JPS60127292A - ダイヤモンドの製造法 - Google Patents
ダイヤモンドの製造法Info
- Publication number
- JPS60127292A JPS60127292A JP58235018A JP23501883A JPS60127292A JP S60127292 A JPS60127292 A JP S60127292A JP 58235018 A JP58235018 A JP 58235018A JP 23501883 A JP23501883 A JP 23501883A JP S60127292 A JPS60127292 A JP S60127292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- substrate
- temperature
- diamond
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイヤモンドの製造法に関する。現在、ダイヤ
モンドの人工合成は高温高圧法による方法のみが工、業
的に使用されている。しかし、最近炭化水素ガスを原料
とし低温低圧下での合成が試みられている。例えば、プ
ラズマを利用した方法としてマイクロ波無極放電により
、炭化水素と水素ガスとの混合ガスをプラズマ化し基板
上にダイヤモンドを製造する方法（特開昭夕♂−／１０
１０４ｔ９や高周波（／ ３．３６ ＭＨｚ ）による
方法（特開昭ｓｅ−／３ｔ／／ｙ）等が知られている。
モンドの人工合成は高温高圧法による方法のみが工、業
的に使用されている。しかし、最近炭化水素ガスを原料
とし低温低圧下での合成が試みられている。例えば、プ
ラズマを利用した方法としてマイクロ波無極放電により
、炭化水素と水素ガスとの混合ガスをプラズマ化し基板
上にダイヤモンドを製造する方法（特開昭夕♂−／１０
１０４ｔ９や高周波（／ ３．３６ ＭＨｚ ）による
方法（特開昭ｓｅ−／３ｔ／／ｙ）等が知られている。
・ マイクロ波無極放電による方法では結晶性の良いダ
イヤモンドができるが、導波管のサイズによって反応管
のサイズが制限され大面積化するのが困難である。又、
これらのプラズマによる方法では成長速度が７μｍ／ｈ
ｒと遅いという問題がある。
イヤモンドができるが、導波管のサイズによって反応管
のサイズが制限され大面積化するのが困難である。又、
これらのプラズマによる方法では成長速度が７μｍ／ｈ
ｒと遅いという問題がある。
我々は、これらの問題を解決する為に結晶性の物ができ
やすいマイクロ波無極放電を利用し、鋭意研究の結果、
ダイヤモンドの成長速度を早める事に成巧し、本発明に
到達した。
やすいマイクロ波無極放電を利用し、鋭意研究の結果、
ダイヤモンドの成長速度を早める事に成巧し、本発明に
到達した。
すなわち、本発明は炭化水素を原料とし水素ガスとの混
合ガスをマイクロ波無極放電によりプラズマ化してダイ
ヤモンドを製造する方法において、電場の中でマイクロ
波無梅放電によってプラズマを発生させる事を特徴とす
るダイヤモンドの製造法に関する。
合ガスをマイクロ波無極放電によりプラズマ化してダイ
ヤモンドを製造する方法において、電場の中でマイクロ
波無梅放電によってプラズマを発生させる事を特徴とす
るダイヤモンドの製造法に関する。
本発明において原料として用いる炭化水素とは、炭素数
７〜２Ｏからなる炭化水素であり、例えば、メタン、エ
タン、プロパン、ブタン１．２，２ジメチルプロパン、
等の飽和炭化水素、エチレン、アセチレン、プロピレン
、ブチレン、フタジエン、等の不飽和炭化水素、ンクロ
〜キサン、及びシクロヘキサンの誘導体、等の脂環式炭
化水素、ベンゼン、トルエン、キンレン、ナフタレン、
マントラセン等の芳香族炭化水素等である。
７〜２Ｏからなる炭化水素であり、例えば、メタン、エ
タン、プロパン、ブタン１．２，２ジメチルプロパン、
等の飽和炭化水素、エチレン、アセチレン、プロピレン
、ブチレン、フタジエン、等の不飽和炭化水素、ンクロ
〜キサン、及びシクロヘキサンの誘導体、等の脂環式炭
化水素、ベンゼン、トルエン、キンレン、ナフタレン、
マントラセン等の芳香族炭化水素等である。
炭化水素と水素ガスの混合比は体積比でθ、００／〜／
、θであり、特に好ましくはθ、θ／〜θ、ｊである。
、θであり、特に好ましくはθ、θ／〜θ、ｊである。
θ、θθ／より小さいと成長速度が遅く、７．０以上で
は黒鉛も生成しやすくなり好ましくない。
は黒鉛も生成しやすくなり好ましくない。
本発明における電場とは直流電圧をかける事によってλ
つの電極間に発生させた電場であり、一般的には／θθ
Ｖ〜／θＫＶの直流電圧が用いられるが好ましくは３θ
ｏ ｖ −＝２ｏ ｏ ｏ ｖである。
つの電極間に発生させた電場であり、一般的には／θθ
Ｖ〜／θＫＶの直流電圧が用いられるが好ましくは３θ
ｏ ｖ −＝２ｏ ｏ ｏ ｖである。
３θθＶ以下では成長速度があがらず、２０００１以上
ではエツチングされる為に成長速度が上がらず好ましく
ない。
ではエツチングされる為に成長速度が上がらず好ましく
ない。
マイクロ波とは／θ９〜／θ１２の周波数を有する電磁
波であり、一般には、２．４１ ｊ ＧＨｚ付近の周波
数が用いられる。マイクロ波の照射強度は０．／ＫＷ以
上であり好ましくはθ、、２ＫＷ以上である。θ、２Ｋ
Ｗ以下ではガス温度が上がらず好ましくない。
波であり、一般には、２．４１ ｊ ＧＨｚ付近の周波
数が用いられる。マイクロ波の照射強度は０．／ＫＷ以
上であり好ましくはθ、、２ＫＷ以上である。θ、２Ｋ
Ｗ以下ではガス温度が上がらず好ましくない。
ガス流量およびガス圧は装置によって異なるがガス流量
はθ、θ／ψ−以上、好ましくは／成−以上、ガス圧は
θ、０θ／ ’ｌ’ｏｒｒ〜／気圧であり、好ましくは
／ ’ｌ”ｏｒｒ〜／ ００ Ｔｏｒｒである。ガス流
量が７ｉ以下では成長速度が遅く、ガス圧が１Ｔｏｒｒ
以下ではガス温度が低くなり好ましくない。
はθ、θ／ψ−以上、好ましくは／成−以上、ガス圧は
θ、０θ／ ’ｌ’ｏｒｒ〜／気圧であり、好ましくは
／ ’ｌ”ｏｒｒ〜／ ００ Ｔｏｒｒである。ガス流
量が７ｉ以下では成長速度が遅く、ガス圧が１Ｔｏｒｒ
以下ではガス温度が低くなり好ましくない。
本発明においてダイヤモンドを形成させる場所として基
板を設置する事が好ましい。例えば、単結晶シリコンウ
ェハー、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のケイ素化合
物、ステ、ンレス、モリブデン１．鉄、ニッケル、銅等
の金属、サファイア、アルミナ、ジルコニア等の酸化物
、黒鉛、ダイヤモンドの炭素質物質等が用いられ、これ
、らの基板は板状、ハク片状、粒状、粉状、フィラメン
ト状等種々の形状のものが用いられる。
板を設置する事が好ましい。例えば、単結晶シリコンウ
ェハー、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のケイ素化合
物、ステ、ンレス、モリブデン１．鉄、ニッケル、銅等
の金属、サファイア、アルミナ、ジルコニア等の酸化物
、黒鉛、ダイヤモンドの炭素質物質等が用いられ、これ
、らの基板は板状、ハク片状、粒状、粉状、フィラメン
ト状等種々の形状のものが用いられる。
基板温度はガス圧、マイクロ波照射強度によって変るが
／夕θ℃〜／２θθ℃の間に維持され、好ましくは３Ｏ
θ℃〜１０θ０℃であり、最もダイヤモンドの成長速度
の速いのは夕θθ℃〜／θθθ℃の間である。１３０℃
以下では非晶質になりやすく、ｉ、：ｚｏｏｃ以上では
黒鉛が生成しやすく好ましくない。
／夕θ℃〜／２θθ℃の間に維持され、好ましくは３Ｏ
θ℃〜１０θ０℃であり、最もダイヤモンドの成長速度
の速いのは夕θθ℃〜／θθθ℃の間である。１３０℃
以下では非晶質になりやすく、ｉ、：ｚｏｏｃ以上では
黒鉛が生成しやすく好ましくない。
本発明で使用した装置の例を第７図、第２図に示した。
図中１はマイクロ波発振機、２はマイクロ波整合器、３
は導波管、４は石英反応管、５．６．７はバルブ、８．
９は流壊計、１Ｏは水素ガス供給源、１１は炭化水素ガ
ス供給源、１２．１３は電極、１４は基板、１５は熱電
対、１６は真空排気−，１− 装置、１７は直流電源、１８は基板支持体、である。・ 一般的実験操作例を示すならば、第１図において、バル
ブ５を閉じ反応管４の巾を１０−５Ｔｏｒｒ以下まで真
空排気装置１６によって排気した後、バルブ５、７を開
け水素ガスを所定量流す。電極１２、１３の間に直流電
源１７によって電場をかけながら、マイクロ波発振機１
の出力を徐々にあげ、導波管３を通してマイクロ波照射
する。その際、マイクロ波整合器２によって調整しプラ
ズマを発生させる。熱電対１５で測定した基板１４の温
度が１５０℃以上になる様に真空排気装置の排気速度及
びマイクロ波発振機の出力で温度調節を行う。基板温度
が所定の温度に達した後、バルブ６を開き、炭化水素ガ
スを所定量流す。
は導波管、４は石英反応管、５．６．７はバルブ、８．
９は流壊計、１Ｏは水素ガス供給源、１１は炭化水素ガ
ス供給源、１２．１３は電極、１４は基板、１５は熱電
対、１６は真空排気−，１− 装置、１７は直流電源、１８は基板支持体、である。・ 一般的実験操作例を示すならば、第１図において、バル
ブ５を閉じ反応管４の巾を１０−５Ｔｏｒｒ以下まで真
空排気装置１６によって排気した後、バルブ５、７を開
け水素ガスを所定量流す。電極１２、１３の間に直流電
源１７によって電場をかけながら、マイクロ波発振機１
の出力を徐々にあげ、導波管３を通してマイクロ波照射
する。その際、マイクロ波整合器２によって調整しプラ
ズマを発生させる。熱電対１５で測定した基板１４の温
度が１５０℃以上になる様に真空排気装置の排気速度及
びマイクロ波発振機の出力で温度調節を行う。基板温度
が所定の温度に達した後、バルブ６を開き、炭化水素ガ
スを所定量流す。
本発明を実施するに際し、基板温度を別途加熱源を用い
て加熱する事も出来る。又、基板上へのダイヤモンドの
生成を促進するため炭化水素ガスを供給する以前に水素
プラズマあるいはアルゴンやヘリウム等のプラズマで基
板表面をエッチングしたり、清浄化したりする事も好ま
しく用いられる。
て加熱する事も出来る。又、基板上へのダイヤモンドの
生成を促進するため炭化水素ガスを供給する以前に水素
プラズマあるいはアルゴンやヘリウム等のプラズマで基
板表面をエッチングしたり、清浄化したりする事も好ま
しく用いられる。
゛第λ図においても第７図と同様である。
本発明によれば、炭化水素と水素の混合ガスを電場中で
マイクロ波無極放電する事によって、３θｃｔ１以上の
面積にわたって均一に！μｍ／ｈｒ以上の高速度でダイ
ヤモンドを製造する事ができる。
マイクロ波無極放電する事によって、３θｃｔ１以上の
面積にわたって均一に！μｍ／ｈｒ以上の高速度でダイ
ヤモンドを製造する事ができる。
この様にして得られたダイヤモンドはヒートシンク、集
積回路の熱伝導性絶縁膜、光学材料等の透明な保護膜等
として極めて有用である。
積回路の熱伝導性絶縁膜、光学材料等の透明な保護膜等
として極めて有用である。
本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例−／
第１図に示した装置を用いて、バルブ５を閉じ反応管４
内を／θ−１１Ｔｏｒｒ付近まで排気した後、バルブ５
．７を開は水素ガスをｊθｉ流す。直流電源１７によっ
て電極１２．１３間に♂θθ■の電圧をかけ、電場を発
生させた。次にマイクロ波発振機１の出力なθ、ｔＫｗ
まで徐々にあげながら、導波管３を通してマイクロ波を
照射する事によってプラズマを発生させた。熱電対１５
で測定した基板１４であるシリコンウェハーの温度が！
夕θ℃になる様に真空排気装置１６の排気速度を調節し
、ガス圧を変えた。基板の温度が♂夕θ℃で一定になっ
た後、バルブ６を開は炭化水素ガスを０．３−流した。
内を／θ−１１Ｔｏｒｒ付近まで排気した後、バルブ５
．７を開は水素ガスをｊθｉ流す。直流電源１７によっ
て電極１２．１３間に♂θθ■の電圧をかけ、電場を発
生させた。次にマイクロ波発振機１の出力なθ、ｔＫｗ
まで徐々にあげながら、導波管３を通してマイクロ波を
照射する事によってプラズマを発生させた。熱電対１５
で測定した基板１４であるシリコンウェハーの温度が！
夕θ℃になる様に真空排気装置１６の排気速度を調節し
、ガス圧を変えた。基板の温度が♂夕θ℃で一定になっ
た後、バルブ６を開は炭化水素ガスを０．３−流した。
２時間後、停止し基板を収り出した所、その表面／−に
黄かつ色の透明な薄膜が生成した。この薄膜の厚みは７
０８ｍで成長速度は！μｍ／ｈｒであった。この薄膜の
レーザーラマン散乱スペクトルを日本電子製の装置を用
いて波長がグ♂♂θＡのＡｒレーザーで測定した。その
結果、／３３タα−１付近にピークを有するスペクトル
が得られ、ダイヤモンド膜である事が確認できた。第３
図に本実施例で得られた透明な炭素膜のレーザーラマン
散乱スペクトルを示した。
黄かつ色の透明な薄膜が生成した。この薄膜の厚みは７
０８ｍで成長速度は！μｍ／ｈｒであった。この薄膜の
レーザーラマン散乱スペクトルを日本電子製の装置を用
いて波長がグ♂♂θＡのＡｒレーザーで測定した。その
結果、／３３タα−１付近にピークを有するスペクトル
が得られ、ダイヤモンド膜である事が確認できた。第３
図に本実施例で得られた透明な炭素膜のレーザーラマン
散乱スペクトルを示した。
実施例−２
第２図に示した装置を用いて、基板として直径が３イン
チの単結晶シリコンウェハーを用いて、また、炭化水素
ガスとしてエタンを用いて実施例−７と同様にして反応
を行った。その際、直流電源１２によって、ｊθθＶの
電圧をかけ、基板温度はり００℃に維持した。３時間後
、基板を取り出し１．電子顕微鏡で観察した所厚みが約
７θμｍの薄膜が観察された。又、その電気抵抗を測定
した所／θ９Ω・ｍ以上であった。さらに、レーザーラ
マン散乱スペクトルを実施例−／と同様にして測定した
所、はぼ実施例−／と同様のスペクトルが得られた。
チの単結晶シリコンウェハーを用いて、また、炭化水素
ガスとしてエタンを用いて実施例−７と同様にして反応
を行った。その際、直流電源１２によって、ｊθθＶの
電圧をかけ、基板温度はり００℃に維持した。３時間後
、基板を取り出し１．電子顕微鏡で観察した所厚みが約
７θμｍの薄膜が観察された。又、その電気抵抗を測定
した所／θ９Ω・ｍ以上であった。さらに、レーザーラ
マン散乱スペクトルを実施例−／と同様にして測定した
所、はぼ実施例−／と同様のスペクトルが得られた。
実施例−３
実施例−７と同様にして、基板に黒鉛、原料にプロパン
を用い、電極間電圧／θθθＶ、基板温度がデｊθ℃で
２時間反応を行った。黒鉛の表面を光学顕微鏡で観察し
た所、厚みが約／θμｍの透明な薄膜が生成していた。
を用い、電極間電圧／θθθＶ、基板温度がデｊθ℃で
２時間反応を行った。黒鉛の表面を光学顕微鏡で観察し
た所、厚みが約／θμｍの透明な薄膜が生成していた。
この薄膜のレーザーラマン散乱スペクトルを実施例−／
と同様にして測定した所、実施例−／と同様のスペクト
ルが得られた。
と同様にして測定した所、実施例−／と同様のスペクト
ルが得られた。
比較例−／
第１図に示した装置を用いて、電場を発生させずにマイ
クロ波無極放電だけで試みた。すなわち、実施例−７と
同様にして反応管内を／θ−’Ｔｏｒｒ付−ター 近まで排気したのち、水素ガスをｊθ畦−流し出力がθ
、夕謀でマイクロ波を照射し無極放電させた。実施例−
７と同様にしてシリコンウェハー基板温度を♂オθ℃に
維持し、メタンガスをθ、タ祷−流し１０時間反応を行
った。基板上に約／θμｍの厚みで透明な薄膜が得られ
た。その成長速度は／μｍ／ｈｒであった。
クロ波無極放電だけで試みた。すなわち、実施例−７と
同様にして反応管内を／θ−’Ｔｏｒｒ付−ター 近まで排気したのち、水素ガスをｊθ畦−流し出力がθ
、夕謀でマイクロ波を照射し無極放電させた。実施例−
７と同様にしてシリコンウェハー基板温度を♂オθ℃に
維持し、メタンガスをθ、タ祷−流し１０時間反応を行
った。基板上に約／θμｍの厚みで透明な薄膜が得られ
た。その成長速度は／μｍ／ｈｒであった。
第１図、第一図は本発明において用いた装置の概略図で
ある。 第１図および第２図において、 １・・・マイクロ波発振機、２・・・マイクロ波整合器
、３・・・導波管、４・・・石英反応管、５．６．７・
・・バルブ、８．９・・・流量計、１０・・・水素ガス
供給源、１１・・・炭化水素ガス供給源、１２．１３・
・・電極、１４・・・基板、１５・・・熱電対、１６・
・・真空排気装置、１７・・・直流電源 である。 第３図は本実施例−／で得られたダイヤモンド薄膜のレ
ーザーラマン散乱スペクトル図である。 −／ θ − 縦軸はラマン光強度、横軸はラマンシフトである。 −／／− 第１図 第２図 第３図 ＋６００ １４００ １２００ ”” 手続補正書（自発） 昭和５９年１２月２ノ日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第 ！：１５０１８
号２ 発明の名称 ダイヤモンドの製造法 ａ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号４、補正の対象 ５、補正の内容 （１）明細書の第３頁第１４〜１５行目の記載「マント
ラセン」を「アントラセン」に訂正する。 （２）明細書の第４頁第７行目の記載［１Ｏ９〜１６１
Ｊをｒ １０’ ＃１０” Ｊ に匍正する。 （３）明細書の第５頁第１４行目の記載「第１図、第２
図に」を「第１図、第２図および第３図に」に訂正する
。 （４） ８Ａ細書の第６頁第１２行目の記載「１８は基
板支持体、である。」を「１８は基板支持体、１９はア
ースである。」に訂正する。 （５）明細書の第６頁第４行目の記載［反応管４０幅を
」を「反応管４の中を」に訂正する。 （６）明細書第８頁第１３行目の記載「第３図に」を「
第４図に」に訂正する。 （７）明細書の第９頁下から第５行目と同頁下から第４
行目との間に次の文を挿入する。 「 実施例−４ 第３図に示した装置を用いて、基板を銅板、炭化水素ガ
スをメタンにして、基板の温度を一１＝ ヒーター２０で加熱して５００℃に維持しなから゛、実
施例−１と同様にして１時間試みた。 この結果、銅板上に約５μｍの厚みを有する薄膜が得ら
れた。銅板の表面の抵抗は１０９Ω以上であり、レーザ
ーラマン散乱スペクトルからダイヤモンドである事を確
認した。 」（８）明細書第１０頁第９行目の記載「第
１図、第２図は」を「第１図、第２図および第３図は」
に訂正する。 （９）明細書第１０頁第１１行目の記載「第１図および
第２図において」を「第１図、第２図および第３図にお
いて」に訂正する。 ぐＱ 明細書第１０頁第１７行目の記載「１７・・・・
・・・・・直流電源」を「１７・・・・・・・・・直流
電源、１９・・・・・・・・・アース、２０・・・・・
・・・・ヒーター、２１・・・・・・・・・温度調節器
」に訂正する。 （１１） 明細書第１０頁下から第２行目の記載「第１
図は」を「第４図は」に訂正する。 住埠 全ての図面を別紙通シに変更する。 以上 ２− 第２図 第３図
ある。 第１図および第２図において、 １・・・マイクロ波発振機、２・・・マイクロ波整合器
、３・・・導波管、４・・・石英反応管、５．６．７・
・・バルブ、８．９・・・流量計、１０・・・水素ガス
供給源、１１・・・炭化水素ガス供給源、１２．１３・
・・電極、１４・・・基板、１５・・・熱電対、１６・
・・真空排気装置、１７・・・直流電源 である。 第３図は本実施例−／で得られたダイヤモンド薄膜のレ
ーザーラマン散乱スペクトル図である。 −／ θ − 縦軸はラマン光強度、横軸はラマンシフトである。 −／／− 第１図 第２図 第３図 ＋６００ １４００ １２００ ”” 手続補正書（自発） 昭和５９年１２月２ノ日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第 ！：１５０１８
号２ 発明の名称 ダイヤモンドの製造法 ａ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号４、補正の対象 ５、補正の内容 （１）明細書の第３頁第１４〜１５行目の記載「マント
ラセン」を「アントラセン」に訂正する。 （２）明細書の第４頁第７行目の記載［１Ｏ９〜１６１
Ｊをｒ １０’ ＃１０” Ｊ に匍正する。 （３）明細書の第５頁第１４行目の記載「第１図、第２
図に」を「第１図、第２図および第３図に」に訂正する
。 （４） ８Ａ細書の第６頁第１２行目の記載「１８は基
板支持体、である。」を「１８は基板支持体、１９はア
ースである。」に訂正する。 （５）明細書の第６頁第４行目の記載［反応管４０幅を
」を「反応管４の中を」に訂正する。 （６）明細書第８頁第１３行目の記載「第３図に」を「
第４図に」に訂正する。 （７）明細書の第９頁下から第５行目と同頁下から第４
行目との間に次の文を挿入する。 「 実施例−４ 第３図に示した装置を用いて、基板を銅板、炭化水素ガ
スをメタンにして、基板の温度を一１＝ ヒーター２０で加熱して５００℃に維持しなから゛、実
施例−１と同様にして１時間試みた。 この結果、銅板上に約５μｍの厚みを有する薄膜が得ら
れた。銅板の表面の抵抗は１０９Ω以上であり、レーザ
ーラマン散乱スペクトルからダイヤモンドである事を確
認した。 」（８）明細書第１０頁第９行目の記載「第
１図、第２図は」を「第１図、第２図および第３図は」
に訂正する。 （９）明細書第１０頁第１１行目の記載「第１図および
第２図において」を「第１図、第２図および第３図にお
いて」に訂正する。 ぐＱ 明細書第１０頁第１７行目の記載「１７・・・・
・・・・・直流電源」を「１７・・・・・・・・・直流
電源、１９・・・・・・・・・アース、２０・・・・・
・・・・ヒーター、２１・・・・・・・・・温度調節器
」に訂正する。 （１１） 明細書第１０頁下から第２行目の記載「第１
図は」を「第４図は」に訂正する。 住埠 全ての図面を別紙通シに変更する。 以上 ２− 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／ 炭化水素を原料とし水素ガスとの混合ガスをマイク
ロ波無極放電によりプラズマ化してダイヤモンドを製造
する方法において、電場の中でマイクロ波無極放電によ
ってプラズマを発生させる事を特徴とするダイヤモンド
の製造法コ 電場が２つの電極間にコθθＶ〜／θＫＶ
の直流電圧をかける事によって発生させた電場である事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法 ３ 炭化水素が炭素数７〜コθからなる炭化水素である
事を特徴とする特許請求の範囲第７項記載の方法 グ 炭化水素と水素ガスとの体積混合比がθ、θθ／〜
／、θである事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235018A JPS60127292A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | ダイヤモンドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235018A JPS60127292A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | ダイヤモンドの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127292A true JPS60127292A (ja) | 1985-07-06 |
Family
ID=16979851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235018A Pending JPS60127292A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | ダイヤモンドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127292A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110579A (en) * | 1989-09-14 | 1992-05-05 | General Electric Company | Transparent diamond films and method for making |
| US5314540A (en) * | 1991-03-22 | 1994-05-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Apparatus for forming diamond film |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58235018A patent/JPS60127292A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5110579A (en) * | 1989-09-14 | 1992-05-05 | General Electric Company | Transparent diamond films and method for making |
| US5314540A (en) * | 1991-03-22 | 1994-05-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Apparatus for forming diamond film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mitsuda et al. | Development of a new microwave plasma torch and its application to diamond synthesis | |
| Deshpandey et al. | Diamond and diamondlike films: Deposition processes and properties | |
| US4935303A (en) | Novel diamond-like carbon film and process for the production thereof | |
| US5186973A (en) | HFCVD method for producing thick, adherent and coherent polycrystalline diamonds films | |
| JPH02141494A (ja) | ダイヤモンド気相合成装置 | |
| US5370912A (en) | Diamond film deposition with a microwave plasma | |
| JPS63107898A (ja) | プラズマを用いるダイヤモンドの合成法 | |
| US5720808A (en) | Method for forming diamond film | |
| JPS60127293A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPS60127292A (ja) | ダイヤモンドの製造法 | |
| RU2521142C2 (ru) | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
| JPS6054996A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPH0518798B2 (ja) | ||
| KR102661051B1 (ko) | 중주파 플라즈마 화학기상증착 장치와 Xylene 전구체 기반 고속 유사 다이아몬드 박막 증착방법 및 이에 의해 제조된 유사 다이아몬드 박막 | |
| JPH0543393A (ja) | 炭素材料作製方法 | |
| JPS61236691A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPH07118860A (ja) | 対向電極型マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法 | |
| RU2792526C1 (ru) | Устройство для нанесения алмазных покрытий | |
| JPH0665744A (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 | |
| RU214891U1 (ru) | Устройство для газоструйного осаждения алмазных покрытий | |
| JPH0481552B2 (ja) | ||
| JP3938424B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜製造装置 | |
| JPS6395200A (ja) | 硬質窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JPH0518794B2 (ja) | ||
| JPS593098A (ja) | ダイヤモンドの合成法 |