JP2000272156A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000272156A5 JP2000272156A5 JP1999083913A JP8391399A JP2000272156A5 JP 2000272156 A5 JP2000272156 A5 JP 2000272156A5 JP 1999083913 A JP1999083913 A JP 1999083913A JP 8391399 A JP8391399 A JP 8391399A JP 2000272156 A5 JP2000272156 A5 JP 2000272156A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target material
- film
- film forming
- cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241001417527 Pempheridae Species 0.000 description 1
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
カーボン膜の成膜系内の０．５μｍパーティクル量を１０００個ｆｔ3／ｍｉｎ以下とする方法には特に限定はないが、例えば、カーボン膜の成膜プロセスの開始に先立ち、成膜装置のチャンバ内部を発塵量が３０００個ｆｔ 3 ／ｍｉｎ以下、特に１０００個ｆｔ3／ｍｉｎ以下、中でも特に３００個ｆｔ3／ｍｉｎ以下の布で清掃し、チャンバ壁面等に付着しているパーティクル等、成膜系内のダストを取り除く方法が例示される。さらに、この清掃後に、成膜系内をポンプ等で吸引し、成膜系内に浮遊しているダストを除去すると、より好ましい。
スパッタリングでは、カソードにスパッタリングするターゲット材を配置し、カソードを負電位にすると共に、ターゲット材の表面にプラズマを発生させることにより、ターゲット材（その原子）を弾き出して、対向して配置した基板の表面に付着させ、堆積することにより成膜する。
第１スパッタリング手段５６および第２スパッタリング手段５８は、共に、スパッタリングによって基板表面に成膜を行うものであり、第１スパッタリング手段５６は、カソード６８、ターゲット材７０の配置部、シャッタ７２および高周波（ＲＦ）電源７４等を有して構成され、他方、第２スパッタリング手段５８は、カソード７６、ターゲット材７０の配置部、シャッタ７８および直流電源８０等を有して構成される。
上記構成より明らかなように、第１スパッタリング手段５６と第２スパッタリング手段５８は、配置位置および電源が異なる以外は基本的に同じ構成を有するので、以下の説明は、異なる部分以外は、第１スパッタリング手段５６を代表例として行う。
第１スパッタリング手段５６および第２スパッタリング手段５８は、共に、スパッタリングによって基板表面に成膜を行うものであり、第１スパッタリング手段５６は、カソード６８、ターゲット材７０の配置部、シャッタ７２および高周波（ＲＦ）電源７４等を有して構成され、他方、第２スパッタリング手段５８は、カソード７６、ターゲット材７０の配置部、シャッタ７８および直流電源８０等を有して構成される。
上記構成より明らかなように、第１スパッタリング手段５６と第２スパッタリング手段５８は、配置位置および電源が異なる以外は基本的に同じ構成を有するので、以下の説明は、異なる部分以外は、第１スパッタリング手段５６を代表例として行う。
［比較例］
カーボン保護膜２４を成膜する前の真空チャンバ５２内壁面の清掃を発塵量３０００個ｆｔ3／ｍｉｎの布を用いて行った以外、および布による清掃を行わずに真空掃除器によって吸い取りのみを行った以外は、前記実施例と同様にして、下層保護膜２０、中間層２２およびカーボン保護膜２４の３層構成の保護膜を有するサーマルヘッド１０を作製した。
なお、実施例と同様に、排気掃除器によるパーティクル排出後の真空チャンバ５２内部の０．５μｍパーティクル量を測定したところ、５０００個ｆｔ3／ｍｉｎの布を用いた例では５０００個ｆｔ3／ｍｉｎ、真空掃除器によるパーティクル排除のみの例では８０００個ｆｔ3／ｍｉｎであった。
カーボン保護膜２４を成膜する前の真空チャンバ５２内壁面の清掃を発塵量３０００個ｆｔ3／ｍｉｎの布を用いて行った以外、および布による清掃を行わずに真空掃除器によって吸い取りのみを行った以外は、前記実施例と同様にして、下層保護膜２０、中間層２２およびカーボン保護膜２４の３層構成の保護膜を有するサーマルヘッド１０を作製した。
なお、実施例と同様に、排気掃除器によるパーティクル排出後の真空チャンバ５２内部の０．５μｍパーティクル量を測定したところ、５０００個ｆｔ3／ｍｉｎの布を用いた例では５０００個ｆｔ3／ｍｉｎ、真空掃除器によるパーティクル排除のみの例では８０００個ｆｔ3／ｍｉｎであった。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083913A JP2000272156A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | カーボン膜の成膜方法 |
| US09/534,207 US6748959B1 (en) | 1999-03-26 | 2000-03-24 | Carbon layer forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083913A JP2000272156A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | カーボン膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000272156A JP2000272156A (ja) | 2000-10-03 |
| JP2000272156A5 true JP2000272156A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=13815853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083913A Pending JP2000272156A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | カーボン膜の成膜方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6748959B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000272156A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4293186B2 (ja) | 2003-01-20 | 2009-07-08 | 日本ゼオン株式会社 | 積層体およびその製造方法 |
| US7425093B2 (en) * | 2003-07-16 | 2008-09-16 | Cabot Corporation | Thermography test method and apparatus for bonding evaluation in sputtering targets |
| JP2005350652A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 潤滑剤、ならびに磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| EP1993774A2 (en) * | 2006-02-23 | 2008-11-26 | Picodeon Ltd OY | Coating on a medical substrate and a coated medical product |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| US7432548B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
| US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US7776765B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
| US7662726B2 (en) * | 2007-09-13 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device having a gas-phase deposited insulation layer |
| US11037764B2 (en) * | 2017-05-06 | 2021-06-15 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave source with local Lorentz force |
| JP6467089B1 (ja) * | 2018-06-13 | 2019-02-06 | 学校法人東京理科大学 | モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842472A (ja) | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | サ−マルヘツド |
| JPS63210275A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置内を清浄にする方法 |
| JPS6378761A (ja) | 1987-09-12 | 1988-04-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | サーマルヘッド作成方法 |
| DE69322907T2 (de) * | 1992-07-24 | 1999-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetischer Aufzeichnungsträger und sein Herstellungsverfahren |
| JPH07132628A (ja) | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Toshiba Corp | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
| US5712000A (en) * | 1995-10-12 | 1998-01-27 | Hughes Aircraft Company | Large-scale, low pressure plasma-ion deposition of diamondlike carbon films |
| US5925494A (en) * | 1996-02-16 | 1999-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Vapor deposition of polymer films for photolithography |
| EP0933806A4 (en) * | 1996-11-14 | 2003-01-22 | Tokyo Electron Ltd | CLEANING A PLASMA APPARATUS AND TREATMENT |
| JP3594759B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2004-12-02 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
| US6026762A (en) * | 1997-04-23 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems |
| US6090456A (en) * | 1997-05-03 | 2000-07-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Process for large area deposition of diamond-like carbon films |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP11083913A patent/JP2000272156A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-24 US US09/534,207 patent/US6748959B1/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000272156A5 (ja) | ||
| TWI451915B (zh) | Cleaning device | |
| JP2013174012A (ja) | 堆積システムのシールド表面のコーティング | |
| TW200811606A (en) | Exposure apparatus | |
| TW402528B (en) | Dust-removal apparatus and its method | |
| JPH0767800B2 (ja) | 印刷シリンダの洗浄装置 | |
| JPS6323827B2 (ja) | ||
| JPS6220321A (ja) | 処理装置 | |
| JP4355046B2 (ja) | クリーニング方法及び基板処理装置 | |
| JP4157621B2 (ja) | スパッタリング成膜装置 | |
| JPS5953210B2 (ja) | 薄膜シリコン生成方法 | |
| JP2576154B2 (ja) | 試料台カバーの浄化方法 | |
| JPH01253238A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0578829A (ja) | スパツタリング装置 | |
| TW573029B (en) | Apparatus for automatically cleaning mask and evaporation system using such an apparatus | |
| TW200610833A (en) | A cleaning apparatus and an evaporation machine using the same and a cleaning method thereof | |
| JP2669249B2 (ja) | プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JPH06119896A (ja) | イオンビーム引出装置 | |
| JP2554896B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2001019442A (ja) | ガラス微粒子堆積体製造容器の残留ガラス微粒子除去方法 | |
| JP2001214262A (ja) | スパッタ装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004137534A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH02148647A (ja) | イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 | |
| JP2004243155A (ja) | 成膜装置用シャワー板の洗浄方法 | |
| JP2003247059A (ja) | 防着治具、薄膜形成装置および防着治具の洗浄方法 |