JP4980866B2 - 膜形成装置 - Google Patents
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Description
2 蒸発材料
3 坩堝
4 電子銃
5 基板ドーム
6 ヒータ
7 プラズマ発生装置
8 カソード
9 加熱電源
10 ケース
11 ガス導入口
12 第1アノード
13 放電電源
14 第2アノード
15 シールド
16 コイル
17 プラズマ
18 電界
19 電子ビーム
20 プロセスガス導入口
22 プラズマ
23 インピーダンス調整回路
24 アシスト電源
R1,R2 抵抗
Claims (4)
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための第1電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段を備えており、前記放電室内で形成された第1プラズマ中の電子を前記放電電圧に基づいて前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空室内に引き出す様に構成したプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で少なくとも気化状態の蒸着材料に前記プラズマ発生装置からの電子を照射して第2プラズマを発生させて基板の成膜を行うように成した膜形成装置において、前記第2プラズマ中の電子が前記プラズマ発生装置側に向かう様に前記アノードの電位をコントロールすることにより、前記第2プラズマ中のイオンが前記基板に向けて照射される様にしたアノード電位コントロール手段を設けたことを特徴とする膜形成装置。
- 前記アノード電位コントロール手段は前記基板に照射されるイオンのエネルギーが制御出来る様に成っていることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記アノード電位コントロール手段は、前記アノードの電位をアース電位に対して常に正の電位に保持させることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記アノード電位コントロール手段は、前記アノードとアース間にインピーダンス調整回路とアシスト電源とを直列に接続することにより成されており、前記アノードに常に正のバイアスが印加されるようにすると同時に、前記アースに電子電流が流れた時には、前記インピーダンス調整回路で所定のインピーダンスを発生させて電子電流を制限する調整を行ない、前記アースにイオン電流が流れた時には、インピーダンスをゼロにしてイオン電流を流すようにしたことを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
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