JPH0260210B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0260210B2
JPH0260210B2 JP61144919A JP14491986A JPH0260210B2 JP H0260210 B2 JPH0260210 B2 JP H0260210B2 JP 61144919 A JP61144919 A JP 61144919A JP 14491986 A JP14491986 A JP 14491986A JP H0260210 B2 JPH0260210 B2 JP H0260210B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
wafer
psg
sih
dust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61144919A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS632330A (ja
Inventor
Masahide Nishimura
Kanetake Takasaki
Kenji Koyama
Atsuhiro Tsukune
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61144919A priority Critical patent/JPS632330A/ja
Priority to KR1019870006346A priority patent/KR900008970B1/ko
Priority to DE8787305566T priority patent/DE3764554D1/de
Priority to EP87305566A priority patent/EP0251650B1/en
Priority to US07/065,505 priority patent/US4781945A/en
Publication of JPS632330A publication Critical patent/JPS632330A/ja
Publication of JPH0260210B2 publication Critical patent/JPH0260210B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
    • H01L21/471—Inorganic layers
    • H01L21/473—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31625—Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 モノシラン（SiH4）＋ホスフイン（PH3）＋酸
素（O2）系の反応ガスを用いる気相成長におい
て、アンモニア（NH3）ガスを添加することに
よりゴミの発生を減少する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学気相成長方法に関するもので、さ
らに詳しく言えば、シラン（SiH4）＋ホスフイン
（PH3）＋酸素（O2）系のガスを用いて燐・シリ
ケート・ガラス（phosphorus silicateglass、
PSG）膜を成長する際に、アンモニア（NH3）
を添加して従来問題となつたゴミの発生を抑制す
る方法に関するものである。
〔従来の技術〕 ウエハ上に例えば絶縁膜となるPSGの膜を成
長するには、第３図に示す減圧化学気相成長
（CVD）法があり、同図で、３１はウエハ、３２
はウエハを載置するバスケツト、３３は石英管、
３４は（SiH4＋PH3）ガスの導入管、３５はO2
ガス導入管、３６は排気口であり、石英管３３内
の圧力は、排気口３６に連結された減圧排気系を
調整することによつて0.01Torrの減圧状態から
常圧状態の範囲に保たれる。
（SiH4＋PH3）ガスおよびO2ガスの流量は、
石英管３３の寸法、その内部に配置されるウエハ
の数、等の条件で異なるが、一般に減圧排気系の
調整によつて石英管３３内の圧力を0.2Torr程度
に保つようにする。石英管２３のまわりにはヒー
ター２７が配置されて石英管内の温度を300℃〜
450℃の範囲内の温度に保つ。
化学気相成長内の温度としては、常圧CVD法
では370℃〜900℃、減圧CVD法では350℃〜900
℃に保たれるが、ウエハ上にPSG膜を成膜する
例はカバー膜、層間絶縁膜の形成などのようにウ
エハ上にアルミニウム（Al）配線を形成した後
になされることが多く、その場合にはAlの融点
660℃よりも低い300℃〜450℃の範囲でPSGを成
長する必要があり、かかる温度範囲内での化学気
相成長法は一般に低温CVD法と呼称される。
他方、常圧CVDには第４図に模式的に示す装
置が用いられ、この装置ではウエハ３１はヒータ
ー３７の上のサセプタ３８上に配置され、ウエハ
３１の上方のガス供給部３９から（SiH4＋PH3
＋O2）ガスが供給され、図示の装置はガスが外
部に飛散することのないようチヤンバまたは囲い
の内に配置され、ヒーターはサセプタを前記した
300℃〜450℃の範囲の温度に加熱する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第３図、第４図に示す装置を用いる低温CVD
法においては気相反応が活発に発生し、第２図の
装置ではガスの導入管３４，３５の端部で成長す
る物質があり、それによつてガスの導入量に変化
が生じ、ウエハ上のPSG膜の成長の均一性を損
なうだけでなく、ガス導入管の端部に成長した前
記物質が吹き飛ばされてウエハ上にゴミてして付
着する問題がある。
PSGのCVD法による成長においては、SiH4＋
O2→SiO2＋H2O（温度が高い場合）またはSiO2＋
H2の反応と、PH3＋O2→P2O5＋H2OまたはP2O5
＋H2の反応とが発生し、ウエハ上にSiO2が成長
すると共にこの成長するSiO2内にP2O5が混入し
て燐・シリケート・ガラスの膜が作られる。しか
し、ガス導入管２４，２５の端部（ガスの出口）
のまわりでは、SiO2、P2O5、H2SiO3などが形成
され、それがガスの出口に堆積することが認めら
れる。
第４図に示す装置においては、ガス供給部３９
のウエハに面する部分に前記した成分が成長し、
それがウエハ上にゴミとして落下し、一例として
４インチ（10cm）径のウエハ１枚当り大きさ１mm
径程度のゴミが10個も認められた。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもの
で、第３図、第４図の従来のCVD装置を用いる
PSG化学気相成長において、前記したゴミの発
生を抑制することのできる化学気相成長方法を提
供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第１図は本実施例の断面図で、同図において、
１１はチヤンバ、１２はガス供給部、１３はウエ
ハ、１４はサセプタ、１５はヒーター、１６はバ
ルブ、１７はマスフローコントローラ、１８，１
９，２０，２１，２２はそれぞれSiH4、PH3、
O2、NH3、N2ガスを含むボンベ、２３は真空
計、２４はメカニカルポンプ、２５はロータリー
ポンプである。
本発明においては、（SiH4＋PH3＋O2）の反応
ガスを用いるPSGの低温化学気相成長法におい
て、アンモニア（NH3）ガスを反応ガスに添加
する。
〔作用〕
本発明者が実験によつて確認したところによる
と、（SiH4＋PH3＋O2）系のガスにNH3ガスを添
加することによつて、ガス供給部１２のウエハに
面したガスの出口の部分のウエハの温度よりも温
度の低いところでは、もともと気相反応が活発で
ないところにNH3ガスが添加されているので気
相反応が抑えられるが、反応ガスがヒーター２７
によつて加熱されたウエハ１３に到達したところ
では気相反応が活発に発生し、前記したゴミの発
生なしにPSG膜の成長が可能となる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
本願の発明者は、PSG膜の前記した低温CVD
成長におけるゴミの発生抑止に関する実験におい
て、各種のガスを（SiH4＋PH3＋O2）系反応ガ
スに添加して実験を行つた。すなわち、CO2、
Ar、NF3などのガスを反応ガスに添加してみた
が、それでもゴミの発生を抑制することができな
かつた。しかし、アンモニア（NH3）ガスを添
加することによつて以下に詳細に説明する良好な
結果が得られることを確認した。
第１図は本発明の方法を実施するに用いる装置
の断面図であり、第４図に示される如き従来の装
置にNH3ガスを供給するために、NH3ガスボン
ベ２１からバルブ１６、マスフローコントローラ
１７を経てNH3ガスをガス供給部１２に供給し、
そこでNH3ガスをSiH4ガス、PH3ガス、N2ガ
ス、O2ガスに混入する。ガス供給部１２は、ヒ
ーター１５からは一定の距離をへだててあるの
で、ウエハ１３の温度よりは低い温度に保たれ
る。
チヤンバ１１はメカニカルポンプ２４、ロータ
リーポンプ２５に連結されて排気され、これから
成る排気系のチヤンバ１１の近くには真空計２３
を配置しチヤンバ内の圧力を観測することができ
るようにする。真空計２３とメカニカルポンプの
間にはN2ガスボンベ２２がバルブ１６、マスフ
ローコントローラ１７を介して連結され、この系
のN2ガスの流量を調整することによつて、すな
わち排気圧を変更することによつてチヤンバ１１
内の圧力を調整する。
NH3ガスを添加することにより、いかなる理
由で従来のゴミの発生が抑制されるかについて
は、ガス供給部１２のヒーターからある距離をお
かれたガス出口部分では、化学気相反応がウエハ
の真上部におけるほど活発でないことに加え
NH3ガスが添加されていることによつて気相反
応は抑制されるが、（SiH4＋PH3＋O2）＋NH3ガ
スがヒーターによつて加熱されたウエハに到達し
たとき、反応ガスの気相反応が急激に発生する一
方で、ガスの出口部分では従来例にみられたゴミ
となる物質の形成が抑制されることによるものと
解される。
ゴミの発生が抑制されることの結果、反応ガス
はゴミによつて妨げられることなくガスの出口部
からウエハ上に到達し、ウエハ上で前記した範囲
の温度によつてPSG膜の成長が進行するものと
解される。第１図の装置を用いた場合の成長速度
は1000Å／minであつた。
第２図は、チヤンバ１１内における圧力（log.
で示す）とウエハ上のPSG膜の成長速度の関係
を示す線図で、図中、線ＡはNH3添加の場合
（SiH4：NH3＝１：２とした）、線ＢはNH3の添
加のない場合を示し、第２図からは次のことが理
解される。
NH3ガスの添加のない場合、ガス供給部１２
のウエハに面するガスの出口部分では前記した
SiH4＋O2→SiO2＋H2O（またはH2）およびPH3
＋O2→PO5＋H2O（またはH2）の反応によつて作
られた物質がウエハに向かつて供給されるガスの
量に影響を与え、PSGの成長速度はNH3ガスを
添加する場合よりも小であり、しかもPSGの成
長速度はチヤンバ１１内の圧力に反比例する。他
方、NH3ガスを添加する場合には、ガス供給部
１２のウエハに面するガスの出口部分で前記した
物質の発生が抑止され、設計値通りの量のガスの
供給が支障なくなされるので、PSGの成長速度
は安定したものとなる。
反応ガスとNH3ガスの流量は、NH3／（SiH4
＋PH3）が数％から数十％、またO2／SiH4が1.5
〜10の範囲にあるよう設定し、チヤンバ１１内の
圧力を0.2Torrに保つたところ、PSGの成長速度
は第２図に示す如く安定したものであることに加
えて、10cm（４インチ）径のウエハ上に1μｍ径
の大きさのゴミの発生が５個以内に抑えられるこ
とが確認された。
〔発明の効果〕
以上述べてきたように本発明によれば、（SiH4
＋PH3＋O2）系を用いるPSGの化学気相成長に
おいて、ウエハ上のゴミの数を従来例より半分以
下に減少することが可能になり、加えてPSGの
成長速度に安定したものであるので、半導体装置
の製造歩留りに有効である。第１図の装置はウエ
ハを１枚ずつ処理するシステムであるが、成長回
数が増しても、すなわち次々にウエハを出し入れ
して成長を行つてもゴミの発生を抑制しうる効果
が顕著であることが確かめられ、そのことはチヤ
ンバ１１の洗浄などに消費される労力と時間の節
減に寄与する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例断面図、第２図は本発明
の方法と従来例方法におけるPSG成長速度を示
す線図、第３図と第４図は従来のCVD装置の断
面図である。 第１図において、１１はチヤンバ、１２はガス
供給部、１３はウエハ、１４はサセプタ、１５は
ヒーター、１６はバルブ、１７はマスフローコン
トローラ、１８はSiH4ガスボンベ、１９はPH3
ガスボンベ、２０はO2ガスボンベ、２１はNH3
ガスボンベ、２２はN2ガスボンベ、２３は真空
計、２４はメカニカルポンプ、２５はロータリー
ポンプである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ モノシラン（SiH4）、ホスフイン（PH3）お
    よび酸素（O2）の反応ガスを用いる燐・シリケ
    ート・ガラスの成長において、 前記反応ガスにアンモニア（NH3）ガスを添
    加することを特徴とする化学気相成長方法。
JP61144919A 1986-06-23 1986-06-23 化学気相成長方法 Granted JPS632330A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61144919A JPS632330A (ja) 1986-06-23 1986-06-23 化学気相成長方法
KR1019870006346A KR900008970B1 (ko) 1986-06-23 1987-06-22 인규산 글라스(psg) 코팅 형성 공정
DE8787305566T DE3764554D1 (de) 1986-06-23 1987-06-23 Verfahren zum niederschlagen von phosphorsilikatglasschichten.
EP87305566A EP0251650B1 (en) 1986-06-23 1987-06-23 Process for the formation of phosphosilicate glass coating
US07/065,505 US4781945A (en) 1986-06-23 1987-06-23 Process for the formation of phosphosilicate glass coating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61144919A JPS632330A (ja) 1986-06-23 1986-06-23 化学気相成長方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS632330A JPS632330A (ja) 1988-01-07
JPH0260210B2 true JPH0260210B2 (ja) 1990-12-14

Family

ID=15373285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61144919A Granted JPS632330A (ja) 1986-06-23 1986-06-23 化学気相成長方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4781945A (ja)
EP (1) EP0251650B1 (ja)
JP (1) JPS632330A (ja)
KR (1) KR900008970B1 (ja)
DE (1) DE3764554D1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5112776A (en) * 1988-11-10 1992-05-12 Applied Materials, Inc. Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing
US5244841A (en) * 1988-11-10 1993-09-14 Applied Materials, Inc. Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing
EP0419053B1 (en) * 1989-08-31 1997-12-29 AT&T Corp. Dielectric film deposition method and apparatus
US5328872A (en) * 1989-12-29 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Method of integrated circuit manufacturing using deposited oxide
DE69231390D1 (de) * 1991-06-10 2000-10-05 At & T Corp Anisotropische Ablagerung von Dielektrika
US5434110A (en) * 1992-06-15 1995-07-18 Materials Research Corporation Methods of chemical vapor deposition (CVD) of tungsten films on patterned wafer substrates
FR2695118B1 (fr) * 1992-09-02 1994-10-07 Air Liquide Procédé de formation d'une couche barrière sur une surface d'un objet en verre.
US5854131A (en) * 1996-06-05 1998-12-29 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit having horizontally and vertically offset interconnect lines
US5773361A (en) * 1996-11-06 1998-06-30 International Business Machines Corporation Process of making a microcavity structure and applications thereof
US6013584A (en) * 1997-02-19 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications
US6073576A (en) 1997-11-25 2000-06-13 Cvc Products, Inc. Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment
US6734564B1 (en) * 1999-01-04 2004-05-11 International Business Machines Corporation Specially shaped contact via and integrated circuit therewith
US20040134352A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-15 David Stacey Silica trap for phosphosilicate glass deposition tool
DE102008035235B4 (de) * 2008-07-29 2014-05-22 Ivoclar Vivadent Ag Vorrichtung zur Erwärmung von Formteilen, insbesondere dentalkeramischen Formteilen
JP7294858B2 (ja) * 2019-04-09 2023-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53112066A (en) * 1977-03-11 1978-09-30 Fujitsu Ltd Plasma treatment apparatus
JPS5559729A (en) * 1978-10-27 1980-05-06 Fujitsu Ltd Forming method of semiconductor surface insulating film
EP0047112B1 (en) * 1980-08-29 1985-11-27 Fujitsu Limited Method of forming phosphosilicate glass films
US4451969A (en) * 1983-01-10 1984-06-05 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
US4781945A (en) 1988-11-01
EP0251650A1 (en) 1988-01-07
DE3764554D1 (de) 1990-10-04
KR880001042A (ko) 1988-03-31
KR900008970B1 (ko) 1990-12-15
EP0251650B1 (en) 1990-08-29
JPS632330A (ja) 1988-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5584963A (en) Semiconductor device manufacturing apparatus and cleaning method for the apparatus
US6544345B1 (en) Method and system for in-situ cleaning of semiconductor manufacturing equipment using combination chemistries
US11837466B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium
JPH0260210B2 (ja)
US4501769A (en) Method for selective deposition of layer structures consisting of silicides of HMP metals on silicon substrates and products so-formed
US20020185067A1 (en) Apparatus and method for in-situ cleaning of a throttle valve in a CVD system
US10593545B2 (en) Method for substrate processing using exhaust ports
US9620395B2 (en) Apparatus for processing substrate for supplying reaction gas having phase difference
US9953850B2 (en) Substrate processing apparatus including heat-shield plate
JPH07176484A (ja) 窒化アルミニューム面を有するサセプタをサセプタの浄化後珪化タングステンで処理することによって半導体ウエハ上に珪化タングステンを一様に堆積する方法
JPH04323377A (ja) Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP2504611B2 (ja) 気相成長装置
JPS6313343B2 (ja)
JP2020119920A (ja) 基板処理装置の洗浄方法、および基板処理装置
JPH1050615A (ja) 枚葉式気相成長装置
US12033852B2 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US20220277955A1 (en) Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
JP3153644B2 (ja) 薄膜形成方法
JP2677230B2 (ja) ＴｉＮ膜の形成方法
JP2002289615A (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JPS6273729A (ja) ＳｉＯ↓２膜の形成方法
TW202330973A (zh) 拓樸選擇性沉積方法
JP2001023910A (ja) 半導体製造装置
JPS63205914A (ja) 半導体製造装置
JPH07161646A (ja) 多結晶膜作成方法