JP2001023910A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2001023910A JP2001023910A JP2000170532A JP2000170532A JP2001023910A JP 2001023910 A JP2001023910 A JP 2001023910A JP 2000170532 A JP2000170532 A JP 2000170532A JP 2000170532 A JP2000170532 A JP 2000170532A JP 2001023910 A JP2001023910 A JP 2001023910A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャワー内のガス冷却を行うことができると
ともに、反応室内に均一なガス供給を行うことができ、
ガス噴き出し口附近でガス反応を抑えることができ、組
成分布、膜圧分布等を良好にして安定に成膜することが
でき、しかも装置をコンパクト化することができる半導
体製造装置を提供すること。 【解決手段】 ガスまたは液体を反応させる反応室２に
取付けられたプレート内に画成され、前記ガスまたは液
体を反応室２内に分離供給する複数の分離供給室１ａ、
１ｂ、１ｃと、該複数の分離供給室にそれぞれ接続さ
れ、前記ガスまたは液体を前記複数の分離供給室から前
記反応室２に導入する複数の導入管４とからなるシャワ
ー７を設け、前記分離供給室を隣接するように構成する
とともに、前記プレートの外周部に冷却手段８を設け、
該冷却手段８を前記複数の分離供給室の全てに接するよ
うに配設した。
ともに、反応室内に均一なガス供給を行うことができ、
ガス噴き出し口附近でガス反応を抑えることができ、組
成分布、膜圧分布等を良好にして安定に成膜することが
でき、しかも装置をコンパクト化することができる半導
体製造装置を提供すること。 【解決手段】 ガスまたは液体を反応させる反応室２に
取付けられたプレート内に画成され、前記ガスまたは液
体を反応室２内に分離供給する複数の分離供給室１ａ、
１ｂ、１ｃと、該複数の分離供給室にそれぞれ接続さ
れ、前記ガスまたは液体を前記複数の分離供給室から前
記反応室２に導入する複数の導入管４とからなるシャワ
ー７を設け、前記分離供給室を隣接するように構成する
とともに、前記プレートの外周部に冷却手段８を設け、
該冷却手段８を前記複数の分離供給室の全てに接するよ
うに配設した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体に用いる絶
縁膜、金属膜等の薄膜を気相成長法により形成する際
の、ガスを供給するシャワーを有する半導体製造装置に
適用することができ、特に均一なガス供給を行うことが
でき、反応室内のガス噴き出し口附近でガス反応を抑え
ることができる半導体製造装置に関する。
縁膜、金属膜等の薄膜を気相成長法により形成する際
の、ガスを供給するシャワーを有する半導体製造装置に
適用することができ、特に均一なガス供給を行うことが
でき、反応室内のガス噴き出し口附近でガス反応を抑え
ることができる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩデバイスでは、個々の膜の薄膜
化が著しく、大口径基板上に均一に薄膜を形成しなけれ
ばならない。そして、選択成長等、気相成長法を用いる
成膜では、基板の侵食防止または選択性の維持等が要求
されている。
化が著しく、大口径基板上に均一に薄膜を形成しなけれ
ばならない。そして、選択成長等、気相成長法を用いる
成膜では、基板の侵食防止または選択性の維持等が要求
されている。
【０００３】このため、均一なガス供給を行うことがで
き、反応室内のガス噴き出し口附近でガスの反応を抑え
ることができる半導体製造装置が要求されている。
き、反応室内のガス噴き出し口附近でガスの反応を抑え
ることができる半導体製造装置が要求されている。
【０００４】従来、半導体に用いる絶縁膜、金属膜等の
薄膜を気相成長法により形成する際のガス供給には、図
２（ａ）に示すように、ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ
を用いてシリコン等からなる基板３２が設置された反応
室３３内にガスを供給する方法と、図２（ｂ）に示すよ
うに、シャワー３４を用いて反応室３３内にガスをシャ
ワー状にして供給する方法と、図２（ｃ）に示すよう
に、ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ（シャワーでもよ
い）と基板３２との距離を適当に離してガスを供給する
方法等とが挙げられる。
薄膜を気相成長法により形成する際のガス供給には、図
２（ａ）に示すように、ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ
を用いてシリコン等からなる基板３２が設置された反応
室３３内にガスを供給する方法と、図２（ｂ）に示すよ
うに、シャワー３４を用いて反応室３３内にガスをシャ
ワー状にして供給する方法と、図２（ｃ）に示すよう
に、ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ（シャワーでもよ
い）と基板３２との距離を適当に離してガスを供給する
方法等とが挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した図２（ａ）に
示すノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃを用いてガスを供給
する方法では、ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃのガス噴
き出し口附近でガスの濃度分布が生じており、特にノズ
ル３１ａとノズル３１ｂ間の領域（あるいはノズル３１
ｂとノズル３１ｃ間）で高濃度になっており、しかも、
ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃと基板３１間の距離が近
い場合、ガス噴き出し口附近では高温になっている。こ
のため、この高濃度になっている領域で反応が起って生
成物が形成されてしまい、この生成物がゴミ（パーティ
クル）になって安定した成膜を行い難いという問題があ
った。
示すノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃを用いてガスを供給
する方法では、ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃのガス噴
き出し口附近でガスの濃度分布が生じており、特にノズ
ル３１ａとノズル３１ｂ間の領域（あるいはノズル３１
ｂとノズル３１ｃ間）で高濃度になっており、しかも、
ノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃと基板３１間の距離が近
い場合、ガス噴き出し口附近では高温になっている。こ
のため、この高濃度になっている領域で反応が起って生
成物が形成されてしまい、この生成物がゴミ（パーティ
クル）になって安定した成膜を行い難いという問題があ
った。
【０００６】また、上記した図２（ｂ）に示すシャワー
３４を用いてガスを供給する方法もノズル３１ａ、３１
ｂ、３１ｃのみを用いてガスを供給する方法と同様、シ
ャワー３４内のノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃのガス噴
き出し口付近ではガスの濃度分布が生じており、特に各
ガス噴き出し口間の領域で高濃度になっており、しか
も、シャワー３４内では高温になっている。このため、
この高濃度になっている領域で反応が起って生成物が形
成されてしまい、この生成物がゴミとなったり、このゴ
ミによりシャワー３４のガス噴き出し口が塞がってしま
って安定した成膜を行い難いという問題があった。
３４を用いてガスを供給する方法もノズル３１ａ、３１
ｂ、３１ｃのみを用いてガスを供給する方法と同様、シ
ャワー３４内のノズル３１ａ、３１ｂ、３１ｃのガス噴
き出し口付近ではガスの濃度分布が生じており、特に各
ガス噴き出し口間の領域で高濃度になっており、しか
も、シャワー３４内では高温になっている。このため、
この高濃度になっている領域で反応が起って生成物が形
成されてしまい、この生成物がゴミとなったり、このゴ
ミによりシャワー３４のガス噴き出し口が塞がってしま
って安定した成膜を行い難いという問題があった。
【０００７】上記シャワー３４内が高温になるという問
題を解決する手段としてはシャワー３４側面またはシャ
ワー３４上面に冷却手段を設ければよいと考えられる
が、シャワー３４内は中空であるため熱伝導が非常に悪
く冷却手段を設けてもシャワー３４内を冷却させるには
ほとんど効果がなかった。
題を解決する手段としてはシャワー３４側面またはシャ
ワー３４上面に冷却手段を設ければよいと考えられる
が、シャワー３４内は中空であるため熱伝導が非常に悪
く冷却手段を設けてもシャワー３４内を冷却させるには
ほとんど効果がなかった。
【０００８】上記のように濃度分布が生じると堆積速度
に影響し、膜厚分布を悪くするという問題があった。ま
た、混合ガスを用いた場合は混合が不均一になるため組
成分布や膜圧分布を悪くし、選択成長の場合は異常成長
が起き易いという問題があった。
に影響し、膜厚分布を悪くするという問題があった。ま
た、混合ガスを用いた場合は混合が不均一になるため組
成分布や膜圧分布を悪くし、選択成長の場合は異常成長
が起き易いという問題があった。
【０００９】上記生成物の発生は反応性の高いガス（例
えばＳｉＨ4ガス＋Ｏ2ガス、 ＳｉＨ4ガス＋ＷＦ6ガ
ス）を用いる際特に多量に発生する傾向がある。
えばＳｉＨ4ガス＋Ｏ2ガス、 ＳｉＨ4ガス＋ＷＦ6ガ
ス）を用いる際特に多量に発生する傾向がある。
【００１０】上記濃度分布が生じるという問題を解消す
るために、図２（ｃ）に示すように、ノズル３１ａ、３
１ｂ、３１ｃ（あるいはシャワー）と基板３２の距離を
離して濃度分布を小さくしガス噴き出し口付近を低温に
して反応を抑える方法が挙げられるが、この方法では装
置自身のサイズが大きくなり、減圧する等のメンテナン
スが非常に面倒になり、あるいはガスが分散するため収
率が低下し、コストが高くなる等の問題があり実用的で
なかった。
るために、図２（ｃ）に示すように、ノズル３１ａ、３
１ｂ、３１ｃ（あるいはシャワー）と基板３２の距離を
離して濃度分布を小さくしガス噴き出し口付近を低温に
して反応を抑える方法が挙げられるが、この方法では装
置自身のサイズが大きくなり、減圧する等のメンテナン
スが非常に面倒になり、あるいはガスが分散するため収
率が低下し、コストが高くなる等の問題があり実用的で
なかった。
【００１１】そこで、本発明は、シャワー内のガス冷却
を行うことができるとともに、反応室内に均一なガス供
給を行うことができ、ガス噴き出し口附近でガス反応を
抑えることができ、組成分布、膜圧分布等を良好にして
安定に成膜することができ、しかも装置をコンパクト化
することができる半導体製造装置を提供することを目的
としている。
を行うことができるとともに、反応室内に均一なガス供
給を行うことができ、ガス噴き出し口附近でガス反応を
抑えることができ、組成分布、膜圧分布等を良好にして
安定に成膜することができ、しかも装置をコンパクト化
することができる半導体製造装置を提供することを目的
としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体製造
装置は上記目的達成のため、少なくとも１種類以上のガ
スまたは液体を用いて気相または液相成長法により成膜
する半導体製造装置において、ガスまたは液体を反応さ
せる反応室に取付けられたプレート内に画成され、前記
ガスまたは液体を反応室内に分離供給する複数の分離供
給室と、該複数の分離供給室にそれぞれ接続され、前記
ガスまたは液体を前記複数の分離供給室から前記反応室
に導入する複数の導入管とからなるシャワーを設け、前
記分離供給室を隣接するように構成するとともに、前記
プレートの外周部に冷却手段を設け、該冷却手段を前記
複数の分離供給室の全てに接するように配設したもので
ある。
装置は上記目的達成のため、少なくとも１種類以上のガ
スまたは液体を用いて気相または液相成長法により成膜
する半導体製造装置において、ガスまたは液体を反応さ
せる反応室に取付けられたプレート内に画成され、前記
ガスまたは液体を反応室内に分離供給する複数の分離供
給室と、該複数の分離供給室にそれぞれ接続され、前記
ガスまたは液体を前記複数の分離供給室から前記反応室
に導入する複数の導入管とからなるシャワーを設け、前
記分離供給室を隣接するように構成するとともに、前記
プレートの外周部に冷却手段を設け、該冷却手段を前記
複数の分離供給室の全てに接するように配設したもので
ある。
【００１３】本発明においては、少なくとも１種類以上
のガスまたは液体を用いて成膜する場合であればよく、
例えば１種類のガスまたは液体を用いて成膜する場合に
は単結晶シリコン膜、ポリシリコン膜、アモルファスシ
リコン膜、Ｇｅ膜等の成膜を形成する場合が挙げられ
る。また、成長方法としては気相成長法のみならず液相
成長法であってもよく、この液相成長法としては例えば
ＴＥＯＳとＨ2ＯによりＳｉＯ2膜を形成する場合が挙げ
られる。
のガスまたは液体を用いて成膜する場合であればよく、
例えば１種類のガスまたは液体を用いて成膜する場合に
は単結晶シリコン膜、ポリシリコン膜、アモルファスシ
リコン膜、Ｇｅ膜等の成膜を形成する場合が挙げられ
る。また、成長方法としては気相成長法のみならず液相
成長法であってもよく、この液相成長法としては例えば
ＴＥＯＳとＨ2ＯによりＳｉＯ2膜を形成する場合が挙げ
られる。
【００１４】また、本発明においては各分離供給室はシ
ャワー内で垂直方向に配置されている場合であってもよ
い。
ャワー内で垂直方向に配置されている場合であってもよ
い。
【００１５】（作用）本発明では、図１に示すように、
分離供給室１ａ、１ｂから各々ガス導入管４を介して多
孔板５のガス噴き出し口６まで均一なガスが導入されて
いるため、反応室２内に均一なガス供給を行うことがで
きる。なお、ここでは分離供給室１ｃからはガス導入管
４を介さずに直接多孔板５のガス噴き出し口まで均一な
ガスが導入される。そして、シャワー７側面には冷却手
段８が設けられており、各分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ
がシャワー７のプレートで覆われているため、従来のシ
ャワー７内が中空の場合よりも熱伝導が非常に良くなる
ため、分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ内の冷却効果を向上
させることができる。このため、従来よりも冷却され、
かつ均一なガスを反応室２内に供給することができるた
め多孔板５のガス噴き出し口６付近でガスの濃度分布を
生じ難くすることができる。しかも、従来のノズルでガ
スを供給する場合（シャワー内でノズルでガスを供給す
る場合も同様）よりもガスを均等に分配して供給してい
るため、多孔板５のガス噴き出し口６付近ではガス濃度
を低濃度にすることができる。
分離供給室１ａ、１ｂから各々ガス導入管４を介して多
孔板５のガス噴き出し口６まで均一なガスが導入されて
いるため、反応室２内に均一なガス供給を行うことがで
きる。なお、ここでは分離供給室１ｃからはガス導入管
４を介さずに直接多孔板５のガス噴き出し口まで均一な
ガスが導入される。そして、シャワー７側面には冷却手
段８が設けられており、各分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ
がシャワー７のプレートで覆われているため、従来のシ
ャワー７内が中空の場合よりも熱伝導が非常に良くなる
ため、分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ内の冷却効果を向上
させることができる。このため、従来よりも冷却され、
かつ均一なガスを反応室２内に供給することができるた
め多孔板５のガス噴き出し口６付近でガスの濃度分布を
生じ難くすることができる。しかも、従来のノズルでガ
スを供給する場合（シャワー内でノズルでガスを供給す
る場合も同様）よりもガスを均等に分配して供給してい
るため、多孔板５のガス噴き出し口６付近ではガス濃度
を低濃度にすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１７】図１は本発明に係る半導体製造装置の一実
施形態を説明する図である。図１において、１ａ、１
ｂ、１ｃは反応室２に取付けられたプレート内に画成さ
れ、各ガスを反応室２内に分離供給する分離供給室で、
分離供給室１ａには反応ガスとしてＳｉＨ4ガスがガス
入口３ａから導入され、分離供給室１ｂにはキャリアガ
スとしてＨ2ガスがガス入口３ｂから導入され、分離供
給室１ｃには反応ガスとしてＷＦ6ガスがガス入口３ｃ
から導入される。４は各々分離供給室１ａ、１ｂと接続
され、各ガスを多孔板５のガス噴き出し口６まで導入す
るガス導入管である。なお、ここでは、分離供給室１ｃ
からはガス導入管４を介さずに直接多孔板５のガス噴き
出し口までガスが導入される。多孔板５はガス導入管４
と接続され、ガス導入管４からの各ガスをガス噴き出し
口６を介して反応室２内に導入するとともに、分離供給
室１ｃからのガスをガス噴き出し口６を介して反応室２
内に導入するようになっている。７はシャワーで、この
シャワー７は分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ、ガス導入管
４及びガス噴き出し口６を有する多孔板５からなってい
る。８はシャワー７のプレートの外周部に設けられると
ともに、隣接するように構成された複数の分離供給室の
全てに接するように配設された冷却手段、９はカーボン
（石英、金属等でもよい）からなるサセブタ１０上に設
けられたウエハ、１１はガス排気ロ、１２はウエハ９を
加熱するＩＲランプである。
施形態を説明する図である。図１において、１ａ、１
ｂ、１ｃは反応室２に取付けられたプレート内に画成さ
れ、各ガスを反応室２内に分離供給する分離供給室で、
分離供給室１ａには反応ガスとしてＳｉＨ4ガスがガス
入口３ａから導入され、分離供給室１ｂにはキャリアガ
スとしてＨ2ガスがガス入口３ｂから導入され、分離供
給室１ｃには反応ガスとしてＷＦ6ガスがガス入口３ｃ
から導入される。４は各々分離供給室１ａ、１ｂと接続
され、各ガスを多孔板５のガス噴き出し口６まで導入す
るガス導入管である。なお、ここでは、分離供給室１ｃ
からはガス導入管４を介さずに直接多孔板５のガス噴き
出し口までガスが導入される。多孔板５はガス導入管４
と接続され、ガス導入管４からの各ガスをガス噴き出し
口６を介して反応室２内に導入するとともに、分離供給
室１ｃからのガスをガス噴き出し口６を介して反応室２
内に導入するようになっている。７はシャワーで、この
シャワー７は分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ、ガス導入管
４及びガス噴き出し口６を有する多孔板５からなってい
る。８はシャワー７のプレートの外周部に設けられると
ともに、隣接するように構成された複数の分離供給室の
全てに接するように配設された冷却手段、９はカーボン
（石英、金属等でもよい）からなるサセブタ１０上に設
けられたウエハ、１１はガス排気ロ、１２はウエハ９を
加熱するＩＲランプである。
【００１８】まず、図１に示す成長装置を用いて以下に
示す成長条件でＣＶＤ−Ｗの選択成長を行った。下地に
シリコン面が露出しているコンタクトホールを有するウ
エハ９を用い、タングステンをコンタクトホール内に埋
め込む選択成長の場合である。
示す成長条件でＣＶＤ−Ｗの選択成長を行った。下地に
シリコン面が露出しているコンタクトホールを有するウ
エハ９を用い、タングステンをコンタクトホール内に埋
め込む選択成長の場合である。
【００１９】（成長条件）ＷＦ6ガス／Ｈ2ガス／ＳｉＨ
4ガスの流量：５ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／３ｓｃｃ
ｍ、成長温度３００℃、成長圧力：０．２Ｔｏｒｒ、堆
積時間：１２０秒
4ガスの流量：５ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／３ｓｃｃ
ｍ、成長温度３００℃、成長圧力：０．２Ｔｏｒｒ、堆
積時間：１２０秒
【００２０】その結果、従来のノズル、シャワーを有す
る製造装置を用いる場合よりもパーティクルの発生を少
なくすることができ、組成分布、膜厚分布に優れたＷ膜
を形成することができた。
る製造装置を用いる場合よりもパーティクルの発生を少
なくすることができ、組成分布、膜厚分布に優れたＷ膜
を形成することができた。
【００２１】すなわち、上記実施形態では、反応室２に
取付けられたプレート内に画成され、各ガスを反応室２
内に分離供給する分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃと、分離
供給室１ａ、１ｂと接続され、多孔板５のガス噴き出し
口６まで導入するガス導入管４、このガス導入管４と接
続され、ガス導入管４からのガスをガス噴き出し口６を
介して反応室２内に導入する多孔板５とからシャワー７
を構成している。このように、分離供給室１ａ、１ｂか
らガス導入管４を介して多孔板５のガス噴き出し口６ま
で均一なガスが導入されるため、反応室２内に均一なガ
ス供給を行うことができる。なお、ここでは分離供給室
１ｃからはガス導入管４を介さずに直接多孔板５のガス
噴き出し口６まで均一なガスが導入される。そして、分
離供給室１ａ、１ｂ、１ｃを隣接するように構成すると
ともに、シャワー７のプレートの外周部に冷却手段８を
設け、冷却手段８を複数の分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ
の全てに接するように配設しており、各分離伏給室１
ａ、１ｂ、１ｃがシャワー７のプレートで覆われている
ため従来のシャワー７内が中空の場合よりも熱伝導が非
常に良くなるため、分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ内の冷
却効果を向上させることができる。このため、従来より
も冷却され、かつ均一なガスを反応室２内に供給するこ
とができるため、多孔板５のガス噴き出し口６附近でガ
スの濃度分布を生じ難くすることができる。しかも、従
来のノズルでガスを供給する場合（シャワー内でノズル
でガスを供給する場合も同様）よりもガスを均等に分配
して供給しているため、多孔板５のガス噴き出し口６附
近ではガス濃度を低濃度にすることができる。したがっ
て、ガス噴き出し口６附近でガス反応を抑えることがで
き、組成分布、膜厚分布等を良好にして安定に成膜する
ことができ、しかも装置をコンパクト化することができ
る。
取付けられたプレート内に画成され、各ガスを反応室２
内に分離供給する分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃと、分離
供給室１ａ、１ｂと接続され、多孔板５のガス噴き出し
口６まで導入するガス導入管４、このガス導入管４と接
続され、ガス導入管４からのガスをガス噴き出し口６を
介して反応室２内に導入する多孔板５とからシャワー７
を構成している。このように、分離供給室１ａ、１ｂか
らガス導入管４を介して多孔板５のガス噴き出し口６ま
で均一なガスが導入されるため、反応室２内に均一なガ
ス供給を行うことができる。なお、ここでは分離供給室
１ｃからはガス導入管４を介さずに直接多孔板５のガス
噴き出し口６まで均一なガスが導入される。そして、分
離供給室１ａ、１ｂ、１ｃを隣接するように構成すると
ともに、シャワー７のプレートの外周部に冷却手段８を
設け、冷却手段８を複数の分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ
の全てに接するように配設しており、各分離伏給室１
ａ、１ｂ、１ｃがシャワー７のプレートで覆われている
ため従来のシャワー７内が中空の場合よりも熱伝導が非
常に良くなるため、分離供給室１ａ、１ｂ、１ｃ内の冷
却効果を向上させることができる。このため、従来より
も冷却され、かつ均一なガスを反応室２内に供給するこ
とができるため、多孔板５のガス噴き出し口６附近でガ
スの濃度分布を生じ難くすることができる。しかも、従
来のノズルでガスを供給する場合（シャワー内でノズル
でガスを供給する場合も同様）よりもガスを均等に分配
して供給しているため、多孔板５のガス噴き出し口６附
近ではガス濃度を低濃度にすることができる。したがっ
て、ガス噴き出し口６附近でガス反応を抑えることがで
き、組成分布、膜厚分布等を良好にして安定に成膜する
ことができ、しかも装置をコンパクト化することができ
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、複数のガスまたは液体
はシャワーのプレートと接触することで均一に冷却され
るとともに反応室内に均一に供給されるので、噴き出し
口附近での反応を抑えることができるとともに成膜する
ウエハ表面での濃度を一様にすることができ、組成分
布、膜圧分布等を良好にして安定に成膜することがで
き、しかも装置をコンパクト化することができるという
効果がある。
はシャワーのプレートと接触することで均一に冷却され
るとともに反応室内に均一に供給されるので、噴き出し
口附近での反応を抑えることができるとともに成膜する
ウエハ表面での濃度を一様にすることができ、組成分
布、膜圧分布等を良好にして安定に成膜することがで
き、しかも装置をコンパクト化することができるという
効果がある。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の一実施形態の製
造装置を示す概略図
造装置を示す概略図
【図２】従来の製造装置を示す概略図
１ａ、１ｂ、１ｃ……分離供給室 ２……反応室 ４……ガス導入管 ５……多孔板 ６……ガス噴き出し口 ７……シャワー ８……冷却手段
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも１種類以上のガスまたは液体を
用いて気相または液相成長法により成膜する半導体製造
装置において、ガスまたは液体を反応させる反応室に取
付けられたプレート内に画成され、前記ガスまたは液体
を反応室内に分離供給する複数の分離供給室と、該複数
の分離供給室にそれぞれ接続され、前記ガスまたは液体
を前記複数の分離供給室から前記反応室に導入する複数
の導入管とからなるシャワーを設け、前記分離供給室を
隣接するように構成するとともに、前記プレートの外周
部に冷却手段を設け、該冷却手段を前記複数の分離供給
室の全てに接するように配設したことを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】前記各分離供給室が前記シャワー内で垂直
方向に配置されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000170532A JP2001023910A (ja) | 2000-01-01 | 2000-06-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000170532A JP2001023910A (ja) | 2000-01-01 | 2000-06-07 | 半導体製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17100390A Division JPH0458530A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023910A true JP2001023910A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=18673235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000170532A Pending JP2001023910A (ja) | 2000-01-01 | 2000-06-07 | 半導体製造装置 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020087535A (ko) * | 2001-05-14 | 2002-11-23 | 삼성전자 주식회사 | 화학증기증착 쳄버의 개스공급장치 |
| DE102005055468A1 (de) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
| CN105200395A (zh) * | 2014-06-18 | 2015-12-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于mocvd设备的进气及冷却装置 |
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2000
- 2000-06-07 JP JP2000170532A patent/JP2001023910A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| KR20020087535A (ko) * | 2001-05-14 | 2002-11-23 | 삼성전자 주식회사 | 화학증기증착 쳄버의 개스공급장치 |
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| CN105200395B (zh) * | 2014-06-18 | 2017-11-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于mocvd设备的进气及冷却装置 |
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