JP2022156767A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】膜質を向上できる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置1において、ガス供給部40は、膜を構成する元素を含むガスを、主ハース17側から、当該主ハース17へ導かれるプラズマPへ向かって供給する。この場合、ガス供給部40は、プラズマ密度が高い領域に対して、ガスを供給することができる。当該領域に供給されたガスは、活性度が向上するため、基板11における膜の元素の欠陥を抑制することができる。以上より、膜質を向上することができる。【選択図】図1
Description
本発明は、成膜装置に関する。
対象物に成膜材料の粒子を付着させて膜を形成する成膜装置として、特許文献1に記載されたものが知られている。この成膜装置は、プラズマガンを用いてチャンバー内でプラズマを生成し、チャンバー内で成膜材料を蒸発させている。基板に成膜材料が付着することにより、当該基板上に膜が形成される。
ここで、上述の成膜装置は、膜を構成する元素を含むガスとして、酸素のガスをチャンバ内に供給するガス供給部を有している。上述の成膜装置において、ガス供給部は、ガスをチャンバ内のうち、基板を搬送する搬送部付近へ供給している。このような成膜装置において、膜質を更に向上させる事が求められていた。
そこで本発明は、膜質を向上できる成膜装置を提供することを課題とする。
本発明に係る成膜装置は、対象物に成膜材料の粒子を付着させて膜を形成する成膜装置であって、プラズマを生成するプラズマ生成部と、成膜材料を保持可能であると共にプラズマを成膜材料に導く電極と、膜を構成する元素を含むガスを、電極側から、電極へ導かれるプラズマへ向かって供給するガス供給部と、を備える。
例えば、ガス供給部が、膜を構成する元素を含むガスをチャンバ内に均一になるように供給した場合、チャンバ全体にガスが拡散し、プラズマと反応して乖離・イオン化が行われるものの、元素の活性度が不十分、または効率的でない場合がある。この場合、対象物の膜において、元素の欠陥が生じる場合がある。これに対し、本発明に係る成膜装置において、ガス供給部は、膜を構成する元素を含むガスを、電極側から、電極へ導かれるプラズマへ向かって供給する。この場合、ガス供給部は、プラズマ密度が高い領域に対して、ガスを供給することができる。当該領域に供給されたガスは、活性度が向上するため、対象物における膜の元素の欠陥を抑制することができる。以上より、膜質を向上することができる。
ガス供給部は、プラズマを受ける電極側の位置において、当該電極に受けられるプラズマの進行方向に対する反対側から、ガスを供給してよい。この場合、ガス供給部は、プラズマ密度が高い領域にガスを供給し易くなる。
電極は、ガスを通過させる流路を有し、当該流路の流出口からガスを供給可能であってよい。この場合、電極の位置からガスを供給することができるため、電極付近のプラズマ密度が高い領域にガスを供給することが可能となる。
ガス供給部は、電極の直径の1.5倍以下の距離だけ、径方向において電極より離れた位置からガスを供給してよい。これにより、ガス供給部は、電極に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを供給することができる。
ガス供給部は、70mm以下の距離だけ、径方向において電極より離れた位置から前記ガスを供給する、請求項1~4の何れか一項に記載の成膜装置。これにより、ガス供給部は、電極に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを供給することができる。
電極には、当該電極の周りを覆う筒部材が設けられ、ガス供給部は、電極と筒部材との間からガスを供給してよい。この場合、ガス供給部は、電極に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを供給することができる。また、筒部材を用いて、ガスの流路を容易に形成することができる。
プラズマ生成部は、圧力勾配型のプラズマガンであってよい。この場合、電極の付近でプラズマ密度が高い領域を作ることができる。
電極を取り囲む補助電極を更に備え、ガス供給部は、補助電極の内周側からガスを供給してよい。補助電極の内部側は、電極に近い位置である。従って、ガス供給部は、電極に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを供給することができる。
ガス供給部は、第1の供給部と、第1の供給部より電極に近い位置でガスを供給する第2の供給部と、を備え、前記第2の供給部のガス供給量は第1の供給部のガス供給量よりも多い。このように、プラズマ密度の高い箇所に多くのガスを供給することできる。
本発明によれば、膜質を向上できる成膜装置を提供する。
以下、添付図面を参照しながら本発明の一実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
まず、図1を参照して、本発明の実施形態に係る成膜装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る成膜装置1の構成を示す概略断面図である。成膜装置1は、対象物に成膜材料の粒子を付着させて膜を形成する装置である。図1に示すように、本実施形態の成膜装置1は、いわゆるイオンプレーティング法に用いられるイオンプレーティング装置である。なお、説明の便宜上、図1には、XYZ座標系を示す。Y軸方向は、後述する基板が搬送される方向である。Z軸方向は、基板と後述するハース機構とが対向する位置である。X軸方向は、Y軸方向とZ軸方向とに直交する方向である。
成膜装置1は、基板11の板厚方向が略鉛直方向となるように基板11が真空チャンバ10内に配置されて搬送されるいわゆる横型の成膜装置である。この場合には、X軸及びY軸方向は水平方向であり、Z軸方向は鉛直方向且つ板厚方向となる。なお、成膜装置1は、基板11の板厚方向が水平方向(図1及び図2ではZ軸方向)となるように、基板11を直立又は直立させた状態から傾斜した状態で、基板11が真空チャンバ10内に配置されて搬送される、いわゆる縦型の成膜装置であってもよい。この場合には、Z軸方向は水平方向且つ基板11の板厚方向であり、Y軸方向は水平方向であり、X軸方向は鉛直方向となる。
成膜装置1は、成膜材料Maの粒子Mbを基板11へ供給することで基板11の表面に膜を形成する。成膜装置1は、真空チャンバ10(チャンバ)、搬送機構3、成膜機構14、不活性ガス供給部30、反応性ガス供給部40(ガス供給部)、及び電流供給部80を備えている。
真空チャンバ10は、基板11を収納し成膜処理を行うための部材である。真空チャンバ10は、成膜材料Maの膜が形成される基板11を搬送するための搬送室10aと、成膜材料Maを拡散させる成膜室10bと、プラズマガン7からビーム状に照射されるプラズマPを真空チャンバ10に受け入れるプラズマ口10cとを有している。搬送室10a、成膜室10b、及びプラズマ口10cは互いに連通している。搬送室10aは、所定の搬送方向(図中の矢印A)にY軸に沿って設定されている。搬送室10aは、Z軸方向に対向する長尺の壁部10d,10eと、X軸方向に対向する壁部を有する。また、真空チャンバ10は、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。
成膜室10bは、壁部10Wとして、搬送方向(矢印A)に沿った一対の側壁と、搬送方向(矢印A)と交差する方向(Z軸方向)に沿った一対の側壁10h,10iと、X軸方向の沿って配置された底面壁10jと、を有する。
搬送機構3は、成膜材料Maと対向した状態で基板11を保持する基板保持部材16を搬送方向(矢印A)に搬送する。例えば基板保持部材16は、基板11の外周縁を保持する枠体である。搬送機構3は、搬送室10a内に設置された複数の搬送ローラ15によって構成されている。搬送ローラ15は、搬送方向(矢印A)に沿って等間隔に配置され、基板保持部材16を支持しつつ搬送方向(矢印A)に搬送する。なお、基板11は、例えばガラス基板やプラスチック基板などの板状部材が用いられる。
続いて、成膜機構14の構成について詳細に説明する。成膜機構14は、イオンプレーティング法により成膜材料Maの粒子を基板11に付着させる。成膜機構14は、プラズマ生成部18と、ステアリングコイル5と、ハース機構2と、輪ハース6とを有している。
プラズマ生成部18は、真空チャンバ10内でプラズマを生成する。プラズマ生成部18は、例えば圧力勾配型のプラズマガン7を有する。プラズマガン7は、その本体部分が成膜室10bの側壁に設けられたプラズマ口10cを介して成膜室10bに接続されている。プラズマガン7は、真空チャンバ10内でプラズマPを生成する。プラズマガン7において生成されたプラズマPは、プラズマ口10cから成膜室10b内へビーム状に出射される。これにより、成膜室10b内にプラズマPが生成される。
プラズマガン7は、陰極60により一端が閉塞されている。陰極60とプラズマ口10cとの間には、第1の中間電極(グリッド)61と、第2の中間電極(グリッド)62とが同心的に配置されている。第1の中間電極61内にはプラズマPを収束するための環状永久磁石61aが内蔵されている。第2の中間電極62内にもプラズマPを収束するため電磁石コイル62aが内蔵されている。
ステアリングコイル5は、プラズマガンが装着されたプラズマ口10cの周囲に設けられている。ステアリングコイル5は、プラズマPを成膜室10b内に導く。ステアリングコイル5は、ステアリングコイル用の電源(不図示)により励磁される。
ハース機構2は、成膜材料Maを保持する。ハース機構2は、真空チャンバ10の成膜室10b内に設けられ、搬送機構3から見てZ軸方向の負方向に配置されている。ハース機構2は、プラズマガン7から出射されたプラズマPを成膜材料Maに導く主陽極又はプラズマガン7から出射されたプラズマPが導かれる主陽極である主ハース17(電極)を有している。
主ハース17は、成膜材料Maが充填されたZ軸方向の正方向に延びた筒状の部材である。主ハース17は、真空チャンバ10が有する接地電位に対して正電位に保たれているため、主ハース17は放電における陽極となりプラズマPを吸引する。このプラズマPが入射する主ハース17には、成膜材料Maを充填するための貫通孔17aが形成されている。そして、成膜材料Maの先端部分が、この貫通孔17aの一端部において成膜室10bに露出している。このように、主ハース17は、成膜材料Maが充填されることによって、当該成膜材料Maを保持することができる。また、貫通孔17aの一端部は、成膜材料Maを昇華させるために成膜材料Maを保持するための保持位置となる。
成膜材料Maは、特に限定されることなく、所望の膜に応じて適宜選択可能であるが、例えば、酸化物半導体のIn2O3系の材料(SnドープしたITO(酸化インジウムスズ)、WドープしたIWO(タングステンドープ酸化インジウム))や、ZnOなどの導電材料や、金属材料や、SiONなどの絶縁封止材料が例示される。なお、成膜材料Maとして、他にGa2O3、GaN、Al、AlN、SiC等が採用されるが、特に限定されるものではない。成膜材料Maが絶縁性物質からなる場合、主ハース17にプラズマPのビームが照射されると、プラズマPのビームからの電流によって主ハース17が加熱され、成膜材料Maの先端部分が蒸発し、プラズマPのビームによりイオン化された粒子Mbが成膜室10b内に拡散する。また、成膜材料Maが導電性物質からなる場合、主ハース17にプラズマPのビームが照射されると、プラズマPのビームが成膜材料Maに直接入射し、成膜材料Maの先端部分が加熱されて蒸発し、プラズマPのビームによりイオン化された粒子Mbが成膜室10b内に拡散する。成膜室10b内に拡散した粒子Mbは、成膜室10bのZ軸正方向へ移動し、搬送室10a内において基板11の表面に付着する。なお、成膜材料Maは、所定長さの円柱形状に成形された固体物であり、一度に複数の成膜材料Maがハース機構2に充填される。そして、最先端側の成膜材料Maの先端部分が主ハース17の上端との所定の位置関係を保つように、成膜材料Maの消費に応じて、成膜材料Maがハース機構2のZ負方向側から順次押し出される。
輪ハース6(補助電極)は、プラズマPを誘導するための電磁石を有する補助陽極である。輪ハース6は、主ハース17を囲むように設けられる。輪ハース6は、成膜材料Maを保持する主ハース17の周囲に配置されている。輪ハース6は、環状のコイル9と環状の永久磁石部20と環状の容器12とを有し、コイル9及び永久磁石部20は容器12に収容されている。本実施形態では、搬送機構3から見てZ負方向にコイル9、永久磁石部20の順に設置されているが、Z負方向に永久磁石部20、コイル9の順に設置されていてもよい。輪ハース6は、コイル9に流れる電流の大きさに応じて、成膜材料Maに入射するプラズマPの向き、または、主ハース17に入射するプラズマPの向きを制御する。なお、主ハース17及び輪ハース6の電位は図示されない制御部からの制御信号に基づいて制御される。
本実施形態では、プラズマガン7は、側壁10hからY軸方向の正側へ向けてプラズマPを出射する。一方、主ハース17は底面壁10j側において、先端がZ軸方向の正側を向くように設けられている。プラズマガン7と主ハース17との間では、プラズマガン7を陰極とし、主ハース17(及び成膜材料Ma)を陽極としてプラズマ放電が行われる。プラズマPはプラズマガン7からY軸方向の正側へ進行してから、Z軸方向の負側へ曲がり、Z軸方向の負側へ進行して主ハース17に導かれる。これにより、成膜室10bには、主ハース17と搬送機構3との間にプラズマ放電が行われるプラズマ放電領域が形成される。
主ハース17及び輪ハース6は、隔壁25上に配置されている。隔壁25は、プラズマPによる反応が行われる空間と、不活性ガスを流通させる空間とを仕切る壁部である。隔壁25は、底面壁10jから上側へ離間した位置に設けられる。隔壁25は、側壁10h,10iとの間に隙間を形成するように配置される。
不活性ガス供給部30は、真空チャンバ10内に不活性ガスを供給する。不活性ガスに含まれる物質として、例えば、アルゴン、ヘリウムなどの希ガスが採用される。反応性ガス供給部40は、真空チャンバ10内に反応性ガスを供給する。反応性ガスは、プラズマと反応するガスであり、膜を構成する元素を含むガスである。ITOやIWOなどの膜を成膜する場合、反応性ガスとして酸素のガスが採用される。ガス供給部30,40は、図示されない制御部からの制御信号に基づいた流量の不活性ガス及び酸素ガスを供給する。制御部は、良好な膜質を得るために、反応性ガスの流量比を制御することができる。反応性ガスの流量比とは、不活性ガス及び反応性ガス全体の流量に対する反応性ガスの比率である。
不活性ガス供給部30は、不活性ガス供給源31と、供給流路32と、を備える。供給流路32は、不活性ガス供給源31からの不活性ガスを底面壁10jと隔壁25との間の空間に供給する。これにより、不活性ガスが、隔壁25と真空チャンバ10の側壁との間の隙間から、成膜室10bに供給される(図1におけるG1を参照)。
反応性ガス供給部40は、反応性ガス供給源41と、第1の供給部42と、第2の供給部43と、を備える。第1の供給部42及び第2の供給部43は、反応性ガス供給源41からの反応性ガスを成膜室10bに出射(供給)する(図1におけるG2を参照)。第2の供給部43は、主ハース17の位置、または主ハース17に隣接する位置で反応性ガスを供給する(詳細は後述)。これに対し、第1の供給部42は、輪ハース6よりも外周側で反応性ガスを供給する。従って、第2の供給部43は、第1の供給部42より主ハース17に近い位置で反応性ガスを出射する。第2の供給部43のガス供給量は第1の供給部42のガス供給量よりも多いことが好ましい。
なお、本実施形態では、膜を構成する元素を含むガスとして酸素のガスを挙げている。ただし、当該ガスに含まれる元素は膜の組成に応じて適宜変更されてよい。例えば、SiONやAlNなど膜を形成する際には、反応性ガスとして窒素のガスが採用されてよい。
電流供給部80は、成膜材料のイオン化を行うための電流をプラズマガン7に供給する。電流供給部80は、プラズマガン7の陰極60に電流を供給する。これにより、プラズマガン7は、所定の値の放電電流にて放電を行う。電流供給部80は、図示されない制御部からの制御信号に基づいた電流値の電流を供給する。
次に、図2を参照して、反応性ガス供給部40による反応性ガスの供給態様の概要について説明する。図2は、主ハース17の拡大断面、及びそれに対する反応性ガスの流路の概要を示す概略図である。
図2に示される主ハース17は、筒部51と、底側のフランジ部52と、を備える。筒部51は、先端面53と、外周面54と、傾斜面56と、を有する。先端面53は、筒部51の中心線CL1と直交するような環状の平面をなしている。外周面54は、中心線CL1と平行に延びる円筒状の面である。傾斜面56は、先端面53と外周面54との間に形成され、先端面53へ向かうに従って先細りとなる円錐台状の面である。
プラズマガンからのプラズマPは、中心線CL1が延びる方向における主ハース17側(図1のZ軸方向における負側)へ向かう方向を進行方向D1として、主ハース17の先端面53(及び成膜材料Maの先端面)に受けられる。これにより、主ハース17の直上の領域はプラズマ密度が高い領域となる。
これに対し、反応性ガス供給部40は、主ハース17側から、当該主ハース17へ導かれるプラズマPへ向かって反応性ガスを出射する。ガス供給部40は、プラズマPを受ける主ハース17側の位置において、当該主ハース17に受けられるプラズマPの進行方向D1に対する反対側から、反応性ガスを出射する。ガス供給部40は、中心線CL1が延びる方向における搬送機構3(図1参照)へ向かう方向へ反応性ガスを出射する。主ハース17の直上の領域では、プラズマPと反応性ガスとが互いに対向して、互いに反対方向に進行するような状態となる。これにより、反応性ガスが、主ハース17の直上のプラズマ密度が高い領域に供給される。反応性ガスの分子は、当該プラズマ密度の高い領域において、高い活性度にて乖離・イオン化が行われる。
反応性ガス供給部40は、主ハース17の位置から、または主ハース17に隣接する位置から反応性ガスを出射する。例えば、主ハース17は、反応性ガスを通過させる流路60A,60B,60Cを有する。反応性ガス供給部40は、流路60A,60B,60Cの流出口60aから反応性ガスを出射可能である。流路60Aは、主ハース17の筒部51を構成する壁部の肉厚の内部に形成される流路である。流路60Bは、主ハース17と成膜材料Maとの間の境界部、すなわち貫通孔17aの内周面に形成される流路である。流路60Cは、貫通孔17aの内部空間に形成される流路である。
反応性ガス供給部40は、主ハース17に隣接する位置に設けられた流路60Dを有し、当該流路60Dの流出口60aから反応性ガスを出射可能である。ここで、主ハース17に隣接する位置とは、主ハース隣接領域を規定する境界線BLよりも内周側の位置である。流路60Dの流出口60aが、境界線BLよりも内周側に配置されていればよく、途中の流路60Dは、境界線BLより外周側に存在していてもよい。境界線BLは、例えば、径方向において、主ハース17から所定の距離PDだけ離れた位置に設定されてよい。なお、所定の距離PDは、主ハース17のうち、プラズマPを受ける面である先端面53の外周縁部からの径方向における距離である。
所定の距離PDは、主ハース17の直径の1.5倍の距離であってよい。これにより、ガス供給部40は、主ハース17の直径の1.5倍以下の距離だけ、径方向において主ハース17より離れた位置から反応性ガスを出射する。なお、主ハース17の直径とは、プラズマPを受ける面である先端面53の外周縁部の直径である。なお、成膜材料Maの直径は、20~40mm程度に設定されてよく、状況に応じて、主ハース17の貫通孔17aの直径を変えることができる。後述の平均自由行程が、概ね、貫通孔17aの直径の1.5倍程度であるため、ガス供給部40は、主ハース17の直径の1.5倍以下の距離だけ、径方向において主ハース17より離れた位置から反応性ガスを出射する。
あるいは、境界線BLの所定の距離PDは、具体的な数値としては、70mmに設定されてよい。当該数値は、導入した反応性ガスが真空チャンバ10内の他のガスとぶつからずに進むことができる平均自由工程で定義されてよい。平均自由工程は、以下の式(1)で示される。原子、分子直径は種類によって異なるが、使用されるガスはアルゴン、酸素、窒素などであるため、室温を約27℃とすると、真空チャンバ10の圧力が0.1Paのときに約70mmとなり、0.6Paのときに約10mmとなる。すなわち、圧力範囲が0.1~0.6Paの範囲であるとすると、所定の距離PDは10mm~70mm程度に設定することができる。従って、流路60Dの流出口60aは、主ハース17から70mm以下の位置に配置されることが好ましく、10mm以下の位置に配置されることがより好ましい。なお、真空チャンバ10の圧力に応じて、所定の距離PDを調整してよい。以上より、ガス供給部40は、70mm以下の距離だけ、より好ましくは10mm以下の距離だけ、径方向において主ハース17より離れた位置から反応性ガスを出射する。
λ=1/(√2×π×σ×n) …(1)
σ:ガス種の原子、又は分子の直径
n:密度
λ=1/(√2×π×σ×n) …(1)
σ:ガス種の原子、又は分子の直径
n:密度
なお、本実施形態のように輪ハース6が設けられているときは、図3(a)に示すように、輪ハース6の内周側の位置が、主ハース17に隣接する位置として定義されてよい。この場合、流路60Dは、径方向において、輪ハース6と主ハース17の間の位置に配置される。これにより、ガス供給部40は、輪ハース6の内周側から反応性ガスを出射する。また、図3(b)に示すように、主ハース17と輪ハース6との間には、蒸着物71を付着させる交換式のアウターリム70が設けられる場合がある。この場合、ガス供給部40は、主ハース17とアウターリム70との間の隙間から反応性ガスを出射してよい。なお、成膜材料Maが導電性材料の場合、蒸着物71が成長して内周側へ延び過ぎると、主ハース17と輪ハース6とが短絡する原因となってしまう。また、成長した蒸着物71が蒸発した粒子Mbの拡散を邪魔する場合がある。従って、定期的にアウターリム70を交換することで、連続運転を行うことが可能となる。
図4は、主ハース17に形成された流路60Bの一例を示す図である。図4(b)に示すように、流路60Bは、貫通孔17aの内周面の一部に対して、軸方向に延びる切欠部を形成することによって設けられる。ここでは、四つの流路60Bが設けられているが、数は特に限定されない。図4(a)に示すように、流路60Bは、貫通孔17aの下端では、フランジ部52の下面に回り込み、隔壁25を介して下方へ延びている。なお、流路60Bのはい回し方は特に限定されない。なお、成膜材料Maが流路60B内に付着する場合があるため、主ハース17の部材内に流路60A(図2参照)を設ければ当該付着は回避できる。しかし、流路60Bは、流路60Aに比して製造が容易である。
図5に示すような二重筒構造によって流路60Dを設けてもよい。図5に示すように、主ハース17には、当該主ハース17の周りを覆う筒部材86が設けられる。筒部材86は、筒部51を覆う本体部81と、フランジ部52を覆うフランジ部82と、を有する。本体部81は、筒部51との間に隙間85を形成するように配置される。当該隙間85は主ハース17の全周にわたって設けられ、当該隙間85が流路60Dとして構成される。フランジ部82は、トルク管理されたボルト83を介して、フランジ部52に固定される。これにより、ガス供給部40は、主ハース17と筒部材86との間から反応性ガスを出射する。この場合、流路60Dを主ハース17全周を取り囲むように形成できるので、反応性ガスを均等に供給できる。なお、筒部材86の材質は特に限定されず、主ハース17と同じ材質でも異なる材質でもよい。筒部材86を導電性の材質で形成した場合、筒部材86も主ハースの一部として機能することができる。この場合、隙間85は、主ハース17の肉厚の内部に形成された流路60Aと見なすこともできる。
図6に示すように、主ハース17に隣接する位置に設けられる流路60Dは、パイプ90によって構成されてよい。図6(a)に示すように、パイプ90は、主ハース17にロウ付け、または溶接によって取り付けられてよい。この場合、流路60Dの流出口60aの、先端面53の外周縁部からの距離は、パイプ90の厚み分となる。なお、パイプ90は主ハース17に対して複数設けられてもよい。パイプ90は主ハース17に取り付けられているため冷却の観点において問題は生じない。図6(b)に示すように、主ハース17から径方向に離間した位置にパイプ90を設けてもよい。この場合、プラズマPによって過熱されないように、配置を調整すればよい。なお、図6に示すように、流路60Dは、軸方向と平行となるように反応ガスを出射する必要はなく、軸方向に対して傾斜した状態で反応性ガスを出射してよい。
次に、本実施形態に係る成膜装置1の効果を確認する実験結果について図7を参照して説明する。図7はITO成膜を行ったときの実験結果を示す。透明導電膜であるITOの膜質を示す指標として、抵抗率、移動度、キャリア密度が示されている。各パラメータの最適値はアプリケーションによって異なるが、導電膜として使用する場合は、抵抗率が低いほど望ましい、また、キャリア密度は従来のものから変動させずに、移動度を高くすることが望ましい。ここでは、比較例として、図1において不活性ガスと同様に真空チャンバ10全体に酸素を供給した成膜装置を採用した。図7では実線のグラフが比較例を示す。実施例として、主ハース17とアウターリム70(図3(b)参照)との間から酸素を供給した成膜装置を採用した。図7では破線のグラフが実施例を示す。図7のグラフの横軸は、真空チャンバ10に導入している総ガス流量(アルゴン+酸素)に対する酸素ガス流量比を示す。「O2流量比 =O2ガス流量/(Arガス流量+O2ガス流量))で示される。図7(a)~(c)に示されるように、実施例のキャリア密度は比較例のものから大きく変わらず、実施例の抵抗率及び移動度が比較例よりも向上している。そのため、実施例の成膜装置で成膜された膜内の結晶性が向上していることが示される。従って、真空チャンバ10全体に酸素を導入するより、主ハース17近傍から酸素を入れるほうが、酸素の使用効率が高くなっていることが示される。
次に、本実施形態に係る成膜装置1の作用・効果について説明する。
例えば、ガス供給部40が、膜を構成する元素を含むガスを真空チャンバ10内に均一になるように供給した場合、真空チャンバ10全体にガスが拡散し、プラズマと反応して乖離・イオン化が行われるものの、元素の活性度が不十分、または効率的でない場合がある。この場合、基板11の膜において、元素の欠陥が生じる場合がある。例えば、Inは正イオン化し易く、酸素の正イオン化は、成膜材料Maを蒸発させたことで得られる酸素だけでは足りない。これに対し、本実施形態に係る成膜装置1において、ガス供給部40は、膜を構成する元素を含むガスを、主ハース17側から、当該主ハース17へ導かれるプラズマPへ向かって供給する。この場合、ガス供給部40は、プラズマ密度が高い領域に対して、ガスを供給することができる。当該領域に供給されたガスは、活性度が向上するため、基板11における膜の元素の欠陥を抑制することができる。以上より、膜質を向上することができる。
ガス供給部40は、プラズマPを受ける主ハース17側の位置において、当該主ハース17に受けられるプラズマPの進行方向D1に対する反対側から、ガスを出射(供給)してよい。この場合、ガス供給部40は、プラズマ密度が高い領域にガスを供給し易くなる。
主ハース17は、ガスを通過させる流路60A、60B,60Cを有し、当該流路60A,60B,60Cの流出口60aからガスを出射可能であってよい。この場合、主ハース17の位置からガスを出射することができるため、主ハース17付近のプラズマ密度が高い領域にガスを出射することが可能となる。
ガス供給部40は、主ハース17の直径の1.5倍以下の距離だけ、径方向において主ハース17より離れた位置からガスを出射してよい。これにより、ガス供給部40は、主ハース17に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを出射することができる。
ガス供給部40は、70mm以下の距離だけ、径方向において電極より離れた位置から前記ガスを出射する、請求項1~4の何れか一項に記載の成膜装置。これにより、ガス供給部は、電極に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを出射することができる。
主ハース17には、当該主ハース17の周りを覆う筒部材86が設けられ、ガス供給部40は、主ハース17と筒部材86との間からガスを出射してよい。この場合、ガス供給部40は、主ハース17に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを出射することができる。また、筒部材86を用いて、ガスの流路を容易に形成することができる。
プラズマ生成部18は、圧力勾配型のプラズマガン7であってよい。この場合、主ハース17の付近でプラズマ密度が高い領域を作ることができる。
圧力勾配型のプラズマガン7は、当該プラズマガン7の内部圧力が成膜室の圧力より高い。そのため、ガス供給部40から導入したガスがプラズマガン7の中には入らない。プラズマガン7の陰極はLaB6、Taで構成されており、主にLaB6が熱電子を供給することでプラズマを生成している。例えば反応性ガスが酸素の場合、LaB6、Taまで到達すると熱くなっているため、速やかに酸化してしまい、絶縁化されて行き、放電することができなくなる。実質的には、酸素ガスを自由に成膜室に調整しながら、アーク放電を行うことは、他の装置では不可能となる。また、圧力勾配型のプラズマガン7の場合、プラズマ密度が非常に高く(1012~1013cm-3)、高い反応性が特長である。加えて、陰極が酸化されないため、長寿命であるというメリットがある。
なお、DCスパッタ装置の場合(正負関係が逆ではある)、ターゲットが金属で反応性ガスを酸素などで行うと、ターゲットが酸化されて放電できなくなる(又はしにくくなる)。つまり、スパッタ成膜ができなくなる(又は非常に遅くなる)その金属酸化物が絶縁でない場合は、放電は継続可能だが、遅くなるという問題がある。いわゆる、金属モード、中間モード、酸化物モードと言われ、成膜速度は、金属、中間、酸化物の順となる。完全に酸化されない範囲で酸素量を調整しながら成膜するため、供給する酸素量には限界があり、形成した膜の酸素抜けが非常に起こりやすくなる。RFスパッタ装置では、絶縁性のターゲットでもスパッタすることが出来るが、DCに比べて成膜速度は遅くなる。これらの成膜装置に対し、圧力勾配型のプラズマガン7を用いた成膜装置1は、上述のような問題を解消することができる。
主ハース17を取り囲む輪ハース6を更に備え、ガス供給部40は、輪ハース6の内周側からガスを出射してよい。輪ハース6の内部側は、主ハース17に近い位置である。従って、ガス供給部40は、主ハース17に近い位置からガスを供給することができるため、プラズマ密度が高い領域にガスを出射することができる。
ガス供給部40は、第1の供給部42と、第1の供給部42より主ハース17に近い位置でガスを出射する第2の供給部43と、を備え、第2の供給部43のガス供給量は第1の供給部42のガス供給量よりも多い。このように、プラズマ密度の高い箇所に多くのガスを供給することできる。
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
例えば、上述の実施形態では、輪ハース6を有する成形装置について説明を行った。これに変えて、図8に示すように、輪ハース6が設けられていない成膜装置100が採用されてよい。主ハース117は、るつぼ状の形状を有している。また、主ハース117の下側に磁石部109が設けられる。当該成膜装置100においても、反応性ガス供給部40は、主ハース117の位置、又は主ハース117に隣接する位置で反応性ガスを供給することができる。主ハース117の位置、又は主ハース117に隣接する位置で反応性ガスを供給することによって、図2に示した流路60A、60B,60C,60Dと同趣旨の流路を採用することができる。
なお、反応ガス供給源と不活性ガス供給源とが混合される機構が採用されてもよい。一つのガスの供給口に、反応性ガスと不活性ガスとを混合させてもよい。例えば、前述の反応性ガス供給部40の流出口60aに、不活性ガスを混ぜて供給してよい。
1,100…成膜装置、6…輪ハース(補助電極)7…プラズマガン、17…主ハース(電極)、11…基板(対象物)、40…反応性ガス供給部(ガス供給部)、42…第1の供給部、43…第2の供給部、60A,60B,60C,60D…流路、80…筒部材、Ma…成膜材料、Mb…粒子。
Claims (9)
- 対象物に成膜材料の粒子を付着させて膜を形成する成膜装置であって、
プラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記成膜材料を保持可能であると共に前記プラズマを前記成膜材料に導く電極と、
前記膜を構成する元素を含むガスを、前記電極側から、前記電極へ導かれる前記プラズマへ向かって供給するガス供給部と、を備える、成膜装置。 - 前記ガス供給部は、前記プラズマを受ける前記電極側の位置において、当該電極に受けられる前記プラズマの進行方向に対する反対側から、前記ガスを供給する、請求項1に記載の成膜装置。
- 前記電極は、前記ガスを通過させる流路を有し、当該流路の流出口から前記ガスを供給可能である、請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給部は、前記電極の直径の1.5倍以下の距離だけ、径方向において前記電極より離れた位置から前記ガスを供給する、請求項1~3の何れか一項に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給部は、70mm以下の距離だけ、径方向において前記電極より離れた位置から前記ガスを供給する、請求項1~4の何れか一項に記載の成膜装置。
- 前記電極には、当該電極の周りを覆う筒部材が設けられ、
前記ガス供給部は、前記電極と前記筒部材との間から前記ガスを供給する、請求項1~5の何れか一項に記載の成膜装置。 - 前記プラズマ生成部は、圧力勾配型のプラズマガンである、請求項1~6の何れか一項に記載の成膜装置。
- 前記電極を取り囲む補助電極を更に備え、
前記ガス供給部は、前記補助電極の内周側から前記ガスを供給する、請求項1~7の何れか一項に記載の成膜装置。 - 前記ガス供給部は、第1の供給部と、前記第1の供給部より前記電極に近い位置で前記ガスを供給する第2の供給部と、を備え、前記第2の供給部のガス供給量は前記第1の供給部のガス供給量よりも多い、請求項1~8の何れか一項に記載の成膜装置。
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