JPS5953210B2 - 薄膜シリコン生成方法 - Google Patents
薄膜シリコン生成方法Info
- Publication number
- JPS5953210B2 JPS5953210B2 JP8884782A JP8884782A JPS5953210B2 JP S5953210 B2 JPS5953210 B2 JP S5953210B2 JP 8884782 A JP8884782 A JP 8884782A JP 8884782 A JP8884782 A JP 8884782A JP S5953210 B2 JPS5953210 B2 JP S5953210B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- reaction chamber
- wall
- film silicon
- reaction
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反応室内に配置された電極間にグロー放電を発
生させ反応ガスを分解して基板上にシリコン薄膜を生成
する薄膜シリコン生成方法に関する。
生させ反応ガスを分解して基板上にシリコン薄膜を生成
する薄膜シリコン生成方法に関する。
第１図はそのような方法に使用する装置を示し、反応室
１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向す
る電極３が存在する。
１内には水平に位置するサセプタ２およびそれに対向す
る電極３が存在する。
サセプタ２の上に図示しない基板を載せ、排気口４より
排気して反応室４の内部空間を真空にし、ガス導入管５
よりシランガスを導入し、サセプタ２と対向電極３の間
に高周波または直流電圧を印加してグロー放電を発生さ
せると、モノシランが分解しサフセプタ２の内蔵するヒ
ータによつて加熱された基板上にアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）の薄膜が形成される。しかしこの場合ａ−
Ｓｉは反応室１の壁１１にも付着し、これが厚くなると
はがれて落下する。このＳｉの落下は壁１１の温度上昇
が最大ゝであるａ−Ｓｉ膜成長前が最も多い。これはサ
セプタ２からの熱放射によつて壁１１が暖められ、サセ
プタ２がａ−Ｓｉ膜成長温度に到達した時に壁１１の温
度上昇が最大になるからである。落下したＳｉ粒子の一
部は基板上に付着する。この微小なａフーＳｉ粒子の上
にａ−Ｓｉ膜が成長するので、これがピンホールなどの
欠陥の原因となり、歩留りの低下をひきおこす。本発明
の目的は、このような反応室の壁からシリコン粒子が基
板面へ落下することのない、歩留５りの高い薄膜シリコ
ン生成方法を提供することにある。
排気して反応室４の内部空間を真空にし、ガス導入管５
よりシランガスを導入し、サセプタ２と対向電極３の間
に高周波または直流電圧を印加してグロー放電を発生さ
せると、モノシランが分解しサフセプタ２の内蔵するヒ
ータによつて加熱された基板上にアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）の薄膜が形成される。しかしこの場合ａ−
Ｓｉは反応室１の壁１１にも付着し、これが厚くなると
はがれて落下する。このＳｉの落下は壁１１の温度上昇
が最大ゝであるａ−Ｓｉ膜成長前が最も多い。これはサ
セプタ２からの熱放射によつて壁１１が暖められ、サセ
プタ２がａ−Ｓｉ膜成長温度に到達した時に壁１１の温
度上昇が最大になるからである。落下したＳｉ粒子の一
部は基板上に付着する。この微小なａフーＳｉ粒子の上
にａ−Ｓｉ膜が成長するので、これがピンホールなどの
欠陥の原因となり、歩留りの低下をひきおこす。本発明
の目的は、このような反応室の壁からシリコン粒子が基
板面へ落下することのない、歩留５りの高い薄膜シリコ
ン生成方法を提供することにある。
この目的はグロー放電発生時には反応室の壁を冷却して
壁の内面に反応生成物を付着させ、放電停止後反応室の
壁を加熱して付着した反応生成物θを剥離することによ
つて達成される。
壁の内面に反応生成物を付着させ、放電停止後反応室の
壁を加熱して付着した反応生成物θを剥離することによ
つて達成される。
この場合、反応室として壁に水冷管およびヒータを備え
たものを用いること、また反応室の底面に溝を設け、そ
の溝の底部より真空排気して剥離して落下した反応生成
物を吸引することは有効である。５ 以下、第２図を引
用して本発明の一実施例について説明する。
たものを用いること、また反応室の底面に溝を設け、そ
の溝の底部より真空排気して剥離して落下した反応生成
物を吸引することは有効である。５ 以下、第２図を引
用して本発明の一実施例について説明する。
第２図において、第１図と共通の部分には同一の符号が
付されており、反応室１の壁１１には水冷用の管６とヒ
ータ７とが埋め込まれている。反応室１を排気口４より
真空排気したのち、シランガスを導入し、サセプタ２と
対向電極３の間に電圧を印加してグロー放電を発生させ
、サセプタ２の上に載置され、サセプタ２に内蔵するヒ
ータにより２００〜３００℃に加熱された基板８の上に
ａ−Ｓｉを成長させる際には、水冷管６に水を通流して
反応室の壁１１の温度を下げる。壁１１の内面にもＡＳ
ｉその他の反応生成物が付着するが、その付着強度は加
熱された基板８への付着強度より小さく、３００℃の基
板上へ付着強度の１／１１程度である。放電終了後水冷
管６の水を止め、ビニタ７に通電して反応室の壁１１の
温度を上げると、壁１１に弱い付着強度で付着した反応
生成物は剥離する。基板８の上にはすでにａ−Ｓｉ膜が
生成されているから、剥離した反応生成物が反応室１内
にとび散つても生成薄膜の欠陥の原因とならない。反応
室１の底面１２には溝９が設けられ、さらにその底部が
真空系に接続されているので、落下した付着物はこの溝
９を介して取り除か，れる。このようにして放電終了後
に反応室１の内部の清浄を自動的に行うことができ、次
の薄膜生成過程を清浄な反応室で実施することができる
。しかし剥離付着物の清掃を反応室１を開放して薄膜を
付けた基板をとり出した際に行つてもよい。以上述べた
ように、本発明はグロー放電分解によりシリコン薄膜を
生成する際には反応室壁を水冷して反応生成物の壁への
付着強度を低下させ、放電終了後反応室壁を加熱して付
着物を剥離させ、それによつて薄膜生成前の基板面への
剥離付着物の落下を防ぐものである。この結果欠陥のな
いシリコン薄膜を歩留り高く生成することができるので
、アモルフアスシリコン太陽電池などの製造に極めて有
効に適用できる。
付されており、反応室１の壁１１には水冷用の管６とヒ
ータ７とが埋め込まれている。反応室１を排気口４より
真空排気したのち、シランガスを導入し、サセプタ２と
対向電極３の間に電圧を印加してグロー放電を発生させ
、サセプタ２の上に載置され、サセプタ２に内蔵するヒ
ータにより２００〜３００℃に加熱された基板８の上に
ａ−Ｓｉを成長させる際には、水冷管６に水を通流して
反応室の壁１１の温度を下げる。壁１１の内面にもＡＳ
ｉその他の反応生成物が付着するが、その付着強度は加
熱された基板８への付着強度より小さく、３００℃の基
板上へ付着強度の１／１１程度である。放電終了後水冷
管６の水を止め、ビニタ７に通電して反応室の壁１１の
温度を上げると、壁１１に弱い付着強度で付着した反応
生成物は剥離する。基板８の上にはすでにａ−Ｓｉ膜が
生成されているから、剥離した反応生成物が反応室１内
にとび散つても生成薄膜の欠陥の原因とならない。反応
室１の底面１２には溝９が設けられ、さらにその底部が
真空系に接続されているので、落下した付着物はこの溝
９を介して取り除か，れる。このようにして放電終了後
に反応室１の内部の清浄を自動的に行うことができ、次
の薄膜生成過程を清浄な反応室で実施することができる
。しかし剥離付着物の清掃を反応室１を開放して薄膜を
付けた基板をとり出した際に行つてもよい。以上述べた
ように、本発明はグロー放電分解によりシリコン薄膜を
生成する際には反応室壁を水冷して反応生成物の壁への
付着強度を低下させ、放電終了後反応室壁を加熱して付
着物を剥離させ、それによつて薄膜生成前の基板面への
剥離付着物の落下を防ぐものである。この結果欠陥のな
いシリコン薄膜を歩留り高く生成することができるので
、アモルフアスシリコン太陽電池などの製造に極めて有
効に適用できる。
第１図は薄膜シリコン生成装置の一例の断面図、第２図
は本発明の一実施例に用いる薄膜シリコン生成装置の断
面図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・サセプタ、３・
・・・・・対向電極、４・・・・・・排気口、６・・・
・・・水冷管、７・・・・・・ヒータ、９・・・・・・
溝。
は本発明の一実施例に用いる薄膜シリコン生成装置の断
面図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・サセプタ、３・
・・・・・対向電極、４・・・・・・排気口、６・・・
・・・水冷管、７・・・・・・ヒータ、９・・・・・・
溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応室内に配置された電極間にグロー放電を発生さ
せ、反応ガスを分解して基板上にシリコン薄膜を生成す
る方法において、グロー放電発生時には反応室の壁を冷
却して壁の内面に反応生成物を付着させ、放電停止後前
記壁を加熱して付着した反応生成物を剥離することを特
徴とする薄膜シリコン生成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、壁に水
冷管およびヒータを備えた反応室を用いることを特徴と
する薄膜シリコン生成方法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、反応室の底面に溝を設け、該溝の底部より真空排
気して剥離して落下した反応生成物を吸引することを特
徴とする薄膜シリコン生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884782A JPS5953210B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8884782A JPS5953210B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208119A JPS58208119A (ja) | 1983-12-03 |
| JPS5953210B2 true JPS5953210B2 (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=13954364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8884782A Expired JPS5953210B2 (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜シリコン生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953210B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124710U (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | 日産自動車株式会社 | 車両用シヨツクアブソ−バの減衰力制御装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH079885B2 (ja) * | 1984-07-31 | 1995-02-01 | 東芝機械株式会社 | 薄膜形成装置の冷却装置および冷却方法 |
| JPS63181331A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| KR100480579B1 (ko) * | 1998-01-05 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 히팅램프를갖는디개싱장비 |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP8884782A patent/JPS5953210B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124710U (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | 日産自動車株式会社 | 車両用シヨツクアブソ−バの減衰力制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58208119A (ja) | 1983-12-03 |
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