JPH0133935B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0133935B2
JPH0133935B2 JP55074388A JP7438880A JPH0133935B2 JP H0133935 B2 JPH0133935 B2 JP H0133935B2 JP 55074388 A JP55074388 A JP 55074388A JP 7438880 A JP7438880 A JP 7438880A JP H0133935 B2 JPH0133935 B2 JP H0133935B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
vacuum chamber
substrate
gas
cvd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55074388A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS571231A (en
Inventor
Yoichi Murayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Original Assignee
Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan filed Critical Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan
Priority to JP7438880A priority Critical patent/JPS571231A/ja
Publication of JPS571231A publication Critical patent/JPS571231A/ja
Publication of JPH0133935B2 publication Critical patent/JPH0133935B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明の半導体工業等において利用されるプ
ラズマCVDの改良、特にプラズマ制御を容易に
したプラズマCVD装置の改良に関する。
多結晶シリコン、シリコン酸化膜、窒化膜等を
真空中において、気相中から直接に反応物質とし
て基板上に堆積させるいわゆるCVD法は、半導
体工業においてよく知られている。そして、各種
のCVD法のうち、高周波を印加して真空中に反
応ガスの低温プラズマを生成させるプラズマ
CVD法は、(1)プラズマ中で反応ガスが高いエネ
ルギーを持つ電子によつてイオン化あるいは活性
化されるので、低い温度で化学反応が進行する。
(2)プラズマ中の電子が高いエネルギーを有し、こ
のため、電子を運動領域が広がり、プラズマ周辺
が基板を含めてマイナスに帯電する。この帯電に
よつて生ずるプラズマと基板との電位差によつて
加速されたイオン、活性化分子が基板上に附着
し、附着力が大となると同時に膜自体の活性が大
きく、容易に単結晶性の被膜を得ることが出来
る。(3)ガス圧が低い程ピンホールの少ない高品質
の膜が得られるが、高周波放電は10-4Tprr程度の
高真空でも安定したプラズマの生成が可能であ
る。等の多くの利点を有している。
しかし、従来のプラズマCVD装置は、真空槽
の外側に高周波コイルを配置し、真空槽の壁を通
して槽内に高周波電力を導入していた。このため
真空槽は硝子等の絶縁物で製作されており、装置
自体の耐久性に問題が生じていた。その上、反応
堆積物は基板上のみでなく、真空槽壁にも付着す
るため、堆積が進むにつれて槽壁の電気的特性が
変化し、反応生成物の電気伝導度が高い場合に
は、槽内への高周波電力の導入は不可能となつて
しまう。このため、プラズマの安定した制御が不
可能となり、作業性、生産性に問題があつたもの
である。
この発明は、高周波コイルを真空槽内に配設す
ることによつて上記の欠点を補い、広い応用範囲
を有するプラズマCVDを提供しようとするもの
である。以下図面を参照して詳細に説明する。
図は代表的なプラズマCVD装置を示し、1は
真空槽であり、排気口2から図示しない排気ポン
プによつて残留ガスが10-4Tprr程度以下の高真空
にまで排気される。3は反応生成物が堆積する基
板であり、真空槽1内に生成されるプラズマの暗
黒部(dark space)にあるように配置されてい
る。この基板は導電体でも絶縁物でもよい。ま
た、導電体の場合には高周波コイルあるいは物質
源に対して負電位を印加されてもよい。4はガス
供給口で、所望の成分を有する原料ガスがリー
ク・バルブによつて制御された量だけ、真空槽1
内に導入される。5は高周波コイルであり、ステ
ンレス等、導入ガスと反応し難い金属で作られ、
真空槽内に配置される。
このCVD装置は、従来のものと同様に使用さ
れる。すなわち、排気ポンプによつて残留ガスが
10-4Tprr程度以下にまで排気した後、合成すべき
物質に応じて、例えばSiNxを堆積させる場合は
SiH4とNH3の混合ガス、Siのみを堆積させる場
合はSiH4のみを又はアルゴンやヘリウム等の不
活性ガスと共に供給口4から導入する。次いで高
周波コイル5に高周波を印加してプラズマを形成
させる。このとき、基板3はプラズマの暗黒部
(dark space)にあるように配置しているので、
前記のように高い運動エネルギーを持つ電子によ
つて自動的に負電位となり、プラズマ中の明かる
い部分である陽光柱との間に直流電界が生ずる。
(セルフ・バイアス効果と呼ばれる)この電界に
よつて物質イオンを加速付着せしめることが出来
る。
この発明のCVD装置においては、高周波コイ
ル5が真空槽1内に配設されているので、槽壁へ
の反応生成物の附着によつてもプラズマの形成に
は何の影響もなく、安定した制御が可能である。
それだけでなく、真空槽1を、例えばステンレス
のような金属製とすることが出来、作業性の向上
と保守の容易さの点で大幅の改善を計ることが出
来る。
また、物質源も、ガスとして導入するだけでな
く、槽内に蒸発源6を置き、抵抗加熱あるいは電
子ビーム加熱によつて、物質蒸気をプラズマに供
給することも出来る。このような方法は、ガスと
して槽内に供給するに適さない金属膜の生成等に
好適でああるが、このような金属膜の形成は、槽
外から高周波電力を供給する従来のCVD装置で
は、生成した金属膜で高周波がシールドされてし
まうため、不可能であつたものである。また、こ
のように、物質源を槽内に配置する場合には、必
要に応じてガス供給口3からのガスの供給を全く
行なわないでもよい。また蒸発源を複数配置して
もよいことも云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明のプラズマCVD装置の説明図
であり、図中の符号は 1:真空槽、2:排気口、3:基板、4:ガス
供給口、5:高周波コイル、6:蒸発源を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 真空槽中の物質流に高周波電力を供給してプ
    ラズマを形成するプラズマCVD装置において、
    高周波コイルを上記真空槽内に配設すると共に、
    基板をプラズマの暗黒部に配置して、該基板上に
    生成物を堆積させることを特徴とするプラズマ
    CVD装置。
JP7438880A 1980-06-04 1980-06-04 Plasma chemical vapour deposition (cvd) device Granted JPS571231A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7438880A JPS571231A (en) 1980-06-04 1980-06-04 Plasma chemical vapour deposition (cvd) device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7438880A JPS571231A (en) 1980-06-04 1980-06-04 Plasma chemical vapour deposition (cvd) device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS571231A JPS571231A (en) 1982-01-06
JPH0133935B2 true JPH0133935B2 (ja) 1989-07-17

Family

ID=13545739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7438880A Granted JPS571231A (en) 1980-06-04 1980-06-04 Plasma chemical vapour deposition (cvd) device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS571231A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5022780A (ja) * 1973-07-03 1975-03-11
JPS5391663A (en) * 1977-01-24 1978-08-11 Hitachi Ltd Plasma cvd device
JPS56130465A (en) * 1980-03-14 1981-10-13 Canon Inc Film forming method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5022780A (ja) * 1973-07-03 1975-03-11
JPS5391663A (en) * 1977-01-24 1978-08-11 Hitachi Ltd Plasma cvd device
JPS56130465A (en) * 1980-03-14 1981-10-13 Canon Inc Film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JPS571231A (en) 1982-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0253361B1 (en) Thin film forming device
EP1918967B1 (en) Method of forming a film by deposition from a plasma
JPS61295377A (ja) 薄膜形成方法
JPH06314660A (ja) 薄膜形成法及びその装置
JPH02281734A (ja) プラズマ表面処理法
JP2970654B1 (ja) 薄膜形成装置
US4913928A (en) Microwave plasma chemical vapor deposition apparatus with magnet on waveguide
JPH0133935B2 (ja)
US4599971A (en) Vapor deposition film forming apparatus
US6223686B1 (en) Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition
JP2000273644A (ja) プラズマcvd装置
JPH0237963A (ja) 通電加熱部材
JP2646582B2 (ja) プラズマcvd装置
JPS6124467B2 (ja)
JPH04228566A (ja) スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置
JPH0445580B2 (ja)
US6060131A (en) Method of forming a thin film by plasma chemical vapor deposition
JP2617539B2 (ja) 立方晶窒化ほう素膜の製造装置
JPH01230781A (ja) 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2500765B2 (ja) プラズマcvd装置
JPH07240379A (ja) 薄膜形成法及びその装置
JPS6383271A (ja) ダイヤモンド状炭素膜の製造法
JPS62180077A (ja) 管内面の被覆方法
JPH0361371A (ja) 薄膜形成装置
JPS62174383A (ja) 薄膜堆積装置