JP3942343B2 - プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 - Google Patents
プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3942343B2 JP3942343B2 JP2000201683A JP2000201683A JP3942343B2 JP 3942343 B2 JP3942343 B2 JP 3942343B2 JP 2000201683 A JP2000201683 A JP 2000201683A JP 2000201683 A JP2000201683 A JP 2000201683A JP 3942343 B2 JP3942343 B2 JP 3942343B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- resistor
- anode
- discharge chamber
- power source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、内部で発生させたプラズマから電子を外部に導くように成したプラズマ発生装置及びこの様なプラズマ発生装置を用いた薄膜作成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオンプレーティング装置やプラズマＣＶＤ装置等の薄膜作成装置にプラズマ発生装置が利用されている。
【０００３】
図１は、プラズマ発生装置を備えたイオンプレーティング装置の概略を示し、図２はプラズマ発生装置の詳細を示している。図中１はイオンプレーテイング装置の真空容器で、この真空容器の底部には、被蒸発材料２を収容した坩堝３、該被蒸発材料に電子ビームを照射するための電子銃４が設けられている。一方、真空容器の上部には、基板電源５から負の電圧が印加されている基板６が取り付けられている。図中７は真空容器の底部に支持台８により支持されたプラズマ発生装置で、その詳細は後述するが、該プラズマ発生装置からの電子ビームが、前記基板６と坩堝３の間に照射されるように成している。図中９は真空ポンプ、１０はバルブ、１１は反応ガスボンベ、１２はバルブ、１３は放電ガスボンベ、１４はバルブである。
【０００４】
図２は前記プラズマ発生装置の概略を示しており、１５は放電室を形成するケースである。該ケース内にはカソード１６が配置されており、該カソードは加熱電源１７に接続されていると共に、放電電源１８にも接続されている。該ケースには放電ガス供給管１９が設けられており、前記放電ガスボンベ１３から該放電ガス供給管１９を介してＡｒガスの如き不活性ガスがケース内に導入される。該ケースの一方の端部には、ケース１５に碍子２０を介してリング状の第１アノード２１Ａが設けられている。この第１アノードは、例えばステンレスなどで形成され、且つ環状に形成されており、第１アノードを含め放電室の他の部品の熱に依る損傷を防止する為に、該第１アノード内には冷却水が流されている。又、この第１アノードの反カソード側には高融点材料（例えば、モリブデン）製でリング状の第２アノード２１Ｂが接続されている。この第１アノード２１Ａと第２アノード２１Ｂの接続は、互いの間の熱抵抗が大きくなるように、互いの一部分同士が繋がれることにより行われている。又、各アノードの内側には、前記カソード１６からの電子が該各アノードに直接照射されないようにシールド電極２２が配置されている。尚、このシールド電極は同時に電子ビームを通過させるオリフィスを成している。前記ケース１５は抵抗Ｒ１を介して前記放電電源１８に接続され、前記アノード２１Ａ，２１Ｂは抵抗Ｒ２を介して放電電源１８に接続されている。更に、アース電位にある前記真空容器１は抵抗Ｒ３を介して放電電源１８接続されている。尚、これらの抵抗の抵抗値は、通常、Ｒ１≫Ｒ３＞Ｒ２若しくはＲ１≫Ｒ２＞Ｒ３とされており、前記放電電源１８に流れる電流の殆どは、Ｒ２とＲ３に流れる電流となり、Ｒ１には殆ど流れない。従って、ケース１５には殆ど電流が流れず、効率良くビームを出力することが出来る。
【０００５】
図中２３はケース内の放電電流を整形するための電磁石を構成するコイルで、ケースの外側に設けられている。
【０００６】
この様な構成のイオンプレーティング装置において、先ず、バルブ１０を開き、真空容器１とケース１５内を真空ポンプ９により所定の圧力になるまで排気する。そして、バルブ１４を開き、ケース１５内に放電ガス供給管１９を介して放電ガスボンベ１３から放電ガス（例えば、Ａｒガス）を所定量導入し、ケース１５内の圧力を高め、カソード１６を加熱電源１７により熱電子放出可能な温度にまで加熱する。
【０００７】
次に、コイル２３に所定の電流を流し、プラズマの点火と安定なプラズマを維持するのに必要な磁場を電子ビームの軸方向に発生させる。この状態において、カソード１６と第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに放電電源１８から所定の電圧を印加すると、カソード１６とケース１５との間で初期放電が発生する。この初期放電がトリガとなってケース１５内にプラズマが発生する。この放電プラズマ中の電子は、前記コイル２３が形成する磁場の影響で、電子ビームの軸方向に集束を受け、シールド電極２２の第２アノード２１Ｂに近い側の先端近傍に発生する加速電界により真空容器１内へと引き出される。
【０００８】
一方、真空容器１の内部においては、被蒸発材料２に向けて電子銃４からの電子ビームが照射され、該被蒸発材料は加熱されて蒸発させられる。又、真空容器１内には、バルブ１２が開かれることにより、反応ガスボンベ１１から反応ガス（例えば、酸素ガス）が導入される。前記プラズマ発生装置７から引き出された電子ビームは、前記真空容器１内に導入された反応ガスや蒸発粒子と衝突し、それらを励起、イオン化させて真空容器１内にプラズマＰを形成する。該プラズマにより一部励起、イオン化された蒸発粒子は、基板６に引き寄せられて付着し、該基板上には蒸発粒子の成膜が成される。
【０００９】
尚、プラズマ発生装置７から真空容器１内に引き出された電子及びプラズマＰ中の電子は、真空容器１や第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに流れ込み、安定な放電が維持される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
さて、この様なイオンプレーティング装置において、基板に酸化物（例えば、ＳｉＯ2）等の絶縁物材料を成膜する場合、真空容器１内壁や真空容器内装品に、蒸発している絶縁物が付着し、真空容器１内壁等の導電性が低下する。その為に、時間の経過と共に真空容器１等に流れ込む電子が減少し（即ち、電子ビーム出力が減少し）、安定な放電が維持されなくなる恐れがある。尚、第２アノード２１Ｂは放電電流が流れ込むことにより高温（例えば、１０００°Ｃ程度）となるため、酸化物蒸発粒子が付着し難い。
【００１１】
そのため、真空容器内を上述の様に絶縁物雰囲気で使用する場合には、前記各抵抗の関係を、Ｒ１≫Ｒ２＞Ｒ３にはせず、Ｒ１≫Ｒ３＞Ｒ２にし、且つ、放電電流の大部分がＲ２に流れ、残りがＲ３に流れるようにしておく。この様にして、真空容器１等に流れ込む電子の量が時間の経過と共に減少しても、真空容器１内に引き出された電子及びプラズマＰ中の電子の大部分は第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに流れ込み、安定な放電が維持されている。
【００１２】
しかし、真空容器１等に流れ込む電子の時間的変化（減少）、即ち、Ｒ３に流れる放電電流の時間的変化は、薄膜作成における精密な膜厚制御に支障を来すことになる。
【００１３】
本発明は、この様な問題点を解決する為になされたもので、新規なプラズマ発生装置及び薄膜作成装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ発生装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置において、前記抵抗Ｒ３の抵抗値は、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大にほぼ等しいことを特徴とする
本発明のプラズマ発生装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置において、前記抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大にほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を該抵抗Ｒ３に接続したことを特徴とする。
又、本発明の薄膜作成装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で気化状態の蒸発材料を前記プラズマ発生装置により生成されたプラズマを介して基板に付着させるようにした薄膜作成装置において、前記抵抗Ｒ３の抵抗値は、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大にほぼ等しいことを特徴としている。
【００１５】
又、本発明の薄膜作成装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で気化状態の蒸発材料を前記プラズマ発生装置により生成されたプラズマを介して基板に付着させるようにした薄膜作成装置において、前記抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を該抵抗Ｒ３に接続したことを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１７】
図３は本発明のプラズマ発生装置の一例を示している。尚、図中、前記図２にて使用した番号と同一番号の付されたものは同一構成要素である。
【００１８】
図３に示された装置と、図２で示された装置の構成上の差異を、以下に説明する。
【００１９】
図２で示された装置においては、アース電位にある真空容器１は、単に、抵抗Ｒ３を介して放電電源１８接続されているが、図３で示された装置においては、該接続状態に加えて更に、抵抗Ｒ３に直列に抵抗Ｒ４が接続されており、この抵抗Ｒ４の抵抗値は次の様に設定される。
【００２０】
抵抗Ｒ３に流れる放電電流が真空容器１の内壁等の導電性が低下してもほぼ一定値に近い電流が流れるようにＲ４の抵抗値を設定する。
【００２１】
例えば、放電電源に流れる放電電流は各抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に流れる電流の和であるが、各抵抗値の関係をＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２にして放電電流の大部分がＲ２に流れ、残りがＲ３に流れるようにしておいたとする。その場合に、真空容器における導電性が低下していない初期において、Ｒ２に２７Ａ、Ｒ３に３Ａの放電電流が流れていたとする。やがて真空容器内壁等に絶縁物が徐々に付着しその絶縁物表面に電子が徐々にチャージし、その結果、Ｒ３に流れる放電電流が図４に示す様に、徐々に変化（減少）し、或一定値（最小値）０．３Ａに落ち着くとする。この状態は抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値が最大に達したものと見ることが出来る。この一定値０．３Ａにほぼ等しい電流が抵抗Ｒ３に常時流れるように抵抗Ｒ４の値を設定する。その為に、例えば、抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を抵抗Ｒ３に接続する。尚、薄膜作成装置の使用条件、例えば、真空容器内のガスの種類や蒸発材料の種類等、又、真空容器の形状や大きさ等によっても変わるので、予め、真空容器の種類及びその使用条件毎にＲ３から見た真空容器側の最大抵抗値を求めておき、使用する真空容器及び使用条件に応じて抵抗Ｒ４の抵抗値を設定する。この場合、抵抗Ｒ４として可変抵抗器を使用して、その都度、抵抗値を調整してもよいし、その場その場で適宜抵抗値を有する固定抵抗器を取り付けてもよい。
【００２２】
尚、抵抗Ｒ３に全く電流が流れないようにＲ４の値を設定すると、真空容器壁等に付着した絶縁物上に電子による電荷が貯まり、真空容器内で放電が発生してしまうので、抵抗Ｒ３には一定電流（最小電流）が流れるようにして真空容器内壁に貯まった電荷を少しずつ真空容器外へリークさせるようにしている。
【００２３】
この様な構成のプラズマ発生装置を、例えば、図１に示す如きイオンプレーティング装置に応用した場合、次のように動作する。
【００２４】
先ず、バルブ１０を開き、真空容器１とケース１５内を真空ポンプ９により所定の圧力になるまで排気する。そして、バルブ１４を開き、ケース１５内に放電ガス供給管１９を介して放電ガスボンベ１３から放電ガス（例えば、Ａｒガス）を所定量導入し、ケース１５内の圧力を高め、カソード１６を加熱電源１７により熱電子放出可能な温度にまで加熱する。
【００２５】
次に、コイル２３に所定の電流を流し、プラズマの点火と安定なプラズマを維持するのに必要な磁場を電子ビームの軸方向に発生させる。この状態において、カソード１６と第１，第２アノード２１Ａ，２１Ｂに放電電源１８から所定の電圧を印加すると、カソード１６とケース１５との間で初期放電が発生する。この初期放電がトリガとなってケース１５内にプラズマが発生する。この放電プラズマ中の電子は、前記コイル２３が形成する磁場の影響で、電子ビームの軸方向に集束を受け、シールド電極２２の第２アノード２１Ｂに近い側の先端近傍に発生する加速電界により真空容器１内へと引き出される。尚、カソード１６からの熱電子は、シールド電極２２により、直接第１アノード２１Ａに照射されることはない。
【００２６】
一方、真空容器１の内部においては、被蒸発材料２に向けて電子銃４からの電子ビームが照射され、該被蒸発材料は加熱されて蒸発させられる。又、真空容器１内には、バルブ１２が開かれることにより、反応ガスボンベ１１から反応ガス（例えば、酸素ガス）が導入される。前記プラズマ発生装置７から引き出された電子ビームは、前記真空容器１内に導入された反応ガスや蒸発粒子と衝突し、それらを励起、イオン化させて真空容器１内にプラズマＰを形成する。該プラズマにより一部励起、イオン化された蒸発粒子は、基板６に引き寄せられて付着し、該基板上には蒸発粒子の成膜が成される。
【００２７】
さて、この様な薄膜作成装置において、放電電源１８に流れる放電電流は前記プラズマ発生装置７における抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に流れ込む電流の和であるが、各抵抗値の関係は、Ｒ１≫Ｒ３＞Ｒ２に成されており、且つ、放電電流の大部分がＲ２に流れ、残りがＲ３に流れるように各抵抗値が設定されており、且つ、抵抗Ｒ３に最初からほぼ一定に近い最小電流が流れるように抵抗Ｒ４の値が設定されている。例えば、放電電源１８に流れる放電電流を３０Ａとすると、Ｒ２に流れる電流は２９．７Ａ、抵抗Ｒ３に流れる電流は最初０．３Ａ程度である。そして、真空容器内壁等に絶縁物が徐々に付着することにより真空容器側の抵抗値が徐々に大きくなって最大に達しても、この間、抵抗Ｒ３に流れる電流は、図５に示す様にほぼ０．３Ａを維持することで出来、図４に示す従来の変化（３Ａから０．３Ａへの変化）に比べ、極めてその変化が少ない。
【００２８】
即ち、抵抗Ｒ３に流れる電流は薄膜形成の初めから終わりまで、ほぼ一定に近いものと見なせる。従って、プラズマ発生装置７から真空容器１内に引き出された電子及びプラズマＰ中の電子は、殆ど大部分第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに流れ込み、安定な放電が維持される。
【００２９】
この様に、真空容器１内で薄膜形成が始まり、たとえ、真空容器内壁等に絶縁物が付着しても、真空容器１と放電電源１８の間に繋がる抵抗Ｒ３に流れる電流値はごく僅かしか変化しないので、薄膜作成における精密な膜厚制御に支障を来すことはない。しかも、該抵抗Ｒ３には全く電流が流れないのではなく、少し流れるように抵抗Ｒ４の抵抗値が設定されているので、真空容器壁等に付着した絶縁物上に電子による電荷が貯まっても、少しずつその電荷を真空容器外へリークする様にしているので、真空容器内での放電発生を避けることが出来る。
【００３０】
尚、前記例では、真空容器１と放電電源１８の間に繋がる抵抗Ｒ３に直列に抵抗Ｒ４を接続するようにしたが、抵抗Ｒ４を使用せずに、抵抗Ｒ３だけにし、Ｒ３自信の抵抗値を、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大に近いものに設定するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 プラズマ発生装置を備えたイオンプレーティング装置の概略を示している。
【図２】 従来のプラズマ発生装置の概略を示している。
【図３】 本発明のプラズマ発生装置の一例を示している。
【図４】 従来の真空容器内壁等の導電性低下に基づく真空容器に繋がった抵抗に流れる放電電流の時間的特性の一例を示している。
【図５】 本発明における真空容器内壁等の導電性低下に基づく真空容器に繋がった抵抗に流れる放電電流の時間的特性の一例を示している
【符号の説明】
１…真空容器
２…被蒸発材料
３…坩堝
４…電子銃
５…基板電源
６…基板
７…プラズマ発生装置
８…支持台
９…真空ポンプ
１０…バルブ
１１…反応ガスボンベ
１２…バルブ
１３…放電ガスボンベ
１４…バルブ
１５…ケース
１６…カソード
１７…加熱電源
１８…放電電源
１９…放電ガス供給管
２０…碍子
２２…シールド電極
２１Ａ…第１アノード
２１Ｂ…第２アノード
Ｒ１…放電電源とケースの間に接続された抵抗
Ｒ２…放電電源とアノードの間に接続された抵抗
Ｒ３…放電電源と真空容器の間に接続された抵抗
Ｒ４…Ｒ３に直列に接続された抵抗
【発明の属する分野】
本発明は、内部で発生させたプラズマから電子を外部に導くように成したプラズマ発生装置及びこの様なプラズマ発生装置を用いた薄膜作成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオンプレーティング装置やプラズマＣＶＤ装置等の薄膜作成装置にプラズマ発生装置が利用されている。
【０００３】
図１は、プラズマ発生装置を備えたイオンプレーティング装置の概略を示し、図２はプラズマ発生装置の詳細を示している。図中１はイオンプレーテイング装置の真空容器で、この真空容器の底部には、被蒸発材料２を収容した坩堝３、該被蒸発材料に電子ビームを照射するための電子銃４が設けられている。一方、真空容器の上部には、基板電源５から負の電圧が印加されている基板６が取り付けられている。図中７は真空容器の底部に支持台８により支持されたプラズマ発生装置で、その詳細は後述するが、該プラズマ発生装置からの電子ビームが、前記基板６と坩堝３の間に照射されるように成している。図中９は真空ポンプ、１０はバルブ、１１は反応ガスボンベ、１２はバルブ、１３は放電ガスボンベ、１４はバルブである。
【０００４】
図２は前記プラズマ発生装置の概略を示しており、１５は放電室を形成するケースである。該ケース内にはカソード１６が配置されており、該カソードは加熱電源１７に接続されていると共に、放電電源１８にも接続されている。該ケースには放電ガス供給管１９が設けられており、前記放電ガスボンベ１３から該放電ガス供給管１９を介してＡｒガスの如き不活性ガスがケース内に導入される。該ケースの一方の端部には、ケース１５に碍子２０を介してリング状の第１アノード２１Ａが設けられている。この第１アノードは、例えばステンレスなどで形成され、且つ環状に形成されており、第１アノードを含め放電室の他の部品の熱に依る損傷を防止する為に、該第１アノード内には冷却水が流されている。又、この第１アノードの反カソード側には高融点材料（例えば、モリブデン）製でリング状の第２アノード２１Ｂが接続されている。この第１アノード２１Ａと第２アノード２１Ｂの接続は、互いの間の熱抵抗が大きくなるように、互いの一部分同士が繋がれることにより行われている。又、各アノードの内側には、前記カソード１６からの電子が該各アノードに直接照射されないようにシールド電極２２が配置されている。尚、このシールド電極は同時に電子ビームを通過させるオリフィスを成している。前記ケース１５は抵抗Ｒ１を介して前記放電電源１８に接続され、前記アノード２１Ａ，２１Ｂは抵抗Ｒ２を介して放電電源１８に接続されている。更に、アース電位にある前記真空容器１は抵抗Ｒ３を介して放電電源１８接続されている。尚、これらの抵抗の抵抗値は、通常、Ｒ１≫Ｒ３＞Ｒ２若しくはＲ１≫Ｒ２＞Ｒ３とされており、前記放電電源１８に流れる電流の殆どは、Ｒ２とＲ３に流れる電流となり、Ｒ１には殆ど流れない。従って、ケース１５には殆ど電流が流れず、効率良くビームを出力することが出来る。
【０００５】
図中２３はケース内の放電電流を整形するための電磁石を構成するコイルで、ケースの外側に設けられている。
【０００６】
この様な構成のイオンプレーティング装置において、先ず、バルブ１０を開き、真空容器１とケース１５内を真空ポンプ９により所定の圧力になるまで排気する。そして、バルブ１４を開き、ケース１５内に放電ガス供給管１９を介して放電ガスボンベ１３から放電ガス（例えば、Ａｒガス）を所定量導入し、ケース１５内の圧力を高め、カソード１６を加熱電源１７により熱電子放出可能な温度にまで加熱する。
【０００７】
次に、コイル２３に所定の電流を流し、プラズマの点火と安定なプラズマを維持するのに必要な磁場を電子ビームの軸方向に発生させる。この状態において、カソード１６と第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに放電電源１８から所定の電圧を印加すると、カソード１６とケース１５との間で初期放電が発生する。この初期放電がトリガとなってケース１５内にプラズマが発生する。この放電プラズマ中の電子は、前記コイル２３が形成する磁場の影響で、電子ビームの軸方向に集束を受け、シールド電極２２の第２アノード２１Ｂに近い側の先端近傍に発生する加速電界により真空容器１内へと引き出される。
【０００８】
一方、真空容器１の内部においては、被蒸発材料２に向けて電子銃４からの電子ビームが照射され、該被蒸発材料は加熱されて蒸発させられる。又、真空容器１内には、バルブ１２が開かれることにより、反応ガスボンベ１１から反応ガス（例えば、酸素ガス）が導入される。前記プラズマ発生装置７から引き出された電子ビームは、前記真空容器１内に導入された反応ガスや蒸発粒子と衝突し、それらを励起、イオン化させて真空容器１内にプラズマＰを形成する。該プラズマにより一部励起、イオン化された蒸発粒子は、基板６に引き寄せられて付着し、該基板上には蒸発粒子の成膜が成される。
【０００９】
尚、プラズマ発生装置７から真空容器１内に引き出された電子及びプラズマＰ中の電子は、真空容器１や第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに流れ込み、安定な放電が維持される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
さて、この様なイオンプレーティング装置において、基板に酸化物（例えば、ＳｉＯ2）等の絶縁物材料を成膜する場合、真空容器１内壁や真空容器内装品に、蒸発している絶縁物が付着し、真空容器１内壁等の導電性が低下する。その為に、時間の経過と共に真空容器１等に流れ込む電子が減少し（即ち、電子ビーム出力が減少し）、安定な放電が維持されなくなる恐れがある。尚、第２アノード２１Ｂは放電電流が流れ込むことにより高温（例えば、１０００°Ｃ程度）となるため、酸化物蒸発粒子が付着し難い。
【００１１】
そのため、真空容器内を上述の様に絶縁物雰囲気で使用する場合には、前記各抵抗の関係を、Ｒ１≫Ｒ２＞Ｒ３にはせず、Ｒ１≫Ｒ３＞Ｒ２にし、且つ、放電電流の大部分がＲ２に流れ、残りがＲ３に流れるようにしておく。この様にして、真空容器１等に流れ込む電子の量が時間の経過と共に減少しても、真空容器１内に引き出された電子及びプラズマＰ中の電子の大部分は第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに流れ込み、安定な放電が維持されている。
【００１２】
しかし、真空容器１等に流れ込む電子の時間的変化（減少）、即ち、Ｒ３に流れる放電電流の時間的変化は、薄膜作成における精密な膜厚制御に支障を来すことになる。
【００１３】
本発明は、この様な問題点を解決する為になされたもので、新規なプラズマ発生装置及び薄膜作成装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ発生装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置において、前記抵抗Ｒ３の抵抗値は、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大にほぼ等しいことを特徴とする
本発明のプラズマ発生装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置において、前記抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大にほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を該抵抗Ｒ３に接続したことを特徴とする。
又、本発明の薄膜作成装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で気化状態の蒸発材料を前記プラズマ発生装置により生成されたプラズマを介して基板に付着させるようにした薄膜作成装置において、前記抵抗Ｒ３の抵抗値は、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大にほぼ等しいことを特徴としている。
【００１５】
又、本発明の薄膜作成装置は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で気化状態の蒸発材料を前記プラズマ発生装置により生成されたプラズマを介して基板に付着させるようにした薄膜作成装置において、前記抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を該抵抗Ｒ３に接続したことを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１７】
図３は本発明のプラズマ発生装置の一例を示している。尚、図中、前記図２にて使用した番号と同一番号の付されたものは同一構成要素である。
【００１８】
図３に示された装置と、図２で示された装置の構成上の差異を、以下に説明する。
【００１９】
図２で示された装置においては、アース電位にある真空容器１は、単に、抵抗Ｒ３を介して放電電源１８接続されているが、図３で示された装置においては、該接続状態に加えて更に、抵抗Ｒ３に直列に抵抗Ｒ４が接続されており、この抵抗Ｒ４の抵抗値は次の様に設定される。
【００２０】
抵抗Ｒ３に流れる放電電流が真空容器１の内壁等の導電性が低下してもほぼ一定値に近い電流が流れるようにＲ４の抵抗値を設定する。
【００２１】
例えば、放電電源に流れる放電電流は各抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に流れる電流の和であるが、各抵抗値の関係をＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２にして放電電流の大部分がＲ２に流れ、残りがＲ３に流れるようにしておいたとする。その場合に、真空容器における導電性が低下していない初期において、Ｒ２に２７Ａ、Ｒ３に３Ａの放電電流が流れていたとする。やがて真空容器内壁等に絶縁物が徐々に付着しその絶縁物表面に電子が徐々にチャージし、その結果、Ｒ３に流れる放電電流が図４に示す様に、徐々に変化（減少）し、或一定値（最小値）０．３Ａに落ち着くとする。この状態は抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値が最大に達したものと見ることが出来る。この一定値０．３Ａにほぼ等しい電流が抵抗Ｒ３に常時流れるように抵抗Ｒ４の値を設定する。その為に、例えば、抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を抵抗Ｒ３に接続する。尚、薄膜作成装置の使用条件、例えば、真空容器内のガスの種類や蒸発材料の種類等、又、真空容器の形状や大きさ等によっても変わるので、予め、真空容器の種類及びその使用条件毎にＲ３から見た真空容器側の最大抵抗値を求めておき、使用する真空容器及び使用条件に応じて抵抗Ｒ４の抵抗値を設定する。この場合、抵抗Ｒ４として可変抵抗器を使用して、その都度、抵抗値を調整してもよいし、その場その場で適宜抵抗値を有する固定抵抗器を取り付けてもよい。
【００２２】
尚、抵抗Ｒ３に全く電流が流れないようにＲ４の値を設定すると、真空容器壁等に付着した絶縁物上に電子による電荷が貯まり、真空容器内で放電が発生してしまうので、抵抗Ｒ３には一定電流（最小電流）が流れるようにして真空容器内壁に貯まった電荷を少しずつ真空容器外へリークさせるようにしている。
【００２３】
この様な構成のプラズマ発生装置を、例えば、図１に示す如きイオンプレーティング装置に応用した場合、次のように動作する。
【００２４】
先ず、バルブ１０を開き、真空容器１とケース１５内を真空ポンプ９により所定の圧力になるまで排気する。そして、バルブ１４を開き、ケース１５内に放電ガス供給管１９を介して放電ガスボンベ１３から放電ガス（例えば、Ａｒガス）を所定量導入し、ケース１５内の圧力を高め、カソード１６を加熱電源１７により熱電子放出可能な温度にまで加熱する。
【００２５】
次に、コイル２３に所定の電流を流し、プラズマの点火と安定なプラズマを維持するのに必要な磁場を電子ビームの軸方向に発生させる。この状態において、カソード１６と第１，第２アノード２１Ａ，２１Ｂに放電電源１８から所定の電圧を印加すると、カソード１６とケース１５との間で初期放電が発生する。この初期放電がトリガとなってケース１５内にプラズマが発生する。この放電プラズマ中の電子は、前記コイル２３が形成する磁場の影響で、電子ビームの軸方向に集束を受け、シールド電極２２の第２アノード２１Ｂに近い側の先端近傍に発生する加速電界により真空容器１内へと引き出される。尚、カソード１６からの熱電子は、シールド電極２２により、直接第１アノード２１Ａに照射されることはない。
【００２６】
一方、真空容器１の内部においては、被蒸発材料２に向けて電子銃４からの電子ビームが照射され、該被蒸発材料は加熱されて蒸発させられる。又、真空容器１内には、バルブ１２が開かれることにより、反応ガスボンベ１１から反応ガス（例えば、酸素ガス）が導入される。前記プラズマ発生装置７から引き出された電子ビームは、前記真空容器１内に導入された反応ガスや蒸発粒子と衝突し、それらを励起、イオン化させて真空容器１内にプラズマＰを形成する。該プラズマにより一部励起、イオン化された蒸発粒子は、基板６に引き寄せられて付着し、該基板上には蒸発粒子の成膜が成される。
【００２７】
さて、この様な薄膜作成装置において、放電電源１８に流れる放電電流は前記プラズマ発生装置７における抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に流れ込む電流の和であるが、各抵抗値の関係は、Ｒ１≫Ｒ３＞Ｒ２に成されており、且つ、放電電流の大部分がＲ２に流れ、残りがＲ３に流れるように各抵抗値が設定されており、且つ、抵抗Ｒ３に最初からほぼ一定に近い最小電流が流れるように抵抗Ｒ４の値が設定されている。例えば、放電電源１８に流れる放電電流を３０Ａとすると、Ｒ２に流れる電流は２９．７Ａ、抵抗Ｒ３に流れる電流は最初０．３Ａ程度である。そして、真空容器内壁等に絶縁物が徐々に付着することにより真空容器側の抵抗値が徐々に大きくなって最大に達しても、この間、抵抗Ｒ３に流れる電流は、図５に示す様にほぼ０．３Ａを維持することで出来、図４に示す従来の変化（３Ａから０．３Ａへの変化）に比べ、極めてその変化が少ない。
【００２８】
即ち、抵抗Ｒ３に流れる電流は薄膜形成の初めから終わりまで、ほぼ一定に近いものと見なせる。従って、プラズマ発生装置７から真空容器１内に引き出された電子及びプラズマＰ中の電子は、殆ど大部分第１及び第２アノード２１Ａ，２１Ｂに流れ込み、安定な放電が維持される。
【００２９】
この様に、真空容器１内で薄膜形成が始まり、たとえ、真空容器内壁等に絶縁物が付着しても、真空容器１と放電電源１８の間に繋がる抵抗Ｒ３に流れる電流値はごく僅かしか変化しないので、薄膜作成における精密な膜厚制御に支障を来すことはない。しかも、該抵抗Ｒ３には全く電流が流れないのではなく、少し流れるように抵抗Ｒ４の抵抗値が設定されているので、真空容器壁等に付着した絶縁物上に電子による電荷が貯まっても、少しずつその電荷を真空容器外へリークする様にしているので、真空容器内での放電発生を避けることが出来る。
【００３０】
尚、前記例では、真空容器１と放電電源１８の間に繋がる抵抗Ｒ３に直列に抵抗Ｒ４を接続するようにしたが、抵抗Ｒ４を使用せずに、抵抗Ｒ３だけにし、Ｒ３自信の抵抗値を、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大に近いものに設定するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】 プラズマ発生装置を備えたイオンプレーティング装置の概略を示している。
【図２】 従来のプラズマ発生装置の概略を示している。
【図３】 本発明のプラズマ発生装置の一例を示している。
【図４】 従来の真空容器内壁等の導電性低下に基づく真空容器に繋がった抵抗に流れる放電電流の時間的特性の一例を示している。
【図５】 本発明における真空容器内壁等の導電性低下に基づく真空容器に繋がった抵抗に流れる放電電流の時間的特性の一例を示している
【符号の説明】
１…真空容器
２…被蒸発材料
３…坩堝
４…電子銃
５…基板電源
６…基板
７…プラズマ発生装置
８…支持台
９…真空ポンプ
１０…バルブ
１１…反応ガスボンベ
１２…バルブ
１３…放電ガスボンベ
１４…バルブ
１５…ケース
１６…カソード
１７…加熱電源
１８…放電電源
１９…放電ガス供給管
２０…碍子
２２…シールド電極
２１Ａ…第１アノード
２１Ｂ…第２アノード
Ｒ１…放電電源とケースの間に接続された抵抗
Ｒ２…放電電源とアノードの間に接続された抵抗
Ｒ３…放電電源と真空容器の間に接続された抵抗
Ｒ４…Ｒ３に直列に接続された抵抗
Claims (8)
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置において、前記抵抗Ｒ３の抵抗値は、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しいことを特徴とするプラズマ発生装置。
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置において、前記抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を該抵抗Ｒ３に接続したことを特徴とするプラズマ発生装置。
- 前記抵抗Ｒ４は可変抵抗器であることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ発生装置。
- 前記アノードは、放電室の中心軸方向に互いに接続されて配置された少なくとも２枚から構成され、その内、反カソード側のアノードを高融点材料で成したことを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプラズマ発生装置。
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で気化状態の蒸発材料を前記プラズマ発生装置により生成したプラズマを介して基板に付着させるようにした薄膜作成装置において、前記抵抗Ｒ３の抵抗値は、該抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しいことを特徴とする薄膜作成装置。
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードに対して少なくとも前記アノードを囲うように前記放電室内に取り付けられた筒状のシールド体と、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段とを備えており、前記放電室内で形成されたプラズマ中の電子を前記アノードの開口部内側にある前記シールド体の一部を通して前記放電室外の真空容器中に照射させるように構成されており、前記放電電源と前記放電室の間に抵抗Ｒ１が、前記放電電源と前記アノードの間に抵抗Ｒ２が、前記放電電源と真空容器の間に抵抗Ｒ３がそれぞれ接続されており、各々の抵抗値がＲ１≫Ｒ３＞Ｒ２の関係にあるプラズマ発生装置を備え、前記真空室内で気化状態の蒸発材料を前記プラズマ発生装置により生成したプラズマを介して基板に付着させるようにした薄膜作成装置において、前記抵抗Ｒ３から見た真空容器側の抵抗値の最大とほぼ等しい抵抗値の抵抗Ｒ４を該抵抗Ｒ３に接続したことを特徴とする薄膜作成装置。
- 前記抵抗Ｒ４は可変抵抗器であることを特徴とする請求項６に記載の薄膜作成装置。
- 前記アノードは、放電室の中心軸方向に互いに接続されて配置された少なくとも２枚から構成され、その内、反カソード側のアノードを高融点材料で成したことを特徴とする請求項５若しくは６記載の薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201683A JP3942343B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000201683A JP3942343B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025793A JP2002025793A (ja) | 2002-01-25 |
| JP3942343B2 true JP3942343B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=18699333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000201683A Expired - Lifetime JP3942343B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3942343B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4571425B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-10-27 | 日本電子株式会社 | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
| JP5105325B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-12-26 | スタンレー電気株式会社 | 直流プラズマを用いた成膜装置 |
| JP5436143B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2014-03-05 | 日本電子株式会社 | 膜形成装置 |
-
2000
- 2000-07-04 JP JP2000201683A patent/JP3942343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002025793A (ja) | 2002-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8878422B2 (en) | Device for producing an electron beam | |
| US5656141A (en) | Apparatus for coating substrates | |
| JPH08227688A (ja) | イオン注入機に使用するイオン発生装置とその方法 | |
| JP3481953B2 (ja) | 基板をコーティングするための装置 | |
| JP3942343B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| KR100356565B1 (ko) | 증가된 박막 성장 속도로 산화 마그네슘 박막을 형성할 수 있는박막 성장 방법 및 장치 | |
| JP3717655B2 (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JP2019121422A (ja) | 表面処理装置 | |
| JP4980866B2 (ja) | 膜形成装置 | |
| JP2001143894A (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JP3406769B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP6788081B1 (ja) | 反応性イオンプレーティング装置および方法 | |
| JPH11273894A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3401365B2 (ja) | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 | |
| JP7084201B2 (ja) | 反応性イオンプレーティング装置および方法 | |
| JP2862478B2 (ja) | 表面生成形負イオン源 | |
| JP2003007240A (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JP2977862B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH0837099A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP2005005236A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP2004139913A (ja) | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法、イオン処理装置およびイオン処理方法 | |
| JP2620474B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP4114770B2 (ja) | 酸素イオン発生用真空処理装置 | |
| JP2848590B1 (ja) | 電子ビーム励起プラズマ発生装置 | |
| JP2002075691A (ja) | プラズマ発生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050411 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060626 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060922 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070313 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070403 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3942343 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140413 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |