JP5436143B2 - 膜形成装置 - Google Patents
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Description
(1)請求項1記載の発明は、放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段を備えており、前記放電室内で形成された第1プラズマ中の電子を前記アノードの開口部を通して前記放電室外の真空室内に引き出す様に構成されたプラズマ発生装置を備え、前記真空室内に設けられた成膜用粒子源から発生された粒子に前記プラズマ発生装置からの電子を照射して成膜対象の基板と前記粒子源との間の空間に第2プラズマを発生させて前記基板の成膜を行う様に成した膜形成装置において、前記粒子源に隣接させて電極を配置し、該電極に正の電圧を印加して、前記第1プラズマ中の電子を該電極に引きつけることにより、前記第2プラズマと前記粒子源の間に第3プラズマを形成する様に成したことを特徴とする。
(3)請求項3記載の発明は、前記電極は、前記第2プラズマ側から見て該電極の一部以外は見えない様に遮蔽体で覆われており、前記粒子源の中心軸に平行な軸を中心軸として間欠的に又は連続的に回転する円板状に形成されていることを特徴とする。
(6)請求項6記載の発明は、前記成膜用粒子源は、プロセスガス源であることを特徴とする。
(8)請求項8記載の発明は、前記電極と前記放電電源の間に電流量調整機を設けたことを特徴とする。
(1)請求項1記載の発明によれば、第1プラズマ中の電子を電極に引きつけることにより、第2プラズマと粒子源の間に第3プラズマを形成するように構成したので、該第1プラズマを形成するプラズマ発生装置のアノード部を汚染(蒸気の付着)させることなく、粒子源上の粒子のイオン化率を高めて成膜用途における膜質の向上を図ることができる。
図1は本発明の膜形成装置の一構成例を示す図である。図3と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において、カソード1はタングステンの熱電子放出材料からなり、カソード加熱電源10に接続されている。放電室3は、ガス導入口8から導入されたアルゴンガスで真空室圧力より圧力を高めた空間となっている。
本発明では、抵抗R1,R2をR1>R2として、真空室9に引き出された電子及び第2プラズマ15中の電子をアノード電極2に流す方式、つまり第2プラズマ15中に引き出された電子をアノード2で再度取り込む方式を採用している。放電電源11のプラス極に電流量調整機6を介して前記電極19を接続し、前記プラズマ発生装置の出力の一部を前記電極19側に流すようにしている。電流量調整機6は、該電極に流れるプラズマビームの電流量を調整する役割を持たせたものであり、るつぼ12上で発生させる第3プラズマ34の密度を間接的に制御することを目的としている。放電ガス33は、るつぼ12上の圧力を高める目的と、蒸気が積極的に前記電極19に飛来しないようにする目的のために用いられ、例えばアルゴンガス等が使用される。
2 アノード
3 ケース(放電室)
4 シールド
5 コイル
6 電流量調整機
7 電子銃
8 ガス導入口
9 真空室
10 カソード加熱電源
11 放電電源
12 るつぼ
13 第1プラズマ
14 電界
15 第2プラズマ
16 蒸着材料
17 電子ビーム
18 プロセスガス導入口
19,44 電極
32,42 オリフィス
20 基板ドーム
21 回転軸
23 基板
31,43 ボックス
40 放電ガス
41 孔
45 回転軸
Claims (8)
- 放電室と、該放電室内に配置されたカソードと、該放電室の端部に配置されたアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に放電電圧を印加するための放電電源と、前記放電室内に放電用ガスを供給するための手段を備えており、前記放電室内で形成された第1プラズマ中の電子を前記アノードの開口部を通して前記放電室外の真空室内に引き出す様に構成されたプラズマ発生装置を備え、前記真空室内に設けられた成膜用粒子源から発生された粒子に前記プラズマ発生装置からの電子を照射して成膜対象の基板と前記粒子源との間の空間に第2プラズマを発生させて前記基板の成膜を行う様に成した膜形成装置において、前記粒子源に隣接させて電極を配置し、該電極に正の電圧を印加して、前記第1プラズマ中の電子を該電極に引きつけることにより、前記第2プラズマと前記粒子源の間に第3プラズマを形成する様に成したことを特徴とする膜形成装置。
- 前記粒子源の真横であって、前記第1プラズマからの電子が該粒子源からの粒子を横切る位置に前記電極を配置することを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記電極は、前記第2プラズマ側から見て該電極の一部以外は見えない様に遮蔽体で覆われており、前記粒子源の中心軸に平行な軸を中心軸として間欠的に又は連続的に回転する円板状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記電極は、前記第2プラズマ側から見て該電極の一部以外は見えない様に遮蔽体で覆われており、長手方向に沿って間欠的に又は連続的に移動する帯状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の膜形成装置。
- 前記成膜用粒子源は、固体物質を溶融して蒸発させる蒸発源である請求項1記載の膜形成装置。
- 前記成膜用粒子源は、プロセスガス源である請求項1記載の膜形成装置。
- 前記電極は、前記プラズマ発生装置の放電電源から電圧が印加されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の膜形成装置。
- 前記電極と前記放電電源の間に電流量調整機を設けたことを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の膜形成装置。
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JP2011089158A JP2011089158A (ja) | 2011-05-06 |
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