JP3276445B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適したプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスに使用される薄膜の製造に適したプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと
記す）薄膜を製造するために、従来より用いられている
プラズマＣＶＤ装置の構成を図５を参照して説明する。
記す）薄膜を製造するために、従来より用いられている
プラズマＣＶＤ装置の構成を図５を参照して説明する。
【０００３】反応容器１内には、高周波電極２と基板加
熱用ヒータ３とが平行に配置されている。高周波電極２
には、高周波電源４からインピーダンス整合器５を介し
て例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。
基板加熱用ヒータ３は、反応容器１とともに接地され、
接地電極となっている。したがって、高周波電極２と基
板加熱用ヒータ３との間でグロー放電プラズマが発生す
る。反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス
導入管６を通して例えばモノシランと水素との混合ガス
が供給される。反応容器１内のガスは、排気管７を通し
て真空ポンプ８により排気される。基板９は、基板加熱
用ヒータ３上に保持され、所定の温度に加熱される。
熱用ヒータ３とが平行に配置されている。高周波電極２
には、高周波電源４からインピーダンス整合器５を介し
て例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。
基板加熱用ヒータ３は、反応容器１とともに接地され、
接地電極となっている。したがって、高周波電極２と基
板加熱用ヒータ３との間でグロー放電プラズマが発生す
る。反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス
導入管６を通して例えばモノシランと水素との混合ガス
が供給される。反応容器１内のガスは、排気管７を通し
て真空ポンプ８により排気される。基板９は、基板加熱
用ヒータ３上に保持され、所定の温度に加熱される。
【０００４】この装置を用い、以下のようにして薄膜を
製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排気
する。反応ガス導入管６を通して例えばモノシランと水
素との混合ガスを供給して反応容器内の圧力を０．０５
〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から高周波電極
２に電圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生す
る。反応ガス導入管６から供給されたガスのうち、モノ
シランガスは高周波電極２−基板加熱用ヒータ３間に生
じるグロー放電プラズマによって分解される。この結
果、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発
生し、基板９表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄膜が形成され
る。
製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排気
する。反応ガス導入管６を通して例えばモノシランと水
素との混合ガスを供給して反応容器内の圧力を０．０５
〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から高周波電極
２に電圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生す
る。反応ガス導入管６から供給されたガスのうち、モノ
シランガスは高周波電極２−基板加熱用ヒータ３間に生
じるグロー放電プラズマによって分解される。この結
果、ＳｉＨ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発
生し、基板９表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄膜が形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の装置に
は、次のような問題がある。すなわち、従来の装置にお
いて、反応容器内の圧力、ガス流量などを変えずに成膜
速度を向上させるためには、高周波電極に印加する高周
波電力を上げ、グロー放電プラズマ中の電子密度を向上
させることにより反応ガスの分解を促進している。しか
し、電子密度を上げると必然的にイオン密度も増大する
ので、基板上に堆積中の膜に多量のイオンが衝突する。
この結果、成膜された膜は、ストレスなどが増大し、膜
質が低下してしまう。したがって、膜質を低下させずに
成膜速度を向上させることは非常に困難であった。
は、次のような問題がある。すなわち、従来の装置にお
いて、反応容器内の圧力、ガス流量などを変えずに成膜
速度を向上させるためには、高周波電極に印加する高周
波電力を上げ、グロー放電プラズマ中の電子密度を向上
させることにより反応ガスの分解を促進している。しか
し、電子密度を上げると必然的にイオン密度も増大する
ので、基板上に堆積中の膜に多量のイオンが衝突する。
この結果、成膜された膜は、ストレスなどが増大し、膜
質が低下してしまう。したがって、膜質を低下させずに
成膜速度を向上させることは非常に困難であった。
【０００６】本発明はこのような問題を解決するために
なされたものであり、膜質を低下させることなく高い成
膜速度で非晶質薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
なされたものであり、膜質を低下させることなく高い成
膜速度で非晶質薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、反応容器と、該反応容器内に収容された放電用
電極と、放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源
と、前記放電用電極と平行に支持された基板加熱用ヒー
タとを有し、基板加熱用ヒータ上に支持された基板上に
非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前
記反応容器の側壁を貫通して前記反応容器内に導入さ
れ、前記反応容器内で前記基板加熱用ヒータ上の基板の
側方において前記放電用電極のある側とは反対側を向い
て開口するガス導入口を有する反応ガス導入管と、前記
ガス導入口と向かい合って配置され、前記ガス導入口を
介して前記反応容器内に供給される反応ガスを加熱する
ガス加熱用ヒータと、前記反応ガス導入管と前記基板加
熱用ヒータ上の基板との間に設けられ、開口部分が互い
違いになるように配置され、前記放電用電極と前記基板
加熱用ヒータとの間に反応ガスを均一に分散して案内す
る実質的に平行に配置された第１及び第２のスリット板
と、を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
装置は、反応容器と、該反応容器内に収容された放電用
電極と、放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源
と、前記放電用電極と平行に支持された基板加熱用ヒー
タとを有し、基板加熱用ヒータ上に支持された基板上に
非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前
記反応容器の側壁を貫通して前記反応容器内に導入さ
れ、前記反応容器内で前記基板加熱用ヒータ上の基板の
側方において前記放電用電極のある側とは反対側を向い
て開口するガス導入口を有する反応ガス導入管と、前記
ガス導入口と向かい合って配置され、前記ガス導入口を
介して前記反応容器内に供給される反応ガスを加熱する
ガス加熱用ヒータと、前記反応ガス導入管と前記基板加
熱用ヒータ上の基板との間に設けられ、開口部分が互い
違いになるように配置され、前記放電用電極と前記基板
加熱用ヒータとの間に反応ガスを均一に分散して案内す
る実質的に平行に配置された第１及び第２のスリット板
と、を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【０００８】本発明において、さらに、前記ガス加熱用
ヒータと前記ガス導入口との間に設けられ、一方の面が
前記ガス加熱用ヒータから熱エネルギを受け、他方の面
が前記ガス導入口から供給される反応ガスに熱エネルギ
を与える加熱板を有することが好ましい。
ヒータと前記ガス導入口との間に設けられ、一方の面が
前記ガス加熱用ヒータから熱エネルギを受け、他方の面
が前記ガス導入口から供給される反応ガスに熱エネルギ
を与える加熱板を有することが好ましい。
【０００９】
【作用】グロー放電プラズマにより分解・生成されるラ
ジカル密度[Radical] は、反応ガス密度をＮ、電子密度
をｎe 、電子のエネルギー分布関数をｆ（ε）、電子と
反応ガス分子とが衝突してラジカルが生成される時の反
応衝突断面積をσ（ε）とすると、次式で表せる。
ジカル密度[Radical] は、反応ガス密度をＮ、電子密度
をｎe 、電子のエネルギー分布関数をｆ（ε）、電子と
反応ガス分子とが衝突してラジカルが生成される時の反
応衝突断面積をσ（ε）とすると、次式で表せる。
【００１０】
【数１】
【００１１】ここで、Ｅ0 はラジカルを生成するのに要
する最低の電子エネルギーである。図３にグロー放電プ
ラズマ中の電子エネルギー分布関数を示す。上式におい
て、反応ガスを加熱しない場合のＥ0 を図３中のＥ1 と
する。一方、本発明では反応ガス導入管６のガス導入口
を基板９の側方において該基板９のある側とは反対側を
向いて開口させ、かつガス加熱用ヒータ１０を反応ガス
導入管６のガス導入口と向き合う位置に配置することに
より、反応容器内において反応ガスを基板から離れる向
きに導入し、ヒータ１０で十分に加熱された後に反応ガ
スを基板のほうに向けて緩やかにふんわりと流れ込ま
せ、これにより反応ガス分子の内部エネルギを増加さ
せ、高エネルギのイオンの発生数を抑制しながら反応ガ
スの分解が促進され、ラジカルを生成するのに要する最
低の電子エネルギーは実効的に例えばＥ2 まで低下す
る。この結果、図３の斜線部で示す部分に含まれる電子
も新たにラジカル生成に寄与する。したがって、全体の
電子密度を変えずに成膜速度を向上できる。さらに、第
１及び第２のスリット板１２，１３を反応ガス導入管６
と基板加熱用ヒータ３上の基板９との間に配置し、ガス
加熱用ヒータ１０で予め加熱された反応ガスを第１及び
第２のスリット板１２，１３により分散させてプラズマ
中に導入するので、多量のイオンが堆積中の膜に衝突す
ることが回避され、膜質が劣化しなくなる。この場合
に、第１及び第２のスリット板１２，１３の開口部分が
重ならないように互い違いに配置すると、反応ガスが更
に均一に分散化され、多量のイオンが堆積中の膜に衝突
することがなくなり、膜質が更に向上する。
する最低の電子エネルギーである。図３にグロー放電プ
ラズマ中の電子エネルギー分布関数を示す。上式におい
て、反応ガスを加熱しない場合のＥ0 を図３中のＥ1 と
する。一方、本発明では反応ガス導入管６のガス導入口
を基板９の側方において該基板９のある側とは反対側を
向いて開口させ、かつガス加熱用ヒータ１０を反応ガス
導入管６のガス導入口と向き合う位置に配置することに
より、反応容器内において反応ガスを基板から離れる向
きに導入し、ヒータ１０で十分に加熱された後に反応ガ
スを基板のほうに向けて緩やかにふんわりと流れ込ま
せ、これにより反応ガス分子の内部エネルギを増加さ
せ、高エネルギのイオンの発生数を抑制しながら反応ガ
スの分解が促進され、ラジカルを生成するのに要する最
低の電子エネルギーは実効的に例えばＥ2 まで低下す
る。この結果、図３の斜線部で示す部分に含まれる電子
も新たにラジカル生成に寄与する。したがって、全体の
電子密度を変えずに成膜速度を向上できる。さらに、第
１及び第２のスリット板１２，１３を反応ガス導入管６
と基板加熱用ヒータ３上の基板９との間に配置し、ガス
加熱用ヒータ１０で予め加熱された反応ガスを第１及び
第２のスリット板１２，１３により分散させてプラズマ
中に導入するので、多量のイオンが堆積中の膜に衝突す
ることが回避され、膜質が劣化しなくなる。この場合
に、第１及び第２のスリット板１２，１３の開口部分が
重ならないように互い違いに配置すると、反応ガスが更
に均一に分散化され、多量のイオンが堆積中の膜に衝突
することがなくなり、膜質が更に向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１３】図１は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ
装置の構成を示す断面図である。なお図５と同一部材に
は同一番号を付している。反応容器１内には、グロー放
電プラズマを発生させるために高周波電極２と基板加熱
用ヒータ３とで一対の平行平板型電極が構成されてい
る。高周波電極２には、高周波電源４から例えば１３．
５６ＭＨｚの周波数の電力がインピーダンス整合器５を
介して供給される。
装置の構成を示す断面図である。なお図５と同一部材に
は同一番号を付している。反応容器１内には、グロー放
電プラズマを発生させるために高周波電極２と基板加熱
用ヒータ３とで一対の平行平板型電極が構成されてい
る。高周波電極２には、高周波電源４から例えば１３．
５６ＭＨｚの周波数の電力がインピーダンス整合器５を
介して供給される。
【００１４】反応容器１内には、図示しないボンベから
反応ガス導入管６を通して、例えばモノシランと水素の
混合ガスが、ガス加熱用ヒータ１０に送られ加熱された
後、供給される。このガス加熱用ヒータ１０は、図２に
示すような加熱板１１を介して反応ガスを間接加熱する
構造となっている。すなわち、反応ガス導入管６のガス
導入口は加熱板１１と向かい合った位置で開口している
ので、加熱板１１の一方の面がガス加熱用ヒータ１０か
ら熱エネルギを受け、加熱板１１の他方の面がガス導入
口から供給される反応ガスに対して熱エネルギを与え
る。この結果、供給される反応ガスは加熱板１１により
均一かつ十分に加熱される。また、ガス加熱用ヒータ１
０から成膜空間への反応ガスの出口に、第１のスリット
板１２と第２のスリット板１３との開口部分が重ならな
いように互い違いに配置されており、これら第１及び第
２のスリット板１２，１３は加熱されている。反応ガス
は第１及び第２のスリット板１２，１３の開口部分を蛇
行しながら通過するので、反応効率が上がる。反応容器
１内のガスは排気管７を通して真空ポンプ８に排気され
る。基板９は、基板加熱用ヒータ３に保持され、所定の
温度に保たれる。
反応ガス導入管６を通して、例えばモノシランと水素の
混合ガスが、ガス加熱用ヒータ１０に送られ加熱された
後、供給される。このガス加熱用ヒータ１０は、図２に
示すような加熱板１１を介して反応ガスを間接加熱する
構造となっている。すなわち、反応ガス導入管６のガス
導入口は加熱板１１と向かい合った位置で開口している
ので、加熱板１１の一方の面がガス加熱用ヒータ１０か
ら熱エネルギを受け、加熱板１１の他方の面がガス導入
口から供給される反応ガスに対して熱エネルギを与え
る。この結果、供給される反応ガスは加熱板１１により
均一かつ十分に加熱される。また、ガス加熱用ヒータ１
０から成膜空間への反応ガスの出口に、第１のスリット
板１２と第２のスリット板１３との開口部分が重ならな
いように互い違いに配置されており、これら第１及び第
２のスリット板１２，１３は加熱されている。反応ガス
は第１及び第２のスリット板１２，１３の開口部分を蛇
行しながら通過するので、反応効率が上がる。反応容器
１内のガスは排気管７を通して真空ポンプ８に排気され
る。基板９は、基板加熱用ヒータ３に保持され、所定の
温度に保たれる。
【００１５】なお、本実施例では、スリット板を使用し
たが、この代わりに直径０．３〜１ｍｍ程度の無数の穴
を開けた板を用いても良い。また、スリット板の枚数
は、２枚に限定されない。
たが、この代わりに直径０．３〜１ｍｍ程度の無数の穴
を開けた板を用いても良い。また、スリット板の枚数
は、２枚に限定されない。
【００１６】この装置を用いて、以下のようにして薄膜
を製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排
気する。反応ガス導入管６、ガス加熱用ヒータ１０を通
して例えばモノシランと水素の混合ガスを５０〜２００
ｃｃ／ｍｉｎ程度の流量で供給し、反応容器１内の圧力
を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から
インピーダンス整合器５を介して高周波電極２に電圧を
印加すると、高周波電極２と基板加熱用ヒータ３との間
にグロー放電プラズマが発生する。この結果、反応ガス
が分解して基板９上にａ−Ｓｉ薄膜が堆積する。ａ−Ｓ
ｉ薄膜の成膜速度の反応ガス温度に対する依存性を確認
するため、下記の条件で成膜実験を行った。
を製造する。真空ポンプ８を駆動して反応容器１内を排
気する。反応ガス導入管６、ガス加熱用ヒータ１０を通
して例えばモノシランと水素の混合ガスを５０〜２００
ｃｃ／ｍｉｎ程度の流量で供給し、反応容器１内の圧力
を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒに保ち、高周波電源４から
インピーダンス整合器５を介して高周波電極２に電圧を
印加すると、高周波電極２と基板加熱用ヒータ３との間
にグロー放電プラズマが発生する。この結果、反応ガス
が分解して基板９上にａ−Ｓｉ薄膜が堆積する。ａ−Ｓ
ｉ薄膜の成膜速度の反応ガス温度に対する依存性を確認
するため、下記の条件で成膜実験を行った。
【００１７】基板材料：ガラス、基板面積：５０×５０
ｍｍ、反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ4 、反応
ガス流量：７０ｃｃ／分、反応容器圧力：０．１Ｔｏｒ
ｒ、高周波電力：５０Ｗとし、ガス加熱用ヒータ１０の
温度を室温から４００℃の範囲に設定した。ガス加熱用
ヒータ温度と成膜速度との関係を図４に示す。
ｍｍ、反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ4 、反応
ガス流量：７０ｃｃ／分、反応容器圧力：０．１Ｔｏｒ
ｒ、高周波電力：５０Ｗとし、ガス加熱用ヒータ１０の
温度を室温から４００℃の範囲に設定した。ガス加熱用
ヒータ温度と成膜速度との関係を図４に示す。
【００１８】図４に示されるように、ガス加熱用ヒータ
温度が４００℃の場合、室温の場合と比較して、成膜速
度が約３．２倍に増加している。成膜速度は２〜６．５
オングストローム／ｓｅｃであった。
温度が４００℃の場合、室温の場合と比較して、成膜速
度が約３．２倍に増加している。成膜速度は２〜６．５
オングストローム／ｓｅｃであった。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、反
応ガス導入管のガス導入口を基板の側方において前記放
電用電極のある側とは反対側を向いて開口させ、かつガ
ス加熱用ヒータを反応ガス導入管のガス導入口と向き合
う位置に配置し、反応容器内において反応ガスを基板か
ら離れる向きに導入し、ヒータで加熱された後に反応ガ
スを基板のほうに向けて緩やかにふんわりと流れ込ま
せ、これにより反応ガス分子の内部エネルギーを増加さ
せ、高エネルギのイオンの発生数を抑制しながら反応ガ
スの分解を促進させることができ、反応容器に導入する
反応ガスを加熱することにより、反応ガスを分解してラ
ジカルを生成させるために必要なエネルギーを下げるこ
とができ、高速でａ−Ｓｉ薄膜を成膜することができ
る。さらに、開口部分が重ならないように互い違いにし
た一対のスリット板を反応ガス導入管と基板加熱用ヒー
タ上の基板との間に配置し、ガス加熱用ヒータで予め加
熱された反応ガスをスリット板により分散させてプラズ
マ中に導入するので、多量のイオンが堆積中の膜に衝突
することがなくなり、ａ−Ｓｉ薄膜の膜質を低下させる
ことなく成膜速度が更に増大する。したがって、ａ−Ｓ
ｉ太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜など
の製造分野で工業的価値が大きい。
応ガス導入管のガス導入口を基板の側方において前記放
電用電極のある側とは反対側を向いて開口させ、かつガ
ス加熱用ヒータを反応ガス導入管のガス導入口と向き合
う位置に配置し、反応容器内において反応ガスを基板か
ら離れる向きに導入し、ヒータで加熱された後に反応ガ
スを基板のほうに向けて緩やかにふんわりと流れ込ま
せ、これにより反応ガス分子の内部エネルギーを増加さ
せ、高エネルギのイオンの発生数を抑制しながら反応ガ
スの分解を促進させることができ、反応容器に導入する
反応ガスを加熱することにより、反応ガスを分解してラ
ジカルを生成させるために必要なエネルギーを下げるこ
とができ、高速でａ−Ｓｉ薄膜を成膜することができ
る。さらに、開口部分が重ならないように互い違いにし
た一対のスリット板を反応ガス導入管と基板加熱用ヒー
タ上の基板との間に配置し、ガス加熱用ヒータで予め加
熱された反応ガスをスリット板により分散させてプラズ
マ中に導入するので、多量のイオンが堆積中の膜に衝突
することがなくなり、ａ−Ｓｉ薄膜の膜質を低下させる
ことなく成膜速度が更に増大する。したがって、ａ−Ｓ
ｉ太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜など
の製造分野で工業的価値が大きい。
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装置の
構成を示す断面図。
構成を示す断面図。
【図２】同プラズマＣＶＤ装置に用いられるガス加熱用
ヒータの断面図。
ヒータの断面図。
【図３】グロー放電プラズマ中の電子エネルギーと電子
エネルギー分布関数ｆ（ε）との関係を示す特性図。
エネルギー分布関数ｆ（ε）との関係を示す特性図。
【図４】本発明の実施例における成膜速度とガス加熱用
ヒータとの関係を示す特性図。
ヒータとの関係を示す特性図。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面
図。
図。
１…反応容器、２…高周波電極、３…基板加熱用ヒー
タ、４…高周波電源、５…インピーダンス整合器、６…
ガス導入管、７…排気管、８…真空ポンプ、９…基板、
１０…ガス加熱用ヒータ、１１…加熱板、１２…第１の
スリット板、１３…第２のスリット板。
タ、４…高周波電源、５…インピーダンス整合器、６…
ガス導入管、７…排気管、８…真空ポンプ、９…基板、
１０…ガス加熱用ヒータ、１１…加熱板、１２…第１の
スリット板、１３…第２のスリット板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古城 大一 長崎県長崎市深堀町５丁目717番１号 三菱重工業株式会社長崎研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−124514（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−113214（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217913（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、該反応容器内に収容された
放電用電極と、放電用電極にグロー放電用電力を供給す
る電源と、前記放電用電極と平行に支持された基板加熱
用ヒータとを有し、基板加熱用ヒータ上に支持された基
板上に非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記反応容器の側壁を貫通して前記反応容器内に導入さ
れ、前記反応容器内で前記基板加熱用ヒータ上の基板の
側方において前記放電用電極のある側とは反対側を向い
て開口するガス導入口を有する 反応ガス導入管と、前記 ガス導入口と向かい合って配置され、前記ガス導入
口を介して前記反応容器内に供給される反応ガスを加熱
するガス加熱用ヒータと、 前記反応ガス導入管と前記基板加熱用ヒータ上の基板と
の間に設けられ、開口部分が互い違いになるように配置
され、前記放電用電極と前記基板加熱用ヒータとの間に
反応ガスを均一に分散して案内する実質的に平行に配置
された第１及び第２のスリット板と、 を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 さらに、前記ガス加熱用ヒータと前記ガ
ス導入口との間に設けられ、一方の面が前記ガス加熱用
ヒータから熱エネルギを受け、他方の面が前記ガス導入
口から供給される反応ガスに熱エネルギを与える加熱板
を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶ
Ｄ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06832093A JP3276445B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06832093A JP3276445B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283436A JPH06283436A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3276445B2 true JP3276445B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=13370417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06832093A Expired - Fee Related JP3276445B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276445B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503366B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-01-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Chemical plasma cathode |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP06832093A patent/JP3276445B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06283436A (ja) | 1994-10-07 |
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