JPH0741950A - プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置 - Google Patents
プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0741950A JPH0741950A JP5184969A JP18496993A JPH0741950A JP H0741950 A JPH0741950 A JP H0741950A JP 5184969 A JP5184969 A JP 5184969A JP 18496993 A JP18496993 A JP 18496993A JP H0741950 A JPH0741950 A JP H0741950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- thin film
- gas
- alloy thin
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非晶質合金薄膜を形成する元素の組成比の制
御を容易とし、高品質の薄膜の製造が可能な方法及び装
置を実現する。 【構成】 反応容器１に導入する反応ガスのうち、難分
解性のガスを予めガス加熱用ヒータ１１により加熱し、
プラズマ中での分解性を向上させることによって、薄膜
中の元素組成比の制御を容易とし、製造される非晶質合
金薄膜の高品質化を可能とする。
御を容易とし、高品質の薄膜の製造が可能な方法及び装
置を実現する。 【構成】 反応容器１に導入する反応ガスのうち、難分
解性のガスを予めガス加熱用ヒータ１１により加熱し、
プラズマ中での分解性を向上させることによって、薄膜
中の元素組成比の制御を容易とし、製造される非晶質合
金薄膜の高品質化を可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスの製作に適用されるプラズマ化学蒸着
法（以下プラズマＣＶＤ法と記す）を用いた非晶質合金
薄膜製造方法及び装置に関する。
太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの
各種電子デバイスの製作に適用されるプラズマ化学蒸着
法（以下プラズマＣＶＤ法と記す）を用いた非晶質合金
薄膜製造方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアモルファスシリコン（以下ａ−
Siと記す）系合金薄膜のプラズマＣＶＤ法を用いた製造
方法とその装置について、図６により以下に説明する。
Siと記す）系合金薄膜のプラズマＣＶＤ法を用いた製造
方法とその装置について、図６により以下に説明する。
【０００３】図６に示す従来の装置においては、原料ガ
スを反応させる反応容器１を備えており、反応容器１内
には、高周波電極２と基板加熱用ヒータ３が平行に配置
されている。
スを反応させる反応容器１を備えており、反応容器１内
には、高周波電極２と基板加熱用ヒータ３が平行に配置
されている。
【０００４】上記高周波電極２には、高周波電源４から
インピーダンス整合器５を介して、例えば１３．５６MH
Z の高周波電力が供給されている。また、基板加熱用ヒ
ータ３は、反応容器１とともに接地されており、接地電
極となっている。従って、高周波電極２と基板加熱用ヒ
ータ３の間でグロー放電プラズマが発生する。
インピーダンス整合器５を介して、例えば１３．５６MH
Z の高周波電力が供給されている。また、基板加熱用ヒ
ータ３は、反応容器１とともに接地されており、接地電
極となっている。従って、高周波電極２と基板加熱用ヒ
ータ３の間でグロー放電プラズマが発生する。
【０００５】反応容器１内には、図示しないボンベから
反応ガス導入管６を通して原料ガスが供給されるが、例
えばアモルファスシリコンカーボン（以下ａ−SiC と記
す）薄膜を形成する場合には、モノシランSiH4とメタン
CH4 、及び水素H2との混合ガスが供給される。上記反応
容器１内のガスは、排気管８を通して真空ポンプ９によ
り排気される。また、基板１０は、基板加熱用ヒータ３
上に保持され、所定の温度に加熱される。
反応ガス導入管６を通して原料ガスが供給されるが、例
えばアモルファスシリコンカーボン（以下ａ−SiC と記
す）薄膜を形成する場合には、モノシランSiH4とメタン
CH4 、及び水素H2との混合ガスが供給される。上記反応
容器１内のガスは、排気管８を通して真空ポンプ９によ
り排気される。また、基板１０は、基板加熱用ヒータ３
上に保持され、所定の温度に加熱される。
【０００６】次に、この装置を用いて行う薄膜の製造方
法について、以下に説明する。まず、真空ポンプ８を駆
動して反応容器１内を排気する。その後、反応ガス導入
管６を通して、例えばモノシラン、メタン、水素との混
合ガスを供給し、反応容器の圧力を０．０５〜０．５To
rrに保ち、高周波電源４から高周波電極２に電圧を印加
し、グロー放電プラズマを発生させる。
法について、以下に説明する。まず、真空ポンプ８を駆
動して反応容器１内を排気する。その後、反応ガス導入
管６を通して、例えばモノシラン、メタン、水素との混
合ガスを供給し、反応容器の圧力を０．０５〜０．５To
rrに保ち、高周波電源４から高周波電極２に電圧を印加
し、グロー放電プラズマを発生させる。
【０００７】反応ガス導入管６から供給されたガスは、
グロー放電プラズマにより分解され、その結果、モノシ
ランからは、シリコンSiを含むラジカルが発生し、メタ
ンからはカーボンＣを含むラジカルが発生して基板１０
表面に付着し、ａ−SiC 薄膜が形成される。
グロー放電プラズマにより分解され、その結果、モノシ
ランからは、シリコンSiを含むラジカルが発生し、メタ
ンからはカーボンＣを含むラジカルが発生して基板１０
表面に付着し、ａ−SiC 薄膜が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の非晶質合金薄膜
を製造するための方法及び装置においては、以下の課題
があった。
を製造するための方法及び装置においては、以下の課題
があった。
【０００９】プラズマＣＶＤ方法を用いて非晶質合金薄
膜を製造するときには、２種類以上の反応ガスを混合
し、原料ガスとして用いる。例えば、ａ−SiC を製作す
る場合には、珪素の原料であるモノシランと炭素の原料
であるメタンを混合して用いる。
膜を製造するときには、２種類以上の反応ガスを混合
し、原料ガスとして用いる。例えば、ａ−SiC を製作す
る場合には、珪素の原料であるモノシランと炭素の原料
であるメタンを混合して用いる。
【００１０】しかしながら、原料ガス中の各成分ガスの
プラズマ中における解離のしやすさは同じではないた
め、製作した非晶質合金薄膜中の元素組成は、解離しに
くいガスが供給源となる元素が少なくなる。そのため、
薄膜中の元素組成比の制御については、従来は、難解離
性ガスの混合比を多くした原料ガスを用いるか、あるい
は印加する高周波電力を大きくする方法を用いていた。
プラズマ中における解離のしやすさは同じではないた
め、製作した非晶質合金薄膜中の元素組成は、解離しに
くいガスが供給源となる元素が少なくなる。そのため、
薄膜中の元素組成比の制御については、従来は、難解離
性ガスの混合比を多くした原料ガスを用いるか、あるい
は印加する高周波電力を大きくする方法を用いていた。
【００１１】この方法は、難解離性ガスの混合比が大き
いという条件、あるいは高周波電力が大きいという条件
では、解離しやすい方のガスは分解が進み、ガスの枯渇
状態になり、その結果、難解離性のガスが分解され、薄
膜中の元素組成が変化することを利用したものである。
いという条件、あるいは高周波電力が大きいという条件
では、解離しやすい方のガスは分解が進み、ガスの枯渇
状態になり、その結果、難解離性のガスが分解され、薄
膜中の元素組成が変化することを利用したものである。
【００１２】しかしながら、プラズマＣＶＤでは、ガス
の分解が進みすぎると、生成された活性種（ラジカル）
の化学的活性力が強くなり過ぎて、製作した薄膜の特性
は低下してしまう。従って、従来の方法では、解離しや
すいガスの分解が進み過ぎているため、膜質を低下させ
ずに元素組成比を変化させることは困難であった。本発
明は上記の課題を解決しようとするものである。
の分解が進みすぎると、生成された活性種（ラジカル）
の化学的活性力が強くなり過ぎて、製作した薄膜の特性
は低下してしまう。従って、従来の方法では、解離しや
すいガスの分解が進み過ぎているため、膜質を低下させ
ずに元素組成比を変化させることは困難であった。本発
明は上記の課題を解決しようとするものである。
【００１３】
（１）本発明のプラズマＣＶＤ法を用いた非晶質合金薄
膜製造方法は、反応容器と、この反応容器内に複数の反
応ガスをそれぞれ導入する反応ガス導入管と、反応容器
内のガスを排出する排出管と、上記反応容器内に収容さ
れた放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力
を供給する電源と、上記放電用電極に平行に支持された
基板加熱用ヒータとを備えた非晶質合金薄膜製造装置を
用い、上記基板加熱用ヒータ上に支持された基板上に非
晶質合金薄膜を形成する非晶質合金薄膜製造方法におい
て、上記反応容器内に導入される複数の反応ガスのうち
の難分解性の反応ガスについて予め加熱した後、上記複
数の反応ガスを反応容器内に導入し、基板上に非晶質合
金薄膜を形成することを特徴としている。
膜製造方法は、反応容器と、この反応容器内に複数の反
応ガスをそれぞれ導入する反応ガス導入管と、反応容器
内のガスを排出する排出管と、上記反応容器内に収容さ
れた放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力
を供給する電源と、上記放電用電極に平行に支持された
基板加熱用ヒータとを備えた非晶質合金薄膜製造装置を
用い、上記基板加熱用ヒータ上に支持された基板上に非
晶質合金薄膜を形成する非晶質合金薄膜製造方法におい
て、上記反応容器内に導入される複数の反応ガスのうち
の難分解性の反応ガスについて予め加熱した後、上記複
数の反応ガスを反応容器内に導入し、基板上に非晶質合
金薄膜を形成することを特徴としている。
【００１４】（２）本発明のプラズマＣＶＤ法を用いた
非晶質合金薄膜製造装置は、反応容器と、この反応容器
内に複数の反応ガスをそれぞれ導入する反応ガス導入管
と、反応容器内のガスを排出する排出管と、上記反応容
器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロ
ー放電用電力を供給する電源と、上記放電用電極に平行
に支持された基板加熱用ヒータとを備え、上記基板加熱
用ヒータ上に支持された基板上に非晶質合金薄膜を形成
する非晶質合金薄膜製造装置において、上記反応容器内
に導入される複数の反応ガスのうちの難分解性の反応ガ
スを反応容器内に導入する反応ガス導入管に設けられた
反応ガス加熱用ヒータを備えたことを特徴としている。
非晶質合金薄膜製造装置は、反応容器と、この反応容器
内に複数の反応ガスをそれぞれ導入する反応ガス導入管
と、反応容器内のガスを排出する排出管と、上記反応容
器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロ
ー放電用電力を供給する電源と、上記放電用電極に平行
に支持された基板加熱用ヒータとを備え、上記基板加熱
用ヒータ上に支持された基板上に非晶質合金薄膜を形成
する非晶質合金薄膜製造装置において、上記反応容器内
に導入される複数の反応ガスのうちの難分解性の反応ガ
スを反応容器内に導入する反応ガス導入管に設けられた
反応ガス加熱用ヒータを備えたことを特徴としている。
【００１５】
【作用】上記発明（１）において、それぞれの反応ガス
導入管を介して反応容器内に導入された複数の反応ガス
は、放電用電極間に発生するグロー放電プラズマにより
分解され、基板上に非晶質合金薄膜を形成する。
導入管を介して反応容器内に導入された複数の反応ガス
は、放電用電極間に発生するグロー放電プラズマにより
分解され、基板上に非晶質合金薄膜を形成する。
【００１６】本発明においては、反応容器内に導入され
る反応ガスのうち、難分解性のガスについては予め加熱
されており、先に活性化されている。その結果、グロー
放電プラズマにより難分解性ガスを分解するために必要
な電子のエネルギーを実効的に下げ、他の反応ガスとの
分解率の差を小さくしているため、製造された合金薄膜
中の元素組成比の制御、膜質の向上が可能となる。
る反応ガスのうち、難分解性のガスについては予め加熱
されており、先に活性化されている。その結果、グロー
放電プラズマにより難分解性ガスを分解するために必要
な電子のエネルギーを実効的に下げ、他の反応ガスとの
分解率の差を小さくしているため、製造された合金薄膜
中の元素組成比の制御、膜質の向上が可能となる。
【００１７】上記難分解性ガスの分解に必要な電子エネ
ルギーの実効的低下について、以下に説明する。グロー
放電プラズマにより分解・生成されるラジカル密度
〔Ｒ〕は、電子のエネルギー分布関数をｆ（ε）、電子
密度をηe 、反応ガス密度をΝとし、電子と反応ガスが
衝突し、ラジカルが生成されるときの反応衝突断面積を
σ（ε）とすると、次式で表すことができる。
ルギーの実効的低下について、以下に説明する。グロー
放電プラズマにより分解・生成されるラジカル密度
〔Ｒ〕は、電子のエネルギー分布関数をｆ（ε）、電子
密度をηe 、反応ガス密度をΝとし、電子と反応ガスが
衝突し、ラジカルが生成されるときの反応衝突断面積を
σ（ε）とすると、次式で表すことができる。
【００１８】
【数１】
【００１９】ここで、Ε0 は、ラジカルが生成されるた
めの最低エネルギーであり、σ（ε）のしきい値と等し
い。図３は、電子のエネルギーに対する反応衝突断面積
σ（ε）を示している。
めの最低エネルギーであり、σ（ε）のしきい値と等し
い。図３は、電子のエネルギーに対する反応衝突断面積
σ（ε）を示している。
【００２０】反応ガスを加熱しない場合は、数１のΕ0
は、図３で示されるΕ1 の値であるが、反応ガスを加熱
した場合には、反応ガス分子の内部エネルギーが増加す
るため、σ（ε）のしきい値は実効的に、例えばΕ2 ま
で低下する。
は、図３で示されるΕ1 の値であるが、反応ガスを加熱
した場合には、反応ガス分子の内部エネルギーが増加す
るため、σ（ε）のしきい値は実効的に、例えばΕ2 ま
で低下する。
【００２１】その結果、難分解性のガスも容易に分解で
きるようになり、分解しやすい他のガス成分が分解され
過ぎることがなく、製造した合金薄膜の元素組成比の制
御、及び膜質の向上を図ることができる。
きるようになり、分解しやすい他のガス成分が分解され
過ぎることがなく、製造した合金薄膜の元素組成比の制
御、及び膜質の向上を図ることができる。
【００２２】上記発明（２）においては、難分解性のガ
スを導入する反応ガス導入管に反応ガス加熱用ヒータが
設けられ、上記難分解性のガスを反応容器内に導入する
際に加熱するため、上記発明（１）と同様の作用が得ら
れる。
スを導入する反応ガス導入管に反応ガス加熱用ヒータが
設けられ、上記難分解性のガスを反応容器内に導入する
際に加熱するため、上記発明（１）と同様の作用が得ら
れる。
【００２３】
【実施例】本発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ法を
用いた非晶質合金薄膜製造装置について、図１及び図２
により以下に説明する。
用いた非晶質合金薄膜製造装置について、図１及び図２
により以下に説明する。
【００２４】図１において、原料ガスを反応させる反応
容器１内には、グロー放電プラズマを発生させるために
一対の平行平板型電極を形成する高周波電極２と基板加
熱用ヒータ３とが設けられている。高周波電極２には、
高周波電極４がインピーダンス整合器５を介して接続さ
れ、この高周波電源４からは、例えば１３．５６MHZの
周波数の電力が供給される。
容器１内には、グロー放電プラズマを発生させるために
一対の平行平板型電極を形成する高周波電極２と基板加
熱用ヒータ３とが設けられている。高周波電極２には、
高周波電極４がインピーダンス整合器５を介して接続さ
れ、この高周波電源４からは、例えば１３．５６MHZの
周波数の電力が供給される。
【００２５】反応容器１には、第１と第２の反応ガス導
入管６．７が接続されており、これらの導入管６，７を
介して図示しないボンベからガスが導入されるが、第１
の反応ガス導入管６からは、例えばモノシランと水素の
混合ガスが供給され、第２の反応ガス導入管７からは、
第１の反応ガス導入管６から導入されるガスより難分解
性のガス、例えばメタンガスが加熱用ヒータ１１により
加熱された後、供給される。
入管６．７が接続されており、これらの導入管６，７を
介して図示しないボンベからガスが導入されるが、第１
の反応ガス導入管６からは、例えばモノシランと水素の
混合ガスが供給され、第２の反応ガス導入管７からは、
第１の反応ガス導入管６から導入されるガスより難分解
性のガス、例えばメタンガスが加熱用ヒータ１１により
加熱された後、供給される。
【００２６】上記難分解性のガスを加熱する加熱用ヒー
タ１１は、図２に示すように二重管構造をしており、ガ
スは内管１２と外管１３の間に導入される。内管１２の
内部には内管用ヒータ１４が設けられ、外管１３の外部
には外管用ヒータ１５が設けられている。
タ１１は、図２に示すように二重管構造をしており、ガ
スは内管１２と外管１３の間に導入される。内管１２の
内部には内管用ヒータ１４が設けられ、外管１３の外部
には外管用ヒータ１５が設けられている。
【００２７】上記内管１２の一端は溶接にて蓋がされて
おり、内管用ヒータ１４が直接反応ガスと接触しないよ
うにしている。また、他端は外管１３と溶接されてい
る。内管１２と外管１３の間には、３枚のスリット板１
６が、スリットの位置がそれぞれ重ならないように取付
けられている。このスリット板１６は、内管用ヒータ１
４、外管用ヒータ１５により加熱されている。
おり、内管用ヒータ１４が直接反応ガスと接触しないよ
うにしている。また、他端は外管１３と溶接されてい
る。内管１２と外管１３の間には、３枚のスリット板１
６が、スリットの位置がそれぞれ重ならないように取付
けられている。このスリット板１６は、内管用ヒータ１
４、外管用ヒータ１５により加熱されている。
【００２８】なお、本実施例においては、スリット板１
６を使用しているが、これに代えて直径０．３〜２．０
mm程度の無数の穴を開けた板、あるいはメッシュを用い
てもよい。また、スリット板１６の枚数は３枚と限らな
くともよい。要は、ヒータの温度を反応ガスに効率良く
伝熱できる構造であればよい。反応容器１内の反応ガス
は、排気管８を通して真空ポンプ９にて排気される。基
板１０は基板加熱用ヒータ３に保持され、所定の温度に
保たれる。
６を使用しているが、これに代えて直径０．３〜２．０
mm程度の無数の穴を開けた板、あるいはメッシュを用い
てもよい。また、スリット板１６の枚数は３枚と限らな
くともよい。要は、ヒータの温度を反応ガスに効率良く
伝熱できる構造であればよい。反応容器１内の反応ガス
は、排気管８を通して真空ポンプ９にて排気される。基
板１０は基板加熱用ヒータ３に保持され、所定の温度に
保たれる。
【００２９】次に、この装置を用いて行う薄膜製造の方
法について、以下に説明する。まず、真空ポンプ８を駆
動して反応容器１内を排気する。その後、反応ガス導入
管６からは、例えばモノシランと水素の混合ガスを２０
〜１００cc/min程度の流量で供給し、反応ガス導入管７
からはガス加熱用ヒータ１１を介して、例えばメタンを
２〜１０cc/min程度の流量で供給して反応容器１内の圧
力を０．０５〜０．５Torrに保つ。
法について、以下に説明する。まず、真空ポンプ８を駆
動して反応容器１内を排気する。その後、反応ガス導入
管６からは、例えばモノシランと水素の混合ガスを２０
〜１００cc/min程度の流量で供給し、反応ガス導入管７
からはガス加熱用ヒータ１１を介して、例えばメタンを
２〜１０cc/min程度の流量で供給して反応容器１内の圧
力を０．０５〜０．５Torrに保つ。
【００３０】この状態で、高周波電源４からインピーダ
ンス整合器５を介して高周波電極２に電圧を印加し、高
周波電極２と基板加熱用ヒータ３の間にグロー放電プラ
ズマを発生させる。このグロー放電プラズマにより反応
ガスは分解され、基板１０上に非晶質合金薄膜が形成さ
れる。
ンス整合器５を介して高周波電極２に電圧を印加し、高
周波電極２と基板加熱用ヒータ３の間にグロー放電プラ
ズマを発生させる。このグロー放電プラズマにより反応
ガスは分解され、基板１０上に非晶質合金薄膜が形成さ
れる。
【００３１】上記の装置と方法については、その有効性
を確認するため、この装置と方法を用いてａ−SiC 薄膜
を製造し、製造されたａ−SiC 薄膜の性状を確認してお
り、以下にその内容を説明する。
を確認するため、この装置と方法を用いてａ−SiC 薄膜
を製造し、製造されたａ−SiC 薄膜の性状を確認してお
り、以下にその内容を説明する。
【００３２】まず、−SiC 薄膜の製造条件について説明
すると、基板材料としてはガラスを用い、基板の大きさ
は５０×５０mm、基板温度は２００℃、反応ガスとして
はモノシラン、メタン、水素を用い、それぞれの流量は
モノシランが３cc/min、メタンが３cc/min、水素が５０
cc/minであり、反応容器内の圧力は０．２Torr、高周波
電力は１０Ｗ、ガス加熱用ヒータ温度は室温から４００
℃の範囲であった。
すると、基板材料としてはガラスを用い、基板の大きさ
は５０×５０mm、基板温度は２００℃、反応ガスとして
はモノシラン、メタン、水素を用い、それぞれの流量は
モノシランが３cc/min、メタンが３cc/min、水素が５０
cc/minであり、反応容器内の圧力は０．２Torr、高周波
電力は１０Ｗ、ガス加熱用ヒータ温度は室温から４００
℃の範囲であった。
【００３３】上記製造条件により製造されたａ−SiC 薄
膜については、含有する炭素Ｃと珪素Siの組成比のガス
加熱用ヒータ温度に対する依存性を測定しており、その
結果を図４に示す。図４に示すように、ガス加熱用ヒー
タ温度を室温から４００℃まで上げることにより、薄膜
中のＣ／Si組成比が７％から１９％に増加した。
膜については、含有する炭素Ｃと珪素Siの組成比のガス
加熱用ヒータ温度に対する依存性を測定しており、その
結果を図４に示す。図４に示すように、ガス加熱用ヒー
タ温度を室温から４００℃まで上げることにより、薄膜
中のＣ／Si組成比が７％から１９％に増加した。
【００３４】また、上記により得られたＣ／Si組成比の
異なるａ−SiC 薄膜については、空気質量（Air Mass）
１．５、１００mW/cm2照射下における導電率を測定して
おり、この結果を図５に示す。図中の点線は従来の方法
で得られてたものであり、従来の方法によるものは、薄
膜中の炭素の含有率が増加すると導電率が低下するのに
対して、本実施例の方法で得られた薄膜の場合、確認し
た範囲では、薄膜中の炭素量が増加しても導電率は低下
せず、高品質の安定した薄膜が得られることが判る。
異なるａ−SiC 薄膜については、空気質量（Air Mass）
１．５、１００mW/cm2照射下における導電率を測定して
おり、この結果を図５に示す。図中の点線は従来の方法
で得られてたものであり、従来の方法によるものは、薄
膜中の炭素の含有率が増加すると導電率が低下するのに
対して、本実施例の方法で得られた薄膜の場合、確認し
た範囲では、薄膜中の炭素量が増加しても導電率は低下
せず、高品質の安定した薄膜が得られることが判る。
【００３５】
【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ法を用いた非晶
質合金薄膜製造方法及び装置は、反応容器に導入する反
応ガスのうち、難分解性のガスを予めガス加熱用ヒータ
により加熱し、プラズマ中での分解性を向上させること
によって、薄膜中の元素組成比の制御を容易とし、製造
される非晶質合金薄膜の高品質化を可能とする。
質合金薄膜製造方法及び装置は、反応容器に導入する反
応ガスのうち、難分解性のガスを予めガス加熱用ヒータ
により加熱し、プラズマ中での分解性を向上させること
によって、薄膜中の元素組成比の制御を容易とし、製造
される非晶質合金薄膜の高品質化を可能とする。
【図１】本発明の一実施例に係る製造装置の説明図であ
る。
る。
【図２】上記一実施例に係る製造装置に用いられるガス
加熱用ヒータの断面図である。
加熱用ヒータの断面図である。
【図３】上記一実施例に係る薄膜中の元素組成比に及ぼ
す作用の説明図である。
す作用の説明図である。
【図４】上記一実施例に係る薄膜中の元素組成比とガス
加熱用ヒータ温度との関係を示す特性図である。
加熱用ヒータ温度との関係を示す特性図である。
【図５】上記一実施例に係る薄膜の導電率と薄膜中の元
素組成比との関係を示す特性図である。
素組成比との関係を示す特性図である。
【図６】従来の装置の説明図である。
１ 反応容器 ２ 高周波電極 ３ 基板加熱用ヒータ ４ 高周波電源 ５ インピーダンス整合器 ６ 第１の反応ガス導入管 ７ 第２の反応ガス導入管 ８ 排気管 ９ 真空ポンプ １０ 基板 １１ 加熱用ヒータ １２ 内管 １３ 外管 １４ 内管用ヒータ １５ 外管用ヒータ １６ スリット板
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に複数の反
応ガスをそれぞれ導入する反応ガス導入管と、反応容器
内のガスを排出する排出管と、上記反応容器内に収容さ
れた放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力
を供給する電源と、上記放電用電極に平行に支持された
基板加熱用ヒータとを備えた非晶質合金薄膜製造装置を
用い、上記基板加熱用ヒータ上に支持された基板上に非
晶質合金薄膜を形成する非晶質合金薄膜製造方法におい
て、上記反応容器内に導入される複数の反応ガスのうち
の難分解性の反応ガスについて予め加熱した後、上記複
数の反応ガスを反応容器内に導入し、基板上に非晶質合
金薄膜を形成することを特徴とするプラズマ化学蒸着法
を用いた非晶質合金薄膜製造方法。 - 【請求項２】 反応容器と、この反応容器内に複数の反
応ガスをそれぞれ導入する反応ガス導入管と、反応容器
内のガスを排出する排出管と、上記反応容器内に収容さ
れた放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力
を供給する電源と、上記放電用電極に平行に支持された
基板加熱用ヒータとを備え、上記基板加熱用ヒータ上に
支持された基板上に非晶質合金薄膜を形成する非晶質合
金薄膜製造装置において、上記反応容器内に導入される
複数の反応ガスのうちの難分解性の反応ガスを反応容器
内に導入する反応ガス導入管に設けられた反応ガス加熱
用ヒータを備えたことを特徴とするプラズマ化学蒸着法
を用いた非晶質合金薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184969A JPH0741950A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184969A JPH0741950A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741950A true JPH0741950A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16162527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184969A Pending JPH0741950A (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741950A (ja) |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5184969A patent/JPH0741950A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4608063A (en) | Exhaust system for chemical vapor deposition apparatus | |
| EP0074212B1 (en) | Apparatus for forming thin film | |
| US20100009242A1 (en) | Carbon nanowall with controlled structure and method for controlling carbon nanowall structure | |
| US8431996B2 (en) | Plasma processing apparatus and method of producing amorphous silicon thin film using same | |
| US4292343A (en) | Method of manufacturing semiconductor bodies composed of amorphous silicon | |
| JPS61153277A (ja) | 微結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH09129555A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH11323562A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2000260721A (ja) | 化学的気相成長装置、化学的気相成長方法および化学的気相成長装置のクリーニング方法 | |
| JPH10265212A (ja) | 微結晶および多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH0741950A (ja) | プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置 | |
| US5221643A (en) | Method for producing polycrystalline semiconductor material by plasma-induced vapor phase deposition using activated hydrogen | |
| JPH0892746A (ja) | プラズマ化学蒸着方法及び装置 | |
| JPH0891987A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH02248038A (ja) | 多結晶質半導体物質層の製造方法 | |
| JPH0364466A (ja) | アモルファスシリコン系半導体膜の製法 | |
| JP3276445B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3310875B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH08222554A (ja) | プラズマを利用した成膜装置およびその方法 | |
| JP3546095B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3426788B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3259452B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0250969A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3615919B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0578933B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021203 |