JPS59199035A - 薄膜生成装置 - Google Patents

薄膜生成装置

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JPS59199035A
JPS59199035A JP7342683A JP7342683A JPS59199035A JP S59199035 A JPS59199035 A JP S59199035A JP 7342683 A JP7342683 A JP 7342683A JP 7342683 A JP7342683 A JP 7342683A JP S59199035 A JPS59199035 A JP S59199035A
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JP
Japan
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reaction chamber
thin film
chamber
efficiency
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP7342683A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Tozono
東園　良一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd filed Critical Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明はガス状の化合物を導入した反応室内にプラズマ
を発生させ１．化合物を分解して分解生成物を反応室内
に配置された基板上に堆積させる薄りコンは、シリコン
を含むガス状の化合物を反応室内に導入し、その反応室
内に設置した相対向する一対の電極間に高周波電圧ある
いは直流電圧を印加することによりプラズマを発生させ
、化合物をプラズマのエネルギーにより分解して分解生
成物の薄膜を一方の電極上に配置した基板表面に堆積す
ることにより生成できることが知られている。
この場合ガス状の化合物を分解させるのに適当なエネル
ギーが供給され、また反応室内のガス圧力が適切な値に
制御されても、生成したアモルファスシリコンは供給化
合物中のシリコンの１０％程度より得られず、９０％の
化合物ガスは分解されないままあるいは分解されても基
板上に堆積しないで排気されていた。
（発明の目的） それ故、本発明はこのような分解生成物の生成効率を高
めた薄膜生成装置を提供することを目的とする。
（発明の要点） 本発明は薄膜生成装置が直列に連通ずる複数の反応室を
有し、各反応室はそれぞれプラズマ発生手段゛を備え、
一端の反応室はガス状化合物供給源に、他端の反応室は
排気管に接続され、その他端の反応室内にのみ分解生成
物を堆積させる基板が配置されることにより、未分解で
排気される化合物を減少せしめて薄膜生成効率を向上さ
せ、上記の目的を達成するものである。
（発明の実施例） 第１図は本発明の一実施例による薄膜生成装置の概略図
である。第１図において主反応室１と予備反応室２は接
続管３によって連結されている。
主反応室１内には加熱ヒータ４を備えた基板支持部５の
上方に平板電極６が配置され、予備反応室ｚ内には上下
に対向する平板電極７，８が配置されている。平板電極
６および８はそれぞれ反応室壁を絶縁体２０を介して貫
通する導体２１により高周波電源９．１０に接続され、
基板支持部５および下部電極８は接地されている。予備
反応室２は導入管１１を介して化合物ガス供給源に、ま
た主反応室１は排気管１２を介して真空ポンプ１３に接
続されている。
次にこの装置を用いての生成操作について説明する。基
板１４を主反応室１の基板支持部５に載置し、加熱ヒー
タ４により加熱する。そして、真空ポンプ１３により主
反応室１、接続管３、予備反応室２およｄ導入管１１の
内部を真空状態にしながら、導入管ｌｌより、例えばシ
ランガスを予備室２、接続管３および主反応室１内に導
入し所望の圧力にする。次に主反応室内の平板電極６に
高周波電源９により高周波電力を供給し、プラズマを発
生させるとともに、予備室ｚ内の上部平板電極７に高周
波電源１０により高周波電力を供給しプラズマを発生さ
せて、主反応室１内及び予備室２内のシランガスを分解
する。主反応室ｌ内で分解されたガスは一部基板１４に
堆積するが、大部分は真空ポンプ１３により排気される
。予備室ｚ内で分解されたガスは接続管３を通り主反応
室１内に移動し、さらに主反応室１内のプラズマにより
分解され基板１４に堆積する。上記のプロセスを連続的
に行なうことにより基板１４に所望の厚さのアモルファ
スシリコン薄膜を生成することが可能である。
（発明の効果） 以上述べたように本発明は基板を配置した主反応室の前
に直列に予備反応室を置き、各反応室にそれぞれプラズ
マを発生させて化合物ガスを分解させるものであり、従
来の一反応室内では分解されないで排気されていた分の
多かった化合物ガスの分解効率を高め、また主反応室内
に入る前に予め分解することにより堆積効率を高めるこ
とによって薄膜生成効率を従来よりも格段に向上させる
ことができた。従って特に製造原価の低減が要求される
太陽電池用アモルファスシリコン薄膜生成に対し極めて
有効に使用される。
なお本発明は上記実施例に限定されることなく、複数の
予備反応室を備えて直列に主反応室に接続するか、ある
いは個々にガス供給源および主反応室に接続してもよい
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の構成を概念的に示す断面図
である。 １：主反応室、２：予備反応室、３：接続管、５：基板
支持部、６，７，８：平板電極、９．１０：高周波電源
、１１：導入管、工２：排気管、１４：基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）ガス状の化合物を導入した反応室内にプラズマを発
    生させ、前記化合物を分解して分解生成物を反応室内に
    配置された基板上に薄膜として堆積させるものにおいて
    、直列に連通ずる複数の反応室を有し、各反応室はそれ
    ぞれプラズマ発生手段を備え、一端の反応室は前記化合
    物の供給源に、他端の反応室は排気管に接続され、該他
    端の反応室内にのみ前記基板が配置されたことを特徴と
    する薄膜生成装置。
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