TW202111804A - 電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

實施形態之電漿處理裝置具備：處理容器，其對基板進行處理；電源，其向處理容器內供給電力而產生電漿；上部電極，其設置於處理容器內；基板載置台，其具有與上部電極對向之下部電極，並供載置基板；邊緣環，其配置於基板載置台之外緣部，並包圍基板之周圍；及驅動機構，其使邊緣環之至少一部分上下驅動；邊緣環具有：下部環，其載置於基板載置台之外緣部上；上部環，其載置於下部環上，並藉由驅動機構上下移動；及輔助環，其能夠與上部環一同上下移動地配置於上部環之下表面，並具有面向朝處理容器內開放之側之面。

Description

電漿處理裝置
本發明之實施形態係關於一種電漿處理裝置。
於對基板進行處理之電漿處理裝置中，處理容器內之構件因電漿而產生磨耗。若配置於基板周邊之邊緣環產生磨耗，則電漿產生鞘層變形，導致製程特性發生變動。
實施形態提供一種能夠抑制製程特性之變動且能夠提高器件良率之電漿處理裝置。
實施形態之電漿處理裝置具備：處理容器，其對基板進行處理；電源，其向上述處理容器內供給電力而產生電漿；上部電極，其設置於上述處理容器內；基板載置台，其具有與上述上部電極對向之下部電極，並供載置上述基板；邊緣環，其配置於上述基板載置台之外緣部，並包圍上述基板之周圍；及驅動機構，其使上述邊緣環之至少一部分上下驅動；上述邊緣環具有：下部環，其載置於上述基板載置台之外緣部上；上部環，其載置於上述下部環上，並藉由上述驅動機構上下移動；及輔助環，其能夠與上述上部環一同上下移動地配置於上述上部環之下表面，並具有面向朝上述處理容器內開放之側之面。
以下，關於本發明，參照圖式詳細地進行說明。此外，本發明並不受下述實施形態所限定。又，於下述實施形態中之構成要素中，包含業者能夠容易地設想者或實質上相同者。
(電漿處理裝置之構成例) 圖1係模式性地表示實施形態之電漿處理裝置1之構成之一例之剖視圖。電漿處理裝置1例如構成為對作為基板之晶圓100進行電漿蝕刻處理之RIE(Reactive Ion Etching，反應性離子蝕刻)裝置。
如圖1所示，電漿處理裝置1具備氣密地構成之例如作為鋁製處理容器之腔室11。
於腔室11之上部附近設置有氣體供給口13。於氣體供給口13，通過配管連接有未圖示之氣體供給裝置，以此供給電漿處理時所使用之處理氣體。
於腔室11之上部附近且氣體供給口13之下方，設置有作為上部電極發揮作用之簇射頭30。於簇射頭30，設置有貫通板之厚度方向之複數條氣體流路32。從氣體供給口13供給來之處理氣體經由氣體流路32導入至腔室11內。
於簇射頭30之下方，以與簇射頭30對向之方式配置有作為基板載置台之晶圓台20。於晶圓台20中內藏有電極，晶圓台20水平地支持處理對象之晶圓100，並作為下部電極發揮作用。晶圓台20亦可構成為對晶圓100進行靜電吸附之靜電吸盤。
晶圓台20支持於從腔室11之中央附近之底壁向鉛直上方筒狀地突出之支持部12上。支持部12支持晶圓台20以使其與簇射頭30平行地對向。又，支持部12支持晶圓台20以使其位於與簇射頭30相隔特定距離之腔室11之中央附近。藉此種構造，簇射頭30與晶圓台20構成1對平行平板電極。
於晶圓台20連接有供給高頻電力之饋電線41。於饋電線41連接有隔直流電容器42、匹配器43及高頻電源44。於電漿處理時從高頻電源44向晶圓台20供給特定頻率之高頻電。
於晶圓台20之外周，配置有覆蓋晶圓台20之側面及周緣部底面之邊緣環50。邊緣環50以於對晶圓100進行蝕刻時電場不會於晶圓100之周緣部相對於與晶圓面垂直之鉛直方向偏向之方式對電場進行調整。
邊緣環50例如包含下部環51、中間環52、上部環53、及輔助環54之複數個構件。各構件例如由石英、矽、碳化矽、或陶瓷等構成。各構件亦可分別由不同之材料構成。關於該等構件之詳細構成，於下文進行敍述。
於邊緣環50之下方，設置有貫通晶圓台20之周緣部並抵接於上部環53之下表面之銷53p、及貫通晶圓台20之周緣部並抵接於輔助環54之下表面之銷54p。
銷53p連接於作為具備編碼器之致動器等之驅動部53a。構成為，藉由利用驅動部53a上下驅動銷53p，而讓上部環53能夠上下移動。銷54p連接於作為具備編碼器之致動器等之驅動部54a。構成為，藉由利用驅動部54a上下驅動銷54p，而讓輔助環54能夠上下移動。
再者，上部環53支持於沿著上部環53之圓周方向等間隔地配置之複數根銷53p。又，輔助環54支持於沿著輔助環54之圓周方向等間隔地配置之複數根銷54p。銷53p、54p只要分別存在3根以上即可，且各自具備驅動部53a、54a。
主要由3對以上之銷53p、54p及與該等銷對應之3對以上之驅動部53a、54a構成驅動機構。
於邊緣環50與腔室11之側壁之間，設置有隔板17。隔板17具有貫通板之厚度方向之複數個氣體排出孔17e。
於較隔板17更靠下部之腔室11設置有氣體排出口14。於氣體排出口14通過配管連接有未圖示之作為排氣設備之真空泵。
由腔室11內之晶圓台20及隔板17、以及簇射頭30分隔出之區域成為電漿處理室61。由簇射頭30分隔出之腔室11內之上部區域成為氣體供給室62。由晶圓台20及隔板17分隔出之腔室11內之下部區域成為氣體排出室63。
於進行晶圓100之電漿處理時，將作為處理對象之晶圓100載置於晶圓台20上。又，利用連接於氣體排出口14之未圖示之真空泵對腔室11內進行真空抽吸。當腔室11內達到特定之壓力時，從未圖示之氣體供給裝置向氣體供給室62供給處理氣體，經由簇射頭30之氣體流路32供給至電漿處理室61。於使作為上部電極之簇射頭30接地之狀態下，向作為下部電極之晶圓台20施加高頻電壓，從而於電漿處理室61內產生電漿。於下部電極側因高頻電壓而產生自偏壓，藉此於電漿與晶圓100之間產生電位梯度，使得電漿中之離子向晶圓台20加速，從而進行各向異性蝕刻處理。
控制部70對晶圓台20、高頻電源44、驅動部53a、54a、氣體供給裝置、及真空泵等製程處理裝置1之各部進行控制，從而實現上述電漿處理。
(邊緣環之構成例) 其次，使用圖2，對實施形態之邊緣環50之詳細構成例進行說明。圖2係實施形態之邊緣環50之單側剖視圖。於圖2之左下方，表示邊緣環50設置於晶圓台20之狀態。
如圖2所示，下部環51具有本體51b及從本體51b之一端向下方延伸之腳部51f。本體51b於內壁面51n側之上部具有凹部51r。於凹部51r之底面、及本體51b之靠外周之上表面分別配置有貫通孔51t。
中間環52之環狀單側剖面構成為L字型。亦即，中間環52具有外壁面52u側之上表面凹陷之形狀。
又，上部環53之環狀單側剖面亦構成為L字型。上部環53朝向外周側之L字型之角部53c具有帶弧度之形狀。上部環53於L字型之內側即下表面具有凹部53r。
輔助環54之環狀單側剖面構成為矩形。亦即，輔助環54之內壁面54n與外壁面54u相互大致平行。輔助環54於下表面具有凹部54r。
晶圓台20具備內藏下部電極23之母材21、及載置晶圓100之陶瓷板22。母材21與陶瓷板22分別於周緣部具有凸緣狀部。將陶瓷板22接合於母材21中央之台面狀部，藉此，晶圓台20之周緣部具備朝著載置晶圓100之中央部逐漸變高之3段階差。以沿著該等階差之方式設置邊緣環50之上述各構件。
下部環51載置於晶圓台20之母材21之凸緣狀部上。此時，本體51b下表面抵接於母材21之凸緣狀部上，內壁面51n與母材21之台面狀部側面及陶瓷板22之凸緣狀部側面對向。又，下部環51之腳部51f覆蓋母材21之凸緣狀部側面。
中間環52載置於晶圓台20之陶瓷板22之凸緣狀部上。中間環52之L字型之底面抵接於陶瓷板22之凸緣狀部上，L字型之側面與陶瓷板22之台面狀部側面對向。
輔助環54收容於下部環51之凹部51r內。此時，輔助環54之內壁面54n與中間環52之外壁面52u對向，輔助環54之外壁面54u與下部環51之凹部51r側面對向。
如此，藉由將下部環51、中間環52、及輔助環54組合，使中間環52之L字型之內側即上表面、輔助環54之上表面、及下部環51之本體51b之上表面排列於大致相同之高度上。
上部環53以覆蓋全部該等構件之方式從上方罩下。此時，下部環51、中間環52、及輔助環54各自之上表面與上部環53之下表面抵接。又，上部環53之L字型之內壁面與下部環51之本體51b之外壁面對向，上部環53之L字型之下端部抵接於下部環51之腳部51f之上表面。又，上部環53之向下方延伸之外壁面與下部環51之腳部51f之外壁面不具有階差，成為大致平坦之狀態。亦即，上部環53之外徑與下部環51之腳部51f之外徑大致相等。
連接於驅動部53a之銷53p從晶圓台20下方貫通晶圓台20之母材21之凸緣狀部，通過下部環51之其中一個貫通孔51t而抵接於上部環53下表面之凹部53r。連接於驅動部54a上之銷54p從晶圓台20下方貫通晶圓台20之母材21之凸緣狀部，通過下部環51之另一個貫通孔51t抵接於輔助環54下表面之凹部54r。
於載置於陶瓷板22之台面狀部上表面之狀態下，晶圓100之下表面與中間環52之L字型之上端部對向。上部環53之內壁面與晶圓100端部對向，晶圓100之上表面與上部環53之上表面成為大致相等之高度。藉此，能夠抑制晶圓100外周部之電漿之鞘層變形，從而能夠使電漿中之離子大致垂直地對晶圓100入射。
如此，邊緣環50藉由組合複數個構件，而大致完全地覆蓋晶圓台20之周緣部。藉此，能夠抑制晶圓台20之周緣部暴露於電漿中而產生磨耗。雖然邊緣環50會相應地產生磨耗，但邊緣環50係分成複數個構件而構成。因此，例如只要僅適當更換磨耗最嚴重之上部環53即可，從而能夠降低邊緣環50之其他構件之更換頻率。
(邊緣環之使用例) 其次，使用圖3A及圖3B，對實施形態之邊緣環50之使用例進行說明。圖3係表示實施形態之邊緣環50於電漿處理裝置1內使用之情況之模式圖。圖3A表示邊緣環50剛安裝後之狀態，圖3B表示邊緣環50使用了特定時間後之狀態。
如圖3A所示，於剛安裝後，上部環53與輔助環54位於下方位置。亦即，輔助環54之上表面位於與中間環52之上表面及下部環51之上表面大致相同之高度位置。又，上部環53之下表面抵接於該等構件之上表面。
如圖3B所示，於使用了特定時間後，上部環53之上表面因磨耗而越來越薄。因此，為了使上部環53之上表面與晶圓100之高度位置對齊，藉由驅動部53a及銷53p將上部環53向上推，使其移動至上方位置。此時，於上部環53與下部環51之間產生空間SPe。
伴著上部環53向上方移動，輔助環54亦藉由驅動部54a及銷53p被向上推，朝上方位置移動相當於上部環53所移動之程度。輔助環54與上部環53相同程度地向上方移動。亦即，驅動部54a與驅動部53a同步驅動。藉此，輔助環54之上表面仍維持抵接於上部環53之下表面。
又，輔助環54之一部分從下部環51之凹部51r突出，從而輔助環54之外壁面54u之上側之一部分面向上部環53與下部環51之間之空間SPe。又，輔助環54之內壁面54n之上側之一部分面向朝腔室11側開放之空間SPp。空間SPp既為電漿產生空間，亦為對晶圓100進行處理之處理空間。
換言之，上部環53及下部環51之間之空間SPe與腔室11側之空間SPp由輔助環54隔開。
另一方面，如上所述，藉由使上部環53構成為L字型，上部環53及下部環51之間之空間SPe與腔室11側之空間SPp亦由上部環53隔開。換言之，輔助環54於邊緣環50之內周側隔開空間SPe、SPp，與此相對，上部環53於邊緣環50之外周側隔開空間SPe、SPp。
然後，當邊緣環50之使用時間進一步延長，上部環53之上表面磨耗更為嚴重時，上部環53進而移動至上方位置，而與晶圓100上表面之高度位置對齊。輔助環54亦與上部環53之上升程度相對應地移動。然後，於輔助環54之下端部超出中間環52及下部環51之上表面之前更換上部環53。換言之，輔助環54之厚度係根據上部環53之壽命進行設定。
上部環53及輔助環54之上升位置藉由預先取得之資料進行控制。亦即，事先取得基於邊緣環50之使用時間之上部環53之磨耗量或此時經處理之晶圓100之製程特性。然後，基於所取得之資料，決定出特定使用時間內上部環53及輔助環54之上升位置。然後，根據使用時間，適當調整上部環53及輔助環54之上升位置。
再者，上部環53及輔助環54向上方之驅動階段性地進行即可。例如，重複進行如下步驟：於特定期間內將上部環53及輔助環54固定於特定位置並持續使用，於到達特定使用時間後使其僅上升特定量。
(比較例) 於電漿處理裝置中，腔室內之構件因電漿而產生磨耗。若配置於晶圓外周之邊緣環產生磨耗，則於電漿之鞘層產生變形，製程特性發生變動。因此，於比較例之電漿處理裝置中，根據磨耗程度使邊緣環不斷上升。
圖4A及圖4B係表示使用比較例之電漿處理裝置之邊緣環之情況之模式圖。如圖4A所示，比較例之電漿處理裝置具有由配置於晶圓台之周緣部之下部環51'、下部環51'上之中間環52'、及中間環52'上之上部環53'構成之邊緣環。
於上部環53'，抵接貫通晶圓台周緣部、下部環51'、及中間環52'之銷53p'。利用驅動部53a'上下驅動銷53p，藉此將上部環53'向上推，使上部環53'之上表面之高度與晶圓100上表面之高度一致。
如圖4B所示，於使用了特定時間後，因磨耗而變薄之上部環53'被銷53p'推向上方，其上表面高度維持與晶圓100高度一致之狀態。然而，於上部環53'與中間環52'之間產生空間，會於該空間內產生由電漿所導致之異常放電DF。
異常放電例如會導致形成於晶圓100之半導體裝置之充電損害，或成為微粒之產生源，從而可能對半導體裝置造成損傷。因此，導致半導體裝置之良率降低。
根據實施形態之電漿處理裝置1，邊緣環50具備與上部環53一同上升並具有面向朝著腔室11內開放之側之內壁面54n之輔助環54。亦即，輔助環54隔開上部環53與下部環51之間之空間SPe、及腔室11側之空間SPp。藉此，可抑制空間SPe內之異常放電。因此，能夠藉由上部環53之上升抑制製程特性之變動，且能夠藉由輔助環54之遮斷效果提高器件良率。
根據實施形態之電漿處理裝置1，下部環51具有收容輔助環54之凹部51r。藉此，於上部環53與輔助環54位於下方位置時，能夠使輔助環54之上表面高度與下部環51及中間環52之上表面高度對齊，從而能夠將上部環53載置於該等構件上。
根據實施形態之電漿處理裝置1，中間環52與比較例之中間環52'相比構成得精簡，並未插入至上部環53與下部環51之間。並且，收容輔助環54之凹部51r設置於下部環51之內壁面51n側上表面。藉此，能夠靠近邊緣環50整體之內徑地配置輔助環54。亦即，能夠拓寬由輔助環54遮斷之空間SPe，而進一步降低異常放電之產生概率。
根據實施形態之電漿處理裝置1，將輔助環54之厚度配合上部環53之壽命予以設定。藉此，能夠抑制以下情況：於更換上部環53之前，輔助環54整體從下部環51之凹部51r突出，從而導致輔助環54之遮斷效果減損。
(變化例1) 其次，使用圖5，對實施形態之變化例1之電漿處理裝置進行說明。於變化例1中，與上述實施形態之不同點在於削減了驅動部153a之數量。圖5係表示於實施形態之變化例1之電漿處理裝置內使用邊緣環50之情況之模式圖。
如圖5所示，變化例1之邊緣環50亦具備與上述實施形態相同之構成。惟分支為2的1個銷153p就每一處抵接於上部環53與輔助環54。1個銷153p連接於1個驅動部153a。
於變化例1之電漿處理裝置中，主要由3個以上之銷153p及與該等銷對應之3個以上驅動部153a構成驅動機構。
根據變化例1之電漿處理裝置，削減了驅動部153a之數量，從而能夠謀求電漿處理裝置之成本下降。
(變化例2) 其次，使用圖6，對實施形態之變化例2之電漿處理裝置進行說明。於變化例2中，與上述實施形態之不同點在於上部環253具備輔助突起254。圖6係表示於實施形態之變化例2之電漿處理裝置內使用邊緣環之情況之模式圖。
如圖6所示，變化例2之邊緣環具備具有輔助突起254之上部環253代替上述實施形態之輔助環54。輔助突起254具有從上部環253下表面向下部環51之凹部51r延伸、並於上方位置面向朝腔室內開放之側之內壁面254n。
即，於變化例2之邊緣環中，將具有與上述實施形態之輔助環54相同功能之輔助突起254與上部環253一體成形。並且，變化例2之電漿處理裝置僅具有將上部環253向上推之銷253p、及藉由使銷253p驅動而使上部環253上下移動之驅動部253a。
於變化例2之電漿處理裝置中，主要由3個以上之銷253p及與該等銷對應之3個以上驅動部253a構成驅動機構。
根據變化例2之電漿處理裝置，輔助突起254與上部環253構成為一體。藉此，能夠削減邊緣環之零件數量。又，能夠削減驅動部253a之數量。因此，能夠謀求電漿處理裝置之成本下降。
(其他變化例) 於上述實施形態及變化例1、2中，將電漿處理裝置構成為RIE裝置，但並不限定於此。電漿處理裝置亦可為CDE(Chemical Dry Etching，化學乾式蝕刻)裝置、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置、灰化裝置等進行蝕刻以外之電漿處理之裝置。
對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為舉例而提出，並未意圖限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可藉由其他各種形態實施，可於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變化均包含於發明之範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
[相關申請案] 本申請案享有2019年9月2日申請之日本專利申請號2019-159787之優先權之權益，並於本申請案中引用該日本專利申請案之所有內容。
1:電漿處理裝置 11:腔室 12:支持部 13:氣體供給口 14:氣體排出口 17:隔板 17e:氣體排出孔 20:晶圓台 21:母材 22:陶瓷板 23:下部電極 30:簇射頭 32:氣體流路 41:饋電線 42:隔直流電容器 43:匹配器 44:高頻電源 50:邊緣環 51:下部環 51':下部環 51b:本體 51f:腳部 51n:內壁面 51r:凹部 51t:貫通孔 52:中間環 52':中間環 52u:外壁面 53:上部環 53':上部環 53a:驅動部 53a':驅動部 53c:角部 53p:銷 53p':銷 53r:凹部 54:輔助環 54a:驅動部 54n:內壁面 54p:銷 54r:凹部 54u:外壁面 61:電漿處理室 62:氣體供給室 63:氣體排出室 70:控制部 100:晶圓 153a:驅動部 153p:銷 253:上部環 253a:驅動部 253p:銷 254:輔助突起 254n:內壁面 DF:異常放電 SPe:空間 SPp:空間
圖1係模式性地表示實施形態之電漿處理裝置之構成之一例之剖視圖。 圖2係實施形態之邊緣環之單側剖視圖。 圖3A及圖3B係表示實施形態之邊緣環於電漿處理裝置內使用之情況之模式圖。 圖4A及圖4B係表示使用比較例之電漿處理裝置之邊緣環之情況之模式圖。 圖5係表示於實施形態之變化例1之電漿處理裝置內使用邊緣環之情況之模式圖。 圖6係表示於實施形態之變化例2之電漿處理裝置內使用邊緣環之情況之模式圖。
20:晶圓台
21:母材
22:陶瓷板
23:下部電極
51:下部環
51b:本體
51f:腳部
51n:內壁面
51r:凹部
51t:貫通孔
52:中間環
52u:外壁面
53:上部環
53a:驅動部
53c:角部
53p:銷
53r:凹部
54:輔助環
54a:驅動部
54n:內壁面
54p:銷
54r:凹部
54u:外壁面
100:晶圓

Claims (20)

  1. 一種電漿處理裝置，其具備： 處理容器，其對基板進行處理； 電源，其向上述處理容器內供給電力而產生電漿； 上部電極，其設置於上述處理容器內； 基板載置台，其具有與上述上部電極對向之下部電極，並供載置上述基板； 邊緣環，其配置於上述基板載置台之外緣部，並包圍上述基板之周圍；及 驅動機構，其使上述邊緣環之至少一部分上下驅動； 上述邊緣環具有： 下部環，其載置於上述基板載置台之外緣部上； 上部環，其載置於上述下部環上，並藉由上述驅動機構上下移動；及 輔助環，其能夠與上述上部環一同上下移動地配置於上述上部環之下表面，並具有面向朝上述處理容器內開放之側之面。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述下部環具有收容上述輔助環之凹部， 上述輔助環於上述上部環位於下方位置時收容於上述凹部中。
  3. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述輔助環於上述上部環位於上方位置時，將上述下部環與上述上部環之間之空間與上述處理容器側之空間遮斷。
  4. 如請求項3之電漿處理裝置，其中上述上部環之環狀外周側剖面構成為L字型， 於上述上部環位於上方位置時， 上述輔助環於上述邊緣環之內周側，將上述下部環與上述上部環之間之空間與上述處理容器側之空間遮斷，與此相對， 上述上部環之L字型部分於上述邊緣環之外周側，將上述下部環與上述上部環之間之空間與上述處理容器側之空間遮斷。
  5. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述驅動機構具有： 第1驅動部，其使上述上部環上下驅動；及 第2驅動部，其使上述輔助環上下驅動。
  6. 如請求項5之電漿處理裝置，其中上述第1驅動部與上述第2驅動部同步進行驅動。
  7. 如請求項5之電漿處理裝置，其中上述驅動機構具有： 第1銷，其一端抵接於上述上部環，另一端連接於上述第1驅動部；及 第2銷，其一端抵接於上述輔助環，另一端連接於上述第2驅動部。
  8. 如請求項7之電漿處理裝置，其中上述下部環具有： 第1貫通孔，其供上述第1銷貫通；及 第2貫通孔，其供上述第2銷貫通。
  9. 如請求項7之電漿處理裝置，其中上述上部環於供上述第1銷抵接之部分具有第1凹部， 上述輔助環於供上述第2銷抵接之部分具有第2凹部。
  10. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述驅動機構具有使上述上部環與上述輔助環上下驅動之驅動部。
  11. 如請求項10之電漿處理裝置，其中上述驅動機構具有一端分成雙叉而抵接於上述上部環與上述輔助環且另一端連接於上述驅動部之銷。
  12. 如請求項11之電漿處理裝置，其中上述下部環具有供上述一端分成雙叉之上述銷貫通之第1貫通孔及第2貫通孔。
  13. 如請求項11之電漿處理裝置，其中上述上部環於供上述銷抵接之部分具有第1凹部， 上述輔助環於供上述銷抵接之部分具有第2凹部。
  14. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述輔助環與上述上部環一體地構成。
  15. 如請求項14之電漿處理裝置，其中上述驅動機構具有使上述上部環上下驅動之驅動部。
  16. 如請求項15之電漿處理裝置，其中上述驅動機構具有一端抵接於上述上部環且另一端連接於上述驅動部之銷。
  17. 如請求項16之電漿處理裝置，其中上述下部環具有供上述銷貫通之貫通孔。
  18. 如請求項16之電漿處理裝置，其中上述上部環於供上述銷抵接之部分具有凹部。
  19. 如請求項1之電漿處理裝置，其中上述邊緣環具有配置於上述基板載置台之外緣部與上述上部環之間之中間環。
  20. 如請求項19之電漿處理裝置，其中於上述上部環位於下方位置時， 上述輔助環之上述面與上述中間環之朝向外周側之外壁面對向。
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