JPH08193262A - アルミナ膜形成方法 - Google Patents
アルミナ膜形成方法Info
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- JPH08193262A JPH08193262A JP556595A JP556595A JPH08193262A JP H08193262 A JPH08193262 A JP H08193262A JP 556595 A JP556595 A JP 556595A JP 556595 A JP556595 A JP 556595A JP H08193262 A JPH08193262 A JP H08193262A
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- Japan
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- plasma
- substrate
- alumina film
- film
- alumina
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温度、短時間でもα−アルミナ膜を形成す
る。 【構成】 酸素が導入される真空容器１内の被処理物７
を加熱すると共にアルミニウムを蒸発させ、この蒸発粒
子を被処理物７とアルミとの間に発生させたプラズマ１
０によってイオン化して被処理物７に付着させるアルミ
ナ膜形成方法において、前記プラズマ１０の中心と被処
理物７との距離を 100〜700mm にすると共に、前記プラ
ズマ１０の電子温度を 50000〜160000Ｋにする。
る。 【構成】 酸素が導入される真空容器１内の被処理物７
を加熱すると共にアルミニウムを蒸発させ、この蒸発粒
子を被処理物７とアルミとの間に発生させたプラズマ１
０によってイオン化して被処理物７に付着させるアルミ
ナ膜形成方法において、前記プラズマ１０の中心と被処
理物７との距離を 100〜700mm にすると共に、前記プラ
ズマ１０の電子温度を 50000〜160000Ｋにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はα−アルミナ膜を低温
度、短時間でも形成することができるアルミナ膜形成方
法に関するものである。
度、短時間でも形成することができるアルミナ膜形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミナは、硬度、強度、耐摩耗性、耐
酸化性、耐熱性、耐食性および電気絶縁性に優れてい
る。また、ＴｉＮ，ＴｉＣなどに比べて原料価格が低価
で、実用化に際して大きな利点があり、ドリル、旋盤、
チップ本体等の切削工具類のコーティング、光学薄膜に
利用されつつある。
酸化性、耐熱性、耐食性および電気絶縁性に優れてい
る。また、ＴｉＮ，ＴｉＣなどに比べて原料価格が低価
で、実用化に際して大きな利点があり、ドリル、旋盤、
チップ本体等の切削工具類のコーティング、光学薄膜に
利用されつつある。
【０００３】アルミナ膜の製法としては、ＣＶＤ法、Ｐ
ＶＤ法などがあり、ＣＶＤ法による切削工具等の表面に
アルミナ膜を形成することが実用化されている。
ＶＤ法などがあり、ＣＶＤ法による切削工具等の表面に
アルミナ膜を形成することが実用化されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、アルミナ膜
としては、アモルファス−アルミナ膜、結晶性アルミナ
膜（α，γ，θ−アルミナ膜）等の数種のものがあり、
これらのうち結晶性の中でも一番堅いα−アルミナ膜が
注目されるが、既にいくつか提案されているイオンプレ
ーティング法（特開昭 63-223162号公報等）などではα
−アルミナ膜を形成しずらく研究開発の段階である。Ｃ
ＶＤ法によれば、α−アルミナ膜を例えば切削工具の表
面に形成することが実用化されているが、形成温度を10
00℃にしなければα−アルミナ膜を形成することができ
ず、例えば母材の材質にＷＣを用いた場合には成膜時に
母材が1000℃の高温に晒されるので、母材が脆くなって
工具としての寿命が短くなる。また、形成時間も４μｍ
で約２時間かかる。
としては、アモルファス−アルミナ膜、結晶性アルミナ
膜（α，γ，θ−アルミナ膜）等の数種のものがあり、
これらのうち結晶性の中でも一番堅いα−アルミナ膜が
注目されるが、既にいくつか提案されているイオンプレ
ーティング法（特開昭 63-223162号公報等）などではα
−アルミナ膜を形成しずらく研究開発の段階である。Ｃ
ＶＤ法によれば、α−アルミナ膜を例えば切削工具の表
面に形成することが実用化されているが、形成温度を10
00℃にしなければα−アルミナ膜を形成することができ
ず、例えば母材の材質にＷＣを用いた場合には成膜時に
母材が1000℃の高温に晒されるので、母材が脆くなって
工具としての寿命が短くなる。また、形成時間も４μｍ
で約２時間かかる。
【０００５】そこで、本発明は、このような事情を考慮
してなされたものであり、その目的は、低温度、短時間
でα−アルミナ膜を形成することができるアルミナ膜形
成方法を提供することにある。
してなされたものであり、その目的は、低温度、短時間
でα−アルミナ膜を形成することができるアルミナ膜形
成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、酸素が導入される真空容器内の被処理物
を加熱すると共にアルミニウムを蒸発させ、この蒸発粒
子を被処理物とアルミとの間に発生させたプラズマによ
ってイオン化して被処理物に付着させるアルミナ膜形成
方法において、前記プラズマの中心と被処理物との距離
を 100〜700mmにすると共に、前記プラズマ電子温度を
50000〜160000Ｋにするものである。
成するために、酸素が導入される真空容器内の被処理物
を加熱すると共にアルミニウムを蒸発させ、この蒸発粒
子を被処理物とアルミとの間に発生させたプラズマによ
ってイオン化して被処理物に付着させるアルミナ膜形成
方法において、前記プラズマの中心と被処理物との距離
を 100〜700mmにすると共に、前記プラズマ電子温度を
50000〜160000Ｋにするものである。
【０００７】プラズマの中心と被処理物との距離は、被
処理物がプラズマから十分に離れるように 100〜700mm
にする必要があり、これにより、プラズマの熱が直接被
処理物に影響を及ぼすことがなくなる。距離が 100mm未
満であると、プラズマの熱により被処理物が加熱されて
結晶化しずらくなると共に、真空容器内に注入するＡｒ
ガス等の不活性ガスが膜に悪影響を与えて膜の特性が悪
くなる。 700mmを越えると、被処理物とプラズマとが離
れ過ぎて膜のレートが遅くなると共に、まわりの不純物
を取り込んで膜の特性が悪くなる。
処理物がプラズマから十分に離れるように 100〜700mm
にする必要があり、これにより、プラズマの熱が直接被
処理物に影響を及ぼすことがなくなる。距離が 100mm未
満であると、プラズマの熱により被処理物が加熱されて
結晶化しずらくなると共に、真空容器内に注入するＡｒ
ガス等の不活性ガスが膜に悪影響を与えて膜の特性が悪
くなる。 700mmを越えると、被処理物とプラズマとが離
れ過ぎて膜のレートが遅くなると共に、まわりの不純物
を取り込んで膜の特性が悪くなる。
【０００８】プラズマ電子温度は、アルミと基板との間
に高密度のプラズマを形成するために 50000〜160000Ｋ
の範囲にする必要がある。電子温度が 50000Ｋ未満であ
ると、プラズマが弱くなりイオン化率が低く、良好なア
ルミナ膜が形成できない。160000Ｋを越えると、被処理
物の温度を所定の温度（例えば 600℃）に保てなくな
り、結晶化しずらくなると共に、熱の影響により膜の脆
性が悪くなる。
に高密度のプラズマを形成するために 50000〜160000Ｋ
の範囲にする必要がある。電子温度が 50000Ｋ未満であ
ると、プラズマが弱くなりイオン化率が低く、良好なア
ルミナ膜が形成できない。160000Ｋを越えると、被処理
物の温度を所定の温度（例えば 600℃）に保てなくな
り、結晶化しずらくなると共に、熱の影響により膜の脆
性が悪くなる。
【０００９】
【作用】プラズマを利用したイオンプレーティング法に
より成膜を行う際の被処理物とプラズマとの距離及びプ
ラズマの密度を特定することにより、被処理物がプラズ
マから十分に離れるためプラズマの熱の影響を受けない
と共に、アルミと被処理物との間に高密度のプラズマが
形成され、形成温度を1000℃より下げてもα結晶を成長
させることができ、従来形成しずらかったα−アルミナ
膜を低温度、短時間でも形成することが可能となる。
より成膜を行う際の被処理物とプラズマとの距離及びプ
ラズマの密度を特定することにより、被処理物がプラズ
マから十分に離れるためプラズマの熱の影響を受けない
と共に、アルミと被処理物との間に高密度のプラズマが
形成され、形成温度を1000℃より下げてもα結晶を成長
させることができ、従来形成しずらかったα−アルミナ
膜を低温度、短時間でも形成することが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１１】図１において、１は真空容器を示し、この
真空容器１には真空系２が接続されて容器１内が0.01〜
0.5 Ｐａに維持されるようになっている。
真空容器１には真空系２が接続されて容器１内が0.01〜
0.5 Ｐａに維持されるようになっている。
【００１２】真空容器１内の下部には成膜材料であるア
ルミニウムを収容するるつぼ３が配設されていると共
に、容器１の側部下方にはそのるつぼ３内のアルミを溶
融加熱して蒸発させる電子ビーム４を照射するピアス式
電子銃５が取り付けられ、この電子銃５は電子ビーム４
の照射量を任意に設定し得るように構成されている。ま
た電子銃５には電子銃用排気装置６が接続されている。
ルミニウムを収容するるつぼ３が配設されていると共
に、容器１の側部下方にはそのるつぼ３内のアルミを溶
融加熱して蒸発させる電子ビーム４を照射するピアス式
電子銃５が取り付けられ、この電子銃５は電子ビーム４
の照射量を任意に設定し得るように構成されている。ま
た電子銃５には電子銃用排気装置６が接続されている。
【００１３】また、真空容器１内の上方には、被処理物
である基板７がるつぼ３と対向するように取り付けられ
る基板ホルダー８が配設されている。基板ホルダー８に
は、基板７を所定の温度に加熱する基板ヒータ（図示せ
ず）が備えられていると共に、プラズマ１０によってイ
オン化した粒子を加速させるために基板７にバイアス電
圧を印加する高周波電源９が接続されている。基板７へ
の高周波出力は、α結晶を成長させるのに十分なエネル
ギーを基板７に与えるだけ大きく、かつ基板７又は成長
中の膜表面がプラズマ１０中のイオンでダメージを受け
ないように強くたたかれない程度に弱くする必要があ
り、 100〜1000Ｗにするのが好ましい。
である基板７がるつぼ３と対向するように取り付けられ
る基板ホルダー８が配設されている。基板ホルダー８に
は、基板７を所定の温度に加熱する基板ヒータ（図示せ
ず）が備えられていると共に、プラズマ１０によってイ
オン化した粒子を加速させるために基板７にバイアス電
圧を印加する高周波電源９が接続されている。基板７へ
の高周波出力は、α結晶を成長させるのに十分なエネル
ギーを基板７に与えるだけ大きく、かつ基板７又は成長
中の膜表面がプラズマ１０中のイオンでダメージを受け
ないように強くたたかれない程度に弱くする必要があ
り、 100〜1000Ｗにするのが好ましい。
【００１４】さらに、真空容器１の側部には、容器１内
の基板７とるつぼ３との間にプラズマ１０を発生させる
プラズマ発生機としての圧力勾配型ホローカソード式の
プラズマ銃１１が取り付けられていると共に、このプラ
ズマ銃１１と対向する容器１側部にはイオン化率を高め
るためにプラズマ専用の対向電極１２が配設される。
の基板７とるつぼ３との間にプラズマ１０を発生させる
プラズマ発生機としての圧力勾配型ホローカソード式の
プラズマ銃１１が取り付けられていると共に、このプラ
ズマ銃１１と対向する容器１側部にはイオン化率を高め
るためにプラズマ専用の対向電極１２が配設される。
【００１５】プラズマ銃１１は、プラズマ処理用ガスで
ある不活性ガス例えばＡｒを供給するためのプラズマガ
スタンク１３が接続されていると共に反応用ガスである
酸素を供給する酸素タンク１４が接続されており、Ａｒ
のプラズマをつくりこのプラズマを酸素と共に容器１内
のるつぼ３と基板７の間に発射するものである。また、
このプラズマ銃１１は、プラズマ１０の電流及び電子温
度が任意に設定可能に構成され、電流を50〜220 Ａにし
て電子温度を 50000〜160000Ｋの範囲に維持するように
なっている。
ある不活性ガス例えばＡｒを供給するためのプラズマガ
スタンク１３が接続されていると共に反応用ガスである
酸素を供給する酸素タンク１４が接続されており、Ａｒ
のプラズマをつくりこのプラズマを酸素と共に容器１内
のるつぼ３と基板７の間に発射するものである。また、
このプラズマ銃１１は、プラズマ１０の電流及び電子温
度が任意に設定可能に構成され、電流を50〜220 Ａにし
て電子温度を 50000〜160000Ｋの範囲に維持するように
なっている。
【００１６】プラズマ銃１１によるプラズマ１０の中心
と基板７との距離が 100〜700mm になるように、プラズ
マ銃１０を真空容器１の側部に取り付けるか、又は基板
ホルダー８の配置を調節する。
と基板７との距離が 100〜700mm になるように、プラズ
マ銃１０を真空容器１の側部に取り付けるか、又は基板
ホルダー８の配置を調節する。
【００１７】また、真空容器１の側部には、反応用ガス
である酸素タンク１５が接続され、成膜に必要な酸素
（プラズマ銃に供給する酸素を含む）が容器１内に供給
されるようになっており、この酸素分圧は、アルミナ膜
の酸素含有量を60％に調節できる範囲にする必要があ
り、 0.005〜0.1 Ｐａにするのが好ましい。さらに、真
空容器１の外側には集束コイル１６が設けられていると
共に、容器１内の基板７とるつぼ３との間で、かつ基板
７の近傍にはシャッター１７が開閉自在に設けられてい
る。
である酸素タンク１５が接続され、成膜に必要な酸素
（プラズマ銃に供給する酸素を含む）が容器１内に供給
されるようになっており、この酸素分圧は、アルミナ膜
の酸素含有量を60％に調節できる範囲にする必要があ
り、 0.005〜0.1 Ｐａにするのが好ましい。さらに、真
空容器１の外側には集束コイル１６が設けられていると
共に、容器１内の基板７とるつぼ３との間で、かつ基板
７の近傍にはシャッター１７が開閉自在に設けられてい
る。
【００１８】さて、このようなプラズマ銃１１を備えた
イオンプレーティング装置を用いて基板７にα−アルミ
ナ膜を形成しようとする場合、るつぼ３内にアルミニウ
ムを入れて、酸素が供給される真空容器１内を真空系２
によりプラズマ１０を安定して保持できる圧力（0.01〜
0.5 Ｐａ）にすると共に、基板７を所定の温度（例えば
600℃）に加熱し、かつ、基板７に 100〜1000Ｗの高周
波を出力する。その基板７とるつぼ３との間にプラズマ
銃１１によりプラズマ１０を発生させる。この状態で電
子銃５により電子ビーム４をるつぼ３内のアルミに照射
する。これにより、アルミが溶融加熱されて蒸発し、こ
の蒸発粒子の一部がプラズマ１０によってイオン化ある
いは励起して活性になり、基板７に付着して基板７上に
アルミナ膜が形成される。この成膜速度は、容器１の壁
などから出てくる不純物の影響を受けないため十分速度
が速く、かつα結晶が成長できるよう速度があまり速く
ないよう、 0.5〜10nm／s にする。
イオンプレーティング装置を用いて基板７にα−アルミ
ナ膜を形成しようとする場合、るつぼ３内にアルミニウ
ムを入れて、酸素が供給される真空容器１内を真空系２
によりプラズマ１０を安定して保持できる圧力（0.01〜
0.5 Ｐａ）にすると共に、基板７を所定の温度（例えば
600℃）に加熱し、かつ、基板７に 100〜1000Ｗの高周
波を出力する。その基板７とるつぼ３との間にプラズマ
銃１１によりプラズマ１０を発生させる。この状態で電
子銃５により電子ビーム４をるつぼ３内のアルミに照射
する。これにより、アルミが溶融加熱されて蒸発し、こ
の蒸発粒子の一部がプラズマ１０によってイオン化ある
いは励起して活性になり、基板７に付着して基板７上に
アルミナ膜が形成される。この成膜速度は、容器１の壁
などから出てくる不純物の影響を受けないため十分速度
が速く、かつα結晶が成長できるよう速度があまり速く
ないよう、 0.5〜10nm／s にする。
【００１９】プラズマ１０の中心と基板７との距離を 1
00〜700mm にすることにより、基板７がプラズマ１０の
熱の影響を受けない。基板７がプラズマ１０の中心に近
づきすぎると、プラズマ１０の熱により基板７が加熱さ
れてアルミナが結晶化しずらくなったり、真空容器１内
に注入するＡｒガス等の不活性ガスが膜に悪影響を与え
て膜の特性が悪くなったりする。逆に離れすぎると、膜
のレートが遅くなったり、まわりの不純物を取り込んで
膜の特性が悪くなったりする。
00〜700mm にすることにより、基板７がプラズマ１０の
熱の影響を受けない。基板７がプラズマ１０の中心に近
づきすぎると、プラズマ１０の熱により基板７が加熱さ
れてアルミナが結晶化しずらくなったり、真空容器１内
に注入するＡｒガス等の不活性ガスが膜に悪影響を与え
て膜の特性が悪くなったりする。逆に離れすぎると、膜
のレートが遅くなったり、まわりの不純物を取り込んで
膜の特性が悪くなったりする。
【００２０】また、プラズマ１０の電子温度を 50000〜
160000Ｋの範囲にすることにより、アルミと基板７との
間に高密度のプラズマ１０を形成できる。プラズマ１０
の電子温度を特定しないと、プラズマ１０が弱くなりイ
オン化率が低く良好なアルミナ膜が形成できなかった
り、基板７の温度を所定の温度（ 600℃）に保てなくて
結晶化しずらくなったりする。
160000Ｋの範囲にすることにより、アルミと基板７との
間に高密度のプラズマ１０を形成できる。プラズマ１０
の電子温度を特定しないと、プラズマ１０が弱くなりイ
オン化率が低く良好なアルミナ膜が形成できなかった
り、基板７の温度を所定の温度（ 600℃）に保てなくて
結晶化しずらくなったりする。
【００２１】これによって、形成温度（基板温度）を 6
00℃の低温度にしても、α結晶が成長できる状態となる
ので、基板７上にはα−アルミナが成長して、従来形成
しずらかったα−アルミナ膜を 600℃の低温度、短時間
でも形成することができる。
00℃の低温度にしても、α結晶が成長できる状態となる
ので、基板７上にはα−アルミナが成長して、従来形成
しずらかったα−アルミナ膜を 600℃の低温度、短時間
でも形成することができる。
【００２２】具体的には、前述のイオンプレーティング
装置を用いて、下記の成膜条件によりアルミナ膜を形成
した。
装置を用いて、下記の成膜条件によりアルミナ膜を形成
した。
【００２３】成膜条件は次の通りである。
【００２４】被処理基板（母材）；ＴｉＮ／ＷＣ（ＷＣ
上にＴｉＮをコーティングしたもの） 基板温度（形成
温度）； 600℃ 基板への高周波出力； 400Ｗ 真空容器の圧力； 0.066Ｐａ Ａｒ：Ｏ2 ；１：１ プラズマ電流；50Ａ 基板とルツボの距離； 720mm 基板とプラズマ中心の距離； 400mm 成膜速度； 3.2nm／s 膜厚； 3.2μｍ このようにして得られたアルミナ膜をＸ線回折で分析し
た。なお、Ｘ線回折は1.54056Åの波長で行った。その
結果は図２に示した。図２に示すように、母材（ＴｉＮ
／ＷＣ）○のピークの他に、α−アルミナ□のピークが
検出され、アルミナ膜が結晶性のα−アルミナであるこ
とが認められた。
上にＴｉＮをコーティングしたもの） 基板温度（形成
温度）； 600℃ 基板への高周波出力； 400Ｗ 真空容器の圧力； 0.066Ｐａ Ａｒ：Ｏ2 ；１：１ プラズマ電流；50Ａ 基板とルツボの距離； 720mm 基板とプラズマ中心の距離； 400mm 成膜速度； 3.2nm／s 膜厚； 3.2μｍ このようにして得られたアルミナ膜をＸ線回折で分析し
た。なお、Ｘ線回折は1.54056Åの波長で行った。その
結果は図２に示した。図２に示すように、母材（ＴｉＮ
／ＷＣ）○のピークの他に、α−アルミナ□のピークが
検出され、アルミナ膜が結晶性のα−アルミナであるこ
とが認められた。
【００２５】従って、α−アルミナ膜を 600℃の低温度
でかつＣＶＤ法による場合の５分の１の時間で形成する
ことができる。このように形成温度（基板温度）をでき
るだけ低くすることにより、基板７（母材）に与える熱
影響が小さくてすむので、母材の寿命を長くでき、工業
性的価値が向上する。
でかつＣＶＤ法による場合の５分の１の時間で形成する
ことができる。このように形成温度（基板温度）をでき
るだけ低くすることにより、基板７（母材）に与える熱
影響が小さくてすむので、母材の寿命を長くでき、工業
性的価値が向上する。
【００２６】また、ピアス式電子銃を用いて真空容器１
の外部からるつぼ３内のアルミを蒸発させるため、広範
囲の圧力下でその蒸発を行え、高圧力下での蒸発を安定
に行える。
の外部からるつぼ３内のアルミを蒸発させるため、広範
囲の圧力下でその蒸発を行え、高圧力下での蒸発を安定
に行える。
【００２７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、α−アル
ミナ膜を低温度、短時間でも形成できるという優れた効
果を奏する。
ミナ膜を低温度、短時間でも形成できるという優れた効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマ銃を備えたイオンプレーティング装置
の一例を示す構成図である。
の一例を示す構成図である。
【図２】ブラッグ角と強度との関係を示す図である。
１ 真空容器 ７ 基板（被処理物） １０ プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 酸素が導入される真空容器内の被処理物
を加熱すると共にアルミニウムを蒸発させ、この蒸発粒
子を被処理物とアルミとの間に発生させたプラズマによ
ってイオン化して被処理物に付着させるアルミナ膜形成
方法において、前記プラズマの中心と被処理物との距離
を 100〜700mm にすると共に、前記プラズマ電子温度を
50000〜160000Ｋにすることを特徴とするアルミナ膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP556595A JPH08193262A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | アルミナ膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP556595A JPH08193262A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | アルミナ膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193262A true JPH08193262A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11614741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP556595A Pending JPH08193262A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | アルミナ膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08193262A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731483B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2007-06-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조설비 |
| JP2009155698A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および装置 |
| JP2011089158A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Jeol Ltd | 膜形成装置 |
| GB2586635A (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-03 | Dyson Technology Ltd | Deposition system |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP556595A patent/JPH08193262A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731483B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2007-06-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조설비 |
| JP2009155698A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および装置 |
| JP2011089158A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Jeol Ltd | 膜形成装置 |
| GB2586635A (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-03 | Dyson Technology Ltd | Deposition system |
| US20220325402A1 (en) * | 2019-08-30 | 2022-10-13 | Dyson Technology Limited | Thermal evaporation plasma deposition |
| GB2586635B (en) * | 2019-08-30 | 2024-01-24 | Dyson Technology Ltd | Deposition system |
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|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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