JPH01222053A - ダイヤモンドコーテイング法 - Google Patents
ダイヤモンドコーテイング法Info
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- JPH01222053A JPH01222053A JP4755088A JP4755088A JPH01222053A JP H01222053 A JPH01222053 A JP H01222053A JP 4755088 A JP4755088 A JP 4755088A JP 4755088 A JP4755088 A JP 4755088A JP H01222053 A JPH01222053 A JP H01222053A
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- JP
- Japan
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- substrate
- gaseous mixture
- reaction tube
- diamond
- hydrocarbon
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板にダイヤモンドをコーティングする方法に
関し、特に耐摩耗性部品、工具またはヒートシングなど
の電気部品に適用されるダイヤモンドコーティングに関
するものである。
関し、特に耐摩耗性部品、工具またはヒートシングなど
の電気部品に適用されるダイヤモンドコーティングに関
するものである。
ダイヤモンド喚の製造方法として従来下記の方法等が知
られている。
られている。
（１） 炭化水素および水素を含む混合ガスを２００
０℃〜２５００℃に加熱したフィラメントを通過させ、
ヒーターにより８００℃〜１０００℃に加熱した基板に
導入し、基板上にダイヤモンドを析出させる方法。
０℃〜２５００℃に加熱したフィラメントを通過させ、
ヒーターにより８００℃〜１０００℃に加熱した基板に
導入し、基板上にダイヤモンドを析出させる方法。
１２）炭化水素および水素を有する混合ガスをマイクロ
波無電極放電域に導入し、該放電域に設置された基板上
にダイヤモンドを析出させる方法。
波無電極放電域に導入し、該放電域に設置された基板上
にダイヤモンドを析出させる方法。
前記１の方法では、ヒーターにより基板をダイヤモンド
析出温度である８００℃〜１０００℃に加熱する必要が
ある。またダイヤモンドの成膜速度を向上させるために
はフィラメントをより高温にして励起解離を高める方法
が考えられるが、これは高温に１耐えるフィラメントの
材質に適当なものがなく、また、高温に保持した場合フ
ィラメントの寿命が極端に低下するので事実上困難であ
る。
析出温度である８００℃〜１０００℃に加熱する必要が
ある。またダイヤモンドの成膜速度を向上させるために
はフィラメントをより高温にして励起解離を高める方法
が考えられるが、これは高温に１耐えるフィラメントの
材質に適当なものがなく、また、高温に保持した場合フ
ィラメントの寿命が極端に低下するので事実上困難であ
る。
前記２の方法ではマイクロ波無極放電により混合ガスの
励起解離と、基板の加熱を同時におこなっているため、
基板の耐熱温度によシ該放電の出力は決定される。従っ
て該放電の出力をあげＩ８ｈ起解離を高めることによシ
成嘆速度を向上させることは困燻である。
励起解離と、基板の加熱を同時におこなっているため、
基板の耐熱温度によシ該放電の出力は決定される。従っ
て該放電の出力をあげＩ８ｈ起解離を高めることによシ
成嘆速度を向上させることは困燻である。
本発明は上記技術水準に鑑み、従来技術におけるような
不具合がなく、かつ高速でダイヤモンドコーティングを
し得る方法を提供しようとするものである。
不具合がなく、かつ高速でダイヤモンドコーティングを
し得る方法を提供しようとするものである。
本発明は炭化水素および水素を有する混合ガスを厚料と
し、これをマイクロ波無電極放電域を通過させた後肢放
電域とは分離された位置に設けたフィラメントによる加
熱域を通過させ、加熱されている基板上に導い七、該ガ
スを励起・解離させ、上記基板上にダイヤモンドを析出
させてダイヤモンドコーティングを行う方法である。
し、これをマイクロ波無電極放電域を通過させた後肢放
電域とは分離された位置に設けたフィラメントによる加
熱域を通過させ、加熱されている基板上に導い七、該ガ
スを励起・解離させ、上記基板上にダイヤモンドを析出
させてダイヤモンドコーティングを行う方法である。
本発明は、マイクロ波無電極放電によシ基板を加熱して
いないため、高出力のマイクロ波無電極放電を使用でき
る。従ってガスの励起・解離は高められると共に、該放
電域とは分離された位置に設けた加熱されたフィラメン
トを通過させることにより基板近傍における該ガスの励
起・解離を高めることが可能である。
いないため、高出力のマイクロ波無電極放電を使用でき
る。従ってガスの励起・解離は高められると共に、該放
電域とは分離された位置に設けた加熱されたフィラメン
トを通過させることにより基板近傍における該ガスの励
起・解離を高めることが可能である。
以下、本発明の一実施例を説明する。
第１図に示す装置を用い、基板にシリコンウェハーを、
原料ガスにメタン及び水素の混合ガスを使用した。シリ
コンウェハー７を支持台６上に設置し、真空ポンプ４に
よシ反応管３を真空排気した。次いで反応管３内に水素
とメタンをそれぞれ１００ ＳＣＣＭ、 Ｉ ＳＣＣＭ
の流量で供給し、真空ポンプ４により反応管３内の圧
力を３０ｔｏｒｒに調整した。次いでマイクロ波発振器
１によシ周波数２．４５０’Ｈｚ、５００Ｗの出力で１
２００°Ｃの反応管３内にマイクロ波ｘ’！ｔｉ放電を
発生させ該ガスを励起・解離させ、同時にフィラメント
５を２５００°Ｃに加熱し、基板加熱用ヒーター８によ
り９５０℃に加熱された基板７上にガスを導入した。
原料ガスにメタン及び水素の混合ガスを使用した。シリ
コンウェハー７を支持台６上に設置し、真空ポンプ４に
よシ反応管３を真空排気した。次いで反応管３内に水素
とメタンをそれぞれ１００ ＳＣＣＭ、 Ｉ ＳＣＣＭ
の流量で供給し、真空ポンプ４により反応管３内の圧
力を３０ｔｏｒｒに調整した。次いでマイクロ波発振器
１によシ周波数２．４５０’Ｈｚ、５００Ｗの出力で１
２００°Ｃの反応管３内にマイクロ波ｘ’！ｔｉ放電を
発生させ該ガスを励起・解離させ、同時にフィラメント
５を２５００°Ｃに加熱し、基板加熱用ヒーター８によ
り９５０℃に加熱された基板７上にガスを導入した。
３時間反応を続けたところ、シリコンウェハー７上に膜
厚６μｍのダイヤモンドが析出した。
厚６μｍのダイヤモンドが析出した。
ラマン分光分析により非晶質−のない良質なダイヤモン
ドであることが確認された。尚、フィラメント加熱温度
は２０００〜２５００℃の範囲が良好であった。
ドであることが確認された。尚、フィラメント加熱温度
は２０００〜２５００℃の範囲が良好であった。
本発明の方法によるとマイクロ波無電極放電とフィラメ
ント加熱を使用し、先ず高出力のマイクロ波無’！４’
＠放電により、ガスを励起解離させ、フィラメント加熱
により、ガスの励起解離を保持しているため、基板近傍
のにおけるガスの吻起解唯度は高く、そのため、高速で
ダイヤモンドを基板上に析出させ得る効果が奏される。
ント加熱を使用し、先ず高出力のマイクロ波無’！４’
＠放電により、ガスを励起解離させ、フィラメント加熱
により、ガスの励起解離を保持しているため、基板近傍
のにおけるガスの吻起解唯度は高く、そのため、高速で
ダイヤモンドを基板上に析出させ得る効果が奏される。
第１図は本発明の一実施例に使用した装置の概略図であ
る。
る。
Claims (1)
- 炭化水素および水素を含む混合ガスを原料とし、これを
マイクロ波無極放電域を通過させた後、さらにフイラメ
ントによる加熱域を通過させて加熱されている基板表面
に導いて該表面にダイヤモンドを析出させることを特徴
とするダイヤモンドコーテイング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4755088A JPH01222053A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ダイヤモンドコーテイング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4755088A JPH01222053A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ダイヤモンドコーテイング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01222053A true JPH01222053A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12778268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4755088A Pending JPH01222053A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | ダイヤモンドコーテイング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01222053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10259482A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜の形成方法 |
| US6528115B1 (en) | 1997-03-19 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP4755088A patent/JPH01222053A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10259482A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 硬質炭素被膜の形成方法 |
| US6528115B1 (en) | 1997-03-19 | 2003-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard carbon thin film and method of forming the same |
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