JP3401365B2 - プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 - Google Patents
プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置Info
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- JP3401365B2 JP3401365B2 JP12633895A JP12633895A JP3401365B2 JP 3401365 B2 JP3401365 B2 JP 3401365B2 JP 12633895 A JP12633895 A JP 12633895A JP 12633895 A JP12633895 A JP 12633895A JP 3401365 B2 JP3401365 B2 JP 3401365B2
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Description
電子ビームを発生させることができるプラズマ発生装置
と、このプラズマ発生装置を用いたイオンプレーティン
グ装置に関する。
ズマCVD装置などの薄膜形成装置にプラズマ発生装置
が利用されている。このプラズマ発生装置は、一般的に
成膜処理室に設置されており、プラズマ発生装置内でプ
ラズマを発生させ、プラズマ中の電子を引き出し加速さ
せて成膜処理室内に導入している。そして、成膜処理室
内のプロセスガスや成膜粒子にこの電子を照射すること
により、それらを励起、イオン化させるのに利用され
る。
たイオンプレーティング装置の概略図を示し、図2はプ
ラズマ発生装置の詳細を示している。図中1はイオンプ
レーティング装置の真空容器であり、この真空容器の底
部には、被蒸発材料2が設けられ、また、材料2に電子
ビームを照射するための電子銃3が設けられている。電
子銃3から発生した電子ビームは、例えば、270°偏
向され、被蒸発材料2に照射されることから、被蒸発材
料2は加熱され蒸発する。
後述するが、このプラズマ発生装置4からは電子ビーム
が発生させられ、真空容器1内に照射される。真空容器
1内には、プロセスガス導入管5から酸素ガスや窒素ガ
スなどのプロセスガスが導入されている。プラズマ発生
装置4からの電子ビームが蒸発粒子やプロセスガスに衝
突してそれらをイオン化し、プラズマPが形成される。
れた蒸発粒子が、基板電源7から負の電圧が印加されて
いる基板6に引き寄せられ、基板6には蒸発粒子が成膜
される。なお、真空容器1には排気系に接続された排気
管8が設けられており、真空容器1は適宜に排気される
ように構成されている。
しており、9は放電室を形成するケースである。ケース
9内にはカソード10が配置されているが、カソード1
0は加熱電源11に接続されていると共に、放電電源1
2にも接続されている。ケース9には放電ガス供給管1
3が設けられており、図示していない放電ガス源から、
アルゴンガスなどの不活性ガスがケース9内に導入され
る。
に碍子14を介してリング状のアノード15が設けられ
ている。また、アノード15の内側には、アノード15
をカソード10からの電子が直接流れ込まないように、
シールド電極16が配置されている。ケース9は抵抗R
1を介して放電電源12に接続され、アノード15は抵
抗R2を介して放電電源12に接続されている。更に、
真空容器1は抵抗R3を介して放電電源12に接続され
ている。
3》R2とされており、放電電源12に流れる電流の大
部分は、アノード15とカソード10との間に放電電流
となる。また、ケース9の外側には、ケース内の放電電
流を整形するための電磁石を構成するコイル17が設け
られている。このような構成の動作を次に説明する。
いない排気系により、排気管8を介して所定の真空度に
まで排気する。そしてケース9内に放電ガス供給管13
を介してアルゴンガスを所定の流量導入し、ケース9内
の圧力を高め、カソード10を加熱電源11により、熱
電子放出可能な温度にまで加熱する。
し、プラズマの点火と安定なプラズマを維持するのに必
要な磁場を電子ビームの軸方向に発生させる。この状態
でカソード10とアノード15に所定の電圧を印加する
と、まずカソード10とケース9との間で初期放電が発
生する。この放電に基づきケース9内にプラズマが発生
する。ケース9内における放電プラズマ中の電子は、コ
イル17が形成する磁場の影響で、電子ビームの軸方向
に集束を受け、シールド電極16の先端部に発生する加
速電界により真空容器1内部へと引き出される。
に向けて電子銃3から電子ビームが照射され、被蒸発材
料は加熱されて蒸発させられる。また、真空容器1内に
は、プロセスガス導入管5を介して、例えば、酸素ガス
が導入される。プラズマ発生装置4から引き出された電
子ビームは、真空容器1内に導入されたプロセスガスや
蒸発粒子と衝突し、それらを励起、イオン化させて真空
容器1内にプラズマPを形成する。
基板6に引き寄せられて付着し、基板6上には蒸発粒子
の成膜が成される。なお、真空容器1内にプラズマ発生
装置4から引き出された電子およびプラズマP中の電子
は、真空容器1やアノード15に流れ込み、安定な放電
が維持される。なお、ケース9内に形成されるプラズマ
の強さは、供給管13から供給される放電ガスの流量や
カソード10の加熱温度によって制御することができ
る。
たが、この2つの抵抗値をR3=R2、R3>R2、R
3<R2、R3≪R2と任意に変えることにより、アノ
ード15と真空容器1に流れる電流量を自由に選択する
ことができる。更に、プラズマ発生装置4全体の角度を
任意に変えることにより、真空容器1内のプラズマPの
発生領域を選択的に変えることができる。
などの場合、蒸発した酸化物がアノード15に付着し、
アノード15の表面の導電性を劣化させる。この結果、
アノード15の電位が変化し、プラズマ発生装置4から
真空容器1内に引き出されるプラズマ電流(電子および
イオン化されたアルゴンガス)が不安定となり、結果と
してプラズマPも不安定となり、成膜の精度が悪くな
る。
(大部分は電子電流)によりこのアノード15が加熱さ
れ、酸化物の付着を防止することができるが、アノード
15の最適温度を得るプラズマ出力は一定となり、プラ
ズマ発生装置の動作条件が制限されることになる。
シールド電極16に衝突し、シールド電極16の表面を
スパッタすることになる。この結果、シールド電極16
の材料が蒸発材料2と共にイオン化され、基板6表面に
付着するため、純粋に蒸発粒子のみのイオンプレーティ
ングが行えなくなる。
もので、その目的は、プラズマ電流を安定にすることが
できるプラズマ発生装置と、そのプラズマ発生装置を用
いたイオンプレーティング装置を実現するにある。
ラズマ発生装置は、放電室と、放電室内に配置されたカ
ソードと、放電室の端部に配置されたリング状のアノー
ドと、カソードとアノードとの間に放電電圧を印加する
ための放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するため
の手段と、該放電室からプラズマ中の電子が照射される
真空容器と、を備えており、放電室内で形成されたプラ
ズマ中の電子をリング状のアノードの内側の開口を通し
て放電室外の真空容器中に照射させるように構成したプ
ラズマ発生装置において、アノードの外側にアノードの
電位より高い正の電位の補助電極を設けたことを特徴と
している。
は、補助電極はアノードの径より大きくされ、アノード
の真空容器内に対向する表面を覆うように絶縁性のカバ
ーが設けられていることを特徴としている。
は、放電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電
室の端部に配置されたリング状のアノードと、カソード
とアノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源
と、放電室内に放電ガスを供給するための手段と、該放
電室からプラズマ中の電子が照射される真空容器と、を
備えており、放電室内で形成されたプラズマ中の電子を
リング状のアノードの内側の開口を通して放電室外の真
空容器中に照射させるように構成したプラズマ発生装置
において、アノードの加熱手段を設けたことを特徴とし
ている。
グ装置は、放電室と、放電室内に配置されたカソード
と、放電室の端部に配置されたリング状のアノードと、
カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するための
放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための手段
と、該放電室からプラズマ中の電子が照射される真空容
器と、を備えており、放電室内で形成されたプラズマ中
の電子をリング状のアノードの内側の開口を通して放電
室と繋がった真空容器内に照射させるように構成すると
共に、アノードの加熱手段を設けたプラズマ発生装置
と、真空容器内に設けられた蒸発材料と、蒸発材料を加
熱して蒸発させるための手段と、蒸発された材料に真空
容器からの電子を照射して発生したプラズマ中の材料イ
オンが引き寄せられる基板とを備えたイオンプレーティ
ング装置であって、アノードのアノード加熱手段による
加熱温度は、蒸発材料の蒸発開始温度以上とされること
を特徴としている。
は、放電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電
室の端部に配置されたリング状のアノードと、カソード
とアノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源
と、放電室内に放電ガスを供給するための手段と、該放
電室からプラズマ中の電子が照射される真空容器と、放
電室内のプラズマ中の電子が直接アノードに流れ込まな
いようにアノードの内側に配置されたシールド電極とを
備えており、放電室内で形成されたプラズマ中の電子を
リング状のアノードの内側の開口を通して放電室外の真
空容器中に照射させるように構成したプラズマ発生装置
において、シールド電極を筒状として筒状の内部を通っ
て放電室内のプラズマガスが放電室外に流され、アノー
ドをシールド電極よりも外側に突出させると共に、カソ
ードから見てアノードがシールド電極によって隠されて
いることを特徴としている。
電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電室の端
部に配置されたリング状のアノードと、カソードとアノ
ードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、放
電室内に放電ガスを供給するための手段とを備えてお
り、放電室内で形成されたプラズマ中の電子をリング状
のアノードの内側の開口を通して放電室外の真空容器中
に照射させるように構成したプラズマ発生装置におい
て、アノードの外側にアノードの電位より高い正の電位
の補助電極を設け、真空容器内からの電子を補助電極に
導く。
は、補助電極はアノードの径より大きくされ、アノード
の真空容器内に対向する表面を覆うように絶縁性のカバ
ーを設けることにより、真空容器中の蒸発粒子のアノー
ドへの付着を防止する。
は、放電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電
室の端部に配置されたリング状のアノードと、カソード
とアノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源
と、放電室内に放電ガスを供給するための手段とを備え
ており、放電室内で形成されたプラズマ中の電子をリン
グ状のアノードの内側の開口を通して放電室外の真空容
器中に照射させるように構成したプラズマ発生装置にお
いて、アノードの加熱手段を設け、アノードを加熱して
アノード表面に付着しようとする粒子を加熱して蒸発さ
せ、アノードへの汚染物質の付着を防止する。
ング装置は、放電室と、放電室内に配置されたカソード
と、放電室の端部に配置されたリング状のアノードと、
カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するための
放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための手段
とを備えており、放電室内で形成されたプラズマ中の電
子をリング状のアノードの内側の開口を通して放電室と
繋がった真空容器室内に照射させるように構成すると共
に、アノードの加熱手段を設けたプラズマ発生装置と、
真空容器内に設けられた蒸発材料と、蒸発材料を加熱し
て蒸発させるための手段と、蒸発された材料にプラズマ
発生装置からの電子を照射して発生したプラズマ中の材
料イオンが引き寄せられる基板とを備えたイオンプレー
ティング装置であって、アノードのアノード加熱手段に
よる加熱温度は、蒸発材料の蒸発開始温度以上とされ、
アノード表面に付着しようとする蒸発粒子を加熱して蒸
発させ、アノードへの粒子の付着を防止する。
は、放電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電
室の端部に配置されたリング状のアノードと、カソード
とアノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源
と、放電室内に放電ガスを供給するための手段と、放電
室内のプラズマ中の電子が直接アノードに流れ込まない
ようにアノードの内側に配置されたシールド電極とを備
えており、放電室内で形成されたプラズマ中の電子をリ
ング状のアノードの内側の開口を通して放電室外の真空
容器中に照射させるように構成したプラズマ発生装置に
おいて、シールド電極を筒状として筒状の内部を通って
放電室内のプラズマガスを放電室外に勢いよく流し、ア
ノードをシールド電極よりも外側に突出させると共に、
カソードから見てアノードがシールド電極によって隠さ
れるようにし、アノード表面への汚染物質の付着を防止
する。
に説明する。図3は、本発明に基づくプラズマ発生装置
を示しており、図1,図2の従来装置と同一ないしは類
似の構成要素には同一番号を付し、その詳細な説明は省
略する。
違する点は、アノード15の外側に、リング状のターゲ
ット電極20を設け、アノード15の真空容器1内部に
面する部分に絶縁物質で形成されたリング状のカバー2
1を設けた点である。
20には、ターゲット電極20が被蒸発材料の蒸気で覆
われない様に円環状の屏H1と円筒状の屏H2〜H3(屏
の材料は導電性材料でも絶縁性材料でもよい)が設けら
れている。ターゲット電極20は抵抗R4を介して放電
電源12に接続されている。更に、アノード15の近傍
には、放電電流を制御するための補助コイル22が設け
られている。
ノード15の電位V2、真空容器1の電位V3、ターゲ
ット電極20の電位V4は、抵抗R1〜R4の値を調整
することにより、カソードに対して次の関係とされてい
る。
されたプラズマ電流(電子)は、アノード電位より高い
ターゲット電極20に向かいターゲット電極20に照射
されることになる。また、アノード15の真空容器1内
に対向する面は、絶縁製物質で形成されたカバー21に
よって覆われているので、真空容器1内の蒸発物質がア
ノード15に付着することは防止される。
とにより磁場を発生させ、この磁場により、アノード1
5の開口を通過して真空容器1内に向かうプラズマ電流
の拡がりを所定の拡がりに調整することができる。
この実施例では、アノード15と碍子14との間にヒー
タ23が設けられている。このヒータ23はヒータ加熱
電源24に接続されているが、ヒータ加熱電源24はコ
ントローラ25によって制御されるように構成されてい
る。また、アノード15に流れる電流は、電流検出器2
6によって検出され、電流検出器26の出力信号はコン
トローラ25に供給される。
よりヒータ23を加熱し、ヒータ23と接しているアノ
ード15を間接的に加熱する。アノード15の温度は蒸
発材料2の蒸発開始温度より高くされ、その結果、アノ
ード15に付着する蒸発材料は加熱されて再蒸発し、ア
ノード15の表面に蒸発材料が付着することは防止され
る。
3による加熱と、アノード15に入り込むプラズマ電流
とによって決定される。このため、本実施例では、アノ
ード15に流れる電流を電流検出器26によって検出
し、この検出信号をコントローラ25に供給するように
している。コントローラ25は、プラズマ電流が多くア
ノード15に流れている場合には、ヒータ23による加
熱温度を低くし、逆にプラズマ電流が少ない場合には、
ヒータ23による加熱温度を高くするように制御する。
その結果、アノード15の温度はほぼ一定に保つことが
でき、安定なプラズマ電流を維持することを可能として
いる。
いる。この実施例では、アノード15とシールド電極1
6の形状に工夫が凝らされている。シールド電極16は
先端部がノズル状となっており、このノズル部分からケ
ース9内のアルゴンガスが勢いよく真空容器1内に向か
って吹き出すようにされる。アノード15は、シールド
電極16を囲む管状に構成されており、シールド電極先
端部より真空容器1の内部方向に突出するようにされて
いる。
えない位置に設置されている。図の点線はカソード10
が望む範囲を示している。このような構成とすることに
より、アルゴンガスの吹き出し口に面したアノード15
の表面は、アノード表面部と真空容器1内との圧力差
と、アルゴンガスプラズマの吹き付け効果とによって、
真空容器1内部のガス分子や成膜材料が入り込んで付着
することは防止される。したがって、シールド電極16
の上部を囲むアノード15の表面が常にクリーンな状態
に保たれるために、シールド電極16の上部の加速電界
が弱くなる問題は解消される。
図6と図7ではアノード15の先端部を絞り、汚染物質
がアノード15の内側表面に回り込むことを防いでい
る。また、図8の実施例では、アノード15の先端部に
間隔を置いて補助アノード27を設けている。このた
め、補助アノード27の影となるアノード15表面と補
助アノード27の裏面が、汚染物質の影響を受けにくく
なり、図5の実施例と同様な効果を得ることができる。
はこの実施例に限定されない。例えば、プラズマ発生装
置を真空容器1内に設けるようにしたが、プラズマ発生
装置を真空容器の壁部に設けるようにしても良い。ま
た、プラズマ発生装置からの電子の一部を真空容器に吸
収させるようにしたが、プラズマ発生装置からの電子が
進む方向の真空容器壁の前に、適宜な電位の電子反射板
を配置しても良い。
基くプラズマ発生装置は、放電室と、放電室内に配置さ
れたカソードと、放電室の端部に配置されたリング状の
アノードと、カソードとアノードとの間に放電電圧を印
加するための放電電源と、放電室内に放電ガスを供給す
るための手段とを備えており、放電室内で形成されたプ
ラズマ中の電子をリング状のアノードの内側の開口を通
して放電室外の真空容器中に照射させるように構成した
プラズマ発生装置において、アノードの外側にアノード
の電位より高い正の電位の補助電極を設け、真空容器内
からの電子を補助電極に導くようにした。
場合、蒸発した酸化物がアノードに付着し、アノードの
表面の導電性を劣化させることは防止される。この結
果、アノードの電位を任意な値に維持することができ、
プラズマ発生装置から真空容器内に引き出されるプラズ
マ電流(電子およびイオン化されたアルゴンガス)は安
定となり、結果として真空容器中に形成されるプラズマ
も安定となり、成膜の精度が良くなる。
シールド電極に衝突し、シールド電極の表面をスパッタ
することも生じなくなるため、シールド電極の材料が蒸
発材料と共にイオン化され、基板表面に付着することも
なく、純粋に蒸発粒子のみのイオンプレーティングを行
うことができる。
は、補助電極はアノードの径より大きくされ、アノード
の真空容器内に対向する表面を覆うように絶縁性のカバ
ーを設けることにより、真空容器中の蒸発粒子のアノー
ドへの付着を防止するように構成したので、請求項1の
発明と同等の効果が得られる。
は、放電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電
室の端部に配置されたリング状のアノードと、カソード
とアノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源
と、放電室内に放電ガスを供給するための手段とを備え
ており、放電室内で形成されたプラズマ中の電子をリン
グ状のアノードの内側の開口を通して放電室外の真空容
器中に照射させるように構成したプラズマ発生装置にお
いて、アノードの加熱手段を設け、アノードを加熱して
アノード表面に付着しようとする粒子を加熱して蒸発さ
せ、アノードへの汚染物質の付着を防止するように構成
したので、請求項1の発明と同等の効果が得られる。
ング装置は、放電室と、放電室内に配置されたカソード
と、放電室の端部に配置されたリング状のアノードと、
カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するための
放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための手段
とを備えており、放電室内で形成されたプラズマ中の電
子をリング状のアノードの内側の開口を通して放電室と
繋がった真空容器室内に照射させるように構成すると共
に、アノードの加熱手段を設けたプラズマ発生装置と、
真空容器内に設けられた蒸発材料と、蒸発材料を加熱し
て蒸発させるための手段と、蒸発された材料にプラズマ
発生装置からの電子を照射して発生したプラズマ中の材
料イオンが引き寄せられる基板とを備えたイオンプレー
ティング装置であって、アノードのアノード加熱手段に
よる加熱温度は、蒸発材料の蒸発開始温度以上とされ、
アノード表面に付着しようとする蒸発粒子を加熱して蒸
発させ、アノードへの粒子の付着を防止するように構成
した。
場合、蒸発した酸化物がアノードに付着し、アノードの
表面の導電性を劣化させることは防止される。この結
果、アノードの電位を任意な値に維持することができ、
プラズマ発生装置から真空容器内に引き出されるプラズ
マ電流(電子およびイオン化されたアルゴンガス)は安
定となり、結果として真空容器中に形成されるプラズマ
も安定となることから、成膜の精度が優れたイオンプレ
ーティング装置を提供することができる。
は、放電室と、放電室内に配置されたカソードと、放電
室の端部に配置されたリング状のアノードと、カソード
とアノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源
と、放電室内に放電ガスを供給するための手段と、放電
室内のプラズマ中の電子が直接アノードに流れ込まない
ようにアノードの内側に配置されたシールド電極とを備
えており、放電室内で形成されたプラズマ中の電子をリ
ング状のアノードの内側の開口を通して放電室外の真空
容器中に照射させるように構成したプラズマ発生装置に
おいて、シールド電極を筒状として筒状の内部を通って
放電室内のプラズマガスを放電室外に勢いよく流し、ア
ノードをシールド電極よりも外側に突出させると共に、
カソードから見てアノードがシールド電極によって隠さ
れるようにし、アノード表面への汚染物質の付着を防止
するように構成したので、請求項1の発明と同等の効果
が得られる。
グ装置の概念図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 放電室と、放電室内に配置されたカソー
ドと、放電室の端部に配置されたリング状のアノード
と、カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するた
めの放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための
手段と、該放電室からプラズマ中の電子が照射される真
空容器と、を備えており、放電室内で形成されたプラズ
マ中の電子をリング状のアノードの内側の開口を通して
放電室外の真空容器中に照射させるように構成したプラ
ズマ発生装置において、アノードの外側にアノードの電
位より高い正の電位の補助電極を設けたことを特徴とす
るプラズマ発生装置。 - 【請求項2】 補助電極はアノードの径より大きくさ
れ、アノードの真空容器内に対向する表面を覆うように
絶縁性のカバーが設けられている請求項1記載のプラズ
マ発生装置。 - 【請求項3】 放電室と、放電室内に配置されたカソー
ドと、放電室の端部に配置されたリング状のアノード
と、カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するた
めの放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための
手段と、該放電室からプラズマ中の電子が照射される真
空容器と、を備えており、放電室内で形成されたプラズ
マ中の電子をリング状のアノードの内側の開口を通して
放電室外の真空容器中に照射させるように構成したプラ
ズマ発生装置において、アノードの加熱手段を設けたこ
とを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項4】 放電室と、放電室内に配置されたカソー
ドと、放電室の端部に配置されたリング状のアノード
と、カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するた
めの放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための
手段と、該放電室からプラズマ中の電子が照射される真
空容器と、を備えており、放電室内で形成されたプラズ
マ中の電子をリング状のアノードの内側の開口を通して
放電室と繋がった真空容器内に照射させるように構成す
ると共に、アノードの加熱手段を設けたプラズマ発生装
置と、真空容器内に設けられた蒸発材料と、蒸発材料を
加熱して蒸発させるための手段と、蒸発された材料に真
空容器からの電子を照射して発生したプラズマ中の材料
イオンが引き寄せられる基板とを備えたイオンプレーテ
ィング装置であって、アノードのアノード加熱手段によ
る加熱温度は、蒸発材料の蒸発開始温度以上とされるイ
オンプレーティング装置。 - 【請求項5】 放電室と、放電室内に配置されたカソー
ドと、放電室の端部に配置されたリング状のアノード
と、カソードとアノードとの間に放電電圧を印加するた
めの放電電源と、放電室内に放電ガスを供給するための
手段と、該放電室からプラズマ中の電子が照射される真
空容器と、放電室内のプラズマ中の電子が直接アノード
に流れ込まないようにアノードの内側に配置されたシー
ルド電極とを備えており、放電室内で形成されたプラズ
マ中の電子をリング状のアノードの内側の開口を通して
放電室外の真空容器中に照射させるように構成したプラ
ズマ発生装置において、シールド電極を筒状として筒状
の内部を通って放電室内のプラズマガスが放電室外に流
され、アノードをシールド電極よりも外側に突出させる
と共に、カソードから見てアノードがシールド電極によ
って隠されていることを特徴とするプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12633895A JP3401365B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12633895A JP3401365B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08319562A JPH08319562A (ja) | 1996-12-03 |
JP3401365B2 true JP3401365B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=14932710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12633895A Expired - Lifetime JP3401365B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
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