JP2011089158A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011089158A JP2011089158A JP2009242122A JP2009242122A JP2011089158A JP 2011089158 A JP2011089158 A JP 2011089158A JP 2009242122 A JP2009242122 A JP 2009242122A JP 2009242122 A JP2009242122 A JP 2009242122A JP 2011089158 A JP2011089158 A JP 2011089158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electrode
- film forming
- discharge
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】放電室3と、該放電室内に配置されたカソード1と、該放電室の端部に配置されたアノード2と、前記カソード1と前記アノード2との間に放電電圧を印加するための放電電源11と、前記放電室3内に放電用ガスを供給するための手段を備えており、前記放電室3内で形成された第1プラズマ13中の電子を前記アノード2の開口部を通して前記放電室外の真空室9内に引き出す様に構成されたプラズマ発生装置を備え、少なくとも前記真空室内に設けられたるつぼ12からの蒸発粒子に前記プラズマ発生装置からの電子を照射して第2プラズマ15を発生させて基板23の成膜を行う様に成した膜形成装置において、前記るつぼ12を含む蒸発源に隣接させて電極19を配置し、この電極を電流量調整機6を介して前記放電電源11に接続している。
【選択図】図1
Description
(1)請求項1記載の発明は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段を備えており、前記放電室内で形成された第1プラズマ中の電子を前記アノードの開口部を通して前記放電室外の真空室内に引き出す様に構成されたプラズマ発生装置を備え、前記真空室内に設けられた成膜用粒子源から発生された粒子に前記プラズマ発生装置からの電子を照射して第2プラズマを発生させて基板の成膜を行う様に成した膜形成装置において、前記粒子源に隣接させて電極を配置し、該電極に正の電圧を印加して、前記第1プラズマ中の電子を該電極に引きつける様に成したことを特徴とする。
(3)請求項3記載の発明は、前記電極は、前記第2プラズマ側から見て該電極の一部以外は見えない様に遮蔽体で覆われており、前記粒子源の中心軸に平行な軸を中心軸として間欠的に又は連続的に回転する円板状に形成されていることを特徴とする。
(6)請求項6記載の発明は、前記成膜用粒子源は、プロセスガス源であることを特徴とする。
(8)請求項8記載の発明は、前記電極と前記放電電源の間に電流量調整機を設けたことを特徴とする。
(1)請求項1記載の発明によれば、第1プラズマ中の電子を電極に引きつけるように構成したので、該第1プラズマを形成するプラズマ発生装置のアノード部を汚染(蒸気の付着)させることなく、粒子源上の粒子のイオン化率を高めて成膜用途における膜質の向上を図ることができる。
図1は本発明の膜形成装置の一構成例を示す図である。図3と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において、カソード1はタングステンの熱電子放出材料からなり、カソード加熱電源10に接続されている。放電室3は、ガス導入口8から導入されたアルゴンガスで真空室圧力より圧力を高めた空間となっている。
本発明では、抵抗R1,R2をR1>R2として、真空室9に引き出された電子及び第2プラズマ15中の電子をアノード電極2に流す方式、つまり第2プラズマ15中に引き出された電子をアノード2で再度取り込む方式を採用している。放電電源11のプラス極に電流量調整機6を介して前記電極19を接続し、前記プラズマ発生装置の出力の一部を前記電極19側に流すようにしている。電流量調整機6は、該電極に流れるプラズマビームの電流量を調整する役割を持たせたものであり、るつぼ12上で発生させる第3プラズマ34の密度を間接的に制御することを目的としている。放電ガス33は、るつぼ12上の圧力を高める目的と、蒸気が積極的に前記電極19に飛来しないようにする目的のために用いられ、例えばアルゴンガス等が使用される。
2 アノード
3 ケース(放電室)
4 シールド
5 コイル
6 電流量調整機
7 電子銃
8 ガス導入口
9 真空室
10 カソード加熱電源
11 放電電源
12 るつぼ
13 第1プラズマ
14 電界
15 第2プラズマ
16 蒸着材料
17 電子ビーム
18 プロセスガス導入口
19,44 電極
32,42 オリフィス
20 基板ドーム
21 回転軸
23 基板
31,43 ボックス
40 放電ガス
41 孔
45 回転軸
Claims (8)
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段を備えており、前記放電室内で形成された第1プラズマ中の電子を前記アノードの開口部を通して前記放電室外の真空室内に引き出す様に構成されたプラズマ発生装置を備え、前記真空室内に設けられた成膜用粒子源から発生された粒子に前記プラズマ発生装置からの電子を照射して第2プラズマを発生させて基板の成膜を行う様に成した膜形成装置において、前記粒子源に隣接させて電極を配置し、該電極に正の電圧を印加して、前記第1プラズマ中の電子を該電極に引きつける様に成したことを特徴とする膜形成装置。
- 前記粒子源の真横であって、前記第1プラズマからの電子が該粒子源からの粒子を横切る位置に前記電極を配置することを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記電極は、前記第2プラズマ側から見て該電極の一部以外は見えない様に遮蔽体で覆われており、前記粒子源の中心軸に平行な軸を中心軸として間欠的に又は連続的に回転する円板状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記電極は、前記第2プラズマ側から見て該電極の一部以外は見えない様に遮蔽体で覆われており、長手方向に沿って間欠的に又は連続的に移動する帯状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記成膜用粒子源は、固体物質を溶融して蒸発させる蒸発源である請求項1記載の膜形成装置。
- 前記成膜用粒子源は、プロセスガス源である請求項1記載の膜形成装置。
- 前記電極は、前記プラズマ発生装置の放電電源から電圧が印加されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の膜形成装置。
- 前記電極と前記放電電源の間に電流量調整機を設けたことを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009242122A JP5436143B2 (ja) | 2009-10-21 | 2009-10-21 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009242122A JP5436143B2 (ja) | 2009-10-21 | 2009-10-21 | 膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011089158A true JP2011089158A (ja) | 2011-05-06 |
JP5436143B2 JP5436143B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=44107664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009242122A Expired - Fee Related JP5436143B2 (ja) | 2009-10-21 | 2009-10-21 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5436143B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05239631A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-09-17 | Jeol Ltd | プラズマ生成装置 |
JPH07188909A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Asahi Glass Co Ltd | 真空製膜装置及びそれにより製造された膜 |
JPH08193262A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | アルミナ膜形成方法 |
JPH09256148A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Jeol Ltd | イオンプレーティング装置 |
JP2002025793A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Jeol Ltd | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
JP2008231456A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマ成膜装置 |
-
2009
- 2009-10-21 JP JP2009242122A patent/JP5436143B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05239631A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-09-17 | Jeol Ltd | プラズマ生成装置 |
JPH07188909A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Asahi Glass Co Ltd | 真空製膜装置及びそれにより製造された膜 |
JPH08193262A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | アルミナ膜形成方法 |
JPH09256148A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Jeol Ltd | イオンプレーティング装置 |
JP2002025793A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Jeol Ltd | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
JP2008231456A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマ成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5436143B2 (ja) | 2014-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2449409C2 (ru) | Способ управления фокусировки электронного луча электронной пушки типа пирса и управляющее устройство для нее | |
TWI553132B (zh) | Arc蒸鍍裝置及真空處理裝置 | |
JP6577804B2 (ja) | マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法 | |
JP5436143B2 (ja) | 膜形成装置 | |
JP5836027B2 (ja) | イオンプレーティング装置および方法 | |
JP4980866B2 (ja) | 膜形成装置 | |
JP3717655B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
JP3401365B2 (ja) | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 | |
JP4307304B2 (ja) | ピアス式電子銃、これを備えた真空蒸着装置およびピアス式電子銃の異常放電防止方法 | |
JP3406769B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
JP2010185124A (ja) | 蒸着方法及び蒸着装置 | |
JP2017020056A (ja) | 合金窒化物膜形成装置および合金窒化物膜形成方法 | |
JP4065725B2 (ja) | ピアス式電子銃およびこれを備える真空蒸着装置 | |
JP2013213270A (ja) | 真空成膜装置 | |
JP2001143894A (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
JPH04236774A (ja) | プラズマ源 | |
JP2010013701A (ja) | プラズマ発生装置および成膜装置 | |
JP2004099958A (ja) | イオンプレーティング方法およびその装置 | |
JP2010180469A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
JP2022025333A (ja) | プラズマガン、成膜装置、及び負イオン生成装置 | |
JP2020002400A (ja) | イオン照射装置、イオン照射方法、成膜装置、及び成膜方法 | |
JP2019512052A (ja) | コータ | |
JP2011119140A (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP2001176437A (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP2003213411A (ja) | プラズマを用いる成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111110 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5436143 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |