JP2021040011A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】プロセス特性の変動を抑制し、かつ、デバイスの歩留まりを向上させること。【解決手段】実施形態のプラズマ処理装置は、基板を処理する処理容器と、処理容器内に電力を供給してプラズマを生成する電源と、処理容器内に設置される上部電極と、上部電極に対向する下部電極を有し、基板が載置される基板載置台と、基板載置台の外縁部に配置され、基板の周囲を囲むエッジリングと、エッジリングの少なくとも一部を上下に駆動させる駆動機構と、を備え、エッジリングは、基板載置台の外縁部上に載置される下部リングと、下部リング上に載置され、駆動機構により上下動する上部リングと、上部リングの下面に上部リングとともに上下動可能に配置され、処理容器内へと開放する側に向いた面を有する補助リングと、を有する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関する。
基板を処理するプラズマ処理装置では、プラズマにより処理容器内の部材が摩耗する。基板周辺に配置されるエッジリングが摩耗すると、プラズマのシース歪みが生じてプロセス特性が変動する。
特開２０１８−１６０６６６号公報
１つの実施形態は、プロセス特性の変動を抑制し、かつ、デバイスの歩留まりを向上させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
実施形態のプラズマ処理装置は、基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に電力を供給してプラズマを生成する電源と、前記処理容器内に設置される上部電極と、前記上部電極に対向する下部電極を有し、前記基板が載置される基板載置台と、前記基板載置台の外縁部に配置され、前記基板の周囲を囲むエッジリングと、前記エッジリングの少なくとも一部を上下に駆動させる駆動機構と、を備え、前記エッジリングは、前記基板載置台の外縁部上に載置される下部リングと、前記下部リング上に載置され、前記駆動機構により上下動する上部リングと、前記上部リングの下面に前記上部リングとともに上下動可能に配置され、前記処理容器内へと開放する側に向いた面を有する補助リングと、を有する。
図１は、実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、実施形態にかかるエッジリングの片側断面図である。 図３は、実施形態にかかるエッジリングがプラズマ処理装置内で使用される様子を示す模式図である。 図４は、比較例にかかるプラズマ処理装置のエッジリングが使用される様子を示す模式図である。 図５は、実施形態の変形例１のプラズマ処理装置内でエッジリングが使用される様子を示す模式図である。 図６は、実施形態の変形例２のプラズマ処理装置内でエッジリングが使用される様子を示す模式図である。
以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
（プラズマ処理装置の構成例）
図１は、実施形態にかかるプラズマ処理装置１の構成の一例を模式的に示す断面図である。プラズマ処理装置１は、例えば基板としてのウェハ１００をプラズマエッチング処理するＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置として構成されている。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、気密に構成された、例えばアルミニウム製の処理容器としてのチャンバ１１を備える。
チャンバ１１の上部付近には、ガス供給口１３が設けられている。ガス供給口１３には、配管を通じて図示しないガス供給装置が接続され、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給される。
チャンバ１１の上部付近であって、ガス供給口１３の下方には、上部電極として機能するシャワーヘッド３０が設けられている。シャワーヘッド３０には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス流路３２が設けられている。ガス供給口１３から供給された処理ガスは、ガス流路３２を介してチャンバ１１内に導入される。
シャワーヘッド３０の下方には、シャワーヘッド３０に対向するように、基板載置台としてのウェハステージ２０が配置されている。ウェハステージ２０には電極が内蔵され、ウェハステージ２０は、処理対象のウェハ１００を水平に支持するとともに、下部電極として機能する。ウェハステージ２０が、ウェハ１００を静電的に吸着させる静電チャックとして構成されていてもよい。
ウェハステージ２０は、チャンバ１１の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部１２上に支持されている。支持部１２は、シャワーヘッド３０と平行に対向するようにウェハステージ２０を支持する。また、支持部１２は、シャワーヘッド３０から所定の距離を隔てたチャンバ１１の中央付近に位置するようにウェハステージ２０を支持する。このような構造によって、シャワーヘッド３０とウェハステージ２０とは、１対の平行平板電極を構成している。
ウェハステージ２０には、高周波電力を供給する給電線４１が接続されている。給電線４１には、ブロッキングコンデンサ４２、整合器４３および高周波電源４４が接続されている。高周波電源４４からは、プラズマ処理時に所定の周波数の高周波電力がウェハステージ２０に供給される。
ウェハステージ２０の外周には、ウェハステージ２０の側面および周縁部の底面を覆うエッジリング５０が配置されている。エッジリング５０は、ウェハ１００のエッチング時に、電界がウェハ１００の周縁部で、ウェハ面に垂直な鉛直方向に対して偏向しないように電界を調整する。
エッジリング５０は、例えば、下部リング５１、中間リング５２、上部リング５３、及び補助リング５４の複数の部材から構成されている。各部材は、例えば石英、シリコン、シリコンカーバイド、またはセラミック等から構成される。各部材が、それぞれ異なる材料から構成されていてもよい。これらの部材の詳細の構成については後述する。
エッジリング５０の下方には、ウェハステージ２０の周縁部を貫通して上部リング５３の下面に当接するピン５３ｐと、ウェハステージ２０の周縁部を貫通して補助リング５４の下面に当接するピン５４ｐとが設置されている。
ピン５３ｐは、エンコーダを備えるアクチュエータ等である駆動部５３ａに接続されている。駆動部５３ａによってピン５３ｐが上下に駆動されることにより、上部リング５３が上下動可能に構成される。ピン５４ｐは、エンコーダを備えるアクチュエータ等である駆動部５４ａに接続されている。駆動部５４ａによってピン５４ｐが上下に駆動されることにより、補助リング５４が上下動可能に構成される。
なお、上部リング５３は、上部リング５３の周方向に沿って等間隔に配置される複数のピン５３ｐに支持される。また、補助リング５４は、補助リング５４の周方向に沿って等間隔に配置される複数のピン５４ｐに支持される。ピン５３ｐ，５４ｐは、それぞれ３つ以上あればよく、また、それぞれが駆動部５３ａ，５４ａを備える。
主に、３対以上のピン５３ｐ，５４ｐ及びこれらと対応する３対以上の駆動部５３ａ，５４ａにより駆動機構が構成される。
エッジリング５０とチャンバ１１の側壁との間には、バッフルプレート１７が設けられている。バッフルプレート１７は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔１７ｅを有する。
バッフルプレート１７よりも下部のチャンバ１１にはガス排気口１４が設けられている。ガス排気口１４には、配管を通じて図示しない排気手段である真空ポンプが接続されている。
チャンバ１１内のウェハステージ２０およびバッフルプレート１７と、シャワーヘッド３０とで仕切られた領域は、プラズマ処理室６１となる。シャワーヘッド３０で仕切られたチャンバ１１内の上部の領域は、ガス供給室６２となる。ウェハステージ２０およびバッフルプレート１７で仕切られたチャンバ１１内の下部の領域はガス排気室６３となる。
ウェハ１００のプラズマ処理時には、ウェハステージ２０上に処理対象であるウェハ１００が載置される。また、ガス排気口１４に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ１１内が真空引きされる。チャンバ１１内が所定の圧力に達すると、図示しないガス供給装置からガス供給室６２に処理ガスが供給され、シャワーヘッド３０のガス流路３２を介してプラズマ処理室６１に供給される。上部電極であるシャワーヘッド３０を接地した状態で、下部電極であるウェハステージ２０に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室６１内にプラズマを生成させる。下部電極側には高周波電圧による自己バイアスにより、プラズマとウェハ１００との間に電位勾配が生じ、プラズマ中のイオンがウェハステージ２０へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。
制御部７０は、ウェハステージ２０、高周波電源４４、駆動部５３ａ，５４ａ、ガス供給装置、及び真空ポンプ等のプロセス処理装置１の各部を制御して、上記プラズマ処理を可能とする。
（エッジリングの構成例）
次に、図２を用いて、実施形態のエッジリング５０の詳細構成例について説明する。図２は、実施形態にかかるエッジリング５０の片側断面図である。図２の左下方には、エッジリング５０がウェハステージ２０に設置された状態を示す。
図２に示すように、下部リング５１は、本体５１ｂと本体５１ｂの一端から下方へと延びる脚部５１ｆとを有する。本体５１ｂは、内壁面５１ｎ側の上部に凹部５１ｒを有する。凹部５１ｒの底面、及び本体５１ｂの外周寄りの上面には、それぞれ貫通孔５１ｔが配置されている。
中間リング５２は、リング状の片側断面がエル字型に構成される。つまり、中間リング５２は、外壁面５２ｕ側の上面が窪んだ形状を有する。
上部リング５３もまた、リング状の片側断面がエル字型に構成される。上部リング５３の外周側に向いたエル字型の角部５３ｃは丸みを帯びた形状を有している。上部リング５３は、エル字型の内側である下面に凹部５３ｒを有する。
補助リング５４は、リング状の片側断面が矩形に構成される。つまり、補助リング５４の内壁面５４ｎと外壁面５４ｕとは互いに略平行する。補助リング５４は、下面に凹部５４ｒを有する。
ウェハステージ２０は、下部電極２３が内蔵される母材２１と、ウェハ１００が載置されるセラミック板２２とを備える。母材２１とセラミック板２２とは、それぞれ周縁部に鍔状部を有する。母材２１中央のメサ状部にセラミック板２２が接合されることで、ウェハステージ２０の周縁部は、ウェハ１００が載置される中央部へ向かって高くなっていく３段の段差を備える。これらの段差に沿うように、エッジリング５０の上記各部材が設置される。
下部リング５１は、ウェハステージ２０の母材２１の鍔状部上に載置される。このとき、本体５１ｂ下面が母材２１の鍔状部上に当接し、内壁面５１ｎが母材２１のメサ状部側面とセラミック板２２の鍔状部側面とに対向する。また、下部リング５１の脚部５１ｆは母材２１の鍔状部側面を覆う。
中間リング５２は、ウェハステージ２０のセラミック板２２の鍔状部上に載置される。中間リング５２のエル字型の底面はセラミック板２２の鍔状部上に当接し、エル字型の側面はセラミック板２２のメサ状部側面に対向する。
補助リング５４は、下部リング５１の凹部５１ｒに収容される。このとき、補助リング５４の内壁面５４ｎは中間リング５２の外壁面５２ｕに対向し、補助リング５４の外壁面５４ｕは、下部リング５１の凹部５１ｒ側面に対向する。
このように、下部リング５１、中間リング５２、及び補助リング５４が組み合わされることで、中間リング５２のエル字型の内側である上面と、補助リング５４の上面と、下部リング５１の本体５１ｂ上面とが、略同じ高さに並ぶ。
上部リング５３は、これらの全体を覆うように上から被せられる。このとき、下部リング５１、中間リング５２、及び補助リング５４のそれぞれの上面と、上部リング５３の下面とが当接する。また、上部リング５３のエル字型の内壁面は、下部リング５１の本体５１ｂの外壁面と対向し、上部リング５３のエル字型の下端部は、下部リング５１の脚部５１ｆの上面に当接する。また、上部リング５３の下方に延びる外壁面と、下部リング５１の脚部５１ｆの外壁面とは段差を有することなく略フラットな状態となる。つまり、上部リング５３の外径と、下部リング５１の脚部５１ｆの外径とは略等しい。
駆動部５３ａに接続されるピン５３ｐは、ウェハステージ２０下方から、ウェハステージ２０の母材２１の鍔状部を貫通し、下部リング５１の一方の貫通孔５１ｔを通って上部リング５３下面の凹部５３ｒに当接する。駆動部５４ａに接続されるピン５４ｐは、ウェハステージ２０下方から、ウェハステージ２０の母材２１の鍔状部を貫通し、下部リング５１の他方の貫通孔５１ｔを通って補助リング５４下面の凹部５４ｒに当接する。
セラミック板２２のメサ状部上面に載置された状態で、ウェハ１００の下面と中間リング５２のエル字型の上端部とは対向する。上部リング５３の内壁面はウェハ１００端部と対向し、ウェハ１００の上面と上部リング５３の上面とは略等しい高さとなる。これにより、ウェハ１００外周部におけるプラズマのシース歪みを抑制し、プラズマ中のイオンをウェハ１００に対して略垂直に入射することができる。
このように、エッジリング５０は、複数の部材が組み合わされることで、ウェハステージ２０の周縁部を略完全に覆う。これにより、ウェハステージ２０の周縁部がプラズマに曝露されて摩耗してしまうことを抑制することができる。その分、エッジリング５０が摩耗するものの、エッジリング５０は複数の部材に分かれて構成される。よって、例えば、最も摩耗の激しい上部リング５３のみを適宜交換すればよく、エッジリング５０のその他の部材の交換頻度を下げることができる。
（エッジリングの使用例）
次に、図３を用いて、実施形態のエッジリング５０の使用例について説明する。図３は、実施形態にかかるエッジリング５０がプラズマ処理装置１内で使用される様子を示す模式図である。図３（ａ）は、エッジリング５０がインストールされた直後の状態を示しており、図３（ｂ）は、エッジリング５０が所定時間使用された後の状態を示している。
図３（ａ）に示すように、インストール直後、上部リング５３と補助リング５４とは下方位置にある。つまり、補助リング５４の上面は、中間リング５２の上面および下部リング５１の上面とほぼ同じ高さ位置にある。また、上部リング５３の下面は、これらの部材の上面に当接している。
図３（ｂ）に示すように、所定時間使用された後、上部リング５３の上面が摩耗して薄くなってくる。そこで、上部リング５３の上面をウェハ１００の高さ位置に合わせるため、上部リング５３は、駆動部５３ａ及びピン５３ｐにより押し上げられ、上方位置に移動される。このとき、上部リング５３と下部リング５１との間には空間ＳＰｅが生じる。
上部リング５３の上方移動に伴い、補助リング５４も、駆動部５４ａ及びピン５３ｐにより押し上げられ、上部リング５３が移動した分だけ、上方位置に移動される。補助リング５４が上部リング５３と同じ分だけ上方移動するので、補助リング５４の上面は、上部リング５３の下面に当接したままである。
また、補助リング５４の一部が下部リング５１の凹部５１ｒから突出し、補助リング５４の外壁面５４ｕの上側の一部が、上部リング５３と下部リング５１との間の空間ＳＰｅに面することとなる。また、補助リング５４の内壁面５４ｎの上側の一部は、チャンバ１１側へと開放される空間ＳＰｐに面する。空間ＳＰｐは、プラズマ生成空間でもあり、ウェハ１００が処理される処理空間でもある。
換言すれば、上部リング５３及び下部リング５１間の空間ＳＰｅと、チャンバ１１側の空間ＳＰｐとは、補助リング５４により隔てられている。
この後、エッジリング５０の使用時間が更に延び、上部リング５３の上面が更に摩耗すると、ウェハ１００上面の高さ位置に合わせて、上部リング５３は更に上方位置に移動される。上部リング５３の上昇分だけ補助リング５４も移動される。そして、補助リング５４の下端部が、中間リング５２及び下部リング５１の上面を超える前に、上部リング５３が交換される。換言すれば、補助リング５４の厚さは、上部リング５３の寿命に合わせて設定されている。
上部リング５３及び補助リング５４の上昇位置は、予め取得したデータにより制御される。つまり、事前に、エッジリング５０の使用時間に応じた上部リング５３の摩耗量またはその時に処理されたウェハ１００のプロセス特性を取得する。そして、取得したデータに基づき、所定の使用時間における上部リング５３及び補助リング５４の上昇位置が決定される。その後は、使用時間に応じて、適宜、上部リング５３及び補助リング５４の上昇位置が調整される。
なお、上部リング５３及び補助リング５４の上方への駆動は段階的に行われてよい。例えば、所定期間内は上部リング５３及び補助リング５４を所定位置に固定したまま使用し続け、所定の使用時間に達したら所定量だけ上昇させる、ということを繰り返す。
（比較例）
プラズマ処理装置においては、プラズマによってチャンバ内の部材が摩耗する。ウェハ外周に配置されるエッジリングが摩耗すると、プラズマのシースに歪みが生じ、プロセス特性が変動する。そこで、比較例のプラズマ処理装置では、摩耗度合いに合わせてエッジリングを上昇させていく。
図４は、比較例にかかるプラズマ処理装置のエッジリングが使用される様子を示す模式図である。図４（ａ）に示すように、比較例のプラズマ処理装置は、ウェハステージの周縁部に配置される下部リング５１’、下部リング５１’上の中間リング５２’、中間リング５２’上の上部リング５３’から構成されるエッジリングを有する。
上部リング５３’には、ウェハステージ周縁部、下部リング５１’、及び中間リング５２’を貫通するピン５３ｐ’が当接される。ピン５３ｐ’は駆動部５３ａ’により上下に駆動することで、上部リング５３’を押し上げ、上部リング５３’の上面の高さをウェハ１００上面の高さと一致させる。
図４（ｂ）に示すように、所定時間使用された後、摩耗して薄くなった上部リング５３’は、ピン５３ｐ’により上方に押し上げられ、その上面高さがウェハ１００高さと一致する状態を維持している。しかしながら、上部リング５３’と中間リング５２’との間に空間が生じ、その空間内でプラズマによる異常放電ＤＦが発生することがある。
異常放電は、例えばウェハ１００に形成される半導体装置のチャージアップダメージの原因となったり、パーティクルの発生源となったりして半導体装置に損傷を与えうる。これにより、半導体装置の歩留まりが低下してしまう。
実施形態のプラズマ処理装置１によれば、エッジリング５０は、上部リング５３と共に上昇し、チャンバ１１内へと開放する側に向いた内壁面５４ｎを有する補助リング５４を備える。つまり、補助リング５４は、上部リング５３と下部リング５１との間の空間ＳＰｅと、チャンバ１１側の空間ＳＰｐとを隔てる。これにより、空間ＳＰｅ内での異常放電が抑制される。よって、上部リング５３の上昇によりプロセス特性の変動を抑制し、かつ、補助リング５４の遮蔽効果によりデバイスの歩留まりを向上させることができる。
実施形態のプラズマ処理装置１によれば、下部リング５１は、補助リング５４を収容する凹部５１ｒを有する。これにより、上部リング５３と補助リング５４とが下方位置にあるときは、補助リング５４の上面高さを下部リング５１と中間リング５２との上面高さに合わせることができ、これらの部材上に上部リング５３を載置することができる。
実施形態のプラズマ処理装置１によれば、中間リング５２は、比較例の中間リング５２’と比較してコンパクトに構成され、上部リング５３と下部リング５１との間に挿入されない。そして、補助リング５４を収容する凹部５１ｒは下部リング５１の内壁面５１ｎ側上面に設けられている。これにより、補助リング５４をエッジリング５０全体の内径寄りに配置することができる。つまり、補助リング５４により遮蔽される空間ＳＰｅを広くとり、異常放電の発生確率をよりいっそう低下させることができる。
実施形態のプラズマ処理装置１によれば、補助リング５４の厚さは上部リング５３の寿命に合わせて設定されている。これにより、上部リング５３が交換される前に、補助リング５４の全体が下部リング５１の凹部５１ｒから突出し、補助リング５４の遮蔽効果が損なわれてしまうのを抑制することができる。
（変形例１）
次に、図５を用いて、実施形態の変形例１のプラズマ処理装置について説明する。変形例１においては、駆動部１５３ａの数が削減されている点が、上述の実施形態とは異なる。図５は、実施形態の変形例１のプラズマ処理装置内でエッジリング５０が使用される様子を示す模式図である。
図５に示すように、変形例１のエッジリング５０も上述の実施形態と同様の構成を備える。ただし、上部リング５３と補助リング５４とには、１箇所につき、２つに分岐した１つのピン１５３ｐが当接される。１つのピン１５３ｐは１つの駆動部１５３ａに接続される。
変形例１のプラズマ処理装置においては、主に、３つ以上のピン１５３ｐ及びこれらと対応する３つ以上の駆動部１５３ａにより駆動機構が構成される。
変形例１のプラズマ処理装置によれば、駆動部１５３ａの数が削減されており、プラズマ処理装置のコストダウンを図ることができる。
（変形例２）
次に、図６を用いて、実施形態の変形例２のプラズマ処理装置について説明する。変形例２においては、上部リング２５３が補助突起２５４を備える点が、上述の実施形態とは異なる。図６は、実施形態の変形例２のプラズマ処理装置内でエッジリングが使用される様子を示す模式図である。
図６に示すように、変形例２のエッジリングは、上述の実施形態の補助リング５４の代わりに補助突起２５４を有する上部リング２５３を備える。補助突起２５４は、上部リング２５３下面から下部リング５１の凹部５１ｒに向かって延び、上方位置において、チャンバ内へと開放する側に向くこととなる内壁面２５４ｎを有する。
すなわち、変形例２のエッジリングにおいては、上述の実施形態の補助リング５４と同様の機能を有する補助突起２５４が、上部リング２５３と一体に成形されている。そして、変形例２のプラズマ処理装置は、上部リング２５３を押し上げるピン２５３ｐと、ピン２５３ｐを駆動させることで上部リング２５３を上下動させる駆動部２５３ａと、のみを有する。
変形例２のプラズマ処理装置においては、主に、３つ以上のピン２５３ｐ及びこれらと対応する３つ以上の駆動部２５３ａにより駆動機構が構成される。
変形例２のプラズマ処理装置によれば、補助突起２５４が上部リング２５３と一体に構成される。これにより、エッジリングの部品点数を削減することができる。また、駆動部２５３ａの数を削減することができる。よって、プラズマ処理装置のコストダウンを図ることができる。
（その他の変形例）
上述の実施形態および変形例１，２では、プラズマ処理装置はＲＩＥ装置として構成されることとしたがこれに限られない。プラズマ処理装置は、ＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、アッシング装置等のエッチング以外のプラズマ処理を行う装置であってもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…プラズマ処理装置、２０…ウェハステージ、５０…エッジリング、５１…下部リング、５２…中間リング、５３，２５３…上部リング、５３ａ，５４ａ，１５３ａ，２５３ａ…駆動部、５３ｐ，５４ｐ，１５３ｐ，２５３ｐ…ピン、５４…補助リング、５４ｎ…内壁面、１００…ウェハ。

Claims (5)

  1. 基板を処理する処理容器と、
    前記処理容器内に電力を供給してプラズマを生成する電源と、
    前記処理容器内に設置される上部電極と、
    前記上部電極に対向する下部電極を有し、前記基板が載置される基板載置台と、
    前記基板載置台の外縁部に配置され、前記基板の周囲を囲むエッジリングと、
    前記エッジリングの少なくとも一部を上下に駆動させる駆動機構と、を備え、
    前記エッジリングは、
    前記基板載置台の外縁部上に載置される下部リングと、
    前記下部リング上に載置され、前記駆動機構により上下動する上部リングと、
    前記上部リングの下面に前記上部リングとともに上下動可能に配置され、前記処理容器内へと開放する側に向いた面を有する補助リングと、を有する、
    プラズマ処理装置。
  2. 前記駆動機構は、
    前記上部リングを上下に駆動させる第１の駆動部と、
    前記補助リングを上下に駆動させる第２の駆動部と、を有する、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記補助リングは前記上部リングと一体的に構成されている、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記下部リングは、前記補助リングを収容する凹部を有し、
    前記補助リングは、前記上部リングが下方位置にあるときは前記凹部に収容されている、
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記補助リングは、前記上部リングが上方位置にあるときは、前記下部リングと前記上部リングとの間の空間を前記処理容器側の空間から遮蔽する、
    請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
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