JP4859720B2 - プラズマ成膜装置 - Google Patents
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Description
まず、第1の実施の形態の直流放電型プラズマ成膜装置の構成について、図1、図2を用いて説明する。この成膜装置は、プラズマCVD法による成膜と、イオンプレーティング法による成膜とを連続して行うことができる。
蒸発坩堝8bは、陽極を兼用する遮蔽部材8cによって遮蔽されているため、プラズマCVD工程で坩堝8b内の蒸発材料8aに堆積物が付着することはない。また、プラズマCVD工程とイオンプレーティング工程との切り替え時に、成膜室3を開放せず、プラズマも停止させないため、真空排気時間および放電の安定化のための時間が不要であり、成膜効率を向上させることができ、量産性を高めることができる。
つぎに、第2の実施の形態の直流放電型プラズマ成膜装置の構成について図3を用いて説明する。図3の成膜装置は、プラズマCVD法による成膜と、抵抗加熱による蒸着法による成膜とを連続して行うことができる。
(実施例)
第1の実施の形態の成膜装置を用いて、ポリカーボネート基板12上に、厚さ1μmの有機シリコン膜(SiOx膜)、厚さ0.1μmの酸化亜鉛膜(ZnO膜)、厚さ1μmの有機シリコン膜(SiOx膜)を順に成膜した。
比較例として、図4に示した従来の直流放電型プラズマ成膜装置を用いて、実施例と同様の構成の積層膜を成膜した。成膜手順は実施例と同じであるが、プラズマCVD工程時には、図4のように陽極10をイオンガン2と対向する位置に配置して行った。プラズマCVD工程時に、イオンプレーティング工程で用いる蒸発源8の表面に有機シリコンが付着するのを防止するため、プラズマCVD工程は、蒸発源8を配置せずに行った。プラズマCVD工程終了後に、成膜室3を大気に開放し、蒸発源8を配置し、イオンプレーティング工程を行った。他の成膜条件は、実施例の表1および表2の成膜条件と同じにした。
実施例で得られた試料と、比較例で得られた試料とについて、積層膜の耐衝撃性と耐薬品性とを調べた。
Claims (3)
- 成膜室と、直流プラズマを発生するプラズマ源と、前記成膜室に配置され、蒸発材料が充填される坩堝と、前記成膜室に原料ガスを導入するためのガス導入管と、前記坩堝の開口に配置され、前記プラズマ源の陽極を兼用する開閉可能な遮蔽部材と、前記遮蔽部材および前記坩堝の一方に選択的に前記プラズマ源の陽極電位を印加するための切り替え手段と、前記遮蔽部材を開閉するための駆動機構と、該駆動機構および前記切り替え手段の動作を制御するための制御部とを有し、
該制御部は、前記駆動機構により前記遮蔽部材を閉状態とし、前記切り替え手段により前記遮蔽部材に前記陽極電位を印加して、前記プラズマ源の直流プラズマを前記遮蔽部材に導くことにより、前記原料ガスを前記直流プラズマに曝してプラズマ化学気相成長法により成膜を行った後、連続して、前記駆動機構により前記遮蔽部材を開状態とし、前記切り替え手段により前記坩堝に前記陽極電位を印加して、前記直流プラズマを前記蒸発材料に導くことにより、前記蒸発材料を蒸発させて成膜を行うことを特徴とするプラズマ成膜装置。 - 成膜室と、直流プラズマを発生するプラズマ源と、前記成膜室に配置され、蒸発材料が充填される坩堝と、前記成膜室に原料ガスを導入するためのガス導入管と、前記坩堝の開口に配置され、前記プラズマ源の陽極を兼用する開閉可能な遮蔽部材と、前記遮蔽部材に前記プラズマ源の陽極電位を印加するための電位印加手段と、前記坩堝に備えられた、前記蒸発材料を加熱するための加熱手段と、前記遮蔽部材を開閉するための駆動機構と、該駆動機構、前記電位印加手段および前記加熱手段の動作を制御するための制御部とを有し、
該制御部は、前記駆動機構により前記遮蔽部材を閉状態とし、前記電位印加手段により前記遮蔽部材に前記陽極電位を印加して、前記プラズマ源の直流プラズマを前記遮蔽部材に導くことにより、前記原料ガスを前記直流プラズマに曝してプラズマ化学気相成長法により成膜を行った後、連続して、前記加熱手段により前記坩堝を加熱して前記蒸発材料を蒸発させ、前記駆動機構により前記遮蔽部材を開状態とし、蒸着法による成膜を行うことを特徴とするプラズマ成膜装置。 - 請求項2に記載のプラズマ成膜装置において、前記制御部は、前記プラズマ化学気相成長法により成膜した後も、前記遮蔽部材への前記陽極電位の印加を継続することにより前記遮蔽部材へ前記直流プラズマを導いて前記遮蔽部材を加熱し、前記遮蔽部材に付着する前記蒸発材料の蒸気による付着物を除去することを特徴とするプラズマ成膜装置。
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