JPS63475A - ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 - Google Patents
ハイブリツドイオンプレ−テイング装置Info
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- JPS63475A JPS63475A JP5416486A JP5416486A JPS63475A JP S63475 A JPS63475 A JP S63475A JP 5416486 A JP5416486 A JP 5416486A JP 5416486 A JP5416486 A JP 5416486A JP S63475 A JPS63475 A JP S63475A
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- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハイブリッド方式によるイオンブレーティング
装置と、その高速で連続的なイオンブレーティング装置
に関する。ざらに詳しくは、圧力勾配型の放電プラズマ
と高周波励起を用いたハイブリッド高速イオンブレーテ
ィング装置に関する。
装置と、その高速で連続的なイオンブレーティング装置
に関する。ざらに詳しくは、圧力勾配型の放電プラズマ
と高周波励起を用いたハイブリッド高速イオンブレーテ
ィング装置に関する。
プラスチック、金属等のフィルムや様々の形状の物品の
表面に、金属、無芸物、カーボン、あるいは有機ポリマ
ーなどの薄膜（蒸着膜）を形成したものは、導電性フィ
ルム、絶縁膜、表示素子、光学フィルム、電子デバイス
、保護膜、装飾などの多様な用途分野への応用が期待さ
れているもので、すでに実用化されているものも少くな
い。
表面に、金属、無芸物、カーボン、あるいは有機ポリマ
ーなどの薄膜（蒸着膜）を形成したものは、導電性フィ
ルム、絶縁膜、表示素子、光学フィルム、電子デバイス
、保護膜、装飾などの多様な用途分野への応用が期待さ
れているもので、すでに実用化されているものも少くな
い。
このような薄膜を形成するための方法、装置としては、
真空蒸着装置内に置いた蒸発源からの蒸発粒子をグロー
放電によってイオン化して行なうものが知られている。
真空蒸着装置内に置いた蒸発源からの蒸発粒子をグロー
放電によってイオン化して行なうものが知られている。
いわゆるイオンブレーティングと呼ばれている技術であ
る。
る。
イオンブレーティングについては、ホロカソード型のも
のと、高周波励起型のものとがあることも知られている
。これらのイオンブレーティング法は薄膜形成技術とし
て優れたものではめるが、生産効率と薄膜の性能の両面
において優れた技術、装置としては、依然として多くの
問題が未解決の現状にある。
のと、高周波励起型のものとがあることも知られている
。これらのイオンブレーティング法は薄膜形成技術とし
て優れたものではめるが、生産効率と薄膜の性能の両面
において優れた技術、装置としては、依然として多くの
問題が未解決の現状にある。
すなわち、ホロカソードの場合にはカソード部等の装置
の汚れ、損旧が避けられず、熱的安定性に欠け、簿膜の
性能の均一性を確実なものとすることが難しいという問
題がある。このため優れた品質の薄膜を、連続的な処理
として実現することは困難であった。
の汚れ、損旧が避けられず、熱的安定性に欠け、簿膜の
性能の均一性を確実なものとすることが難しいという問
題がある。このため優れた品質の薄膜を、連続的な処理
として実現することは困難であった。
また、高周波励起型のイオンブレーティングの場合には
、優れた品質の薄膜を安定して得るためには極めて有効
でおるものの、その薄膜を効率的に製造するための生産
性の点では難点がおった。
、優れた品質の薄膜を安定して得るためには極めて有効
でおるものの、その薄膜を効率的に製造するための生産
性の点では難点がおった。
本発明は、このような問題のない、被処理物品の表面に
効率的に蒸着薄膜を形成するための新しいタイプの装置
を提供することを目的としている。
効率的に蒸着薄膜を形成するための新しいタイプの装置
を提供することを目的としている。
さらに詳しくは、高速で移動する被処理物品の表面に、
連続的に薄膜を形成するためのイオンブレーティング装
置を提供するものである。
連続的に薄膜を形成するためのイオンブレーティング装
置を提供するものである。
本発明の装置について説明すると、この装置は、圧力勾
配型のプラズマ放電とともに高周波励起の手段を用い、
しかも、被処理物を高速で移動させることによって連続
的に薄膜を形成するものであることを特徴としている。
配型のプラズマ放電とともに高周波励起の手段を用い、
しかも、被処理物を高速で移動させることによって連続
的に薄膜を形成するものであることを特徴としている。
圧力勾配型のプラズマ放電は、陰極と陽極との間に中間
電極を介在させ、陰極領域を’ＩＴｏｒｒ前後に、そし
て陽極領域を１０’Ｔｏ ｒ ｒ程度に保って放電を行
なうものである。この放電方式をイオンブレーティング
として用いることはすでに提案されてもいる（たとえば
、「真空」第２７巻、第２号、６４頁、（１９８４年）
〉。
電極を介在させ、陰極領域を’ＩＴｏｒｒ前後に、そし
て陽極領域を１０’Ｔｏ ｒ ｒ程度に保って放電を行
なうものである。この放電方式をイオンブレーティング
として用いることはすでに提案されてもいる（たとえば
、「真空」第２７巻、第２号、６４頁、（１９８４年）
〉。
このイオンブレーティング装置は、ハースに対して溝方
向に設置されたプラズマ源からのプラズマ流を水平方向
に発射させ、上向きに置いたハース（陽極）の真上で直
角に曲げてハース上にプラズマ流を収束させ、蒸発物質
をイオン蒸気化して、被処理物表面にドライコーティン
グを行なうものである。
向に設置されたプラズマ源からのプラズマ流を水平方向
に発射させ、上向きに置いたハース（陽極）の真上で直
角に曲げてハース上にプラズマ流を収束させ、蒸発物質
をイオン蒸気化して、被処理物表面にドライコーティン
グを行なうものである。
この装置と方法による場合には、プラズマガンが汚れな
い、反応速度が大ぎい、プラズマが安定化する、薄膜が
均質になる、などの利点がある。
い、反応速度が大ぎい、プラズマが安定化する、薄膜が
均質になる、などの利点がある。
しかしながら、このような圧力勾配型放電によるイオン
ブレーティングについては、実用技術、実用装置として
の検討はいまだ不十分であり、特に薄膜の性能の向上や
その均一性の実現のための装置、移動する物品、おるい
はフィルム状物へのドライコーティングに通した装置や
その装置の操作諸条件の選択については何ら１口られて
いない。
ブレーティングについては、実用技術、実用装置として
の検討はいまだ不十分であり、特に薄膜の性能の向上や
その均一性の実現のための装置、移動する物品、おるい
はフィルム状物へのドライコーティングに通した装置や
その装置の操作諸条件の選択については何ら１口られて
いない。
本発明は高周波）１ｊ起手段をこの圧力勾配型プラズマ
に併用することによって、はじめて、これらのことを具
体的に実現した。次に本発明の装置について、その概要
を図面を参照して説明する。
に併用することによって、はじめて、これらのことを具
体的に実現した。次に本発明の装置について、その概要
を図面を参照して説明する。
図は本発明の装置の一例を示したものである。
第１図は、非連続の個別的な被処理物が高速で移動する
ハイブリッド方式のイオンブレーティング装置を示した
ものである。また、第２図は、連続したフィルムのイオ
ンブレーティング装置を示したものである。
ハイブリッド方式のイオンブレーティング装置を示した
ものである。また、第２図は、連続したフィルムのイオ
ンブレーティング装置を示したものである。
図中の（１）は真空室で、ベルジャ（２）によって気密
に保たれている。真空室は真空ポンプによって排気する
。ベルジャ（２）には、真空排気口とともに、反応ガス
導入口（４〉を設ける。また、ベルジャの内部には、蒸
発原料物質のハース（５）、圧力勾配型プラズマガン（
６）、高周波励起手段（７）を設ける。（８）は被処理
物品を示している。第２図の場合、この（８）はフィル
ムである。また、第２図においては、（９）はフィルム
の送り出しロールであり、（１０）はフィルムの巻き取
りロールである。ハース部には、抵抗加熱、高周波加熱
の手段を適宜に設けることができる。
に保たれている。真空室は真空ポンプによって排気する
。ベルジャ（２）には、真空排気口とともに、反応ガス
導入口（４〉を設ける。また、ベルジャの内部には、蒸
発原料物質のハース（５）、圧力勾配型プラズマガン（
６）、高周波励起手段（７）を設ける。（８）は被処理
物品を示している。第２図の場合、この（８）はフィル
ムである。また、第２図においては、（９）はフィルム
の送り出しロールであり、（１０）はフィルムの巻き取
りロールである。ハース部には、抵抗加熱、高周波加熱
の手段を適宜に設けることができる。
被処理物の高速移動手段は、適宜なものを採用するご仁
ができる。
ができる。
もちろん、本発明の装置は、このような例に限定される
ものではなく、圧力勾配型プラズマと高周波励起との相
乗的効果が得られるかぎり、いかなる態様においても実
施できるものである。
ものではなく、圧力勾配型プラズマと高周波励起との相
乗的効果が得られるかぎり、いかなる態様においても実
施できるものである。
たとえば、圧力勾配型プラズマについては、プラズマガ
ンから発射されるプラズマ流を磁石手段を用いることに
よってシート状プラズマに変型することもできる。また
、高周波励起手段については、し結合、Ｃ結合、いずれ
のものも用いることができる。ざら（、必要に応じて、
プラズマボンバード処理の手段、冷却手段など用いるこ
ともできる。
ンから発射されるプラズマ流を磁石手段を用いることに
よってシート状プラズマに変型することもできる。また
、高周波励起手段については、し結合、Ｃ結合、いずれ
のものも用いることができる。ざら（、必要に応じて、
プラズマボンバード処理の手段、冷却手段など用いるこ
ともできる。
ベルジャの形状も適宜に変更することができる。
薄膜形成物質についても、洛別の限定はない。
金属、無機物、有機物のうちから適宜に選択することが
できる。イオンブレーティングの反応圧力は、１ｘ１０
” 〜１０−”丁ｏｒｒ程度で広い範囲で、かつ、アル
ゴン、ヘリウム、水素などのガス、酸素、窒素、有機上
ツマ−などの反応性ガスの適宜なものが用いられる。
できる。イオンブレーティングの反応圧力は、１ｘ１０
” 〜１０−”丁ｏｒｒ程度で広い範囲で、かつ、アル
ゴン、ヘリウム、水素などのガス、酸素、窒素、有機上
ツマ−などの反応性ガスの適宜なものが用いられる。
放電の電圧は、圧力勾配型プラズマガンについては、５
０〜１００Ｖとし、電流を蒸発物質によって適宜に選択
する。
０〜１００Ｖとし、電流を蒸発物質によって適宜に選択
する。
高周波電力は１００Ｗ〜数ＫＷまでを自由に選択しくｑ
る。
る。
また、被処理物は、６ｍ／分〜４０ｍ／分という高速度
で移動させることができる。
で移動させることができる。
本発明の装置によって、６ｍ／分〜４０ｍ／分という高
速度で被処理物を移動させながら効率的にイオンブレー
ティングを行うことが可能となる。
速度で被処理物を移動させながら効率的にイオンブレー
ティングを行うことが可能となる。
得られる薄膜の性能は良好で、特に膜厚、特性において
均一なものを１りることができる。
均一なものを１りることができる。
このような優れた効果は、これまでの技１ホｉからはま
ったく予期しえなかったことである。
ったく予期しえなかったことである。
第１図および第２図は本発明の装置の一例を概略的に示
したものである゛。図中の番号は次のものを示している
。 （１）真空至、 （６）圧力勾配型プラズマガン、（
２）ベルジャ、 （７）高周波励起手段、（３）排気口
、 （８）被処理物品、（４）ガス導入口、（９）フ
ィルム送り出しロール、（５）ハース、 （１０）フ
ィルム巻き取りロール。
したものである゛。図中の番号は次のものを示している
。 （１）真空至、 （６）圧力勾配型プラズマガン、（
２）ベルジャ、 （７）高周波励起手段、（３）排気口
、 （８）被処理物品、（４）ガス導入口、（９）フ
ィルム送り出しロール、（５）ハース、 （１０）フ
ィルム巻き取りロール。
Claims (4)
- （１）真空室と；排気系と；ガス導入系と；薄膜形成材
料の蒸発源と；必要により設ける抵抗加熱または高周波
誘導加熱の蒸発手段と；圧力勾配型のプラズマガンと；
被処理物と前記蒸発源との間に設けた高周波励起手段と
；必要により設ける被処理物の高速移動手段とからなり
、前記圧力勾配型のプラズマガンから発射されたプラズ
マ流が前記蒸発源に収束して蒸発源物質の蒸発およびイ
オン化を行ない、かつ、前記高周波励起手段によって蒸
発粒子のイオン化および励起を行ない、被処理物表面に
該イオン化粒子によつて薄膜を形成するようにしたハイ
ブリッドイオンプレーティング装置。 - （２）高速移動手段によって被処理物が高速移動するよ
うにした特許請求の範囲第（１）項記載のハイブリッド
イオンプレーティング装置。 - （３）被処理物が高速移動する非連続の個別物品である
特許請求の範囲第（２）項記載のハイブリッドイオンプ
レーティング装置。 - （４）被処理物が高速移動する連続したフィルムである
特許請求の範囲第（２）項記載のハイブリッドイオンプ
レーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5416486A JPH0672300B2 (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5416486A JPH0672300B2 (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63475A true JPS63475A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0672300B2 JPH0672300B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=12962906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5416486A Expired - Fee Related JPH0672300B2 (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672300B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5013416A (en) * | 1986-03-12 | 1991-05-07 | Tobi Col, Ltd. | Process for manufacturing transparent, conductive film |
| EP0575055A2 (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-22 | MURAYAMA, Yoichi | Plasma vapour-deposition apparatus |
| JP2009155698A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および装置 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP5416486A patent/JPH0672300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5013416A (en) * | 1986-03-12 | 1991-05-07 | Tobi Col, Ltd. | Process for manufacturing transparent, conductive film |
| EP0575055A2 (en) * | 1992-05-20 | 1993-12-22 | MURAYAMA, Yoichi | Plasma vapour-deposition apparatus |
| EP0575055A3 (en) * | 1992-05-20 | 1995-09-27 | Yoichi Murayama | Plasma vapour-deposition apparatus |
| CN1044012C (zh) * | 1992-05-20 | 1999-07-07 | 村山洋一 | 真空串联式等离子体沉积设备 |
| JP2009155698A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672300B2 (ja) | 1994-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |