JPH0665744A - ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法Info
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- JPH0665744A JPH0665744A JP22109692A JP22109692A JPH0665744A JP H0665744 A JPH0665744 A JP H0665744A JP 22109692 A JP22109692 A JP 22109692A JP 22109692 A JP22109692 A JP 22109692A JP H0665744 A JPH0665744 A JP H0665744A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】良質のダイヤモンド状炭素薄膜を基材に対する
熱的影響の少ない低温で成膜する製造方法を提供する。 【構成】２００℃以下に保持された基材１０の表面に、
炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイクロトロン
共鳴法により励起し接触させて成膜する。
熱的影響の少ない低温で成膜する製造方法を提供する。 【構成】２００℃以下に保持された基材１０の表面に、
炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイクロトロン
共鳴法により励起し接触させて成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、装飾用、工具用、電子
デバイス用等の被膜に利用されるダイヤモンド状炭素薄
膜の製造方法に関する。
デバイス用等の被膜に利用されるダイヤモンド状炭素薄
膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンド状炭素薄膜は、優れた物性
を有しており、装飾用、工具用、電子デバイス用等の被
膜材料として幅広い用途に使用されつつある。従来よ
り、ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法としては、熱Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、イオンビ−ム法、イオンプ
レ−ティング法等が知られており、例えば、特開昭５８
−９１１００号公報に、炭素含有ガスと水素ガスを用い
て、熱ＣＶＤ法によりダイヤモンド状炭素薄膜を形成す
る方法が記載されており、特開昭６４−３１９７４号公
報には、炭素含有ガスと不活性ガスを用いて、プラズマ
ＣＶＤ法により成膜する方法が記載されている。
を有しており、装飾用、工具用、電子デバイス用等の被
膜材料として幅広い用途に使用されつつある。従来よ
り、ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法としては、熱Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、イオンビ−ム法、イオンプ
レ−ティング法等が知られており、例えば、特開昭５８
−９１１００号公報に、炭素含有ガスと水素ガスを用い
て、熱ＣＶＤ法によりダイヤモンド状炭素薄膜を形成す
る方法が記載されており、特開昭６４−３１９７４号公
報には、炭素含有ガスと不活性ガスを用いて、プラズマ
ＣＶＤ法により成膜する方法が記載されている。
【０００３】しかしながら、上記熱ＣＶＤ法およびプラ
ズマＣＶＤ法は、真空度が低い状態で成膜するため、生
成した炭素含有活性種が基材表面に到達する前に該活性
種同志が衝突して別種の活性種が生成し、純粋なダイヤ
モンド状炭素薄膜が形成されないという欠点を有してお
り、さらに、基材温度が８００℃以上の高温であるた
め、特定の基材にしか成膜できないという欠点を有して
いる。
ズマＣＶＤ法は、真空度が低い状態で成膜するため、生
成した炭素含有活性種が基材表面に到達する前に該活性
種同志が衝突して別種の活性種が生成し、純粋なダイヤ
モンド状炭素薄膜が形成されないという欠点を有してお
り、さらに、基材温度が８００℃以上の高温であるた
め、特定の基材にしか成膜できないという欠点を有して
いる。
【０００４】上記欠点を解決するために、最近、電子サ
イクロトロン共鳴法による方法が提案されており、例え
ば、特開昭６３−８３２７１号公報に、水素ガスと炭素
含有ガスを用いて電子サイクロトロン共鳴法により、成
膜する方法が記載されているが、この方法は、水素ガス
と炭素含有ガスを組み合わせた系を用いているため、プ
ラズマ密度が大きくなく、生成する炭素含有活性種の濃
度が高くならず、形成されたダイヤモンド状炭素薄膜の
結晶粒子が粗くなるので基材との密着性が劣るという欠
点を有していた。また、基材温度が３００℃以上のた
め、特定の基材にしか成膜できないという欠点がある。
イクロトロン共鳴法による方法が提案されており、例え
ば、特開昭６３−８３２７１号公報に、水素ガスと炭素
含有ガスを用いて電子サイクロトロン共鳴法により、成
膜する方法が記載されているが、この方法は、水素ガス
と炭素含有ガスを組み合わせた系を用いているため、プ
ラズマ密度が大きくなく、生成する炭素含有活性種の濃
度が高くならず、形成されたダイヤモンド状炭素薄膜の
結晶粒子が粗くなるので基材との密着性が劣るという欠
点を有していた。また、基材温度が３００℃以上のた
め、特定の基材にしか成膜できないという欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、良質のダイヤ
モンド状炭素薄膜を基材に対する熱的影響の少ない低温
で成膜する製造方法を提供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、良質のダイヤ
モンド状炭素薄膜を基材に対する熱的影響の少ない低温
で成膜する製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のダイヤモンド状
炭素薄膜の製造方法は、２００℃以下に保持された基材
の表面に、炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイ
クロトロン共鳴法により励起し接触させて成膜すること
を特徴とし、そのことにより、上記目的が達成される。
炭素薄膜の製造方法は、２００℃以下に保持された基材
の表面に、炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイ
クロトロン共鳴法により励起し接触させて成膜すること
を特徴とし、そのことにより、上記目的が達成される。
【０００７】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
で使用される反応ガスとしては、炭素と水素を含有する
ガスであり、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類；エチレ
ン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス
類；ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス
類；アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス
類；ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタ
レン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類；シ
クロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガ
ス類；シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアル
ケン系ガス類；メタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル
系ガス類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系
ガス類；メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス
類等が挙げられる。これらのガスは、単独で使用されて
もよいし、二種以上が併用されてもよい。
で使用される反応ガスとしては、炭素と水素を含有する
ガスであり、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類；エチレ
ン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス
類；ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス
類；アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス
類；ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタ
レン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類；シ
クロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガ
ス類；シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアル
ケン系ガス類；メタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル
系ガス類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系
ガス類；メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス
類等が挙げられる。これらのガスは、単独で使用されて
もよいし、二種以上が併用されてもよい。
【０００８】また、反応ガスとしては、上記ガスと水素
ガスとの混合ガスや、上記ガスと希ガスとの混合ガスも
使用可能である。さらに、反応ガスとしては、上記ガス
と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等炭素と酸素のみか
ら構成されるガスとの混合ガスや、上記ガスと酸素ガス
や水蒸気との混合ガスも使用可能である。
ガスとの混合ガスや、上記ガスと希ガスとの混合ガスも
使用可能である。さらに、反応ガスとしては、上記ガス
と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等炭素と酸素のみか
ら構成されるガスとの混合ガスや、上記ガスと酸素ガス
や水蒸気との混合ガスも使用可能である。
【０００９】上記希ガスは、周期律表第０族の元素から
なるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオ
ン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは、単独
で使用されてもいし、２種以上が併用されてもよい。
なるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオ
ン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは、単独
で使用されてもいし、２種以上が併用されてもよい。
【００１０】希ガスを混合するとプラズマ電子密度が大
きくなるため、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜速度が高
くなる傾向がある。そして、上記混合ガス中における希
ガスの混合量は、混合ガスの種類や成膜圧力等によって
適宜決定されるが、過剰でも過小でも、得られる薄膜が
グラファイト状になり、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜
速度が低下するので、混合ガス中２０〜９０ｖｏｌ％が
好ましい。
きくなるため、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜速度が高
くなる傾向がある。そして、上記混合ガス中における希
ガスの混合量は、混合ガスの種類や成膜圧力等によって
適宜決定されるが、過剰でも過小でも、得られる薄膜が
グラファイト状になり、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜
速度が低下するので、混合ガス中２０〜９０ｖｏｌ％が
好ましい。
【００１１】また、水素ガスについては、混合ガス中の
混合量は使用される混合ガスの種類や成膜圧力等によっ
て適宜決定され、その混合量は特に限定されるものでは
ないが、混合ガス中０〜９０ｖｏｌ％が好ましい。
混合量は使用される混合ガスの種類や成膜圧力等によっ
て適宜決定され、その混合量は特に限定されるものでは
ないが、混合ガス中０〜９０ｖｏｌ％が好ましい。
【００１２】本発明で使用される基材としては、例え
ば、シリコン、アルミニウム、チタン、モリブデン、タ
ングステン等の金属およびこれら金属の合金、各種金属
の酸化物、窒化物および炭化物、ガラス、セラミック
ス、プラスチック等が挙げられ、その形状としては特に
限定されるものではなく、例えば、板状、線状、パイプ
状等が挙げられる。
ば、シリコン、アルミニウム、チタン、モリブデン、タ
ングステン等の金属およびこれら金属の合金、各種金属
の酸化物、窒化物および炭化物、ガラス、セラミック
ス、プラスチック等が挙げられ、その形状としては特に
限定されるものではなく、例えば、板状、線状、パイプ
状等が挙げられる。
【００１３】上記基材は、冷却装置が付いた保持具によ
って保持され、温度２００℃以下に保持される。基材の
温度は、基材に接触する保持具の温度を制御することに
よって設定される。保持具の温度制御方式は、保持具中
へ所定の温度の液体あるいは気体を循環する方式、また
は熱線、通電加熱等の方法が挙げられるが、成膜時のプ
ラズマは少なくとも２００℃以上の温度をもっているた
め、熱容量の大きい液体循環方式が好ましい。この際、
循環させる液体としては、所定の温度に加温あるいは冷
却された液体、例えば、水、エチレングリコール（不凍
液）、アルコール類、さらに低温化する場合、液体窒
素、液体ヘリウム等が挙げられる。
って保持され、温度２００℃以下に保持される。基材の
温度は、基材に接触する保持具の温度を制御することに
よって設定される。保持具の温度制御方式は、保持具中
へ所定の温度の液体あるいは気体を循環する方式、また
は熱線、通電加熱等の方法が挙げられるが、成膜時のプ
ラズマは少なくとも２００℃以上の温度をもっているた
め、熱容量の大きい液体循環方式が好ましい。この際、
循環させる液体としては、所定の温度に加温あるいは冷
却された液体、例えば、水、エチレングリコール（不凍
液）、アルコール類、さらに低温化する場合、液体窒
素、液体ヘリウム等が挙げられる。
【００１４】以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明のダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法に
使用される装置の１例を示す模式断面図である。図１に
おいて、１は真空容器であり、真空容器１はプラズマ発
生室２と成膜室３からなっている。また、プラズマ電位
を制御するために、プラズマ発生室２と成膜室３は絶縁
物４１、４２によって絶縁されている。
図１は、本発明のダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法に
使用される装置の１例を示す模式断面図である。図１に
おいて、１は真空容器であり、真空容器１はプラズマ発
生室２と成膜室３からなっている。また、プラズマ電位
を制御するために、プラズマ発生室２と成膜室３は絶縁
物４１、４２によって絶縁されている。
【００１５】プラズマ発生室２と成膜室３の電位を異な
らせる必要のある場合は、プラズマ発生室２及び成膜室
３を導線によって、別々の直流電源５１、５２に接続す
ればよく、プラズマ発生室２と成膜室３の電位を同一と
する場合は、プラズマ発生室２と成膜室３を導線６で接
続すればよい。
らせる必要のある場合は、プラズマ発生室２及び成膜室
３を導線によって、別々の直流電源５１、５２に接続す
ればよく、プラズマ発生室２と成膜室３の電位を同一と
する場合は、プラズマ発生室２と成膜室３を導線６で接
続すればよい。
【００１６】プラズマ発生室２の側面中央部には、マイ
クロ波発振器７がマイクロ波導入路８によって連設され
ており、プラズマ発生室２とマイクロ波導入路８の周辺
部には、磁場コイル９が設置されている。
クロ波発振器７がマイクロ波導入路８によって連設され
ており、プラズマ発生室２とマイクロ波導入路８の周辺
部には、磁場コイル９が設置されている。
【００１７】一方、真空容器１内には、基材１０が、基
材１０を保持するための冷却装置の付いた保持具１１上
に設置されている。保持具１１は、温度設定可能な液体
循環器（図示しない）が接続されており、内部に冷却液
１７が循環している。
材１０を保持するための冷却装置の付いた保持具１１上
に設置されている。保持具１１は、温度設定可能な液体
循環器（図示しない）が接続されており、内部に冷却液
１７が循環している。
【００１８】尚、均一な膜を形成させるために、基材１
０に直流バイアスを印加するのが好ましく、そのため、
保持具１１は絶縁体４３で絶縁されている。また、保持
具１１は、基材１０に直流バイアスを印加するための直
流電源５１に導線によって接続されている。
０に直流バイアスを印加するのが好ましく、そのため、
保持具１１は絶縁体４３で絶縁されている。また、保持
具１１は、基材１０に直流バイアスを印加するための直
流電源５１に導線によって接続されている。
【００１９】上記プラズマ発生室２には、反応ガスを導
入するためのガス導入管１３、１４が設けられており、
ガス導入管１３は保持具１１（基材１０）に近い位置に
設けられている。尚、成膜室３の壁面には、真空容器１
内の圧力を調整するための排気装置（図示しない）と接
続する排気口１５が設けられている。
入するためのガス導入管１３、１４が設けられており、
ガス導入管１３は保持具１１（基材１０）に近い位置に
設けられている。尚、成膜室３の壁面には、真空容器１
内の圧力を調整するための排気装置（図示しない）と接
続する排気口１５が設けられている。
【００２０】以下に製造方法を説明する。まず、真空容
器１内の保持具１１によって、基材１０を保持した後、
真空容器１内を高真空とする。この時の真空度は、他の
不純物ガスの残留による成膜への影響をなくするため、
１０-4Ｔｏｒｒ以下が好ましい。
器１内の保持具１１によって、基材１０を保持した後、
真空容器１内を高真空とする。この時の真空度は、他の
不純物ガスの残留による成膜への影響をなくするため、
１０-4Ｔｏｒｒ以下が好ましい。
【００２１】上記基材１０の成膜時の温度は、２００℃
以下に保持する。好ましい成膜時の基材温度は０℃〜１
５０℃程度である。そのため、保持具１１に接続された
液体循環器によって、循環液１７の温度を設定し、保持
具１１中を循環することにより、基材１０を所定の温度
に設定する。ここで、循環液１７は水でもかまわない
が、基材１０にバイアスを印加する場合や、１００℃以
上又は０℃以下に設定する場合は、水が使用できないの
で、エチレングリコールの使用が好ましい。
以下に保持する。好ましい成膜時の基材温度は０℃〜１
５０℃程度である。そのため、保持具１１に接続された
液体循環器によって、循環液１７の温度を設定し、保持
具１１中を循環することにより、基材１０を所定の温度
に設定する。ここで、循環液１７は水でもかまわない
が、基材１０にバイアスを印加する場合や、１００℃以
上又は０℃以下に設定する場合は、水が使用できないの
で、エチレングリコールの使用が好ましい。
【００２２】次に、ガス導入管１３及び１４から反応ガ
スを注入して所定圧力に調整する。上記所定圧力は、低
くなると成膜速度が低くなり、高くなると得られるダイ
ヤモンド状炭素薄膜の膜質が低下するので、１×１０-4
〜５０Ｔｏｒｒが好ましく、より好ましくは１×１０-2
〜１０Ｔｏｒｒである。反応ガスの導入方法は、特に限
定されるものではなく、反応ガスをガス導入管１３もし
くは１４から一括して導入してもよいし、混合ガスの場
合はガス導入管１３及び１４から、混合ガスを構成する
成分ガスを別々に導入してもよい。
スを注入して所定圧力に調整する。上記所定圧力は、低
くなると成膜速度が低くなり、高くなると得られるダイ
ヤモンド状炭素薄膜の膜質が低下するので、１×１０-4
〜５０Ｔｏｒｒが好ましく、より好ましくは１×１０-2
〜１０Ｔｏｒｒである。反応ガスの導入方法は、特に限
定されるものではなく、反応ガスをガス導入管１３もし
くは１４から一括して導入してもよいし、混合ガスの場
合はガス導入管１３及び１４から、混合ガスを構成する
成分ガスを別々に導入してもよい。
【００２３】次に、磁場コイル９によって、所定強度の
磁場を印加すると共に、マイクロ波発振器７によって、
所定周波数のマイクロ波を発生させ、マイクロ波導入路
８を経由し石英窓１６を通じて真空容器１内にマイクロ
波を導入する。その結果、真空容器１内に導入された反
応ガスは励起されてプラズマ状態となり、炭素含有活性
種が基材１０に接触することにより、基材１０上にダイ
ヤモンド状炭素薄膜が形成されるのである。
磁場を印加すると共に、マイクロ波発振器７によって、
所定周波数のマイクロ波を発生させ、マイクロ波導入路
８を経由し石英窓１６を通じて真空容器１内にマイクロ
波を導入する。その結果、真空容器１内に導入された反
応ガスは励起されてプラズマ状態となり、炭素含有活性
種が基材１０に接触することにより、基材１０上にダイ
ヤモンド状炭素薄膜が形成されるのである。
【００２４】上記磁場強度及び周波数は、特に限定され
るものではないが、電子サイクロトロン共鳴に必要な条
件を満たす値とするのが好ましい。この条件は、一定磁
場に置ける電子のサイクロトロン周波数とマイクロ波周
波数が一致することをいい、例えば、マイクロ波周波数
が２．４５ＧＨｚの場合、磁場強度が８７５ガウスであ
る。尚、この時、均一な薄膜を形成するために、基材１
０に直流バイアスを印加するのが好ましく、直流バイア
ス値は、−５〜２００Ｖが好ましい。
るものではないが、電子サイクロトロン共鳴に必要な条
件を満たす値とするのが好ましい。この条件は、一定磁
場に置ける電子のサイクロトロン周波数とマイクロ波周
波数が一致することをいい、例えば、マイクロ波周波数
が２．４５ＧＨｚの場合、磁場強度が８７５ガウスであ
る。尚、この時、均一な薄膜を形成するために、基材１
０に直流バイアスを印加するのが好ましく、直流バイア
ス値は、−５〜２００Ｖが好ましい。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、得
られたダイヤモンド状炭素薄膜の評価方法は次の通りで
ある。 （１）膜の同定 Ｘ線電子分光法により、得られた膜の結合エネルギー０
〜３０ｅＶの範囲の価電子帯スペクトルを測定し、図２
に示すIIb 型天然ダイヤモンドの価電子帯スペクトルの
ように、１４ｅＶ及び１８ｅＶのダイヤモンド特有のピ
−クの有無を確認することによって、得られた膜がダイ
ヤモンド状炭素薄膜であることを同定した。黒鉛の価電
子帯スペクトルは、図３に示すように、１４ｅＶ及び１
８ｅＶのピークは確認されない。
られたダイヤモンド状炭素薄膜の評価方法は次の通りで
ある。 （１）膜の同定 Ｘ線電子分光法により、得られた膜の結合エネルギー０
〜３０ｅＶの範囲の価電子帯スペクトルを測定し、図２
に示すIIb 型天然ダイヤモンドの価電子帯スペクトルの
ように、１４ｅＶ及び１８ｅＶのダイヤモンド特有のピ
−クの有無を確認することによって、得られた膜がダイ
ヤモンド状炭素薄膜であることを同定した。黒鉛の価電
子帯スペクトルは、図３に示すように、１４ｅＶ及び１
８ｅＶのピークは確認されない。
【００２６】（２）膜の性状 得られた膜の結晶粒径を走査型電子顕微鏡で観察して評
価を行った。
価を行った。
【００２７】（実施例１）図１に示した装置において、
プラズマ発生室２と成膜室３が導線６で接続されている
真空容器１内のステンレス製保持具１１に公知のダイヤ
モンド砥粒による前処理を施してある直径４インチ、厚
み２００μｍのシリコン基材１０を設置し、真空容器１
内を１×１０-5Ｔｏｒｒに減圧した後、加熱及び冷却装
置付き液体循環器でエチレングリコール不凍液を−１０
℃にし、保持具１１中を１０リットル／分の流量で循環
させた。次いで、ガス流量をそれぞれメタノールガス４
０ｓｃｃｍ、アルゴンガス１４０ｓｃｃｍに設定し、ガ
ス導入管１４より混合ガスとして真空容器１内に導入
し、０．１Ｔｏｒｒの圧力とした後、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚ、１．２ｋＷのマイクロ波及び２．２ｋガウスの磁
場を印加すると共に、３０Ｖの直流バイアス電流を印加
して８時間成膜を行った。この時の基材表面付近の磁場
強度は８７５ガウスであり、成膜時の基材温度は、成膜
時に基材１０の背面（成膜室側）から１ｍｍ離れた位置
の温度を熱電対１２で測定したところ７５℃であり、成
膜速度は０．０４μｍ／時間であった。得られた薄膜を
前記の方法で評価した結果、Ｘ線電子分光法では、１４
ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモンド特有の価
電子帯スペクトルが確認され、走査型電子顕微鏡観察で
は、５０Åに粒径の揃った結晶状態が観察された。
プラズマ発生室２と成膜室３が導線６で接続されている
真空容器１内のステンレス製保持具１１に公知のダイヤ
モンド砥粒による前処理を施してある直径４インチ、厚
み２００μｍのシリコン基材１０を設置し、真空容器１
内を１×１０-5Ｔｏｒｒに減圧した後、加熱及び冷却装
置付き液体循環器でエチレングリコール不凍液を−１０
℃にし、保持具１１中を１０リットル／分の流量で循環
させた。次いで、ガス流量をそれぞれメタノールガス４
０ｓｃｃｍ、アルゴンガス１４０ｓｃｃｍに設定し、ガ
ス導入管１４より混合ガスとして真空容器１内に導入
し、０．１Ｔｏｒｒの圧力とした後、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚ、１．２ｋＷのマイクロ波及び２．２ｋガウスの磁
場を印加すると共に、３０Ｖの直流バイアス電流を印加
して８時間成膜を行った。この時の基材表面付近の磁場
強度は８７５ガウスであり、成膜時の基材温度は、成膜
時に基材１０の背面（成膜室側）から１ｍｍ離れた位置
の温度を熱電対１２で測定したところ７５℃であり、成
膜速度は０．０４μｍ／時間であった。得られた薄膜を
前記の方法で評価した結果、Ｘ線電子分光法では、１４
ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモンド特有の価
電子帯スペクトルが確認され、走査型電子顕微鏡観察で
は、５０Åに粒径の揃った結晶状態が観察された。
【００２８】（実施例２）実施例１において、アルゴン
ガスに代えてヘリウムガスを用いたこと以外は、実施例
１と同様にして８時間成膜を行った。この時の成膜時の
基材温度は、実施例１と同様にして測定したところ７８
℃であり、成膜速度は０．０３μｍ／時間であった。得
られた薄膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線
電子分光法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつ
ダイヤモンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、走
査型電子顕微鏡による観察では、５０Åに粒径の揃った
結晶状態が観察された。
ガスに代えてヘリウムガスを用いたこと以外は、実施例
１と同様にして８時間成膜を行った。この時の成膜時の
基材温度は、実施例１と同様にして測定したところ７８
℃であり、成膜速度は０．０３μｍ／時間であった。得
られた薄膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線
電子分光法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつ
ダイヤモンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、走
査型電子顕微鏡による観察では、５０Åに粒径の揃った
結晶状態が観察された。
【００２９】（実施例３）実施例１において、アルゴン
ガスに代えて水素ガスを用いたこと以外は、実施例１と
同様にして１２時間成膜を行った。この時の成膜時の基
材温度は、実施例１と同様にして測定したところ８０℃
であり、成膜速度は０．０１μｍ／時間であった。得ら
れた薄膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線電
子分光法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダ
イヤモンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、走査
型電子顕微鏡による観察では、６５Åに粒径の揃った結
晶状態が観察された。
ガスに代えて水素ガスを用いたこと以外は、実施例１と
同様にして１２時間成膜を行った。この時の成膜時の基
材温度は、実施例１と同様にして測定したところ８０℃
であり、成膜速度は０．０１μｍ／時間であった。得ら
れた薄膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線電
子分光法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダ
イヤモンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、走査
型電子顕微鏡による観察では、６５Åに粒径の揃った結
晶状態が観察された。
【００３０】（実施例４）実施例１において、保持具１
１内の循環液の温度を７０℃としたこと以外は、実施例
１と同様にして８時間成膜を行った。この時の成膜時の
基材温度は、実施例１と同様にして測定したところ１３
５℃であり、成膜速度は０．０５μｍ／時間であった。
得られた薄膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ
線電子分光法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをも
つダイヤモンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、
走査型電子顕微鏡による観察では、５０Åに粒径の揃っ
た結晶状態が観察された。
１内の循環液の温度を７０℃としたこと以外は、実施例
１と同様にして８時間成膜を行った。この時の成膜時の
基材温度は、実施例１と同様にして測定したところ１３
５℃であり、成膜速度は０．０５μｍ／時間であった。
得られた薄膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ
線電子分光法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをも
つダイヤモンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、
走査型電子顕微鏡による観察では、５０Åに粒径の揃っ
た結晶状態が観察された。
【００３１】（実施例５）真空容器１内の保持具１１に
公知のダイヤモンド砥粒による前処理をした石英ガラス
板（１０×１０×１ｍｍ厚）を設置し、真空容器１内を
１×１０-5Ｔｏｒｒに減圧した後、３０℃のエチレング
リコールを１０リットル／分の流量で循環器によって保
持具１１中を循環させた。次いで、メタンガス５ｓｃｃ
ｍ、二酸化炭素ガス１０ｓｃｃｍをガス導入管１３より
導入し、水素ガス８５ｓｃｃｍをガス導入管１４より導
入し、成膜室３と絶縁されたプラズマ発生室２に５０Ｖ
のバイアスを印加し、また、保持具１１に３０Ｖのバイ
アスを印加し、０．０５Ｔｏｒｒの圧力で１０時間成膜
を行った。この時の成膜時の基材温度は、実施例１と同
様にして測定したところ１１５℃であり、成膜速度は
０．０１μｍ／時間であった。得られた薄膜を実施例１
と同様にして評価した結果、Ｘ線電子分光法では、１４
ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモンド特有の価
電子帯スペクトルが確認され、走査型電子顕微鏡による
観察では、５５Åに粒径の揃った結晶状態が観察され
た。
公知のダイヤモンド砥粒による前処理をした石英ガラス
板（１０×１０×１ｍｍ厚）を設置し、真空容器１内を
１×１０-5Ｔｏｒｒに減圧した後、３０℃のエチレング
リコールを１０リットル／分の流量で循環器によって保
持具１１中を循環させた。次いで、メタンガス５ｓｃｃ
ｍ、二酸化炭素ガス１０ｓｃｃｍをガス導入管１３より
導入し、水素ガス８５ｓｃｃｍをガス導入管１４より導
入し、成膜室３と絶縁されたプラズマ発生室２に５０Ｖ
のバイアスを印加し、また、保持具１１に３０Ｖのバイ
アスを印加し、０．０５Ｔｏｒｒの圧力で１０時間成膜
を行った。この時の成膜時の基材温度は、実施例１と同
様にして測定したところ１１５℃であり、成膜速度は
０．０１μｍ／時間であった。得られた薄膜を実施例１
と同様にして評価した結果、Ｘ線電子分光法では、１４
ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモンド特有の価
電子帯スペクトルが確認され、走査型電子顕微鏡による
観察では、５５Åに粒径の揃った結晶状態が観察され
た。
【００３２】（実施例６）実施例１において、基材１０
としてダイヤモンド砥粒による前処理を施した厚さ１０
０μｍのポリカーボネトフィルムを用いたこと以外は、
実施例１と同様にして３時間成膜を行った。得られた薄
膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線電子分光
法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモ
ンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、走査型電子
顕微鏡による観察では、５０Åに粒径の揃った結晶状態
が観察された。
としてダイヤモンド砥粒による前処理を施した厚さ１０
０μｍのポリカーボネトフィルムを用いたこと以外は、
実施例１と同様にして３時間成膜を行った。得られた薄
膜を実施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線電子分光
法では、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモ
ンド特有の価電子帯スペクトルが確認され、走査型電子
顕微鏡による観察では、５０Åに粒径の揃った結晶状態
が観察された。
【００３３】尚、実施例の結果から、成膜時の基材温度
と成膜速度は相関があることがわかった。
と成膜速度は相関があることがわかった。
【００３４】（比較例１）実施例１において、保持具１
１の冷却を行わなかったこと以外は、実施例１と同様に
して４時間成膜した。この時の成膜時の基材温度は、実
施例１と同様にして測定したところ４２０℃であり、成
膜速度は０．３μｍ／時間であった。得られた薄膜を実
施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線電子分光法で
は、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモンド
特有の価電子帯スペクトルが確認され、走査型電子顕微
鏡による観察では、５０Åに粒径の揃った結晶状態が観
察された。
１の冷却を行わなかったこと以外は、実施例１と同様に
して４時間成膜した。この時の成膜時の基材温度は、実
施例１と同様にして測定したところ４２０℃であり、成
膜速度は０．３μｍ／時間であった。得られた薄膜を実
施例１と同様にして評価した結果、Ｘ線電子分光法で
は、１４ｅＶ及び１８ｅＶにピークをもつダイヤモンド
特有の価電子帯スペクトルが確認され、走査型電子顕微
鏡による観察では、５０Åに粒径の揃った結晶状態が観
察された。
【００３５】（比較例２）実施例６において、保持具１
１の冷却を行わなかったこと以外は、実施例１と同様に
して３０分間成膜したところ、基材のポリカーボネート
フィルムは融けて大部分は消失した。
１の冷却を行わなかったこと以外は、実施例１と同様に
して３０分間成膜したところ、基材のポリカーボネート
フィルムは融けて大部分は消失した。
【００３６】
【発明の効果】本発明のダイヤモンド状炭素薄膜の製造
方法は上述の通りであるから、上記薄膜を低温で製造す
ることができ、得られた薄膜は粒径の揃った微小な結晶
粒子を有している。また、本発明によって得られたダイ
ヤモンド状炭素薄膜は、装飾用、工具用、電子デバイス
用等の被膜として使用でき、光学用材料、電子材料、化
学工業材料等幅広い用途に好適に用いることができる。
方法は上述の通りであるから、上記薄膜を低温で製造す
ることができ、得られた薄膜は粒径の揃った微小な結晶
粒子を有している。また、本発明によって得られたダイ
ヤモンド状炭素薄膜は、装飾用、工具用、電子デバイス
用等の被膜として使用でき、光学用材料、電子材料、化
学工業材料等幅広い用途に好適に用いることができる。
【００３７】
【図１】本発明の製造方法に使用される装置の一例を示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図２】IIb 型天然ダイヤモンドのＸ線電子分光法によ
って得られた価電子帯スペクトルである。
って得られた価電子帯スペクトルである。
【図３】黒鉛のＸ線電子分光法によって得られた価電子
帯スペクトルである。
帯スペクトルである。
１ 真空容器 ２ プラズマ発生室 ３ 成膜室 ６ 導線 ７ マイクロ波発振器 ８ マイクロ波導入路 ９ 磁場コイル １０ 基材 １１ 保持具 １２ 熱電対 １３、１４ ガス導入管 １５ 排気口 １６ 石英窓 １７ 循環液 ４１、４２、４３ 絶縁体 ５１、５２ 直流バイアス電源
Claims (1)
- 【請求項１】２００℃以下に保持された基材の表面に、
炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイクロトロン
共鳴法により励起し接触させて成膜することを特徴とす
るダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22109692A JPH0665744A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22109692A JPH0665744A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0665744A true JPH0665744A (ja) | 1994-03-08 |
Family
ID=16761429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22109692A Pending JPH0665744A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665744A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305173A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 超硬質炭素皮膜を有する物体の製造方法およびその装置 |
| US5728295A (en) * | 1996-04-19 | 1998-03-17 | Fuji Hunt Photographic Chemicals, Inc. | Apparatus for removing metal ions and/or complexes containing metal ions from a solution |
| EP0967844A1 (fr) * | 1998-06-24 | 1999-12-29 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de dépÔt par plasma à la résonance cyclotron électronique de couches de carbone émetteur d'électrons sous l'effet d'un champ électrique appliqué |
| US6126840A (en) * | 1998-08-13 | 2000-10-03 | Fuji Hunt Photographic Chemicals, Inc. | Process for removing silver in the presence of iron from waste effluent |
| JP2004060037A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの製造方法及びダイヤモンド製品 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22109692A patent/JPH0665744A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07305173A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 超硬質炭素皮膜を有する物体の製造方法およびその装置 |
| US5728295A (en) * | 1996-04-19 | 1998-03-17 | Fuji Hunt Photographic Chemicals, Inc. | Apparatus for removing metal ions and/or complexes containing metal ions from a solution |
| US5993668A (en) * | 1996-04-19 | 1999-11-30 | Fuji Hunt Photographic Chemicals, Inc. | Method for removing metal ions and/or complexes containing metal ions from a solution |
| EP0967844A1 (fr) * | 1998-06-24 | 1999-12-29 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de dépÔt par plasma à la résonance cyclotron électronique de couches de carbone émetteur d'électrons sous l'effet d'un champ électrique appliqué |
| FR2780601A1 (fr) * | 1998-06-24 | 1999-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de depot par plasma a la resonance cyclotron electronique de couches de carbone emetteur d'electrons sous l'effet d'un champ electrique applique |
| US6126840A (en) * | 1998-08-13 | 2000-10-03 | Fuji Hunt Photographic Chemicals, Inc. | Process for removing silver in the presence of iron from waste effluent |
| JP2004060037A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの製造方法及びダイヤモンド製品 |
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