JPS62132800A - ダイヤモンドライクカ−ボンの製造方法およびその装置 - Google Patents
ダイヤモンドライクカ−ボンの製造方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS62132800A JPS62132800A JP60274050A JP27405085A JPS62132800A JP S62132800 A JPS62132800 A JP S62132800A JP 60274050 A JP60274050 A JP 60274050A JP 27405085 A JP27405085 A JP 27405085A JP S62132800 A JPS62132800 A JP S62132800A
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- JP
- Japan
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- gas
- diamond
- carbon
- ionization
- work
- Prior art date
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- Pending
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分町〕
本発明は化学気相蒸着によるダイヤモンドライクカーボ
ンの製造方法およびその装置に関するらのである。
ンの製造方法およびその装置に関するらのである。
［発明が解決しようとする問題点］
従来化学気相蒸着によるダイヤモンドライクカーボンの
製造においては、マイクロ波、高周波、直流方式等が提
案されているが、音響部品。
製造においては、マイクロ波、高周波、直流方式等が提
案されているが、音響部品。
装部部品、耐摩耗部品等民生用ｎ器へのＭ産を考慮した
場合、装置の膜厚分布、プラズマの電界分布に起因した
制約、および成膜速度が木質的に遅い等の欠点があり、
ダイヤモンドライクカーボンを基板上に均一に形成する
ことは困難であった。
場合、装置の膜厚分布、プラズマの電界分布に起因した
制約、および成膜速度が木質的に遅い等の欠点があり、
ダイヤモンドライクカーボンを基板上に均一に形成する
ことは困難であった。
本発明はこの点を考慮して、イオン化率を向上させた化
学気相蒸着によるダイヤモンドライクカーボンの製造方
法およびその装置を提供することを目的とする。
学気相蒸着によるダイヤモンドライクカーボンの製造方
法およびその装置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明はグロー放電領域のプラズマを用いる化学気相蒸
着において、水素ガスを添加した炭化水素ガスを、イオ
ン化促進用補助電極およびフィラメントにより、グロー
放電領域内の分解反応を促進させるものであり、メタン
、アセチレン等の炭化水素ガスを、水素を添加した減圧
雰囲気において、直流グＯ−ｔｌｉ電により分解反応を
起こさせる際に、イオン化促進用補助電極およびフィラ
メントにより、炭化水素ガスの分解反応の高効率化を計
るものである。本発明においてはさらに不活性ガスとし
てアルゴンガスを添加することが、ダイレモンドライフ
カ−ボン成膜速度を増大させるために好ましい。第１図
は本発明の装置の模式図であり、真空槽内１−Ｆ部にワ
ーク２を下部にはガス導入口３を配置し、ガス導入口３
からは炭化水素ガスＣｎＨ。
着において、水素ガスを添加した炭化水素ガスを、イオ
ン化促進用補助電極およびフィラメントにより、グロー
放電領域内の分解反応を促進させるものであり、メタン
、アセチレン等の炭化水素ガスを、水素を添加した減圧
雰囲気において、直流グＯ−ｔｌｉ電により分解反応を
起こさせる際に、イオン化促進用補助電極およびフィラ
メントにより、炭化水素ガスの分解反応の高効率化を計
るものである。本発明においてはさらに不活性ガスとし
てアルゴンガスを添加することが、ダイレモンドライフ
カ−ボン成膜速度を増大させるために好ましい。第１図
は本発明の装置の模式図であり、真空槽内１−Ｆ部にワ
ーク２を下部にはガス導入口３を配置し、ガス導入口３
からは炭化水素ガスＣｎＨ。
および水素ガスＨ１そして好ましくはアルボ′ ンガス
Ａｒ、ネオンガスＨｅ等を供給する。ワーク２裏面には
ヒータ４を置き、ワーク２には負の直流電圧を印加する
。そしてシャッター５とガス導入口３間に、イオン化促
、進用補助電極６およびフィラメント７を配置し、前者
に正の直流電圧を印加し、シＶツタ−５をあけてワーク
２上にダイヤモンドライクカーボンの成膜を行なう。
Ａｒ、ネオンガスＨｅ等を供給する。ワーク２裏面には
ヒータ４を置き、ワーク２には負の直流電圧を印加する
。そしてシャッター５とガス導入口３間に、イオン化促
、進用補助電極６およびフィラメント７を配置し、前者
に正の直流電圧を印加し、シＶツタ−５をあけてワーク
２上にダイヤモンドライクカーボンの成膜を行なう。
［実施例１］
第１図の装置において槽内を１０’Ｔｏｒｒに真空排気
後、ガス導入口３からメタンガスを供給し１Ｏ−１Ｔｏ
ｒｒとし、ワーク２に４００Ｖ 、イオン化促進用補助
電極６に５０Ｖ印加し、アーク放電を発生させて、ワー
ク表面に成膜速度１００＾７ａ＋ｉｎでダイヤモンドラ
イクカーボンを形成させた。
後、ガス導入口３からメタンガスを供給し１Ｏ−１Ｔｏ
ｒｒとし、ワーク２に４００Ｖ 、イオン化促進用補助
電極６に５０Ｖ印加し、アーク放電を発生させて、ワー
ク表面に成膜速度１００＾７ａ＋ｉｎでダイヤモンドラ
イクカーボンを形成させた。
生成膜のＩＥｌＪ！Ｊは０．３７ａ＋、硬度は１Ｉｖ２
Ｇ００以上であり、ＥＳＣＡスペクトルによる結合エネ
ルギーを測定した結果、ダイヤモンドに類似の結合エネ
ルギーを有することが判明した。
Ｇ００以上であり、ＥＳＣＡスペクトルによる結合エネ
ルギーを測定した結果、ダイヤモンドに類似の結合エネ
ルギーを有することが判明した。
［実施例２］
実施例１と同様な方法により、メタンガスに水素ガスを
加えた混合ガスによりダイヤモンドライクカーボンを形
成さゼた。生成膜の膜厚は０．３ｇ、硬度はＨｖ２００
０以上であり、ＥＳＣＡスペクトルによる結合エネルギ
ーを測定した結果、ダイヤモンドに類似の結合エネルギ
ーを有することが判明した。
加えた混合ガスによりダイヤモンドライクカーボンを形
成さゼた。生成膜の膜厚は０．３ｇ、硬度はＨｖ２００
０以上であり、ＥＳＣＡスペクトルによる結合エネルギ
ーを測定した結果、ダイヤモンドに類似の結合エネルギ
ーを有することが判明した。
［実施例３］
実施例１と同様な方法により、メタンガスに水素ガスお
よびアルゴンガスを加えた混合ガスにより、ワーク表面
に成膜速度１５０人７ ｓｉｎでダイヤモンドライクカ
ーボンを形成さ往た。生成膜の膜厚は０．３．、硬度は
ｔｌ ｖ ２０００以上であり、ＥＳＣＡスペクトルに
よる結合エネルギーを測定した結果、ダイヤモンドに類
似の結合エネルギーを有することが判明した。
よびアルゴンガスを加えた混合ガスにより、ワーク表面
に成膜速度１５０人７ ｓｉｎでダイヤモンドライクカ
ーボンを形成さ往た。生成膜の膜厚は０．３．、硬度は
ｔｌ ｖ ２０００以上であり、ＥＳＣＡスペクトルに
よる結合エネルギーを測定した結果、ダイヤモンドに類
似の結合エネルギーを有することが判明した。
［発明の効果］ 。
本発明の化学気相蒸着におけるイオン化促進用補助電極
およびフィラメントにより、イオン化率を向上さするこ
とができるため、均一なダイヤモンドライクカーボン膜
の生成および生成領域の拡大を実現することができ、量
産性の向上に大きく寄与することが判明した。本発明に
おいて反応系にアルゴンガスを供給することにより、ダ
イヤモンドライクカーボン成膜ｉ度を増大することがで
きる。
およびフィラメントにより、イオン化率を向上さするこ
とができるため、均一なダイヤモンドライクカーボン膜
の生成および生成領域の拡大を実現することができ、量
産性の向上に大きく寄与することが判明した。本発明に
おいて反応系にアルゴンガスを供給することにより、ダ
イヤモンドライクカーボン成膜ｉ度を増大することがで
きる。
第１図は本発明の装置の模式図である。
１：真空槽内 ２；ワーク
３：ガス導入口 ４；ヒータ
５：シャッター ６：イオン化促進用補助電極７；
フィラメント
フィラメント
Claims (3)
- （１）グロー放電領域のプラズマを用いる化学気相蒸着
において、水素ガスを添加した炭化水素ガスを、イオン
化促進用補助電極およびフィラメントにより、グロー放
電領域内の分解反応を促進させることを特徴としたダイ
ヤモンドライクカーボンの製造方法。 - （２）雰囲気ガスとして不活性ガスを添加した特許請求
の範囲第（１）項記載のダイヤモンドライクカーボンの
製造方法。 - （３）グロー放電領域のプラズマを用いる化学気相蒸着
装置において、ワークを設置した電極間にイオン化促進
用補助電極およびフィラメントを配置することを特徴と
したダイヤモンドライクカーボンの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274050A JPS62132800A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ダイヤモンドライクカ−ボンの製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274050A JPS62132800A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ダイヤモンドライクカ−ボンの製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132800A true JPS62132800A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17536267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60274050A Pending JPS62132800A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ダイヤモンドライクカ−ボンの製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246115A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 |
| US5192523A (en) * | 1989-06-07 | 1993-03-09 | Universal Energy Systems, Inc. | Method for forming diamondlike carbon coating |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP60274050A patent/JPS62132800A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246115A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 |
| US5192523A (en) * | 1989-06-07 | 1993-03-09 | Universal Energy Systems, Inc. | Method for forming diamondlike carbon coating |
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