JPH0445580B2 - - Google Patents
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- JPH0445580B2 JPH0445580B2 JP61253144A JP25314486A JPH0445580B2 JP H0445580 B2 JPH0445580 B2 JP H0445580B2 JP 61253144 A JP61253144 A JP 61253144A JP 25314486 A JP25314486 A JP 25314486A JP H0445580 B2 JPH0445580 B2 JP H0445580B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、高性能イオンプレーテイング方法
とその装置に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、高周波励起イオンプレーテイン
グにおいて蒸発粒子のイオン化を増大させ、高品
質の薄膜を効率的に製造するための改良された高
性能イオンプレーテイング方法とその装置に関す
る。
とその装置に関するものである。さらに詳しく
は、この発明は、高周波励起イオンプレーテイン
グにおいて蒸発粒子のイオン化を増大させ、高品
質の薄膜を効率的に製造するための改良された高
性能イオンプレーテイング方法とその装置に関す
る。
（背景技術）
金属、ガラス、セラミツクス、プラスチツク等
の基板の表面に、金属、無機物、あるいは有機ポ
リマーなどの蒸着薄膜を形成し、絶縁膜、光学
膜、表示素子、電子デバイスなどに用いることは
これまでにも広く行われてきている。そのための
形成方法として、真空蒸着、スパツタリング、
CVDなどと共に、イオンプレーテイング方法が
知られてもいる。
の基板の表面に、金属、無機物、あるいは有機ポ
リマーなどの蒸着薄膜を形成し、絶縁膜、光学
膜、表示素子、電子デバイスなどに用いることは
これまでにも広く行われてきている。そのための
形成方法として、真空蒸着、スパツタリング、
CVDなどと共に、イオンプレーテイング方法が
知られてもいる。
このイオンプレーテイングの方法としては、ホ
ロカソード型のものと、高周波励起型のものがあ
るが、生成する薄膜の基板への密着強度、薄膜の
品質とその均一性において、後者の高周波励起方
式によるイオンプレーテイングは優れたものであ
り、すでに様々な用途の薄膜製造に実用化されて
いる。
ロカソード型のものと、高周波励起型のものがあ
るが、生成する薄膜の基板への密着強度、薄膜の
品質とその均一性において、後者の高周波励起方
式によるイオンプレーテイングは優れたものであ
り、すでに様々な用途の薄膜製造に実用化されて
いる。
しかしながら、この高周波励起方式によるイオ
ンプレーテイングは、その優れた特徴にもかかわ
らず、薄膜の生成効率の点で改善すべき課題を有
している。特に、薄膜の生成効率については、薄
膜生成時のイオン化率を向上させることが、この
高周波励起イオンプレーテイングにとつて大きな
課題であつた。
ンプレーテイングは、その優れた特徴にもかかわ
らず、薄膜の生成効率の点で改善すべき課題を有
している。特に、薄膜の生成効率については、薄
膜生成時のイオン化率を向上させることが、この
高周波励起イオンプレーテイングにとつて大きな
課題であつた。
（発明の目的）
この発明は、以上のような事情を鑑みてなされ
たものであり、従来法の弱点を克服したイオン化
率、薄膜生成速度がともに大きく、しかも高周波
励起による優れた特長を合わせ持つた改良された
高周波励起高性能イオンプレーテイング方法とそ
のための装置を提供することを目的としている。
たものであり、従来法の弱点を克服したイオン化
率、薄膜生成速度がともに大きく、しかも高周波
励起による優れた特長を合わせ持つた改良された
高周波励起高性能イオンプレーテイング方法とそ
のための装置を提供することを目的としている。
（発明の開示）
この発明は、上記目的を実現するために、高周
波励起によるイオンプレーテイング方法におい
て、蒸発源と基板との関に複数の高周波励起手段
を設け、蒸発源近傍に位置する励起手段と蒸発源
とを覆うようにシールドを設けて蒸発粒子のイオ
ン化を増大させることを特徴としている。
波励起によるイオンプレーテイング方法におい
て、蒸発源と基板との関に複数の高周波励起手段
を設け、蒸発源近傍に位置する励起手段と蒸発源
とを覆うようにシールドを設けて蒸発粒子のイオ
ン化を増大させることを特徴としている。
また、この発明のイオンプレーテイング装置
は、このため、蒸発源と基板との間の空間に複数
の高周波励起手段を設け、蒸発源近傍の励起手段
と蒸発源とをシールドによつて覆い、蒸発粒子の
イオン化を増大させるようにしたことを特徴とし
ている。
は、このため、蒸発源と基板との間の空間に複数
の高周波励起手段を設け、蒸発源近傍の励起手段
と蒸発源とをシールドによつて覆い、蒸発粒子の
イオン化を増大させるようにしたことを特徴とし
ている。
この発明の方法および装置に関して特に重要な
ことは、従来の高周波励起イオンプレーテイング
においても導入ガスのイオン化は極めて効率よく
行うことができるが、この発明によつてさらに、
蒸発源物質の蒸発よつて生成した蒸発粒子のイオ
ン化が増大されることにある。真空室内に設ける
高周波励起手段、たとえばコイルと、蒸発源とを
シールドすることは、そのための方策である。
ことは、従来の高周波励起イオンプレーテイング
においても導入ガスのイオン化は極めて効率よく
行うことができるが、この発明によつてさらに、
蒸発源物質の蒸発よつて生成した蒸発粒子のイオ
ン化が増大されることにある。真空室内に設ける
高周波励起手段、たとえばコイルと、蒸発源とを
シールドすることは、そのための方策である。
添附した図面に沿つてさらに詳しくこの発明を
説明する。
説明する。
第１図は、この発明の方法と装置の例を示した
概念図である。
概念図である。
真空室１はベルジヤ２によつて形成されてい
る。ベルジヤ２には、真空排気系３、ガス導入系
４を設けている。ベルジヤ２内には、蒸発源５を
設けている。この蒸発源５については、抵抗加
熱、高周波誘導加熱、電子ビーム、イオンビーム
等の適宜な手段によつて蒸発源物質を蒸発させる
ようにする。蒸発ハースおよび手段にも限定はな
い。蒸発源は複数であつてもよい。
る。ベルジヤ２には、真空排気系３、ガス導入系
４を設けている。ベルジヤ２内には、蒸発源５を
設けている。この蒸発源５については、抵抗加
熱、高周波誘導加熱、電子ビーム、イオンビーム
等の適宜な手段によつて蒸発源物質を蒸発させる
ようにする。蒸発ハースおよび手段にも限定はな
い。蒸発源は複数であつてもよい。
またベルジヤ２内には、基板６とそれを保持す
るホルダー７を設ける。この場合、基板６には、
電界を印加することができるようにしてもよい。
さらに基板６の加熱手段を設けてもよいし、ま
た、基板を連続的にベルジヤ２内に導入し、かつ
外部へ連続的に搬出できるようにしている。
るホルダー７を設ける。この場合、基板６には、
電界を印加することができるようにしてもよい。
さらに基板６の加熱手段を設けてもよいし、ま
た、基板を連続的にベルジヤ２内に導入し、かつ
外部へ連続的に搬出できるようにしている。
この発明においては、以上のほかに、ベルジヤ
２内に、高周波励起手段を複数設ける。第１図の
一次コイル８と二次コイル９とがこの手段に該当
する。励起手段は、この例のように２個に限定さ
れるものではない。
２内に、高周波励起手段を複数設ける。第１図の
一次コイル８と二次コイル９とがこの手段に該当
する。励起手段は、この例のように２個に限定さ
れるものではない。
この励起手段のうち、蒸発源近傍のもの、第１
図の場合には二次コイル９の上から、蒸発源５を
も覆うように、シールド１０を設ける。
図の場合には二次コイル９の上から、蒸発源５を
も覆うように、シールド１０を設ける。
このシールド１０は、プラズマ放電の担い手で
ある二次電子の増殖を促すものであり、多くの二
次電子を高周波励起手段、第１図の二次コイル９
によつて十分に作用させ、蒸発粒子の散逸を防
ぎ、そのイオン化を増大させる。
ある二次電子の増殖を促すものであり、多くの二
次電子を高周波励起手段、第１図の二次コイル９
によつて十分に作用させ、蒸発粒子の散逸を防
ぎ、そのイオン化を増大させる。
シールド１０は、円筒形、角筒形、その他いず
れの形状でもよく、板体あるいはメツシユ状の網
状体によつて形成してもよい。また誘電性の材料
によつて形成してもよいし、水冷手段を備えてい
てもよい。
れの形状でもよく、板体あるいはメツシユ状の網
状体によつて形成してもよい。また誘電性の材料
によつて形成してもよいし、水冷手段を備えてい
てもよい。
もちろん、高周波励起手段は、第１図に示した
ようなコイルに限定されるものではない。様々な
形状のコイル、あるいはプローブであつてもよ
い。励起手段の放電のための高周波電源は、複数
の励起手段について別のものとしてもよいし、あ
るいは同一の１個のものを用いてもよい。同一の
ものであつても、同調して放電しないということ
はない。
ようなコイルに限定されるものではない。様々な
形状のコイル、あるいはプローブであつてもよ
い。励起手段の放電のための高周波電源は、複数
の励起手段について別のものとしてもよいし、あ
るいは同一の１個のものを用いてもよい。同一の
ものであつても、同調して放電しないということ
はない。
イオンプレーテイングの操作条件は、これまで
に普通に採用されている範囲とすることができ
る。たとえば、真空室内のガス圧は１×10-5〜１
×10-2Torr、基板温度は常温〜300℃、放電電力
100〜500Wなどの条件とすることができる。薄膜
形成材料も広い範囲のものを用いることができ
る。Ti，Al，Zn，Snなどの金属、その化合物、
あるいはポリマーなどを用いることができる。
に普通に採用されている範囲とすることができ
る。たとえば、真空室内のガス圧は１×10-5〜１
×10-2Torr、基板温度は常温〜300℃、放電電力
100〜500Wなどの条件とすることができる。薄膜
形成材料も広い範囲のものを用いることができ
る。Ti，Al，Zn，Snなどの金属、その化合物、
あるいはポリマーなどを用いることができる。
反応系へは、アルゴン、水素、窒素、酸素、炭
化水素などの不活性ガス、反応性ガスの適宜なも
のを１種または２種以上の混合で導入することが
できる。もちろんガスを導入しなくてもよい。
化水素などの不活性ガス、反応性ガスの適宜なも
のを１種または２種以上の混合で導入することが
できる。もちろんガスを導入しなくてもよい。
この発明の方法、および装置による場合には、
たとえば、TiO2，TiNなどの反応性薄膜の形成
の場合にも、通常の操作条件下において、薄膜の
生成速度は従来の高周波励起イオンプレーテイン
グに比べて1.5〜５倍も増大する。蒸発粒子のイ
オン化率は、従来の数倍に増大している。
たとえば、TiO2，TiNなどの反応性薄膜の形成
の場合にも、通常の操作条件下において、薄膜の
生成速度は従来の高周波励起イオンプレーテイン
グに比べて1.5〜５倍も増大する。蒸発粒子のイ
オン化率は、従来の数倍に増大している。
シールドによる二次電子の増殖とその作用向上
が大きく寄与している。
が大きく寄与している。
（発明の効果）
この発明は、以上のように、薄膜生成速度の向
上と、かつ優れた均一品質の薄膜形成を実現する
ものである。高周波励起イオンプレーテイングの
特徴を最大限に生かし、しかも生産性に優れたプ
ロセスと装置を実現する。
上と、かつ優れた均一品質の薄膜形成を実現する
ものである。高周波励起イオンプレーテイングの
特徴を最大限に生かし、しかも生産性に優れたプ
ロセスと装置を実現する。
第１図は、この発明の方法と装置の一例を示し
た概念図である。 図中の番号は次のものを示している。１……真
空室、２……ベルジヤ、３……真空排気系、４…
…ガス導入系、５……蒸発源、６……基板、７…
…ホルダー、８……一次コイル、９……二次コイ
ル、１０……シールド。
た概念図である。 図中の番号は次のものを示している。１……真
空室、２……ベルジヤ、３……真空排気系、４…
…ガス導入系、５……蒸発源、６……基板、７…
…ホルダー、８……一次コイル、９……二次コイ
ル、１０……シールド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波励起によるイオンプレーテイング方法
において、蒸発源と基板との間に複数の高周波励
起手段を設け、蒸発源近傍の励起手段と蒸発源と
を覆うようにシールドを設けて蒸発粒子のイオン
化を増大させることを特徴とする高性能イオンプ
レーテイング方法。 ２ 高周波励起イオンプレーテイング装置におい
て、蒸発源と基板との間の空間に複数の高周波励
起手段を設け、蒸発源近傍の励起手段と蒸発源と
をシールドによつて覆い、蒸発粒子のイオン化を
増大させるようにしたことを特徴とするイオンプ
レーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25314486A JPS63109162A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | イオンプレ−テイング方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25314486A JPS63109162A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | イオンプレ−テイング方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63109162A JPS63109162A (ja) | 1988-05-13 |
| JPH0445580B2 true JPH0445580B2 (ja) | 1992-07-27 |
Family
ID=17247127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25314486A Granted JPS63109162A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | イオンプレ−テイング方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63109162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH09228046A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Ricoh Co Ltd | 巻き取り式成膜装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012160A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Asahi Optronics, Ltd. | Systeme de galvanoplastie haute frequence par depot par evaporation sous vide |
| JP2003188115A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-04 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 半導体配線形成方法及び装置、半導体デバイス製造方法及び装置、並びにウエハ |
| DE102015210460B4 (de) * | 2015-06-08 | 2021-10-07 | Te Connectivity Germany Gmbh | Verfahren zur Veränderung mechanischer und/oder elektrischer Eigenschaften zumindest eines Bereichs eines elektrischen Kontaktelements |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5084472A (ja) * | 1973-11-30 | 1975-07-08 | ||
| JPS5311175A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Ulvac Corp | High frequency ion plating apparatus |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25314486A patent/JPS63109162A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5084472A (ja) * | 1973-11-30 | 1975-07-08 | ||
| JPS5311175A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Ulvac Corp | High frequency ion plating apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH09228046A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Ricoh Co Ltd | 巻き取り式成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63109162A (ja) | 1988-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |