JP3027866B2 - 反応ガス前処理ｃｖｄ法 - Google Patents
反応ガス前処理ｃｖｄ法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応ガスを前処理によ
り活性化させてからＣＶＤ反応部に導入する反応ガス前
処理ＣＶＤ法に関するものである。
り活性化させてからＣＶＤ反応部に導入する反応ガス前
処理ＣＶＤ法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法は、種々の原料ガス（反応ガ
ス）を所定の温度に加熱された被処理物（例えば基板）
付近へ導き、その表面に気相から反応生成物を析出させ
る方法で、これにより被処理物上に被膜が生成される。
このＣＶＤ法において、反応ガスをプラズマ等によって
活性化することでＣＶＤ法の低温化、高収率化、合成の
高速化等を図ることが可能となる。
ス）を所定の温度に加熱された被処理物（例えば基板）
付近へ導き、その表面に気相から反応生成物を析出させ
る方法で、これにより被処理物上に被膜が生成される。
このＣＶＤ法において、反応ガスをプラズマ等によって
活性化することでＣＶＤ法の低温化、高収率化、合成の
高速化等を図ることが可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反応ガ
スには反応しやすいものとしにくいものとがあり、反応
しにくいガスを大部分活性化しようとすると、他のガス
が分解してしまい、数種の反応ガスの活性化を同時に行
うことができずに、反応の効率化の点で劣ってしまう。
スには反応しやすいものとしにくいものとがあり、反応
しにくいガスを大部分活性化しようとすると、他のガス
が分解してしまい、数種の反応ガスの活性化を同時に行
うことができずに、反応の効率化の点で劣ってしまう。
【０００４】また、膜を生成するための反応の際に不純
物（例えば塩素成分）があるとその不純物が膜に残るこ
とがあり、膜質が劣ってしまう。そのため、その不純物
を気化して取り除こうとすると、被処理物の温度を上げ
なければならず、被処理物の強度が低下する。
物（例えば塩素成分）があるとその不純物が膜に残るこ
とがあり、膜質が劣ってしまう。そのため、その不純物
を気化して取り除こうとすると、被処理物の温度を上げ
なければならず、被処理物の強度が低下する。
【０００５】そこで、本発明は、このような事情を考慮
してなされたものであり、その目的は、反応効率及び膜
質を向上することを可能にした反応ガス前処理ＣＶＤ法
を提供することにある。
してなされたものであり、その目的は、反応効率及び膜
質を向上することを可能にした反応ガス前処理ＣＶＤ法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に第一の発明は、四塩化チタンと、有機ガスと、水素と
をＣＶＤ反応部内で反応させて被処理物上に炭化チタン
膜を生成させるＣＶＤ法において、上記有機ガスをＣＶ
Ｄ反応部内に導入するに際してその有機ガスを予めマイ
クロ波放電又は高周波放電によって活性化してから導入
するようにしたものであり、第二発明は、有機ガスをＣ
ＶＤ反応部内で反応させて被処理物上にダイヤモンド膜
を生成させるＣＶＤ法において、上記有機ガスをＣＶＤ
反応部内に導入するに際して予めその有機ガスをマイク
ロ波放電又は高周波放電によって活性化して任意の反応
中間体としてから導入するようにしたものであり、第三
の発明は四塩化チタンと、窒素と、水素とをＣＶＤ反応
部内で反応させて被処理物上に窒化チタン膜を生成させ
るＣＶＤ法において、上記窒素及び水素をＣＶＤ反応部
内に導入するに際してその窒素及び水素を予めマイクロ
波放電又は高周波放電によって活性化して窒素ラジカル
及び水素ラジカルとしてから導入するようにしたもので
ある。
に第一の発明は、四塩化チタンと、有機ガスと、水素と
をＣＶＤ反応部内で反応させて被処理物上に炭化チタン
膜を生成させるＣＶＤ法において、上記有機ガスをＣＶ
Ｄ反応部内に導入するに際してその有機ガスを予めマイ
クロ波放電又は高周波放電によって活性化してから導入
するようにしたものであり、第二発明は、有機ガスをＣ
ＶＤ反応部内で反応させて被処理物上にダイヤモンド膜
を生成させるＣＶＤ法において、上記有機ガスをＣＶＤ
反応部内に導入するに際して予めその有機ガスをマイク
ロ波放電又は高周波放電によって活性化して任意の反応
中間体としてから導入するようにしたものであり、第三
の発明は四塩化チタンと、窒素と、水素とをＣＶＤ反応
部内で反応させて被処理物上に窒化チタン膜を生成させ
るＣＶＤ法において、上記窒素及び水素をＣＶＤ反応部
内に導入するに際してその窒素及び水素を予めマイクロ
波放電又は高周波放電によって活性化して窒素ラジカル
及び水素ラジカルとしてから導入するようにしたもので
ある。
【０００７】第一の発明によれば、炭化チタン膜の原料
ガスとなる有機ガスをＣＶＤ反応部内に導入するに際し
てその有機ガスをマイクロ波放電又は高周波放電によっ
て活性化してから導入するようにしたことから、有機ガ
スのみが反応に適した重要物質に効率よく分解されてＣ
ＶＤ反応部内での分解時間が省略されるため、成膜速度
が上がり、反応効率が向上する。また、第二発明によれ
ば、ダイヤモンド膜の原料となる有機ガスをＣＶＤ反応
部内に導入するに際して予めその有機ガスをマイクロ波
放電又は高周波放電によって活性化して任意の反応中間
体としてから導入するようにしたことから、反応条件に
応じて任意の反応中間体を効率よく得ることが可能とな
るため、グラファイト成分が殆ど検出されない高品質の
ダイヤモンド膜を得ることができる。さらに、第三の発
明によれば、窒化チタン膜の原料ガスとなる窒素及び水
素をＣＶＤ反応部内に導入するに際してその窒素及び水
素をマイクロ波放電又は高周波放電によって活性化して
窒素ラジカル及び水素ラジカルとしてから導入するよう
にしたものであるため、成膜温度を下げても高品質の窒
化チタン膜を形成することができる。
ガスとなる有機ガスをＣＶＤ反応部内に導入するに際し
てその有機ガスをマイクロ波放電又は高周波放電によっ
て活性化してから導入するようにしたことから、有機ガ
スのみが反応に適した重要物質に効率よく分解されてＣ
ＶＤ反応部内での分解時間が省略されるため、成膜速度
が上がり、反応効率が向上する。また、第二発明によれ
ば、ダイヤモンド膜の原料となる有機ガスをＣＶＤ反応
部内に導入するに際して予めその有機ガスをマイクロ波
放電又は高周波放電によって活性化して任意の反応中間
体としてから導入するようにしたことから、反応条件に
応じて任意の反応中間体を効率よく得ることが可能とな
るため、グラファイト成分が殆ど検出されない高品質の
ダイヤモンド膜を得ることができる。さらに、第三の発
明によれば、窒化チタン膜の原料ガスとなる窒素及び水
素をＣＶＤ反応部内に導入するに際してその窒素及び水
素をマイクロ波放電又は高周波放電によって活性化して
窒素ラジカル及び水素ラジカルとしてから導入するよう
にしたものであるため、成膜温度を下げても高品質の窒
化チタン膜を形成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１において、１はＣＶＤ反応部を示し、
このＣＶＤ反応部１には排気管２が接続されている。
このＣＶＤ反応部１には排気管２が接続されている。
【００１０】ＣＶＤ反応部１は、ＣＶＤ法により種々の
反応ガスによって化学反応を起こさせ、反応部１内に配
置された被処理物である基板３上に目的とする物質を被
覆するもので、化学反応を進行させる手段として熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法
などの全てのＣＶＤ法が適用される。
反応ガスによって化学反応を起こさせ、反応部１内に配
置された被処理物である基板３上に目的とする物質を被
覆するもので、化学反応を進行させる手段として熱ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法
などの全てのＣＶＤ法が適用される。
【００１１】このＣＶＤ反応部１には、反応部１内に反
応ガスを導入するための３つの第１、第２及び第３導入
管４，５，６が接続されている。第１導入管４は、反応
部１内でＣＶＤ法により化学反応を起こさせる際に活性
化する必要がない反応ガスを導入するためのものであ
る。第２及び第３導入管５，６は、反応ガスを必要に応
じて活性化してから導入するもので、第２導入管５には
マイクロ波放電前処理部７が、第３導入管６には高周波
放電前処理部８がそれぞれ設けられている。
応ガスを導入するための３つの第１、第２及び第３導入
管４，５，６が接続されている。第１導入管４は、反応
部１内でＣＶＤ法により化学反応を起こさせる際に活性
化する必要がない反応ガスを導入するためのものであ
る。第２及び第３導入管５，６は、反応ガスを必要に応
じて活性化してから導入するもので、第２導入管５には
マイクロ波放電前処理部７が、第３導入管６には高周波
放電前処理部８がそれぞれ設けられている。
【００１２】マイクロ波放電前処理部７は、マイクロ波
放電部９と、必要に応じて磁場によりパワーの集中化を
行うための磁石１０と、反応部１との圧力差が大きいと
きには排気を行う作動排気部１１と、その作動排気部１
１に接続された真空ポンプ１２とにより構成され、マイ
クロ波放電部９、磁石１０及び作動排気部１１がガスの
流れ方向に沿って順次第２導入管５に配設されている。
そのマイクロ波放電部９は、数十Torr〜１×10-2Torrの
圧力、数ＧＨｚ〜数百ＧＨｚの周波数及び〜数ｋＷの投
入パワーでマイクロ波放電を行うと共に周波数及び投入
パワーが可変可能に構成され、このマイクロ波放電によ
るエネルギーにより反応ガスを励起して活性化するよう
になっている。
放電部９と、必要に応じて磁場によりパワーの集中化を
行うための磁石１０と、反応部１との圧力差が大きいと
きには排気を行う作動排気部１１と、その作動排気部１
１に接続された真空ポンプ１２とにより構成され、マイ
クロ波放電部９、磁石１０及び作動排気部１１がガスの
流れ方向に沿って順次第２導入管５に配設されている。
そのマイクロ波放電部９は、数十Torr〜１×10-2Torrの
圧力、数ＧＨｚ〜数百ＧＨｚの周波数及び〜数ｋＷの投
入パワーでマイクロ波放電を行うと共に周波数及び投入
パワーが可変可能に構成され、このマイクロ波放電によ
るエネルギーにより反応ガスを励起して活性化するよう
になっている。
【００１３】高周波放電前処理部８は、高周波放電部１
３と、その高周波放電部１３の下流側に配設され、反応
部１との圧力差が大きいときには排気を行う作動排気部
１４と、その作動排気部１４に接続された真空ポンプ１
５とにより構成されている。その高周波放電部１３は、
数十Torr〜１×10-2Torrの圧力、数ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ
の周波数及び数ｋＷの投入パワーで高周波放電を行う誘
導型又は静電容量型で周波数及び投入パワーが可変可能
に構成され、その高周波放電によるエネルギーにより反
応ガスを励起して活性化するようになっている。
３と、その高周波放電部１３の下流側に配設され、反応
部１との圧力差が大きいときには排気を行う作動排気部
１４と、その作動排気部１４に接続された真空ポンプ１
５とにより構成されている。その高周波放電部１３は、
数十Torr〜１×10-2Torrの圧力、数ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ
の周波数及び数ｋＷの投入パワーで高周波放電を行う誘
導型又は静電容量型で周波数及び投入パワーが可変可能
に構成され、その高周波放電によるエネルギーにより反
応ガスを励起して活性化するようになっている。
【００１４】さて、被処理物である基板３上に目的とす
る物質、例えば３種の反応ガスＡ 1 、Ａ2 、Ｂにより
合成される物質を被覆するには、まず、ＣＶＤ反応部１
内を排気管２を介して排気し所定の圧力にすると共に、
３種の反応ガスを反応部１内に導入する。これにより、
反応部１内で化学反応が起こり、その結果、反応生成物
が基板３上に析出して被膜が生成される。
る物質、例えば３種の反応ガスＡ 1 、Ａ2 、Ｂにより
合成される物質を被覆するには、まず、ＣＶＤ反応部１
内を排気管２を介して排気し所定の圧力にすると共に、
３種の反応ガスを反応部１内に導入する。これにより、
反応部１内で化学反応が起こり、その結果、反応生成物
が基板３上に析出して被膜が生成される。
【００１５】この際、反応の重要物質や膜質を向上させ
る反応中間体（ラジカル）を生成する反応ガスＡ1 及び
Ａ2 を、例えば第２及び第３導入管５，６を介してそれ
ぞれ別々に反応部１に導入させる。すなわち、反応ガス
Ａ1 を、マイクロ波放電部９でマイクロ波放電によるエ
ネルギーにより励起させ、ガスＡ1 の反応部１内での反
応条件に応じて活性化すると共に、反応ガスＡ2 を、高
周波放電部１３で高周波放電によるエネルギーにより励
起させ、ガスＡ2 に応じて活性化し、特定の重要な物質
や反応中間体を作る。この場合、マイクロ波放電部９及
び高周波放電部１３を用いるため、周波数や投入パワー
を変えることにより特定の重要な物質や反応中間体を作
るための選択性が高められるので、反応ガスを反応の際
に必要な物質となるように最適に活性化することができ
る。そして、マイクロ波放電部９及び高周波放電部１３
で活性化された反応ガスが反応部１に導入される。
る反応中間体（ラジカル）を生成する反応ガスＡ1 及び
Ａ2 を、例えば第２及び第３導入管５，６を介してそれ
ぞれ別々に反応部１に導入させる。すなわち、反応ガス
Ａ1 を、マイクロ波放電部９でマイクロ波放電によるエ
ネルギーにより励起させ、ガスＡ1 の反応部１内での反
応条件に応じて活性化すると共に、反応ガスＡ2 を、高
周波放電部１３で高周波放電によるエネルギーにより励
起させ、ガスＡ2 に応じて活性化し、特定の重要な物質
や反応中間体を作る。この場合、マイクロ波放電部９及
び高周波放電部１３を用いるため、周波数や投入パワー
を変えることにより特定の重要な物質や反応中間体を作
るための選択性が高められるので、反応ガスを反応の際
に必要な物質となるように最適に活性化することができ
る。そして、マイクロ波放電部９及び高周波放電部１３
で活性化された反応ガスが反応部１に導入される。
【００１６】これにより、反応ガスＡ1 及びＡ2 は、反
応に適した状態でＣＶＤ反応部１内に導入されるので、
成膜速度が上がり反応効率の向上や膜質のよい膜の生成
を行える。
応に適した状態でＣＶＤ反応部１内に導入されるので、
成膜速度が上がり反応効率の向上や膜質のよい膜の生成
を行える。
【００１７】たとえば、ＴｉＣ（炭化チタン）膜を生成
させる場合、その反応は、 ＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）＋有機ガス（ＣｎＨｍ）＋Ｈ2 （水素） →ＴｉＣ（炭化チタン）＋ＨＣｌ（塩化水素） となり、この場合は、有機ガスをうまく分解することが
反応を進める上で重要である。そこで、その有機ガスを
このガスに応じた前処理をして反応の重要物質を作るこ
とにより、これまでの１μｍ／ｈｒの成膜速度を30〜50
μｍ／ｈｒに上げることができる。
させる場合、その反応は、 ＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）＋有機ガス（ＣｎＨｍ）＋Ｈ2 （水素） →ＴｉＣ（炭化チタン）＋ＨＣｌ（塩化水素） となり、この場合は、有機ガスをうまく分解することが
反応を進める上で重要である。そこで、その有機ガスを
このガスに応じた前処理をして反応の重要物質を作るこ
とにより、これまでの１μｍ／ｈｒの成膜速度を30〜50
μｍ／ｈｒに上げることができる。
【００１８】また、ダイヤモンド膜の場合、その反応
は、 ＣＨ4 （メタン等の有機ガス）＋Ｈ・（水素ラジカル） →Ｃ（ダイヤモンド）＋Ｈ2 となり、この場合は、有機ガスをどの種の反応中間体を
作るかとうことになる。そこで、前処理の投入パワー，
周波数を変えることで、ＣＨ3 ・、ＣＨ2 ・、ＣＨ・、
Ｈ・などの反応中間体を作り得るので、反応条件に応じ
て任意の反応中間体を作りこれをＣＶＤ反応部１に導入
することにより、グラファイト成分がほとんど検知され
ないダイヤモンド膜を生成することができる。
は、 ＣＨ4 （メタン等の有機ガス）＋Ｈ・（水素ラジカル） →Ｃ（ダイヤモンド）＋Ｈ2 となり、この場合は、有機ガスをどの種の反応中間体を
作るかとうことになる。そこで、前処理の投入パワー，
周波数を変えることで、ＣＨ3 ・、ＣＨ2 ・、ＣＨ・、
Ｈ・などの反応中間体を作り得るので、反応条件に応じ
て任意の反応中間体を作りこれをＣＶＤ反応部１に導入
することにより、グラファイト成分がほとんど検知され
ないダイヤモンド膜を生成することができる。
【００１９】さらに、ＴｉＮ（窒化チタン）膜の場合、
その反応は、 ＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）＋Ｎ2 （窒素）＋Ｈ2 →ＴｉＮ＋ＨＣｌ となり、この場合は、生成される膜に塩素成分が残るの
で塩素成分をいかに取り除くかということである。そこ
で、反応の際に塩素成分が極力含まれないようにするた
め、前処理で窒素源のＮ・（窒素ラジカル）や水素ガス
のＨ・（水素ラジカル）を積極的に作ることにより、基
板を従来より低い温度での加熱で膜中の塩素成分を抑制
することができる。これにより、基板の加熱手段が簡便
になると共に、成膜温度を下げることができる（例え
ば、熱ＣＶＤの場合には1100℃が 600℃程度に、プラズ
マＣＶＤの場合には 550℃が 400℃以下に、光ＣＶＤの
場合には 500℃が 400℃以下になる）。
その反応は、 ＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）＋Ｎ2 （窒素）＋Ｈ2 →ＴｉＮ＋ＨＣｌ となり、この場合は、生成される膜に塩素成分が残るの
で塩素成分をいかに取り除くかということである。そこ
で、反応の際に塩素成分が極力含まれないようにするた
め、前処理で窒素源のＮ・（窒素ラジカル）や水素ガス
のＨ・（水素ラジカル）を積極的に作ることにより、基
板を従来より低い温度での加熱で膜中の塩素成分を抑制
することができる。これにより、基板の加熱手段が簡便
になると共に、成膜温度を下げることができる（例え
ば、熱ＣＶＤの場合には1100℃が 600℃程度に、プラズ
マＣＶＤの場合には 550℃が 400℃以下に、光ＣＶＤの
場合には 500℃が 400℃以下になる）。
【００２０】したがって、反応ガスの一部又は全部を個
別に前もって反応条件に応じてマイクロ波放電、高周波
放電により選択的に活性化させることにより、各反応ガ
スをそれぞれの反応ガスに適した状態にすることがで
き、これらのガスがＣＶＤ反応部１内に導入されるた
め、反応部１内での化学反応が進みやすくなって、成膜
速度が上がり反応効率が向上する。また、反応ガスが選
択的に活性化されるため、最適の反応中間体を作った
り、積極的にラジカルを作ったりすることにより、不純
物が抑制された膜質のよい膜を被処理物上に生成するこ
とができる。
別に前もって反応条件に応じてマイクロ波放電、高周波
放電により選択的に活性化させることにより、各反応ガ
スをそれぞれの反応ガスに適した状態にすることがで
き、これらのガスがＣＶＤ反応部１内に導入されるた
め、反応部１内での化学反応が進みやすくなって、成膜
速度が上がり反応効率が向上する。また、反応ガスが選
択的に活性化されるため、最適の反応中間体を作った
り、積極的にラジカルを作ったりすることにより、不純
物が抑制された膜質のよい膜を被処理物上に生成するこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】以上要するに、第一の発明によれば、
マイクロ波放電や高周波放電によって反応ガスの一つで
ある有機ガスを反応に必要な重要物質に効率よく分解す
ることができるため、ＣＶＤ反応部内での分解時間が省
略され、成膜速度を上げることができる。第二の発明
によれば、マイクロ波放電の投入パワーや高周波放電の
周波数を変えることで反応条件に応じて任意の反応中間
体を容易に得ることができるため、不純物であるグラフ
ァイト成分が殆ど含まれない高品質のダイヤモンド膜を
生成することができる。第三の発明によれば、ＣＶＤ
反応部導入前に窒素ラジカル及び水素ラジカルを積極的
に作ることができるため、被処理物の温度が低い場合で
あっても反応の際における塩素成分の膜中への混入を抑
制することができる等といった優れた効果を発揮するこ
とができる。
マイクロ波放電や高周波放電によって反応ガスの一つで
ある有機ガスを反応に必要な重要物質に効率よく分解す
ることができるため、ＣＶＤ反応部内での分解時間が省
略され、成膜速度を上げることができる。第二の発明
によれば、マイクロ波放電の投入パワーや高周波放電の
周波数を変えることで反応条件に応じて任意の反応中間
体を容易に得ることができるため、不純物であるグラフ
ァイト成分が殆ど含まれない高品質のダイヤモンド膜を
生成することができる。第三の発明によれば、ＣＶＤ
反応部導入前に窒素ラジカル及び水素ラジカルを積極的
に作ることができるため、被処理物の温度が低い場合で
あっても反応の際における塩素成分の膜中への混入を抑
制することができる等といった優れた効果を発揮するこ
とができる。
【図１】本発明の反応ガス前処理ＣＶＤ法を実施するた
めの装置の一例を示す構成図である。
めの装置の一例を示す構成図である。
１ ＣＶＤ反応部 ３ 基板（被処理物） ７ マイクロ波放電前処理部 ８ 高周波放電前処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々 正 東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川 島播磨重工業株式会社 技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−247019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−193430（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/30 - 16/50
Claims (3)
- 【請求項１】 四塩化チタンと、有機ガスと、水素とを
ＣＶＤ反応部内で反応させて被処理物上に炭化チタン膜
を生成させるＣＶＤ法において、上記有機ガスをＣＶＤ
反応部内に導入するに際してその有機ガスを予めマイク
ロ波放電又は高周波放電によって活性化してから導入す
ることを特徴とする反応ガス前処理ＣＶＤ法。 - 【請求項２】 有機ガスをＣＶＤ反応部内で反応させて
被処理物上にダイヤモンド膜を生成させるＣＶＤ法にお
いて、上記有機ガスをＣＶＤ反応部内に導入するに際し
て予めその有機ガスをマイクロ波放電又は高周波放電に
よって活性化して任意の反応中間体としてから導入する
ことを特徴とする反応ガス前処理ＣＶＤ法。 - 【請求項３】 四塩化チタンと、窒素と、水素とをＣＶ
Ｄ反応部内で反応させて被処理物上に窒化チタン膜を生
成させるＣＶＤ法において、上記窒素及び水素をＣＶＤ
反応部内に導入するに際してその窒素及び水素を予めマ
イクロ波放電又は高周波放電によって活性化して窒素ラ
ジカル及び水素ラジカルとしてから導入することを特徴
とする反応ガス前処理ＣＶＤ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3085546A JP3027866B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 反応ガス前処理ｃｖｄ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3085546A JP3027866B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 反応ガス前処理ｃｖｄ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318173A JPH04318173A (ja) | 1992-11-09 |
| JP3027866B2 true JP3027866B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=13861853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3085546A Expired - Fee Related JP3027866B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 反応ガス前処理ｃｖｄ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027866B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015524198A (ja) * | 2012-05-30 | 2015-08-20 | シャンカン キュウ | 一種音響照明装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021090793A1 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | 株式会社クリエイティブコーティングス | Ｄｌｃ膜の成膜装置及び成膜方法 |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP3085546A patent/JP3027866B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015524198A (ja) * | 2012-05-30 | 2015-08-20 | シャンカン キュウ | 一種音響照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04318173A (ja) | 1992-11-09 |
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