や長期信頼
性に優れた、より長寿命のサーマルヘッドを実現でき
る。
【００１７】中間層２２としては、周期表４Ａ族（４族
＝チタン族）の金属、同５Ａ族（５族＝バナジウム族）
の金属、同６Ａ族（６族＝クロム族）の金属、Ｓｉ（珪
素）およびＧｅ（ゲルマニウム）からなる群より選択さ
れる少なくとも１種を主成分とするのが、上層であるカ
ーボン保護膜２４および下層である下層保護膜２０との
密着性、ひいてはカーボン保護膜２４の耐久性の点から
好ましい。具体的には、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ（チタン）、
Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）およびこれらの
混合物等が好適に例示される。中でも特に、カーボンと
の結合性等の点で、Ｓｉ、Ｍｏが好ましく、最も好まし
くはＳｉである。
＝チタン族）の金属、同５Ａ族（５族＝バナジウム族）
の金属、同６Ａ族（６族＝クロム族）の金属、Ｓｉ（珪
素）およびＧｅ（ゲルマニウム）からなる群より選択さ
れる少なくとも１種を主成分とするのが、上層であるカ
ーボン保護膜２４および下層である下層保護膜２０との
密着性、ひいてはカーボン保護膜２４の耐久性の点から
好ましい。具体的には、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ（チタン）、
Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）およびこれらの
混合物等が好適に例示される。中でも特に、カーボンと
の結合性等の点で、Ｓｉ、Ｍｏが好ましく、最も好まし
くはＳｉである。
【００１８】中間層２２の形成方法には特に限定はな
く、前述の厚膜形成技術や薄膜形成技術等を用いて、中
間層２２の形成材料に応じた公知の成膜方法で形成すれ
ばよいが、好ましい一例として、スパッタリングが例示
され、また、プラズマＣＶＤも利用可能である。
く、前述の厚膜形成技術や薄膜形成技術等を用いて、中
間層２２の形成材料に応じた公知の成膜方法で形成すれ
ばよいが、好ましい一例として、スパッタリングが例示
され、また、プラズマＣＶＤも利用可能である。
【００１９】図示例のサーマルヘッド１０においては、
この中間層２２の上に、炭素を主成分とするカーボン保
護膜２４が形成される。なお、本発明において、炭素を
主成分とするとは、５０ａｔｍ％超の炭素を含有するカ
ーボン膜で、好ましくは炭素および不可避的不純物から
なるカーボン膜のことである。本発明のサーマルヘッド
において、カーボン保護膜２４を形成する炭素以外の添
加成分としては、水素、窒素、フッ素、Ｓｉ、およびＴ
ｉ等が好適に例示される。添加成分が水素、窒素および
フッ素である場合には、カーボン保護膜２４中のこれら
の含有量が５０ａｔｍ％未満であるのが好ましく、添加
成分がＳｉおよびＴｉである場合には、カーボン保護膜
２４中のこれらの含有量が２０ａｔｍ％以下であるのが
好ましい。
この中間層２２の上に、炭素を主成分とするカーボン保
護膜２４が形成される。なお、本発明において、炭素を
主成分とするとは、５０ａｔｍ％超の炭素を含有するカ
ーボン膜で、好ましくは炭素および不可避的不純物から
なるカーボン膜のことである。本発明のサーマルヘッド
において、カーボン保護膜２４を形成する炭素以外の添
加成分としては、水素、窒素、フッ素、Ｓｉ、およびＴ
ｉ等が好適に例示される。添加成分が水素、窒素および
フッ素である場合には、カーボン保護膜２４中のこれら
の含有量が５０ａｔｍ％未満であるのが好ましく、添加
成分がＳｉおよびＴｉである場合には、カーボン保護膜
２４中のこれらの含有量が２０ａｔｍ％以下であるのが
好ましい。
【００２０】このようなカーボン保護膜２４の成膜方法
には特に限定はなく、目的とするカーボン保護膜２４の
組成に応じた、公知の気相成膜方法がすべて利用可能で
あるが、好ましい方法として、スパッタリング、特にマ
グネトロンスパッタリングや、ＣＶＤ、特にプラズマＣ
ＶＤが好適に例示される。
には特に限定はなく、目的とするカーボン保護膜２４の
組成に応じた、公知の気相成膜方法がすべて利用可能で
あるが、好ましい方法として、スパッタリング、特にマ
グネトロンスパッタリングや、ＣＶＤ、特にプラズマＣ
ＶＤが好適に例示される。
【００２１】ここで、本発明のカーボン膜の成膜方法
は、気相成膜法を用いて炭素を主成分とするカーボン膜
（カーボン保護膜２４）を成膜するものであるが、成膜
系内の０．５μｍパーティクル量を１０００個立方フィ
ート（ｆｔ3 ）／ｍｉｎ(cubicfeet per minute＝ｃｆ
ｍ）以下、好ましくは、５００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下と
した後に、成膜プロセスを開始する。成膜系内のダスト
（ゴミ、チリ、ホコリ等）量を０．５μｍパーティクル
量で１０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎとした後に成膜プロセス
を開始することにより、ピンホールやクラックの極めて
少ない、高品位なカーボン膜を形成することができ、例
えば、図示例のようなサーマルヘッドのカーボン保護膜
の成膜に利用することにより、ピンホールやクラックに
起因するカーボン保護膜の剥離や割れのない、長期にわ
たって高い信頼性を発揮するサーマルヘッドを得ること
ができる。
は、気相成膜法を用いて炭素を主成分とするカーボン膜
（カーボン保護膜２４）を成膜するものであるが、成膜
系内の０．５μｍパーティクル量を１０００個立方フィ
ート（ｆｔ3 ）／ｍｉｎ(cubicfeet per minute＝ｃｆ
ｍ）以下、好ましくは、５００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下と
した後に、成膜プロセスを開始する。成膜系内のダスト
（ゴミ、チリ、ホコリ等）量を０．５μｍパーティクル
量で１０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎとした後に成膜プロセス
を開始することにより、ピンホールやクラックの極めて
少ない、高品位なカーボン膜を形成することができ、例
えば、図示例のようなサーマルヘッドのカーボン保護膜
の成膜に利用することにより、ピンホールやクラックに
起因するカーボン保護膜の剥離や割れのない、長期にわ
たって高い信頼性を発揮するサーマルヘッドを得ること
ができる。
【００２２】なお、本発明において、成膜系内の０．５
μｍパーティクル量の下限には特に限定はなく、少ない
ほど好ましいが、経済性や手間、実用性等を考えると、
０．５μｍパーティクル量は５０個ｆｔ3 ／ｍｉｎ〜１
００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ程度を下限とするのが好ましい。
μｍパーティクル量の下限には特に限定はなく、少ない
ほど好ましいが、経済性や手間、実用性等を考えると、
０．５μｍパーティクル量は５０個ｆｔ3 ／ｍｉｎ〜１
００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ程度を下限とするのが好ましい。
【００２３】カーボン膜の成膜系内の０．５μｍパーテ
ィクル量を１０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下とする方法に
は特に限定はないが、例えば、カーボン膜の成膜プロセ
スの開始に先立ち、成膜装置のチャンバ内部を発塵量が
３０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下、
特に１０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下、中でも特に３００
個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下の布で清掃し、チャンバ壁面等に
付着しているパーティクル等、成膜系内のダストを取り
除く方法が例示される。さらに、この清掃後に、成膜系
内をポンプ等で吸引し、成膜系内に浮遊しているダスト
を除去すると、より好ましい。
ィクル量を１０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下とする方法に
は特に限定はないが、例えば、カーボン膜の成膜プロセ
スの開始に先立ち、成膜装置のチャンバ内部を発塵量が
３０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下、
特に１０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下、中でも特に３００
個ｆｔ3 ／ｍｉｎ以下の布で清掃し、チャンバ壁面等に
付着しているパーティクル等、成膜系内のダストを取り
除く方法が例示される。さらに、この清掃後に、成膜系
内をポンプ等で吸引し、成膜系内に浮遊しているダスト
を除去すると、より好ましい。
【００２４】このようなパーティクルの除去作業は、カ
ーボン膜の成膜に先立って行えばよく、カーボン膜の成
膜直前に行ってもよいが、例えば、図示例のサーマルヘ
ッド１０の製造であれば、中間層２２や下層保護膜２０
の成膜に先立って除去作業を行っても良い。なお、中間
層２２や下層保護膜２０の成膜に先立ってパーティクル
の除去作業を行う場合には、中間層２２およびカーボン
保護膜２４の成膜や、下層保護膜２０〜カーボン保護膜
２４の成膜は、真空を大気開放することなく連続的に行
うのが好ましい。
ーボン膜の成膜に先立って行えばよく、カーボン膜の成
膜直前に行ってもよいが、例えば、図示例のサーマルヘ
ッド１０の製造であれば、中間層２２や下層保護膜２０
の成膜に先立って除去作業を行っても良い。なお、中間
層２２や下層保護膜２０の成膜に先立ってパーティクル
の除去作業を行う場合には、中間層２２およびカーボン
保護膜２４の成膜や、下層保護膜２０〜カーボン保護膜
２４の成膜は、真空を大気開放することなく連続的に行
うのが好ましい。
【００２５】カーボン保護膜２４は、５０℃〜４００℃
程度、特に、サーマルヘッド１０の使用温度に加熱しな
がら形成してもよい。これにより、カーボン保護膜２４
と中間層２２ひいては下層保護膜２０との密着性をさら
に向上でき、ヒートショックや感熱記録中の異物混入に
よる機械的衝撃による割れや剥離、ならびに高パワー記
録によるカーボン膜の変質や消失に対する、より一層優
れた耐久性を得ることができる。なお、加熱は、ヒータ
等の加熱手段を用いる方法や、サーマルヘッド１０に通
電する方法で行えばよい。
程度、特に、サーマルヘッド１０の使用温度に加熱しな
がら形成してもよい。これにより、カーボン保護膜２４
と中間層２２ひいては下層保護膜２０との密着性をさら
に向上でき、ヒートショックや感熱記録中の異物混入に
よる機械的衝撃による割れや剥離、ならびに高パワー記
録によるカーボン膜の変質や消失に対する、より一層優
れた耐久性を得ることができる。なお、加熱は、ヒータ
等の加熱手段を用いる方法や、サーマルヘッド１０に通
電する方法で行えばよい。
【００２６】カーボン保護膜２４の硬度には特に限定は
なく、サーマルヘッドの保護膜として十分な硬度を有す
ればよいが、例えば、ビッカーズ硬度で３０００kg/mm2
〜５０００kg/mm2程度が好適に例示される。また、この
硬度は、カーボン保護膜２４の厚さ方向に対して、一定
でも異なるものであってもよく、厚さ方向に硬度が異な
る場合には、硬度の変化は連続的でも段階的でもよい。
なく、サーマルヘッドの保護膜として十分な硬度を有す
ればよいが、例えば、ビッカーズ硬度で３０００kg/mm2
〜５０００kg/mm2程度が好適に例示される。また、この
硬度は、カーボン保護膜２４の厚さ方向に対して、一定
でも異なるものであってもよく、厚さ方向に硬度が異な
る場合には、硬度の変化は連続的でも段階的でもよい。
【００２７】図示例のサーマルヘッド１０において、各
層の厚さには特に限定はないが、下層保護膜２２の厚さ
は０．２μｍ〜２０μｍ、特に２μｍ〜１５μｍが好ま
しく、中間層２４の厚さは０．０５μｍ〜１μｍ、特に
０．１μｍ〜１μｍが好ましく、カーボン保護膜２６の
厚さは、０．５μｍ〜５μｍ、特に１μｍ〜３μｍが好
ましい。中間層２４およびカーボン保護膜２６の厚さを
上記範囲内とすることにより、中間層２４による下層へ
の密着力および衝撃吸収力、カーボン保護膜２６の有す
る耐久性等の機能を、安定して、バランス良く実現でき
る。また、中間層を有さない２層構成の場合にも、特に
限定はないが、耐摩耗性と熱伝導性（すなわち記録感
度）とのバランスを好適に取ることができる等の点で、
下層保護膜２２の厚さは０．５μｍ〜５０μｍ、特に、
２μｍ〜２０μｍが好ましく、カーボン保護膜２４の厚
さは、０．１μｍ〜５μｍ、特に、１μｍ〜３μｍが好
ましい。
層の厚さには特に限定はないが、下層保護膜２２の厚さ
は０．２μｍ〜２０μｍ、特に２μｍ〜１５μｍが好ま
しく、中間層２４の厚さは０．０５μｍ〜１μｍ、特に
０．１μｍ〜１μｍが好ましく、カーボン保護膜２６の
厚さは、０．５μｍ〜５μｍ、特に１μｍ〜３μｍが好
ましい。中間層２４およびカーボン保護膜２６の厚さを
上記範囲内とすることにより、中間層２４による下層へ
の密着力および衝撃吸収力、カーボン保護膜２６の有す
る耐久性等の機能を、安定して、バランス良く実現でき
る。また、中間層を有さない２層構成の場合にも、特に
限定はないが、耐摩耗性と熱伝導性（すなわち記録感
度）とのバランスを好適に取ることができる等の点で、
下層保護膜２２の厚さは０．５μｍ〜５０μｍ、特に、
２μｍ〜２０μｍが好ましく、カーボン保護膜２４の厚
さは、０．１μｍ〜５μｍ、特に、１μｍ〜３μｍが好
ましい。
【００２８】図２に、本発明の実施、ならびに図示例の
サーマルヘッドの保護膜の形成に好適な成膜装置の一例
の概念図を示す。図示例の成膜装置５０は、基本的に、
真空チャンバ５２と、ガス導入部５４と、第１スパッタ
リング手段５６と、第２スパッタリング手段５８と、プ
ラズマ発生手段６０と、バイアス電源６２と、基板ホル
ダ６４とを有して構成される。
サーマルヘッドの保護膜の形成に好適な成膜装置の一例
の概念図を示す。図示例の成膜装置５０は、基本的に、
真空チャンバ５２と、ガス導入部５４と、第１スパッタ
リング手段５６と、第２スパッタリング手段５８と、プ
ラズマ発生手段６０と、バイアス電源６２と、基板ホル
ダ６４とを有して構成される。
【００２９】この成膜装置５０は、系内すなわち真空チ
ャンバ５２内に２つのスパッタリングによる成膜手段と
プラズマＣＶＤによる成膜手段を有するものであり、異
なる組成の複数層の成膜を連続的に行うことが可能であ
る。従って、成膜装置５０を用いることにより、例え
ば、異なるターゲットを用いたスパッタリングによっ
て、あるいはスパッタリングとプラズマＣＶＤとによっ
て、下層保護膜２０、中間層２２、カーボン保護膜２４
等の形成を、効率よく行うことができる。
ャンバ５２内に２つのスパッタリングによる成膜手段と
プラズマＣＶＤによる成膜手段を有するものであり、異
なる組成の複数層の成膜を連続的に行うことが可能であ
る。従って、成膜装置５０を用いることにより、例え
ば、異なるターゲットを用いたスパッタリングによっ
て、あるいはスパッタリングとプラズマＣＶＤとによっ
て、下層保護膜２０、中間層２２、カーボン保護膜２４
等の形成を、効率よく行うことができる。
【００３０】真空チャンバ５２は、ＳＵＳ３０４等の非
磁性材料で形成されるのが好ましく、内部（成膜系内）
を排気して減圧とする真空排気手段６６が配置される。
真空チャンバ５２内のプラズマやプラズマ発生用の電磁
波によってアークが発生する箇所は、ＭＣナイロン、テ
フロン（ＰＴＦＥ）等の絶縁部材で覆ってもよい。
磁性材料で形成されるのが好ましく、内部（成膜系内）
を排気して減圧とする真空排気手段６６が配置される。
真空チャンバ５２内のプラズマやプラズマ発生用の電磁
波によってアークが発生する箇所は、ＭＣナイロン、テ
フロン（ＰＴＦＥ）等の絶縁部材で覆ってもよい。
【００３１】ガス導入部５４は、２つのガス導入管５４
ａおよび５４ｂを有する。一例として、ガス導入管５４
ａは、プラズマを発生するためのガスを導入し、ガス導
入管５４ｂは、プラズマＣＶＤの反応ガスを導入する。
ａおよび５４ｂを有する。一例として、ガス導入管５４
ａは、プラズマを発生するためのガスを導入し、ガス導
入管５４ｂは、プラズマＣＶＤの反応ガスを導入する。
【００３２】なお、プラズマ発生用のガスとしては、例
えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガスが用
いられる。カーボン保護膜２４を成膜するための反応ガ
スとしては、メタン、エタン、プロパン、エチレン、ア
セチレン、ベンゼン等の炭化水素化合物のガスが例示さ
れ、中間層２２を成膜するための反応ガスとしては、中
間層２２の形成材料を含む各種のガスが例示される。さ
らに、下層保護膜２０を成膜するための反応ガスとして
は、下層保護膜２０の形成材料を含む各種のガスが例示
され、例えば、下層保護膜２０として窒化珪素膜を作製
する際には、反応ガスとして、シラン、窒素および酸素
の混合ガス等を用いればよい。
えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガスが用
いられる。カーボン保護膜２４を成膜するための反応ガ
スとしては、メタン、エタン、プロパン、エチレン、ア
セチレン、ベンゼン等の炭化水素化合物のガスが例示さ
れ、中間層２２を成膜するための反応ガスとしては、中
間層２２の形成材料を含む各種のガスが例示される。さ
らに、下層保護膜２０を成膜するための反応ガスとして
は、下層保護膜２０の形成材料を含む各種のガスが例示
され、例えば、下層保護膜２０として窒化珪素膜を作製
する際には、反応ガスとして、シラン、窒素および酸素
の混合ガス等を用いればよい。
【００３３】スパッタリングでは、カソードにスパッタ
リングするターゲット材を配置し、カソードを負電位に
すると共に、ターゲット材の表面にプラズマを発生させ
ることにより、ターゲット材（その原子）を弾き出し
て、対向した配置した基板の表面に付着させ、堆積する
ことにより成膜する。第１スパッタリング手段５６およ
び第２スパッタリング手段５８は、共に、スパッタリン
グによって基板表面に成膜を行うものであり、第１スパ
ッタリング手段５６は、カソード６８、ターゲット材７
０の配置部、シャッタ７２および高周波（ＲＦ）電源７
４等を有して構成され、他方、第２スパッタリング手段
５８は、カソード７６、ターゲット材７０の配置部、シ
ャッタ７８および直流電源８０等を有して構成される。
上記構成より明らかなように、第１スパッタリング手段
５６と第２スパッタリング手段５８は、配置位置および
電源が異なる以外は基本的に同じ構成を有するので、以
下の説明は、異なる部分以外は、第１スパッタリング手
段５６を代表例として行う。
リングするターゲット材を配置し、カソードを負電位に
すると共に、ターゲット材の表面にプラズマを発生させ
ることにより、ターゲット材（その原子）を弾き出し
て、対向した配置した基板の表面に付着させ、堆積する
ことにより成膜する。第１スパッタリング手段５６およ
び第２スパッタリング手段５８は、共に、スパッタリン
グによって基板表面に成膜を行うものであり、第１スパ
ッタリング手段５６は、カソード６８、ターゲット材７
０の配置部、シャッタ７２および高周波（ＲＦ）電源７
４等を有して構成され、他方、第２スパッタリング手段
５８は、カソード７６、ターゲット材７０の配置部、シ
ャッタ７８および直流電源８０等を有して構成される。
上記構成より明らかなように、第１スパッタリング手段
５６と第２スパッタリング手段５８は、配置位置および
電源が異なる以外は基本的に同じ構成を有するので、以
下の説明は、異なる部分以外は、第１スパッタリング手
段５６を代表例として行う。
【００３４】第２スパッタリング手段５８において、タ
ーゲット材７０の表面にプラズマを発生する際には、直
流電源８０のマイナス側を直接カソード７６に接続し、
スパッタリングのための電圧を印加する。両電源の出力
や性能には特に限定はなく、目的とする成膜に必要にし
て必要にして十分な性能を有するものを選択すればよ
い。例えば、カーボン保護膜２４の形成を行う装置であ
れば、最高出力１０ｋｗの負電位の直流電源を用い、変
調器によって２ｋＨｚ〜１００ｋＨｚでパルス状に変調
できるように構成した直流電源を用いればよい。
ーゲット材７０の表面にプラズマを発生する際には、直
流電源８０のマイナス側を直接カソード７６に接続し、
スパッタリングのための電圧を印加する。両電源の出力
や性能には特に限定はなく、目的とする成膜に必要にし
て必要にして十分な性能を有するものを選択すればよ
い。例えば、カーボン保護膜２４の形成を行う装置であ
れば、最高出力１０ｋｗの負電位の直流電源を用い、変
調器によって２ｋＨｚ〜１００ｋＨｚでパルス状に変調
できるように構成した直流電源を用いればよい。
【００３５】図示例においては、無酸素銅やステンレス
等からなるバッキングプレート８２（８４）をカソード
６８に固定し、その上にターゲット材７０をＩｎ系ハン
ダや機械的な固定手段で固定する。なお、下層保護膜２
０の形成に用いられるターゲット材７０としては、前述
の各種のセラミックス材料、ＳｉＮ、ＳｉＡｌＮ等が好
適に例示される。また、中間層２２の形成に用いられる
ターゲット材７０としては、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の
各金属や、ＧｅやＳｉの単結晶等が好適に例示される。
さらに、カーボン保護膜２４を形成するために用いられ
るターゲット材７０としては、焼結カーボン材、グラッ
シーカーボン材等が好適に例示される。
等からなるバッキングプレート８２（８４）をカソード
６８に固定し、その上にターゲット材７０をＩｎ系ハン
ダや機械的な固定手段で固定する。なお、下層保護膜２
０の形成に用いられるターゲット材７０としては、前述
の各種のセラミックス材料、ＳｉＮ、ＳｉＡｌＮ等が好
適に例示される。また、中間層２２の形成に用いられる
ターゲット材７０としては、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族の
各金属や、ＧｅやＳｉの単結晶等が好適に例示される。
さらに、カーボン保護膜２４を形成するために用いられ
るターゲット材７０としては、焼結カーボン材、グラッ
シーカーボン材等が好適に例示される。
【００３６】また、図示例の装置は、マグネトロンスパ
ッタリングを行うものであり、カソード６８の内部に
は、磁石６８ａ（７６ａ）が配置される。マグネトロン
スパッタリングは、ターゲット材７０表面に磁場を形成
してプラズマを閉じ込めてスパッタリングを行うもので
あり、成膜速度が早い点で好ましい。
ッタリングを行うものであり、カソード６８の内部に
は、磁石６８ａ（７６ａ）が配置される。マグネトロン
スパッタリングは、ターゲット材７０表面に磁場を形成
してプラズマを閉じ込めてスパッタリングを行うもので
あり、成膜速度が早い点で好ましい。
【００３７】図示例の成膜装置５０は、マイクロ波とＥ
ＣＲ磁場とによってプラズマを発生させる、マイクロ波
ＥＣＲ波放電を利用するプラズマＣＶＤでカーボン保護
膜２４等の成膜を行うものであり、プラズマ発生手段６
０は、マイクロ波電源８６、磁石８８、マイクロ波導波
管９０、同軸変調器９２、誘電体板９４、放射状アンテ
ナ９６等を有して構成される。マイクロ波電源８６は、
カーボン保護膜２４等の成膜に必要にして十分な出力を
有するものを適宜選択すればよい。また、ＥＣＲ磁場発
生用の磁石８８としては、所望の磁場を形成できる永久
磁石や電磁石を適宜用いればよい。真空チャンバ５２内
へのマイクロ波の導入は、マイクロ波導波管９０、同軸
変調器９２、誘電体板９４等を用いて行われる。
ＣＲ磁場とによってプラズマを発生させる、マイクロ波
ＥＣＲ波放電を利用するプラズマＣＶＤでカーボン保護
膜２４等の成膜を行うものであり、プラズマ発生手段６
０は、マイクロ波電源８６、磁石８８、マイクロ波導波
管９０、同軸変調器９２、誘電体板９４、放射状アンテ
ナ９６等を有して構成される。マイクロ波電源８６は、
カーボン保護膜２４等の成膜に必要にして十分な出力を
有するものを適宜選択すればよい。また、ＥＣＲ磁場発
生用の磁石８８としては、所望の磁場を形成できる永久
磁石や電磁石を適宜用いればよい。真空チャンバ５２内
へのマイクロ波の導入は、マイクロ波導波管９０、同軸
変調器９２、誘電体板９４等を用いて行われる。
【００３８】基板ホルダ６４は、サーマルヘッド１０
（その本体）等の被成膜材（成膜基板）を固定するもの
である。図示例の成膜装置５０は、３つの成膜手段を有
するものであり、基板ホルダ６４は各成膜手段、すなわ
ちスパッタリング手段５６および５８と、プラズマＣＶ
Ｄを行うプラズマ発生手段６０に基板となるグレーズを
対向できるように、基板ホルダ６４を揺動する回転部９
８に保持されている。また、基板ホルダ６４とターゲッ
ト材７０や放射状アンテナ９６との距離は、公知の方法
で調整可能にされる。なお、基板とターゲット材７０も
しくは放射状アンテナ９６との距離は、膜厚分布が均一
になる距離を選択設定すればよい。
（その本体）等の被成膜材（成膜基板）を固定するもの
である。図示例の成膜装置５０は、３つの成膜手段を有
するものであり、基板ホルダ６４は各成膜手段、すなわ
ちスパッタリング手段５６および５８と、プラズマＣＶ
Ｄを行うプラズマ発生手段６０に基板となるグレーズを
対向できるように、基板ホルダ６４を揺動する回転部９
８に保持されている。また、基板ホルダ６４とターゲッ
ト材７０や放射状アンテナ９６との距離は、公知の方法
で調整可能にされる。なお、基板とターゲット材７０も
しくは放射状アンテナ９６との距離は、膜厚分布が均一
になる距離を選択設定すればよい。
【００３９】下層保護膜２０や中間層２２の表面は、密
着性を上げるため、必要に応じてエッチングで粗面化さ
れる。さらに、プラズマＣＶＤで硬質膜を得るために
は、基板に負のバイアス電圧を印加しながら成膜を行う
のが好ましい。そのため成膜装置５０では、基板ホルダ
６４に高周波電圧を印加するバイアス電源６２が接続さ
れる。また、プラズマＣＶＤの際には、高周波の自己バ
イアス電圧を使用するのが好ましい。
着性を上げるため、必要に応じてエッチングで粗面化さ
れる。さらに、プラズマＣＶＤで硬質膜を得るために
は、基板に負のバイアス電圧を印加しながら成膜を行う
のが好ましい。そのため成膜装置５０では、基板ホルダ
６４に高周波電圧を印加するバイアス電源６２が接続さ
れる。また、プラズマＣＶＤの際には、高周波の自己バ
イアス電圧を使用するのが好ましい。
【００４０】以上、本発明のカーボン膜の成膜方法につ
いて詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされ
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改
良や変更等を行ってもよいのはもちろんである。
いて詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされ
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改
良や変更等を行ってもよいのはもちろんである。
【００４１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をより詳細に説明する。
をより詳細に説明する。
【００４２】［実施例］公知のサーマルヘッドの製造方
法と同様にして、基板１２上に蓄熱層１４を形成し、そ
の上に発熱体１６と電極１８をスパッタリングで成膜し
て、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパ
ターンを形成し、保護膜を有さない、基となるサーマル
ヘッドを作製した。得られたサーマルヘッドに、下記に
示されるようにして、厚さ７μｍの窒化珪素膜を成膜し
て、下層保護膜２０を作製した。
法と同様にして、基板１２上に蓄熱層１４を形成し、そ
の上に発熱体１６と電極１８をスパッタリングで成膜し
て、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってパ
ターンを形成し、保護膜を有さない、基となるサーマル
ヘッドを作製した。得られたサーマルヘッドに、下記に
示されるようにして、厚さ７μｍの窒化珪素膜を成膜し
て、下層保護膜２０を作製した。
【００４３】＜下層保護膜２０の作製＞通常のスパッタ
リング装置によって、２ｋＷ〜５ｋＷのＲＦパワーによ
るマグネトロンスパッタリングで成膜を行った。ターゲ
ット材は、ＳｉＮ焼結材を用いた。チャンバ内に導入す
るスパッタ用ガスは、キャリアガスとしてＡｒを１００
[sccm]、反応ガスとして、窒素ガスを２０[sccm]、酸素
ガスを５[sccm]を、それぞれ用い、トータルのガス圧
（チャンバ内の圧力）は５ｍTorrとした。窒化珪素膜の
膜厚は、あらかじめ成膜速度を求めておき、所定の膜厚
となる成膜時間を算出して、成膜時間で制御した。
リング装置によって、２ｋＷ〜５ｋＷのＲＦパワーによ
るマグネトロンスパッタリングで成膜を行った。ターゲ
ット材は、ＳｉＮ焼結材を用いた。チャンバ内に導入す
るスパッタ用ガスは、キャリアガスとしてＡｒを１００
[sccm]、反応ガスとして、窒素ガスを２０[sccm]、酸素
ガスを５[sccm]を、それぞれ用い、トータルのガス圧
（チャンバ内の圧力）は５ｍTorrとした。窒化珪素膜の
膜厚は、あらかじめ成膜速度を求めておき、所定の膜厚
となる成膜時間を算出して、成膜時間で制御した。
【００４４】このようにして下層保護膜２０を作製した
サーマルヘッドに、以下のような、図２に示される成膜
装置５０を用いて、中間層２２およびカーボン保護膜２
４を形成した。
サーマルヘッドに、以下のような、図２に示される成膜
装置５０を用いて、中間層２２およびカーボン保護膜２
４を形成した。
【００４５】＜成膜装置５０＞ ａ．真空チャンバ５２ 真空排気手段６６として、排気速度が１５００Ｌ（リッ
トル）／分のロータリーポンプ、同１２０００Ｌ／分の
メカニカルブースタポンプ、および同３０００Ｌ／秒の
ターボポンプを、各１台ずつ有する、ＳＵＳ３０４製で
容積が０．５m3の真空チャンバ５２を用いた。ターボポ
ンプの吸引部にオリフィスバルブを配置して、開口度を
１０％〜１００％まで調整できる。
トル）／分のロータリーポンプ、同１２０００Ｌ／分の
メカニカルブースタポンプ、および同３０００Ｌ／秒の
ターボポンプを、各１台ずつ有する、ＳＵＳ３０４製で
容積が０．５m3の真空チャンバ５２を用いた。ターボポ
ンプの吸引部にオリフィスバルブを配置して、開口度を
１０％〜１００％まで調整できる。
【００４６】ｂ．ガス導入部５４ 最大流量５０[sccm]〜５００[sccm]のマスフローコント
ローラと、直径６ミリのステンレス製パイプを用いて、
プラズマ発生ガス用と反応ガス用の２つのガス導入管５
４ａおよび５４ｂを形成した。
ローラと、直径６ミリのステンレス製パイプを用いて、
プラズマ発生ガス用と反応ガス用の２つのガス導入管５
４ａおよび５４ｂを形成した。
【００４７】ｃ．第１スパッタリング手段５６および第
２スパッタリング手段５８ 永久磁石６８ａおよび７６ａとしてSm-Co 磁石を配置し
た、幅６００mm×高さ２００mmの矩形のカソード６８お
よび７６を用いた。バッキングプレート８２および８４
として、矩形状に加工した無酸素銅を、カソード６８お
よび７６にＩｎ系ハンダで張り付けた。また、カソード
６８および７６内部を水冷することにより、磁石６８ａ
および７６ａ、カソード６８および７６、ならびにバッ
キングプレート８２および８４の裏面を冷却した。な
お、ＲＦ電源７４としては、１３．５６ＭＨｚで最大出
力１０ｋＷのＲＦ電源を、直流電源８０としては最大出
力１０ｋＷの負電位の直流電源を、それぞれ用いた。ま
た、直流電源８０には、変調器を組み合わせ、２ｋＨｚ
〜１００ｋＨｚの範囲でパルス状に変調可能とした。
２スパッタリング手段５８ 永久磁石６８ａおよび７６ａとしてSm-Co 磁石を配置し
た、幅６００mm×高さ２００mmの矩形のカソード６８お
よび７６を用いた。バッキングプレート８２および８４
として、矩形状に加工した無酸素銅を、カソード６８お
よび７６にＩｎ系ハンダで張り付けた。また、カソード
６８および７６内部を水冷することにより、磁石６８ａ
および７６ａ、カソード６８および７６、ならびにバッ
キングプレート８２および８４の裏面を冷却した。な
お、ＲＦ電源７４としては、１３．５６ＭＨｚで最大出
力１０ｋＷのＲＦ電源を、直流電源８０としては最大出
力１０ｋＷの負電位の直流電源を、それぞれ用いた。ま
た、直流電源８０には、変調器を組み合わせ、２ｋＨｚ
〜１００ｋＨｚの範囲でパルス状に変調可能とした。
【００４８】ｄ．プラズマ発生手段６０ 発振周波数２．４５ＧＨｚ、最大出力１．５ｋＷのマイ
クロ波電源８６を用いた。マイクロ波は、マイクロ波導
波管９０で真空チャンバ５２近傍まで導き、同軸変調器
９２で変換後、真空チャンバ５２内の放射状アンテナ９
６に導入した。プラズマ発生部は、幅６００mm×高さ２
００mmの矩形のものを用いた。さらに、ＥＣＲ用磁場
は、磁石８８としてSm-Co 磁石を複数個、誘電体板９４
の形状に合わせて配置することで形成した。
クロ波電源８６を用いた。マイクロ波は、マイクロ波導
波管９０で真空チャンバ５２近傍まで導き、同軸変調器
９２で変換後、真空チャンバ５２内の放射状アンテナ９
６に導入した。プラズマ発生部は、幅６００mm×高さ２
００mmの矩形のものを用いた。さらに、ＥＣＲ用磁場
は、磁石８８としてSm-Co 磁石を複数個、誘電体板９４
の形状に合わせて配置することで形成した。
【００４９】ｅ．基板ホルダ６４ 回転部９８の作用により、保持した基板（すなわち、サ
ーマルヘッド１０）を第１スパッタリング手段５６およ
び第２スパッタリング手段５８に配置されたターゲット
材７０、ならびにプラズマ発生手段６０の放射状アンテ
ナ９６に対向して保持する。以下に示す、スパッタリン
グによる中間層２２およびカーボン保護膜２４の成膜時
には、基板とターゲット材７０の距離は１００mmとし
た。さらに、エッチング用の高周波電圧が印加できるよ
うに、サーマルヘッドの保持部分を浮遊電位にした。さ
らには、基板ホルダ６４表面にはヒータを設け、加熱し
ながら成膜を行えるようにした。
ーマルヘッド１０）を第１スパッタリング手段５６およ
び第２スパッタリング手段５８に配置されたターゲット
材７０、ならびにプラズマ発生手段６０の放射状アンテ
ナ９６に対向して保持する。以下に示す、スパッタリン
グによる中間層２２およびカーボン保護膜２４の成膜時
には、基板とターゲット材７０の距離は１００mmとし
た。さらに、エッチング用の高周波電圧が印加できるよ
うに、サーマルヘッドの保持部分を浮遊電位にした。さ
らには、基板ホルダ６４表面にはヒータを設け、加熱し
ながら成膜を行えるようにした。
【００５０】ｆ．バイアス電源６２ 基板ホルダ６４に、マッチングボックスを介して高周波
電源を接続した。高周波電源は、周波数１３．５６ＭＨ
ｚで、最大出力は３ｋＷである。また、この高周波電源
は、自己バイアス電圧をモニタすることにより、負の１
００Ｖ〜５００Ｖの範囲で高周波出力が調整可能に構成
されている。なお、このバイアス電源６２は、エッチン
グ手段を兼ねている。
電源を接続した。高周波電源は、周波数１３．５６ＭＨ
ｚで、最大出力は３ｋＷである。また、この高周波電源
は、自己バイアス電圧をモニタすることにより、負の１
００Ｖ〜５００Ｖの範囲で高周波出力が調整可能に構成
されている。なお、このバイアス電源６２は、エッチン
グ手段を兼ねている。
【００５１】＜中間層２２およびカーボン保護膜２４の
作製＞このような成膜装置５０において、発熱素子（下
層保護膜２０）が第１スパッタリング手段５６のターゲ
ット材７０の保持位置に対向するように、基板ホルダ６
４に前記基となるサーマルヘッドを固定した。なお、サ
ーマルヘッドの中間層２２の形成部分以外にはマスキン
グを施しておいた。
作製＞このような成膜装置５０において、発熱素子（下
層保護膜２０）が第１スパッタリング手段５６のターゲ
ット材７０の保持位置に対向するように、基板ホルダ６
４に前記基となるサーマルヘッドを固定した。なお、サ
ーマルヘッドの中間層２２の形成部分以外にはマスキン
グを施しておいた。
【００５２】また、成膜プロセスの開始に先立ち、発塵
量が３００個ｆｔ3 ／ｍｉｎの布を用いて、真空チャン
バ５２の内壁面を清掃し、付着しているパーティクル等
を除去した。続いて、真空掃除器によって吸い取りを行
い、真空チャンバ５２内に浮遊しているパーティクル等
を系外に排出した。その後、真空チャンバ５２内部の
０．５μｍパーティクル量をレーザパーティクルカウン
タ（Ｍｅｔ Ｏｎｅ社製 Ｍｏｄｅｌ ２３７Ｂ）で測
定したところ、５００個ｆｔ3 ／ｍｉｎであった。
量が３００個ｆｔ3 ／ｍｉｎの布を用いて、真空チャン
バ５２の内壁面を清掃し、付着しているパーティクル等
を除去した。続いて、真空掃除器によって吸い取りを行
い、真空チャンバ５２内に浮遊しているパーティクル等
を系外に排出した。その後、真空チャンバ５２内部の
０．５μｍパーティクル量をレーザパーティクルカウン
タ（Ｍｅｔ Ｏｎｅ社製 Ｍｏｄｅｌ ２３７Ｂ）で測
定したところ、５００個ｆｔ3 ／ｍｉｎであった。
【００５３】真空排気手段６６によって真空排気を行い
ながら、ガス導入部５４によってアルゴンガスを導入
し、ターボポンプに設置したオリフィスバルブによっ
て、真空チャンバ５２内の圧力が５．０×１０-3Torrに
なるように調整した。次いで、基板に高周波電圧を印加
し、自己バイアス電圧−３００Ｖで１０分間、下層保護
膜２０（窒化珪素膜）のエッチングを行った。
ながら、ガス導入部５４によってアルゴンガスを導入
し、ターボポンプに設置したオリフィスバルブによっ
て、真空チャンバ５２内の圧力が５．０×１０-3Torrに
なるように調整した。次いで、基板に高周波電圧を印加
し、自己バイアス電圧−３００Ｖで１０分間、下層保護
膜２０（窒化珪素膜）のエッチングを行った。
【００５４】エッチング終了後、ターゲット材７０とし
てＳｉ単結晶を第１スパッタリング手段５６のバッキン
グプレート８２に、また、焼結グラファイト材を第２ス
パッタリング手段５８のバッキングプレート８４に、そ
れぞれ固定（Ｉｎ系ハンダで張り付け）した。その後、
真空チャンバ５２内の圧力が５×１０-6Torrになるまで
真空排気した後、圧力が５×１０-3Torrとなるようにア
ルゴンガス流量およびオリフィスバルブを調整し、シャ
ッタ７２を閉じた状態でターゲット材７０に高周波電力
０．５ｋＷを５分間印加した。次いで、真空チャンバ５
２内の圧力を保ったまま、供給電力を２ｋＷの高周波電
力としてシャッタ７２を開いてスパッタリングを行い、
厚さ０．２μｍのＳｉ膜を中間層２２として形成した。
なお、Ｓｉ膜の膜厚は、あらかじめ成膜速度を求めてお
き、所定の膜厚となる成膜時間を算出して、成膜時間で
制御した。
てＳｉ単結晶を第１スパッタリング手段５６のバッキン
グプレート８２に、また、焼結グラファイト材を第２ス
パッタリング手段５８のバッキングプレート８４に、そ
れぞれ固定（Ｉｎ系ハンダで張り付け）した。その後、
真空チャンバ５２内の圧力が５×１０-6Torrになるまで
真空排気した後、圧力が５×１０-3Torrとなるようにア
ルゴンガス流量およびオリフィスバルブを調整し、シャ
ッタ７２を閉じた状態でターゲット材７０に高周波電力
０．５ｋＷを５分間印加した。次いで、真空チャンバ５
２内の圧力を保ったまま、供給電力を２ｋＷの高周波電
力としてシャッタ７２を開いてスパッタリングを行い、
厚さ０．２μｍのＳｉ膜を中間層２２として形成した。
なお、Ｓｉ膜の膜厚は、あらかじめ成膜速度を求めてお
き、所定の膜厚となる成膜時間を算出して、成膜時間で
制御した。
【００５５】次いで、回転部９８によって発熱素子を第
２スパッタリング手段５８のターゲット材７０（焼結グ
ラファイト材）に向け、真空チャンバ５２内の圧力が
２．５×１０-3Torrとなるようにアルゴンガス流量およ
びオリフィスバルブを調整し、シャッタ７８を閉じた状
態でターゲット材７０に直流電力０．５ｋＷを５分間印
加した。次いで、真空チャンバ５２内の圧力を保ったま
ま、直流電力を５ｋＷとしてシャッタ７８を開いてスパ
ッタリングを行って、厚さ２μｍのカーボン保護膜２４
を形成し、下層保護膜２０、中間層２２およびカーボン
保護膜２４の３層構成の保護膜を有するサーマルヘッド
１０を作製した。なお、カーボン保護膜２４の膜厚は、
あらかじめ成膜速度を求めておき、所定の膜厚となる成
膜時間を算出して、成膜時間で制御した。
２スパッタリング手段５８のターゲット材７０（焼結グ
ラファイト材）に向け、真空チャンバ５２内の圧力が
２．５×１０-3Torrとなるようにアルゴンガス流量およ
びオリフィスバルブを調整し、シャッタ７８を閉じた状
態でターゲット材７０に直流電力０．５ｋＷを５分間印
加した。次いで、真空チャンバ５２内の圧力を保ったま
ま、直流電力を５ｋＷとしてシャッタ７８を開いてスパ
ッタリングを行って、厚さ２μｍのカーボン保護膜２４
を形成し、下層保護膜２０、中間層２２およびカーボン
保護膜２４の３層構成の保護膜を有するサーマルヘッド
１０を作製した。なお、カーボン保護膜２４の膜厚は、
あらかじめ成膜速度を求めておき、所定の膜厚となる成
膜時間を算出して、成膜時間で制御した。
【００５６】＜性能評価＞得られたサーマルヘッド１０
のカーボン保護膜２４の表面を光学顕微鏡で観察したと
ころ、確認された欠陥の大きさは、すべて１０μｍ以下
であった。また、このサーマルヘッド１０を用いて感熱
記録材料にベタ画像を記録したところ、２５０００枚の
記録を行った後でも、カーボン保護膜２４の剥離等の損
傷は認められなかった。
のカーボン保護膜２４の表面を光学顕微鏡で観察したと
ころ、確認された欠陥の大きさは、すべて１０μｍ以下
であった。また、このサーマルヘッド１０を用いて感熱
記録材料にベタ画像を記録したところ、２５０００枚の
記録を行った後でも、カーボン保護膜２４の剥離等の損
傷は認められなかった。
【００５７】［比較例］カーボン保護膜２４を成膜する
前の真空チャンバ５２内壁面の清掃を発塵量３０００個
ｆｔ3 ／ｍｉｎの布を用いて行った以外、および布によ
る清掃を行わずに真空掃除器によって吸い取り蚤を行っ
た以外は、前記実施例と同様にして、下層保護膜２０、
中間層２２およびカーボン保護膜２４の３層構成の保護
膜を有するサーマルヘッド１０を作製した。なお、実施
例と同様に、排気掃除器によるパーティクル排出後の真
空チャンバ５２内部の０．５μｍパーティクル量を測定
したところ、５０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎの布を用いた例
では５０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ、真空掃除器によるパー
ティクル排除のみの例では８０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎで
あった。
前の真空チャンバ５２内壁面の清掃を発塵量３０００個
ｆｔ3 ／ｍｉｎの布を用いて行った以外、および布によ
る清掃を行わずに真空掃除器によって吸い取り蚤を行っ
た以外は、前記実施例と同様にして、下層保護膜２０、
中間層２２およびカーボン保護膜２４の３層構成の保護
膜を有するサーマルヘッド１０を作製した。なお、実施
例と同様に、排気掃除器によるパーティクル排出後の真
空チャンバ５２内部の０．５μｍパーティクル量を測定
したところ、５０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎの布を用いた例
では５０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎ、真空掃除器によるパー
ティクル排除のみの例では８０００個ｆｔ3 ／ｍｉｎで
あった。
【００５８】得られたサーマルヘッド１０のカーボン保
護膜２４を光学顕微鏡で観察したところ、最大で１００
μｍ程度の大きさの欠陥が確認された。また、実施例と
同様にして、感熱記録材料にベタ画像の記録を行ったと
ころ、５０００枚の記録を終了した時点で、２５μｍ以
上のサイズの欠陥部からカーボン保護膜２４の剥離が確
認された。以上の結果より、本発明の効果は明らかであ
る。
護膜２４を光学顕微鏡で観察したところ、最大で１００
μｍ程度の大きさの欠陥が確認された。また、実施例と
同様にして、感熱記録材料にベタ画像の記録を行ったと
ころ、５０００枚の記録を終了した時点で、２５μｍ以
上のサイズの欠陥部からカーボン保護膜２４の剥離が確
認された。以上の結果より、本発明の効果は明らかであ
る。
【００５９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ピンホールやクラックの極めて少ない、高品位
なカーボン膜を形成することができ、例えば、図示例の
ようなサーマルヘッドのカーボン保護膜の成膜に利用す
ることにより、カーボン保護膜の剥離や割れのない、長
期にわたって高い信頼性を発揮するサーマルヘッドを得
ることができる。
よれば、ピンホールやクラックの極めて少ない、高品位
なカーボン膜を形成することができ、例えば、図示例の
ようなサーマルヘッドのカーボン保護膜の成膜に利用す
ることにより、カーボン保護膜の剥離や割れのない、長
期にわたって高い信頼性を発揮するサーマルヘッドを得
ることができる。
【図１】 本発明を利用して作製されたサーマルヘッド
の発熱素子の構成を示す概略図である。
の発熱素子の構成を示す概略図である。
【図２】 本発明を実施する成膜装置の一例の概念図で
ある。
ある。
１０ サーマルヘッド １２ 基板 １４ グレーズ層 １６ 発熱（抵抗）体 １８ 電極 ２０ 下層保護膜 ２２ 中間層 ２４ カーボン保護膜 ５０ 成膜装置 ５２ 真空チャンバ ５４ ガス導入部 ５６ 第１スパッタリング手段 ５８ 第２スパッタリング手段 ６０ プラズマ発生手段 ６２ バイアス電源 ６４ 基板ホルダ ６６ 真空排気手段 ６８，７６ カソード ７０ ターゲット材 ７２，７８ シャッタ ７４ ＲＦ電源 ８０ 直流電源 ８２，８４ バッキングプレート ８６ マイクロ波電源 ８８ 磁石 ９０ マイクロ波導波管 ９２ 同軸変換器 ９４ 誘電体板 ９６ 放射状アンテナ ９８ 回転部 Ａ 感熱材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C065 JF01 JF04 JF05 JF16 JH08 JH11 5F058 BA04 BB06 BD01 BD10 BD18 BF07 BF12 BF26 BJ10
Claims (1)
- 【請求項１】気相成膜によってカーボン膜を成膜するに
際し、成膜系内の０．５μｍパーティクル量を１０００
個立方フィート／ｍｉｎ以下とした後に、成膜プロセス
を開始することを特徴とするカーボン膜の成膜方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083913A JP2000272156A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | カーボン膜の成膜方法 |
| US09/534,207 US6748959B1 (en) | 1999-03-26 | 2000-03-24 | Carbon layer forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083913A JP2000272156A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | カーボン膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000272156A true JP2000272156A (ja) | 2000-10-03 |
| JP2000272156A5 JP2000272156A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=13815853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083913A Pending JP2000272156A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | カーボン膜の成膜方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6748959B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000272156A (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2004065119A1 (ja) | 2003-01-20 | 2004-08-05 | Zeon Corporation | 積層体およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2005350652A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 潤滑剤、ならびに磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| EP1993778A2 (en) * | 2006-02-23 | 2008-11-26 | Picodeon Ltd OY | Coating with carbon nitride and carbon nitride coated product |
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| US11037764B2 (en) * | 2017-05-06 | 2021-06-15 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave source with local Lorentz force |
| JP6467089B1 (ja) * | 2018-06-13 | 2019-02-06 | 学校法人東京理科大学 | モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法 |
Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
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