JPH03262123A - 半導体デバイス製造装置 - Google Patents
半導体デバイス製造装置Info
- Publication number
- JPH03262123A JPH03262123A JP5997390A JP5997390A JPH03262123A JP H03262123 A JPH03262123 A JP H03262123A JP 5997390 A JP5997390 A JP 5997390A JP 5997390 A JP5997390 A JP 5997390A JP H03262123 A JPH03262123 A JP H03262123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chamber
- etching
- high frequency
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 21
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化学気相堆積法に依る表面の成膜並びに裏面の膜除去を
同時に行う半導体デバイス製造装置に関ウェハ表面に対
する成膜中、ウェハ裏面では、そこに至るまでに成膜さ
れた膜の除去を行ない得るようにし、半導体デバイスを
製造する際のスルー・プツトを向上させることを目的と
し、反応室を半導体ウェハで閉塞可能な大きさの窓を有
する隔壁で仕切って形成したデポジション・チャンバ並
びにエツチングチャンバと、前記デポジション・チャン
バに設けられた反応ガス吹き出し部材並びに排気管と、
前記エッチング・チャンバに設けられた高周波印加用電
極並びにエッチング・ガス供給管及び排気管と、少なく
とも前記高周波印加電極に高周波パワーを供給してプラ
ズマを発生させる高周波電源とを備えてなるよう構成す
る。
同時に行う半導体デバイス製造装置に関ウェハ表面に対
する成膜中、ウェハ裏面では、そこに至るまでに成膜さ
れた膜の除去を行ない得るようにし、半導体デバイスを
製造する際のスルー・プツトを向上させることを目的と
し、反応室を半導体ウェハで閉塞可能な大きさの窓を有
する隔壁で仕切って形成したデポジション・チャンバ並
びにエツチングチャンバと、前記デポジション・チャン
バに設けられた反応ガス吹き出し部材並びに排気管と、
前記エッチング・チャンバに設けられた高周波印加用電
極並びにエッチング・ガス供給管及び排気管と、少なく
とも前記高周波印加電極に高周波パワーを供給してプラ
ズマを発生させる高周波電源とを備えてなるよう構成す
る。
〔産業上の利用分野］
本発明は、化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｕ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法に依る表面の
成膜及び裏面の膜除去を同時に行う半導体デバイス製造
装置に関する。
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法に依る表面の
成膜及び裏面の膜除去を同時に行う半導体デバイス製造
装置に関する。
半導体デバイスのみならず、他の製品も同様であろうが
、多量に生産しなければコスト・ダウンは困難であり、
また、量産する場合のスルー・プツトの向上は重要であ
る。
、多量に生産しなければコスト・ダウンは困難であり、
また、量産する場合のスルー・プツトの向上は重要であ
る。
通常、ＣＶＤ法を適用してウェハ表面に例えば多結晶シ
リコン膜を成膜した場合、そのウェハ側面からウェハ裏
面にかけても多結晶シリコン膜が成膜されるので、特に
、ウェハ裏面の膜は除去しておかないと、後の製造工程
を進めるのに差支えが現れたり、作り上げた半導体デバ
イスが正常に機能しないことになる。
リコン膜を成膜した場合、そのウェハ側面からウェハ裏
面にかけても多結晶シリコン膜が成膜されるので、特に
、ウェハ裏面の膜は除去しておかないと、後の製造工程
を進めるのに差支えが現れたり、作り上げた半導体デバ
イスが正常に機能しないことになる。
従来、半導体デバイスの製造工程では、ＣＶＤ法を適用
してウェハ表面に成膜する工程、及び、そのようなウェ
ハ裏面に成膜された膜を除去する工程をそれぞれ別個に
設定している。
してウェハ表面に成膜する工程、及び、そのようなウェ
ハ裏面に成膜された膜を除去する工程をそれぞれ別個に
設定している。
前記したように、従来、ウェハ裏面に成膜された膜を除
去する工程は別設されていて、その工程を実施する時間
はウェハ表面に成膜する際の時間と略同じである。従っ
て、ウェハ表面に成膜した膜が実際に動作可能な膜とな
る為には、ウェハ表面に成膜する時間の二倍の時間が必
要であることになる。
去する工程は別設されていて、その工程を実施する時間
はウェハ表面に成膜する際の時間と略同じである。従っ
て、ウェハ表面に成膜した膜が実際に動作可能な膜とな
る為には、ウェハ表面に成膜する時間の二倍の時間が必
要であることになる。
そこで、ＣＶＤ法を適用してウェハ表面に成膜中、それ
までにウェハ裏面に成膜された膜を除去することができ
れば、半導体デバイスを製造する際のスルー・プツトは
大きく向」ニする。
までにウェハ裏面に成膜された膜を除去することができ
れば、半導体デバイスを製造する際のスルー・プツトは
大きく向」ニする。
本発明は、ウェハ表面に対する成膜中、ウェハ裏面では
、そこに至るまでに成膜された膜の除去を行ない得るよ
うにし、半導体デバイスを製造する際のスルー・プツト
を向上させようとする。
、そこに至るまでに成膜された膜の除去を行ない得るよ
うにし、半導体デバイスを製造する際のスルー・プツト
を向上させようとする。
（課題を解決するための手段〕
本発明の半導体デバイス製造装置では、反応室（例えば
反応室１）を半導体ウェハ（例えば半導体ウェハ１０）
で閉塞可能な大きさの窓（例えば窓２Ａ）を有する隔壁
（例えば隔壁２）で仕切って形成したデポジション・チ
ャンバ（例えばデポジション・チャンバＬＡ）並びにエ
ツチングチャンバ（例えばエッチング・チャンバＩＢ）
と、前記デポジション・チャンバに設けられた反応ガス
吹き出し部材（例えば反応ガス吹き出し部材４）及び排
気管（例えば排気管５）と、前記エッチング・チャンバ
に設けられた高周波印加用電極（例えば高周波印加用電
極６）及びエッチング・ガス供給管（例えばエッチング
・ガス供給管７）及び排気管（例えば排気管８）と、少
なくとも前記高周波印加電極に高周波パワーを供給して
プラズマを発生させる高周波電源（例えば高周波電源９
）とを備えてなるよう構成する。
反応室１）を半導体ウェハ（例えば半導体ウェハ１０）
で閉塞可能な大きさの窓（例えば窓２Ａ）を有する隔壁
（例えば隔壁２）で仕切って形成したデポジション・チ
ャンバ（例えばデポジション・チャンバＬＡ）並びにエ
ツチングチャンバ（例えばエッチング・チャンバＩＢ）
と、前記デポジション・チャンバに設けられた反応ガス
吹き出し部材（例えば反応ガス吹き出し部材４）及び排
気管（例えば排気管５）と、前記エッチング・チャンバ
に設けられた高周波印加用電極（例えば高周波印加用電
極６）及びエッチング・ガス供給管（例えばエッチング
・ガス供給管７）及び排気管（例えば排気管８）と、少
なくとも前記高周波印加電極に高周波パワーを供給して
プラズマを発生させる高周波電源（例えば高周波電源９
）とを備えてなるよう構成する。
前記手段を採ることに依り、半導体ウェハ表面に対する
ＣＶＤ膜の成膜及び半導体ウェハ裏面に対するエツチン
グを同時に実施可能であるからスルー・プツトを向上さ
せることができ、また、半導体ウェハを加熱するには、
裏面をエツチングするための高周波プラズマを利用でき
るので、例えば、抵抗加熱器などを別設する必要はなく
、成膜とエツチングとを同時に行ない得るにも拘わらす
、構成が比較的簡易であって、取り扱い及び保守などに
困難はない。
ＣＶＤ膜の成膜及び半導体ウェハ裏面に対するエツチン
グを同時に実施可能であるからスルー・プツトを向上さ
せることができ、また、半導体ウェハを加熱するには、
裏面をエツチングするための高周波プラズマを利用でき
るので、例えば、抵抗加熱器などを別設する必要はなく
、成膜とエツチングとを同時に行ない得るにも拘わらす
、構成が比較的簡易であって、取り扱い及び保守などに
困難はない。
〔実施例］
第１図は本発明一実施例を説明するための要部切断側面
説明図を表している。
説明図を表している。
図に於いて、ｌは反応室、ＩＡはデポジション・チャン
バ、ＩＢはエッチング・チャンバ、２はデポジション・
チャンバＩＡとエッチング・チャンバＩＢとを分離する
隔壁、２Ａは隔壁２に形成された窓、２Ｂは窓２Ａの周
囲に於けるエッチング・チャンバＩＢ側に形成されたウ
ェハ載置用突縁、３はウェハ載置用突縁２Ｂ上に設けら
れた０リング、４はデポジション・チャンバＩＡに於け
る反応ガス吹き出し部材、５はデポジション・チャンバ
ＩＡに於ける排気管、６はエッチング・チャンバＩＢに
於ける高周波印加用電極、７はエッチング・チャンバＩ
Ｂに於けるエッチング・ガス供給管、８はエンチング・
チャンバｌＢに於ける排気管、９は高周波電源、１０は
半導体ウェハをそれぞれ示している。
バ、ＩＢはエッチング・チャンバ、２はデポジション・
チャンバＩＡとエッチング・チャンバＩＢとを分離する
隔壁、２Ａは隔壁２に形成された窓、２Ｂは窓２Ａの周
囲に於けるエッチング・チャンバＩＢ側に形成されたウ
ェハ載置用突縁、３はウェハ載置用突縁２Ｂ上に設けら
れた０リング、４はデポジション・チャンバＩＡに於け
る反応ガス吹き出し部材、５はデポジション・チャンバ
ＩＡに於ける排気管、６はエッチング・チャンバＩＢに
於ける高周波印加用電極、７はエッチング・チャンバＩ
Ｂに於けるエッチング・ガス供給管、８はエンチング・
チャンバｌＢに於ける排気管、９は高周波電源、１０は
半導体ウェハをそれぞれ示している。
本実施例を動作させる場合、半導体ウェハ１０を０リン
グ上に載置し、デポジション・チャンバＩＡ側には反応
ガス吹き出し部材４から多結晶シリコン膜や二酸化シリ
コン膜などＣＶＤ膜の成膜反応ガスを流し、排気管５か
ら真空引きを行ない、その真空度を１Ｏ−２（Ｔｏｒｒ
：ｌ 〜１００ ［Ｔ。
グ上に載置し、デポジション・チャンバＩＡ側には反応
ガス吹き出し部材４から多結晶シリコン膜や二酸化シリ
コン膜などＣＶＤ膜の成膜反応ガスを流し、排気管５か
ら真空引きを行ない、その真空度を１Ｏ−２（Ｔｏｒｒ
：ｌ 〜１００ ［Ｔ。
ｒｒ）、例えば、１（Ｔｏｒｒ）程度にセソ１〜して半
導体ウェハ１０の表面に成膜を行う。エッチング・チャ
ンバＩＢ側にはエッチング・ガス供給管７からエッチン
グ・ガスを流し、且つ、高周波電源９から高周波印加用
電極６を介して高周波を供給してプラズマを発生させ、
排気管８をから真空引きを行−＋７１０−’ （Ｔｏ
ｒ ｒ） 〜１０−’ （Ｔｏｒｒ：ｌ、例えば、１０
−２（Ｔｏ ｒ ｒ）程度にセットして半導体ウェハ１
０の背面をエツチングする。この場合、デポジション・
チャンバＩＡ内は低真空（高圧）に、また、エッチング
・チャンバＩＢ内は高真空（低圧）に維持することが肝
要であり、そのようにすることで、各チャンバＩＡとＩ
Ｂは半導体ウェハ１０で気密にシールされることになる
。尚、半導体ウェハ１０の昇温は、高周波プラズマで行
われる。高周波プラズマばデポジション・チャンバＩＡ
側で発生させることが可能であり、また、各チャンバＩ
Ａ及びＩＢの両方で発生させるようにしても良い。
導体ウェハ１０の表面に成膜を行う。エッチング・チャ
ンバＩＢ側にはエッチング・ガス供給管７からエッチン
グ・ガスを流し、且つ、高周波電源９から高周波印加用
電極６を介して高周波を供給してプラズマを発生させ、
排気管８をから真空引きを行−＋７１０−’ （Ｔｏ
ｒ ｒ） 〜１０−’ （Ｔｏｒｒ：ｌ、例えば、１０
−２（Ｔｏ ｒ ｒ）程度にセットして半導体ウェハ１
０の背面をエツチングする。この場合、デポジション・
チャンバＩＡ内は低真空（高圧）に、また、エッチング
・チャンバＩＢ内は高真空（低圧）に維持することが肝
要であり、そのようにすることで、各チャンバＩＡとＩ
Ｂは半導体ウェハ１０で気密にシールされることになる
。尚、半導体ウェハ１０の昇温は、高周波プラズマで行
われる。高周波プラズマばデポジション・チャンバＩＡ
側で発生させることが可能であり、また、各チャンバＩ
Ａ及びＩＢの両方で発生させるようにしても良い。
成膜とエツチングとを同時に行う隙の具体的条件を例示
すると、 （］）デポジション・チャンバＩＡで二酸化シリコン膜
を成膜する条件 反応ガス： Ｓ ｉ Ｈａ −２５（ｓ ｃ ｃ ｍ
）Ｏｚ −２５０（ｓｃｃｍ） 圧カニ １．０ ［Ｔｏｒｒ：］ 温度：３００（’Ｃ〕 （２）エッチング・チャンバＩＢで二酸化シリコン膜を
エツチングする条件 反応ガス：Ｃ２Ｆ６＋Ｏ□−５００（ｓｃｃｍ）圧カニ
１０−２［Ｔｏ ｒ ｒ：１ 温度：３００（’Ｃ） 高周波パワー： １０ （Ｗ／ｃｍ２）である。
すると、 （］）デポジション・チャンバＩＡで二酸化シリコン膜
を成膜する条件 反応ガス： Ｓ ｉ Ｈａ −２５（ｓ ｃ ｃ ｍ
）Ｏｚ −２５０（ｓｃｃｍ） 圧カニ １．０ ［Ｔｏｒｒ：］ 温度：３００（’Ｃ〕 （２）エッチング・チャンバＩＢで二酸化シリコン膜を
エツチングする条件 反応ガス：Ｃ２Ｆ６＋Ｏ□−５００（ｓｃｃｍ）圧カニ
１０−２［Ｔｏ ｒ ｒ：１ 温度：３００（’Ｃ） 高周波パワー： １０ （Ｗ／ｃｍ２）である。
本発明に依る半導体デバイス製造装置は、製造ラインに
於ける複数の適所に配置することで、半導体ウェハの裏
面を常にきれいな状態にしておくことができる。
於ける複数の適所に配置することで、半導体ウェハの裏
面を常にきれいな状態にしておくことができる。
本発明に依る半導体デバイス製造装置に於いては、反応
室を半導体ウェハで閉塞可能な大きさの窓を有する隔壁
で仕切って形成したデポジション・チャンバ並びにエツ
チングチャンバと、前記デポジション・チャンバに設け
られた反応ガス吹き出し部材並びに排気管と、前記エッ
チング・チャンバに設けられた高周波印加用電極及びエ
ッチング・ガス供給管及び排気管と、少なくとも前記高
周波印加電極に高周波パワーを供給してプラズマを発生
させる高周波電源とを備えている。
室を半導体ウェハで閉塞可能な大きさの窓を有する隔壁
で仕切って形成したデポジション・チャンバ並びにエツ
チングチャンバと、前記デポジション・チャンバに設け
られた反応ガス吹き出し部材並びに排気管と、前記エッ
チング・チャンバに設けられた高周波印加用電極及びエ
ッチング・ガス供給管及び排気管と、少なくとも前記高
周波印加電極に高周波パワーを供給してプラズマを発生
させる高周波電源とを備えている。
前記構成を採ることに依り、半導体ウェハ表面に対する
ＣＶＤ膜の成膜及び半導体ウェハ裏面に対するエツチン
グを同時に実施可能であるからスルー・プツトを向上さ
せることができ、また、半導体ウェハを加熱するには、
裏面を工、７チングするための高周波プラズマを利用で
きるので、例えば、抵抗加熱器などを別設する必要はな
く、成膜とエンチングとを同時に行ない得るにも拘わら
ず、構成が比較的簡易であって、取り扱い及び保守など
に困難はない。
ＣＶＤ膜の成膜及び半導体ウェハ裏面に対するエツチン
グを同時に実施可能であるからスルー・プツトを向上さ
せることができ、また、半導体ウェハを加熱するには、
裏面を工、７チングするための高周波プラズマを利用で
きるので、例えば、抵抗加熱器などを別設する必要はな
く、成膜とエンチングとを同時に行ない得るにも拘わら
ず、構成が比較的簡易であって、取り扱い及び保守など
に困難はない。
第１図は本発明一実施例を説明するだめの要部切断側面
説明図を表している。 図に於いて、１は反応室、ＩＡはデポジション・チャン
バ、ｌＢはエッチング・チャンバ、２はデポジション・
チャンバＩＡとエッチング・チャンバｌＢとを分離する
隔壁、２Ａは隔壁２に形成された窓、２Ｂは窓２Ａの周
囲に於けるエッチング・チャンバＩＢ側に形成されたウ
ェハ載置用突縁、３はウェハ載置用突縁２Ｂ上に設けら
れたＯリング、４はデポジション・チャンバＩＡに於け
る反応ガス吹き出し部材、５はデポジション・チャンバ
ＬＡに於ける排気管、６はエッチング・チャンバＩＢに
於ける高周波印加用電極、７はエンチング・チャンバＩ
Ｂに於けるエッチング・ガス供給管、８はエッチング・
チャンバＩＢに於けろ０ 排気管、９は高周波電源、１０は半導体ウェハをそれぞ
れ示している。
説明図を表している。 図に於いて、１は反応室、ＩＡはデポジション・チャン
バ、ｌＢはエッチング・チャンバ、２はデポジション・
チャンバＩＡとエッチング・チャンバｌＢとを分離する
隔壁、２Ａは隔壁２に形成された窓、２Ｂは窓２Ａの周
囲に於けるエッチング・チャンバＩＢ側に形成されたウ
ェハ載置用突縁、３はウェハ載置用突縁２Ｂ上に設けら
れたＯリング、４はデポジション・チャンバＩＡに於け
る反応ガス吹き出し部材、５はデポジション・チャンバ
ＬＡに於ける排気管、６はエッチング・チャンバＩＢに
於ける高周波印加用電極、７はエンチング・チャンバＩ
Ｂに於けるエッチング・ガス供給管、８はエッチング・
チャンバＩＢに於けろ０ 排気管、９は高周波電源、１０は半導体ウェハをそれぞ
れ示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応室を半導体ウェハで閉塞可能な大きさの窓を有す
る隔壁で仕切って形成したデポジション・チャンバ並び
にエッチングチャンバと、 前記デポジション・チャンバに設けられた反応ガス吹き
出し部材並びに排気管と、 前記エッチング・チャンバに設けられた高周波印加用電
極及びエッチング・ガス供給管並びに排気管と、少なく
とも前記高周波印加電極に高周波パワーを供給してプラ
ズマを発生させる高周波電源とを備えてなることを特徴
とする半導体デバイス製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5997390A JPH03262123A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 半導体デバイス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5997390A JPH03262123A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 半導体デバイス製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03262123A true JPH03262123A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13128627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5997390A Pending JPH03262123A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 半導体デバイス製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03262123A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208590A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010521051A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-17 | アイクストロン、アーゲー | 改善された処理能力のための新規なプラズマシステム |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP5997390A patent/JPH03262123A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208590A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4545955B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2010-09-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010521051A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-17 | アイクストロン、アーゲー | 改善された処理能力のための新規なプラズマシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03230522A (ja) | タングステンの選択的付着方法 | |
| JPH03166373A (ja) | インライン型ｃｖｄ装置 | |
| JPS59199035A (ja) | 薄膜生成装置 | |
| US20080305275A1 (en) | CVD system and substrate cleaning method | |
| JPH02125876A (ja) | Ｃｖｄ装置の排気機構 | |
| JP3085364B2 (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JP3257356B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法並びに気相成長装置のクリーニング方法 | |
| JPH0260210B2 (ja) | ||
| JPH03262123A (ja) | 半導体デバイス製造装置 | |
| JPS592374B2 (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| US5164017A (en) | Method for cleaning reactors used for gas-phase processing of workpieces | |
| US20020192984A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, and substrate processing apparatus | |
| JPH0637074A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JP3563565B2 (ja) | 排気装置および排気方法 | |
| JPH0582450A (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| JP3935731B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びクリーニング方法及び成膜方法 | |
| JPS6128371B2 (ja) | ||
| JPS5953210B2 (ja) | 薄膜シリコン生成方法 | |
| JPH10147877A (ja) | ガスクリーニング方法 | |
| JPH07240379A (ja) | 薄膜形成法及びその装置 | |
| JP2001284256A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07292475A (ja) | プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置 | |
| JPS5970763A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0328191A (ja) | 有機金属気相成長用半導体製造装置及び方法 | |
| JPH06163484A (ja) | 半導体製造装置 |