JP2009155698A - 成膜方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射して、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させて成膜するにあたり、膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを基板に照射することによって、蒸着膜の結晶配向性等の膜特性を制御する。
【選択図】図1
Description
上記の圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームを利用した成膜法としては、例えば、基板に所定のバイアス電圧を印加することによってプラズマ中のイオンを前記基板に入射させ、当該基板を表面処理する第1工程、第1工程の後に、成膜室中に配置された材料蒸発源に向けて圧力勾配型プラズマガンからプラズマビームを供給することによって、前記材料蒸発源の膜材料を蒸発させて前記基板の表面に付着させる第2工程からなる成膜方法(特許文献1参照)が知られており、そして、この成膜法によれば、成膜開始時の基板汚れ等の影響を排除することができ、その結果、結晶配向性の高い蒸着膜を得られることが知られている。
この発明は、上記知見に基づいてなされたものであって、
「(1)少なくとも一つの蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射し、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させる成膜方法において、蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンとは別に設けた膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを基板に照射することによって、蒸着膜の膜特性を制御することを特徴とする成膜方法。
(2)少なくとも一つの蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射し、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させる成膜装置において、成膜装置は、反応ガスの導入口および排出口を備え、また、成膜装置の外部には、基板にバイアスを印加するための直流バイアス電源を付設し、成膜装置の内部上方には、基板を所定温度に加熱するためのヒーター、および、基板を垂直軸の周りに回転可能な状態に保持する基板ホルダーを設け、成膜装置の内部下方には蒸発源を収納した蒸発源収納容器を配置し、同じく成膜装置の下方には、蒸発源収納容器から偏位した位置に設けられ、かつ、プラズマビームが基板方向を指向するように位置決めされた膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンを配置し、さらに成膜装置には、プラズマビームが蒸発源を指向するように、少なくとも一つの蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンを配置したことを特徴とする成膜装置。」
に特徴を有するものである。
以下に、この発明の成膜方法および装置について、詳細に説明する。
図1に、本発明の成膜装置の一実施例である成膜装置全体の概略説明図を示す。
まず、図1において、成膜装置の上方には、垂直軸の周りに回転可能な基板ホルダーを設け、該基板ホルダーにより基板を垂直軸および必要に応じて水平軸に対して回転可能な状態に保持し、一方、成膜装置下方には蒸発源を収納した蒸発源収納容器を配置し、同じく成膜装置の下方には、蒸発源収納容器から偏位した位置(図1(b)参照)に設けられ、かつ、プラズマビームが基板方向を指向するように位置決めされた制御用プラズマガン(膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガン)を配置し、また、成膜装置の例えば側方には、プラズマビームが蒸発源を指向するように、少なくとも一つの蒸発用プラズマガン(蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガン)を配置する。さらに、成膜装置には、基板ホルダーと成膜装置上部壁の間にヒーターを設け、基板を所定温度に加熱できるようにし、反応ガス導入口・排出口(図示せず)を設け、所望膜材質に応じて成膜装置内への反応ガスの導入排出を可能とする。また、基板にバイアスを印加するための直流バイアス電源を付設する。
このような成膜装置において、基板を基板ホルダーにセットした後、成膜装置内に反応ガスを導入し、装置内を所定圧力に保持し、ヒーターで基板を加熱し、かつ、基板に均一な蒸着膜が形成されるようにするため、垂直軸および必要に応じて水平軸の周りに基板を回転させつつ、少なくとも一つの蒸発用プラズマガンから蒸発源へプラズマビームを照射し、成分を蒸発・イオン化し、所定直流バイアス電圧を印加した基板に付着させることにより蒸着膜を成膜する。
上記方法および装置で成膜された蒸着膜の密着強度、結晶配向性等の膜特性は、基板の温度、バイアス電圧、窒素ガス流量という蒸着膜を形成する際の一般的な成膜条件によっても勿論影響を受けるが、制御用プラズマガンからのプラズマビーム照射有無の影響が特に大きく、制御用プラズマガンからのプラズマビーム照射を行うことによって、密着強度の高い、また、結晶配向性の高い蒸着膜を成膜し得ることを本発明者らは確認した。
比較例として、制御用プラズマガンからのプラズマビーム照射を行わなかった以外は、表1に示す実施例と実質的に同一条件で、窒化チタンアルミニウムからなる硬質蒸着膜(比較例1〜6)を成膜した。
上記実施例1〜6による成膜方法及び上記比較例1〜6による成膜方法で成膜した蒸着膜について、膜特性(基板への密着強度、膜の結晶配向性)の評価を行った。
密着強度評価は、スクラッチ試験法よる臨界強度Lc(N)とロックウェルによる圧痕剥離試験法で行った。スクラッチ試験は、硬質蒸着膜の表面をダイヤモンド圧子で荷重を増加させながら、AE信号(アコースティックエミション)を測定する方法で、剥離が生じた時に発する音をAEで検出し、そのときの荷重を密着強度の臨界荷重値Lcとし、臨界荷重値Lcの大小で密着強度を評価した。
また、ロックウェルによる圧痕剥離試験法は、標準的なロックウェル(Cスケール)硬度計を用いて行い、ダイヤモンド圧子を硬質蒸着膜に押圧した場合に生ずる圧痕を観察し、圧痕周囲の剥離の有無で密着強度を評価した。
硬質蒸着膜の結晶配向性は、硬質蒸着膜表面を研磨面とした状態で、電子線後方散乱回折装置(EBSD)を用いて個々の結晶粒の結晶方位を解析することにより行った。すなわち、30×50μmの領域を、0.1μm/stepの間隔で、前記研磨面の法線に対して、硬質蒸着膜を構成する結晶粒の結晶面である{112}面の法線がなす傾斜角を測定し、この測定結果に基づいて、前記測定傾斜角のうち、0〜55度の範囲内にある測定傾斜角を0.25度のピッチ毎に区分すると共に、各区分内に存在する度数を集計することにより、図2に示される傾斜角度数分布グラフを作成し、結晶粒全面積に占める、法線方向に対して0〜15度の範囲内の傾斜角区分に結晶方位<112>が存在する結晶粒の面積割合を求めた。
その結果を、表2に示す。
表2によれば、この発明の成膜方法および装置により成膜した蒸着膜(実施例1〜6)は、臨界荷重値Lcが80以上であり、また、圧痕剥離試験における圧痕周囲の剥離が生じていないことから、基板への密着強度は非常に強固であることがわかる。
これに対して、制御用プラズマガンからのプラズマビーム照射を行わずに成膜した比較例1〜6においては、実施例1〜6に比して臨界荷重値Lcの値が相対的に低いことから、硬質蒸着膜の基板への密着強度が弱いことがわかる。また、例えば、比較例1についての結果および図4にみられるように、法線方向に対して0〜15度の範囲内に、結晶方位<112>が存在する結晶粒の面積割合は結晶粒全面積の25%であり、さらに、図5にみられるように、結晶粒界相互の傾斜角が15°以下である結晶粒界の割合も全結晶粒界の24%であることから、比較例1〜6は、本発明に比して、結晶配向性が低いことがわかる。
Claims (2)
- 少なくとも一つの蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射し、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させる成膜方法において、蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンとは別に設けた膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを基板に照射することによって、蒸着膜の膜特性を制御することを特徴とする成膜方法。
- 少なくとも一つの蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンからのプラズマビームを蒸発源に照射し、膜成分を粒子として蒸発・イオン化し、これを基板表面に蒸着させる成膜装置において、成膜装置は、反応ガスの導入口および排出口を備え、また、成膜装置の外部には、基板にバイアスを印加するための直流バイアス電源を付設し、成膜装置の内部上方には、基板を所定温度に加熱するためのヒーター、および、基板を垂直軸の周りに回転可能な状態に保持する基板ホルダーを設け、成膜装置の内部下方には蒸発源を収納した蒸発源収納容器を配置し、同じく成膜装置の下方には、蒸発源収納容器から偏位した位置に設けられ、かつ、プラズマビームが基板方向を指向するように位置決めされた膜特性制御用の圧力勾配型Arプラズマガンを配置し、さらに成膜装置には、プラズマビームが蒸発源を指向するように、少なくとも一つの蒸発用の圧力勾配型Arプラズマガンを配置したことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007336535A JP5234316B2 (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009155698A true JP2009155698A (ja) | 2009-07-16 |
JP5234316B2 JP5234316B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
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Family Applications (1)
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JP2007336535A Active JP5234316B2 (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 成膜方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP5234316B2 (ja) |
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